ダイヤモンドシンポジウム講演プログラム(第2回)

 

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 第2回 ダイヤモンドシンポジウム講演プログラム

 

日 時:昭和61年12月14日(月),15日(火)

会 場:経団連会館

第1日[12月14日(月)]

◇9:00~10:00 座長 湯郷成美

1401 マイクロ波プラズマ法によるダイヤモンド析出面積の広域化

    (無機材研・新日本無線*,)加茂睦和,○高村文雄*,佐藤洋一郎,・・・・・・・・・・・ 1

1402 マイクロ波放電によるダイヤモンド膜の大面積化

    (電気興業・東芝*)○石堀宏一,大平義和,萩原梓郎,鹿田 洋* ・・・・・・・・・・・3

1403 マイクロ波プラズマ法によるダイヤモンド合成

    (出光石化)○伊藤利通,風早富雄,大門 優,増田敦彦,江藤祐士 ・・・・・・・・・・・5

 

◇10:00~11:00 座長 澤辺厚仁

1404 アセトンを炭素源とするマイクロ波放電によるダイヤモンドの生成

    (並木精密宝石・青学大理工*)○戸嶋博昭,矢口洋一,天田祐治,松本修* ・・・・・・・7

1405 ダイヤ薄膜のモルフォロジーと結晶成長

    (神戸製鋼) 西村耕造,○小橋宏司,川手剛雄 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・9

1406 超音波処理基板上へのダイヤモンド膜の成長

    (電通大)○湯郷成美,金井久幸,木村忠正 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・11

 

◇11:00~12:00 座長 加茂睦和

1407 DCプラズマジェットCVDによるダイヤモンドの合成

    (富士通)○河原田元信,栗原和明,佐々木謙一,越野長明 ・・・・・・・・・・・・・・・13

1408 減圧プラズマジェットによるチタンの炭化とダイヤモンドの析出

    (青学大理工)○松本 修,古川龍一,古滝敏郎 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・15

1409 直流プラズマCVD法におけるダイヤモンド合成時のプラズマ状態の評価

    (青学大理工・協栄プラスチック工芸*)○鈴木一博,雨宮隆久,澤辺厚仁,鍋田庸一*,犬塚直夫 ・・・・・・・・・・・ 17

 

◇12:00~13:00 [昼休み]

 

◇13:00~14:00 座長 赤石 實

1410 超高圧下での黒鉛及びダイヤモンドの融解実験

    (阪大基礎工)都賀谷素宏 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・19

1411 ダイヤモンド結晶成長過程の観察

    (筑波大・成都科技大*)○若槻雅男,高野 薫,丁 立業* ・・・・・・・・・・・・・・21

1412 ほう素添加人工ダイヤモンドの育成

    (無機材研・東工大工*)○神田久生,大沢俊一,福長 脩* ・・・・・・・・・・・・・・23

 

◇14:00~15:00 座長 都賀谷素宏

1413 ダイヤモンド粉末の衝撃焼結

    (化技研)○吉田正典,田中克己,青木勝敏,藤原修三 ・・・・・・・・・・・・・・・・・25

1414 タングステンを助剤としたダイヤモンドの焼結

    (名工試)○粂 正市,吉田晴男 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・17

1415 ダイヤモンド焼結体の耐熱性に及ぼす添加金属の影響

    (無機材研・東工大工*,)○赤石 實,大沢俊一,山岡信夫,福長 脩* ・・・・・・・・ 29 

 

◇15:00~15:15 [休 憩]

 

◇15:15~16:15 座長 細見 暁

1416 立方晶BN基複合体の超高圧焼結

    (阪大基礎工・新技術開発事業団*,・東北大金研**)○小野寺昭史,吉原治之,高橋徳和A,福本真理子,

    中江博之*B1,松波幸男*B2,平井敏雄**(A:現・日立,B1:現・古河電工,B2:現・日本重化) ・・・・・・・・・・・ 31

1417 PSZを助剤としたcBNの焼結

    (名工試)○吉田晴男,粂 正市 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・33

1418 cBN多結晶体の特性

    (住友電工伊丹研)○角谷 均,辻 一夫,矢津修示 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・35

 

◇16:15~17:35 座長 戸倉 和

1419 半導体cBN単結晶の育成と電気抵抗測定

    (無機材研)○三島 修,田中順三,山岡信夫,福長 脩 ・・・・・・・・・・・・・・・・37

1420 cBN単結晶の特性

    (住友電工伊丹研)○出川純司,辻 一夫,矢津修示 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・39

1421 高温・高圧反応用カプセル材の保持機能

    (東名ダイヤモンド)細見 暁 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・41

1422 ファインセラミックスの高能率研削

    (慶大理工,日立精工*)○鄭 潤教,稲崎一郎,松井 敏* ・・・・・・・・・・・・・・43

 

◇17:35~18:55 座長 神田久生

1423 ダイヤモンド焼結体工具によるセラミックスの切削加工

    (東芝タンガロイ)○木曽弘隆,田口富雄,前田篤志 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・45

1424 電鋳ダイヤモンドブレードによるセラミックスの切断特性

    (三菱金属)○及川尚登,高橋 務,安宅義忠 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・47

1425 微細炭素分散鉄合金ボンドダイヤモンド砥石の開発と研削特性

    (東芝総研)○逢坂達吉,蒲原尚登,天野景隆 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・49

1426 ダイヤモンドバイトの摩耗

    (東工大工)○戸倉 和,吉川昌範 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・51

 

◇19:00~20:30 『懇親会』

第2日[12月15日(火)]

◇9:00~10:00 座長 谷 克彦

1501 GD法により作成したa-C:H膜-成膜パラメータと構造の関係-

    (鐘淵化学中研)○山本憲治,中山威久,太和田善久 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・53

1502 グロー放電プラズマによる硬質炭素膜の製膜(Ⅱ)

    (電機大工)○小林健二,山本貴世幸,六倉信喜,町 好雄 ・・・・・・・・・・・・・・・55

1503 パルスレーザ蒸着によるダイヤモンド状薄膜の作製

    (豊橋技科大・トヨタ東富士研*)○佐藤徹哉,英 貢,古野志健男*,井口 哲* ・・・・57

 

◇10:00~11:00 座長 小林健二

1504 P-CVD法によるDLC膜の電気的性質

    (リコー中研)○太田英一,木村裕治,谷 克彦 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・59

1505 炭素負イオンビーム蒸着によるダイヤモンド状薄膜の特性 

    (京大工)○石川順三,辻 博司,吉田 勝,高木俊宜 ・・・・・・・・・・・・・・・・・61

1506 ダイヤモンド状炭素膜のラマンスペクトル

    (東レリサーチセンター・東レ電子情報材料研*)○吉川正信,片桐 元,石田英之,石谷 炯,赤松孝義* ・・・・・・・・・・・・・・・・63

 

◇11:00~12:00 座長 山岡信夫

1507 レーザPVD法によるcBN膜の形成

    (電総研・東芝タンガロイ*・新日鉄**・昭和電工***)○峰田進栄,木幡 護*,安永暢男**,古田雄司***,池田正幸 ・・・・・・・65

1508 ダイヤモンド中の希ガスの拡散

    (東大理)○小嶋 稔,座主繁男 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・67

1509 ダイヤモンド中のガーネット固溶体からみたダイヤモンドの成因

    (無機材研)関根利守 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・69

 

◇12:00~13:00 [休 憩]

 

◇13:00~14:00 座長 藤森直治

1510 室温基板上でのダイヤモンドの核形成

    (松下電器中研)○上野 明,北畠 真 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 71

1511 熱フィラメント法によるダイヤモンド合成における拡散動力学

    (東大工)林 克彦,○小宮山宏 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・73

1512 熱フィラメントCVD法によるアルコールを用いたダイヤモンドの高速成膜

    (日本工大)○広瀬洋一,手塚和男,青木庸好,近藤紀明,赤塚文夫 ・・・・・・・・・・・75

 

◇14:00~15:00 座長 広瀬洋一

1513 Si基板上に析出させたダイヤモンド膜の密着性

    (東芝総研)○鎌田真人,金子尚史,桑江良昇 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・77

1514 ダイヤモンド膜の表面弾性波伝播速度の測定

    (HOYA*,日立中研**,無機材研)○畑智恵美*,石川 潔**,加茂睦和,佐藤洋一郎 ・・・・・・・ 79

1515 ダイヤモンド状薄膜の真空脱ガス特性

    (昭和電工大町研)○小畑龍夫,森本信吾 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・81

 

◇15:00~15:15 [休 憩]

 

◇15:15~16:15 座長 菊池則文

1516 H2-CH4-H2O系から合成したダイヤモンド膜の評価

    (日立日立研)○斎藤幸雄,佐藤康司,田中秀明,宮寺 博 ・・・・・・・・・・・・・・・83

1517 気相合成法によるダイヤモンド薄膜の応力状態

    (住友電工伊丹研)○田辺敬一朗,藤森直治 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・85

1518 ダイヤモンドエピタキシャル膜の特性(Ⅱ)

    (住友電工伊丹研)○今井貴浩,中幡英章,藤森直治 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・87

 

◇16:15~17:15 座長 飛岡正明

1519 半導体的性質を持つダイヤモンド薄膜の合成

    (東海大工)○岡野 健,成木秀敏,秋葉幸男,黒須楯生,飯田昌盛 ・・・・・・・・・・・89

1520 膜状ダイヤモンドの研磨

    (東工大工)○吉川昌範,戸倉 和 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・91

1521 有機化合物を用いたCVD法による超硬チップヘのダイヤモンドコーティング

    (日本工大)○竹内貞雄,村川正夫,宮沢 肇,広瀬洋一 ・・・・・・・・・・・・・・・・93

 

◇17:15~18:35 座長 佐藤洋一郎

1522 ダイヤモンドコーティングの切削工具への応用

    (三菱金属中研・三菱金属*)○菊池文則,山下博明,中原 啓,吉村寛範* ・・・・・・・95

1523 ダイヤモンド薄膜工具の作成

    (旭ダイヤモンド技研)○奥住文徳,松田順一,見義一兄 ・・・・・・・・・・・・・・・・97

1524 ダイヤモンドコーティング工具について

    (住友電工伊丹研)○池ケ谷明彦,飛岡正明 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 99

1525 ダイヤモンドホイールによるセラミックスのグラインディングセンター加工

    (日本工大・富山県立技術短大*,・東大生産研**)○鈴木清,植松哲太郎*,中川威雄** ・・・・・・・・・・・・・・・・・101

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