平成28年度第1回研究会講演要旨集

日 時:平成28年6月17日(水) 13:00-16:40
場 所:東京大学駒場リサーチキャンパス

テーマ: 「カーボンナノチューブの実用化研究」

(1)CNTを用いた高性能電気二重層キャパシタ開発
 日本ケミコン㈱ 末松 俊造・・・・・・・・・・ 1
(2)カーボンナノチューブ電極による高分子アクチュエータ
 産業技術総合研究所 安積 欣志・・・・・・・・・・ 5
(3)高純度半導体型CNTを用いた印刷トランジスタとセンサ応用
 単層CNT融合新材料研究開発機構 沼田 秀昭・・・・・・・・・・ 10
(4)NIR-II波長域を用いた in vivo イメージングの創薬研究への展開
 ㈱島津製作所 竹内 司・・・・・・・・・・15
  

平成28年度第2回研究会講演要旨集

日 時:平成28年11月4日(金) 13:30-16:50
場 所:東京工業大学大岡山キャンパス

テーマ: 「トライボロジー50周年-ニューダイヤモンド・ナノカーボンとの接点-」

(1)ナノダイヤモンド応用の新しい提案 “Frictional Management D3X
 (有)アプライドダイヤモンド 武田 修一・・・・・・・・・・ 1
(2)DLCコーティングにおける産業技術連携推進会議の取り組み
 産業技術総合研究所 石原 正統・・・・・・・・・・ 5
(3)カーボンファミリーのナノトライボロジー
 電気通信大学 佐々木 成朗・・・・・・・・・・10
(4)カーボン系硬質膜の低摩擦現象発現時の摩擦面その場観察
 名古屋大学 梅原 徳次・・・・・・・・・・ 14
  

平成28年度第3回研究会講演要旨集

日 時:平成29年2月27日(月) 13:30-16:50
場 所:早稲田大学 西早稲田キャンパス

テーマ: 「ダイヤモンドパワーデバイス実現のカギ:インパクトイオン化と結晶成長」

(1)フルバンドモンテカルロ法によるダイヤモンドのイオン化係数の解析
 大阪大学 鎌倉 良成・・・・・・・・・・ 1
(2)ワイドバンドギャップ半導体の衝突イオン化係数の実験的な見積り:SiCでの例を中心として
 産業技術総合研究所 畠山 哲夫・・・・・・・・・・6
(3)ダイヤモンド結晶大型化の課題と展望
 産業技術総合研究所 山田 英明・・・・・・・・・・11
(4)ダイヤモンドへの不純物ドーピングの特異性
 物質・材料研究機構 小泉 聡・・・・・・・・・・16