ダイヤモンドシンポジウム講演プログラム(第18回)

 

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 第18回 ダイヤモンドシンポジウム講演プログラム

 

日 時:平成16年11月29日(月),30日(火)  

会 場:産業技術総合研究所 共用講堂

第1日(11月29日)産業技術総合研究所 共用講堂

◇座長 神田 久生(物材機構) 9:00~10:20

101  10mm級大型CVDダイヤモンド単結晶の特性評価

    (住友電工)○目黒貴一,山本喜之,今井貴浩……………………………………………………………………………4

102  マイクロ波プラズマCVDによる単結晶ダイヤモンドの高速成長Ⅰ

    (産総研)○茶谷原昭義,杢野由明,堀野裕治,高須由紀子,加藤宙光,吉川博道,藤森直治……………………………6

103  高出力マイクロ波プラズマCVD法による高品質ボロンドープダイヤモンド薄膜の合成

    (阪大院・工)○寺地徳之,有馬一也,和田英樹,伊藤利道………………………………………………………………8

104  直径1インチのイリジウム下地へのエピタキシャルダイヤモンド薄膜の作製

    (青学大・理工,トウプラスエンジ*)○前田真太郎,安藤 豊,鈴木一博*,澤邊厚仁……………………………………10

 

◇10:20~10:40 コ-ヒ-ブレイク

 

◇座長 古賀義紀(産業技術総合研究所)10:40~12:00

105  先端放電型マイクロ波プラズマCVDによる垂直配向・高密度単層カーボンナノチューブの低温合成

    (早大・理工,早大・理工/COE*)○吉田 剛,岩崎孝之,保坂亮太,鐘 国倣,大泊 巌*,川原田洋*…………………12

106  透過電子顕微鏡内での多層カーボンナノチューブの内層滑り変形と電気伝導性の動的計測

    (東大・生産研)○葛巻 徹,光田好孝…………………………………………………………………………………………14

107  金属複合導電性ダイヤモンド電極の電気化学的応用

    (慶應大・理工,東大・RIC*,KAST**)○栄長泰明,T.A.lvandini,佐藤利佳,巻出義紘*,藤嶋 昭**……………………16

108  ダイヤモンド室温水素処理に伴う欠陥生成

    (産総研,産総研/筑波大*,東北大・流体研**)○山崎 聡,山崎雄一*,水落憲和*,石川健二**,寒川誠二**……18

 

◇12:00~13:00 昼休み

 

◇座長 鈴木 哲也(慶応義塾大学) 13:00~14:40

109  ナノメートル制御で作製したアモルファス窒化炭素の創製・物性とその応用

    (岐阜大)○仁田昌二…………………………………………………………………………………………………………24

110  質量分離C+/N+イオン交互照射により作製したCNx膜

    (産総研)○山本和弘…………………………………………………………………………………………………………26

111  Arマイクロ波放電フローに誘起されたBrCNの分解過程

    (長岡技大)○伊藤治彦,齋藤秀俊………………………………………………………………………………………28

112  FIB-CVD法により生成したDLC薄膜のNEXAFSによる評価

    (兵庫県立大/CREST-JST)○神田一浩,井垣潤也,加藤有理,米谷玲皇,松井真二……………………………………30

113  フッ素添加Diamond-like Carbon 膜表面における血小板付着および活性化抑制効果

    (慶應大・理工,慶應大・理工/立川病院*,東大・医**)○齊藤俊哉,長谷部光泉*,饒平名智士,松岡義明,

    上条亜紀**,高橋孝喜**,鈴木哲也…………………………………………………………………………………………32

 

◇14:40~15:00 コ-ヒ-ブレイク

 

◇特別講演 座長 川原田 洋(早稲田大学) 15:00~15:50

 「ダイヤモンドの研究にかける夢」  産業技術総合研究所  ダイヤモンド研究センター  副センター長 大串 秀世 氏…34

 

◇ポスタ-セッション 16:00~18:00

P01  大気圧グロープラズマ装置の電極開発

    (慶應大・理工)○飯泉 智,児玉英之,鈴木哲也…………………………………………………………………………44

P02  高効率ダイヤモンド合成へ向けたマイクロ波プラズマの数値解析

    (産総研)○山田英明,茶谷原昭義,杢野由明,堀野裕治,藤森直治………………………………………………………46

P03  マイクロ波プラズマCVDによる単結晶ダイヤモンドの高速成長Ⅱ

    (産総研)○杢野由明,茶谷原昭義,堀野裕治,藤森直治………………………………………………………………48

P04  選択成長を利用したヘテロエピタキシャルダイヤモンド自立膜の作製

    (青学大・理工,トウプラスエンジ*)○金子正明,安藤 豊,鈴木一博*,澤邊厚仁………………………………………50

P05  Ir上ヘテロエピタキシャルダイヤモンド表面へのリンドープダイヤモンド成長

    (青学大・理工,トウプラスエンジ*)○砥綿洋佑,安藤 豊,鈴木一博*,澤邊厚仁………………………………………52

P06  導電性ダイヤモンドコーティング製品の紹介

    (住友電工)○泉 健二,関裕一郎,今井貴浩……………………………………………………………………………54

P07  超高純度鉄基板上へのダイヤモンド合成

    (東京電機大・理工)○須藤和幸,幸村伸生,佐藤慶介,平栗健二…………………………………………………………56

P08  イオンビーム蒸着基板上へのダイヤモンド合成

    (東京電機大・理工,東京工業高専*)○伊東伸治,松本哲矢,佐藤慶介,大野秀樹*,平栗健二……………………58

P09  プラズマ近傍でのダイヤモンド及びDLC膜の作製

    (中部大・工,三重TLO*)○丸井 啓,安藤真二,及川竜也,鈴木卓也,梅野正義,野田三喜男*……………………60

P10  低インダクタンスマルチアンテナを利用した低圧ICP-CVDによるa-C:Hの3次元コーティング

    (産総研,茨城大*,阪大**)○津田 統,石原正統,田中章浩,古賀義紀,佐藤直幸*,節原裕一**…………………62

P11  ナノチューブからのナノダイヤモンド合成

    (物材機構,愛媛大*)○遊佐 斉,井上 徹*,入舩徹男*,神田久生……………………………………………………64

P12  表面波励起低圧力プラズマを用いた高品質ナノクリスタルダイヤモンド薄膜生成

    (東京大院・新領域創成)○金 載浩,桂井 誠……………………………………………………………………………66

P13  セラミックスを触媒とする液体原料からのカーボンナノチューブ合成

    (九州工大,福岡工技センター*,熊本大**,福岡女子大***)○坪田敏樹,小柳徳雄,横野照尚,南 守*,

     石田俊仁**,松本泰道**,草壁克己***……………………………………………………………………………………68

P15  フラーレンC80:1,C80:2,C80:4の統計的成長機構(理論)

    (産総研)○吉田晴男………………………………………………………………………………………………………70

P16  電子スピン共鳴法によるICPエッチングにおけるダイヤモンド表面損傷の評価

    (筑波大/産総研,産総研*,東北大・流体研**)○山崎雄一,水落憲和,齋藤丈靖*,

     石川健治**,寒川誠二** ,山崎 聡*………………………………………………………………………………………72

P17  CVDホモエピタキシャルダイヤモンドにおける欠陥生成の合成条件依存性と生成機構

    (筑波大/産総研/CREST,筑波大/産総研*,産総研/CREST**)○水落憲和,渡邊幸志**,

     加藤宙光**,小倉政彦** ,磯谷順一*,大串秀世**,山崎 聡**……………………………………………………74

P18  低エネルギーリンイオンを照射したダイヤモンド表面

    (産総研)○山本和弘,小倉政彦,渡邊幸志…………………………………………………………………………………76

P19  ダイヤモンドのカソードルミネッセンススペクトルの電子線照射による変化

    (物材機構)○神田久生,渡邊賢司………………………………………………………………………………………78

P20  フッ素官能基によるDLC膜表面の光化学修飾

    (産総研)○中村挙子,大花継頼,鈴木雅裕,石原正統,田中章浩,古賀義紀……………………………………………80

P23  生体分子を固定した超分散ダイヤモンドの評価

    (早大・理工)○村上泰規,中野善和,張 国軍,梅澤 仁,宋 光燮,川原田洋…………………………………………82

P24  表面処理したダイヤモンドのXPS分析

    (日本工大)○大島龍司,金田慎一郎,飯塚完司……………………………………………………………………………84

P25  金属含有量のDLN薄膜構造への影響とその評価

    (東北大院,東北大・流体科研*,モスクワ国大**,モスクワ電工研***)○竹野貴法,三木寛之*,

     高木敏行*,佐藤武志*,A.Bozhko**,M.Shupegin***…………………………………………………………………86

P26  フッ素添加アモルファスカーボン膜の構造欠陥に対する超微細相互作用定数計算

    (富山県立大,福井工大*)○横道治男,石井信彦*…………………………………………………………………………88

P27  BrCNのHe ECRプラズマ分解を用いて作製された窒化炭素膜の硬質化過程

    (長岡技大)○並木恵一,小暮悠紀央, 高野真弥, 伊藤治彦, 齋藤秀俊………………………………………………90

P28  ECR励起Heプラズマ中でBrCNから合成されたa-CN膜の骨格構造

    (長岡技大)○高野真弥,小暮悠紀央, 並木恵一, 大塩茂夫, 伊藤治彦, 齋藤秀俊………………………………………92

P29  BrCNのECRプラズマ分解を用いた窒化炭素薄膜の形成

    (長岡技大)○小暮悠紀央,高野真弥,並木恵一,齋藤秀俊,伊藤治彦………………………………………………94

P30  Arのマイクロ波放電フローによるBrCNの解離励起反応解析

    (長岡技大)○河村好範,齋藤秀俊,伊藤治彦………………………………………………………………………………96

P31  BrCN/Ar系におけるa-CNx薄膜の作成-高周波バイアスの効果

    (長岡技大)○堀 健造,齋藤秀俊,伊藤治彦……………………………………………………………………………98

P32  CNラジカルの付着確率計測

    (長岡技大)○小田晃一,齋藤秀俊,伊藤治彦…………………………………………………………………………100

P33  CH4/N2窒素混合気体の高周波放電-CN(B-X)発光強度とa-CNx:H膜生成量との相関

    (長岡技大)○安島初穂,齋藤秀俊,伊藤治彦…………………………………………………………………………102

P34  Ni添加炭素材料の合成

    (長岡技大)○戸田育民,齋藤秀俊,大塩茂夫…………………………………………………………………………104

P35  大気圧下でのナノパルスプラズマCVDによるDLC膜の合成

    (日本ガイシ,東工大院・理工*)○近藤好正,齊藤隆雄,斉藤雅典*,中村幸則,大竹尚登*……………………………106

P36  水素を用いたRFマグネトロンスパッタ法により作製したDLCの膜特性評価

    ( 弘前大・理工,阪大・産研*)○中澤日出樹,三上尊正,工藤正寛,弘津禎彦*,真下正夫…………………………108

P37  マグネトロンCVD法によるDLC膜の高速合成

    (東工大院・理工,日本ガイシ*)○斉藤雅典,大竹尚登,齋藤隆雄*,青木佑一,近藤好正*,中村幸則*………………110

P38  真空アーク蒸着a-C膜の高速合成におけるドロップレットの減少

    (東工大院・理工)○岩崎睦美,平田 敦……………………………………………………………………………………112

P39  RFスパッタリングによるa-C:H薄膜の作製における電源周波数の影響

    (琉球大・工)○大城竹彦,神谷浩史,山里将朗,比嘉 晃,渡久地 實……………………………………………………114

P40  RFスパッタリング法で作製したa-C:H薄膜の電気的特性の評価

    (琉球大・工)○石山真一,山里将朗,比嘉 晃,渡久地 實……………………………………………………………116

P41  VHFスパッタリング法により作製したa-C:H薄膜の構造および物性

    (琉球大・工)○比嘉 晃,神谷浩史,大城竹彦,山里将朗,渡久地 實……………………………………………………118

P42  硫化物含有スパッタDLC膜の摩擦特性

    (日工大院,日工大・工*)○野城淳一,渡部修一*,櫻井貴彦*,三宅正二郎*………………………………………120

P43  フッ素含有スパッタDLC膜の形成

    (日工大院,日工大・工*)○嶋田国穂,渡部修一*,三宅正二郎*……………………………………………………122

P44  イオンプレーティングによるB-C-N系薄膜の形成とその機械的特性

    (日工大院,日工大・工*)○絵面貴秀,渡部修一*,三宅正二郎*,村川正夫*………………………………………124

P45  表面波励起プラズマCVD法により作製されたアモルファス炭素膜の電気的特性評価

    (東工大院・理工)○赤坂大樹,古川雅一,大竹尚登………………………………………………………………………126

P46  フッ素添加DLC膜上におけるタンパク質の吸着と血小板の付着および活性化の評価

    (慶應大・理工,立川病院*,東大・医**)○饒平名智士,長谷部光泉*,齊藤俊哉,

     松岡義明,上条亜紀**,高橋孝喜**,鈴木哲也…………………………………………………………………………128

P47  ダイヤモンドエミッタ用の高密度・機能性ナノサイズマスクの形成およびそれを利用したダイヤモンド突起

    (広島大,住友電工*)○田部井哲夫,宮崎富仁*,西林良樹*,横山 新…………………………………………………130

P48  New process for diamond field emitter using tapered mask formation and two step etching

    (産総研)○Doo-Sup Hwang,山田貴壽,Purayath Robert Vinod,藤森直治…………………………………………132

P49  ヘルツ破壊法による各種単結晶ダイヤモンドの機械的特性評価

    (日工大,オグラ宝石*)○梶村昌彦,鈴木 学,村川正夫,竹内貞雄,篠田知顕*,青山 昇*……………………………134

P50  高純度ダイヤモンド単結晶の圧子圧入による変形挙動

    (住友電工)○角谷 均………………………………………………………………………………………………………136

P51  カーボンナノチューブの動的ナノ材料試験

    (東工大院・理工,東大・生産研*)○北方慎太郎,葛巻 徹*,大竹尚登,光田好孝*,安原鋭幸,榎本和城……………138

P52  研磨されたダイヤモンド膜の表面粗さと摩擦係数との関係

    (東北大院,プラザ宮城*,東北大・流体科研**)○小森谷年彦,中森一郎*,竹野貴法,

     阿部利彦**,内一哲哉**,高木敏行**……………………………………………………………………………………140

P53  低温加熱生成カーボンオニオンの固体潤滑特性

    (東工大院・理工)○平田 敦,並木章治……………………………………………………………………………………142

P54  鉄系基板上のDLC膜の水中での摩擦における摩耗面観察

    (産総研)○大花継頼,鈴木雅裕,田中章浩,中村挙子,古賀義紀………………………………………………………144

P55  CNF/PPコンポジットの機械的特性に及ぼすCNFの表面処理の影響

    (東工大院・理工)○榎本和城,安原鋭幸,大竹尚登,村上碩哉…………………………………………………………146

P56  カーボンナノファイバー含有樹脂の垂直配向制御射出成形

    (東工大院・理工)○安原鋭幸,藤原 修,榎本和城,村上碩哉,大竹尚登………………………………………………148

P57  カーボンナノファイバー含有樹脂の押出成形と機械的特性評価

    (東工大院・理工,ものつくり大*)○蔵田洋志,原 薫*,安原鋭幸,大竹尚登,村上碩哉……………………………150

P58  樹脂基カーボンナノファイバー複合材料の熱的特性評価

    (東工大院・理工,ダイキン空調*)○藤原 修,榎本和城,安原鋭幸,大竹尚登,村上碩哉,寺木潤一*……………152

P59  金属基材上への液体ソースを用いたBドーピング多結晶ダイヤモンドの成膜

    (東芝)○吉田博昭,柳瀬 勇,鈴木真理子,佐久間尚志,小野富男,酒井忠司…………………………………………154

P60  ボロンドープ(111)ホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜の合成と評価(Ⅰ)

    (産総研・CREST,産総研*)○李 成奇,小倉政彦,加藤宙光*,陳 益鋼,牧野俊晴,山崎 聡,大串秀世…………156

P61  電子デバイス用高品質ホウ素ドープダイヤモンド薄膜Ⅱ

    (産総研・CREST)○小倉政彦,李 成奇,陳 益鋼,渡邊幸志,加藤宙光,水落憲和,山崎 聡,大串秀世…………158

P62  ダイヤモンドの半導体特性に及ぼす気相合成圧力の効果

    (産総研)○加藤宙光,渡邊幸志,水落憲和,李 成奇,小倉政彦,山崎 聡,大串秀世…………………………………160

P63  ダイヤモンドへのイオン注入時におけるレーザー同時照射効果

    (産総研)○坪内信輝,小倉政彦,加藤宙光,渡邊幸志,李 成奇,堀野裕治,大串秀世……………………………162

P64  C-V測定によるPドープホモエピタィシャルダイヤモンド中のドナー濃度の評価

    (東芝,物材機構*,筑波大**)○鈴木真理子,小泉 聡*,片桐雅之**,小野富男,酒井忠司,

     佐久間尚志,吉田博昭…………………………………………………………………………………………………164

P65  紫外光照射による窒化ホウ素炭素薄膜の原子結合評価

    (阪大院・工)○張 崢峻,森 晴隆,木村千春,杉野 隆……………………………………………………………………166

P66  電子スピン共鳴によるリンドープホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜の欠陥評価

    (筑波大/物材機構,筑波大*,物材機構**)○片桐雅之,磯谷順一*,梅田享英*,小泉 聡**,神田久生**…………168

P67  UVパルスレーザーを用いたダイヤモンド中の電荷キャリア輸送特性評価手法の開発

    (北大院・工)○押木祐介,辻 勝英,藤田文行,本間 彰,金子純一,澤村晃子………………………………………170

P68  放射線計測技術に基づくダイヤモンド結晶中の電荷キャリア輸送特性評価とそれに基づく多結晶ダイヤモンドの電気特性改善

    (北大院・工,神戸製鋼*)○辻 勝英,白石和正,金子純一,林 和志*,橘 武史*,藤田文行,本間 彰,澤村晃子…172

P69  DLC膜がコーティングされた鋼板の電気抵抗特性

    (新日本製鐵,金沢工大*)○岡田守弘,本田崇一郎,林 裕樹,久保村健二*……………………………………………174

P70  電子線・紫外線による単結晶ダイヤモンド薄膜中での自由キャリア/励起子の生成とその振る舞い

    (阪大院・工)○寺地徳之,J.Benedikt,和田英樹,伊藤利道………………………………………………………………176

P71  高品質ダイヤモンド薄膜中の高密度エキシトン状態からの非線形・線形発光現象の観察

    (産総研・CREST,茨城大・CREST*)○渡邊幸志,菅野正吉*,大串秀世…………………………………………………178

P72  CVDダイヤモンド表面伝導の起源について

    (東北大・多元/CREST,東北大・多元*,物材機構**,早大・理工***)

     ○河野省三,白石基哉*,後藤忠彦*,虻川匡司*,立木 実**,川原田 洋***…………………………………………180

P73  Spectrally resolved photoconductivity experiments on hydrogen and oxygen terminated diamond

    (産総研,Tech.Univ.Muenchen*)○Christoph E. Nebel,竹内大輔,Jose A.Garrido*………………………………182

P74  酸素化(111)ダイヤモンド表面の低抵抗層

    (産総研・CREST,産総研*)○李 成奇,竹内大輔,加藤宙光*,小倉政彦,C.E.Nebel,山崎 聡,大串秀世………184

P75  High mobilities on hydrogen terminated undoped <100> diamond surfaces

    (産総研)○B.Rezek,H.Watanabe,C.E. Nebel……………………………………………………………………………186

P76  ダイヤモンドからの二次電子利得評価

    (東芝)○佐久間尚志,酒井忠司,小野富男,鈴木真理子,吉田博昭……………………………………………………188

P77  高濃度リンドープエピタキシャルダイヤモンドの電子放出特性評価

    (住友電工)○難波暁彦,辰巳夏生,山本喜之,西林良樹,今井貴浩……………………………………………………190

P78  窒化ホウ素炭素の電子親和力と電界放出特性

    (阪大院・工)○岡田邦孝,木村千春,杉野 隆…………………………………………………………………………192

P79  気相から析出した炭素系材料からの電界電子放出特性

    (千葉工大)○坂本幸弘,高谷松文,羽根田成也,大越正勝,安田義延…………………………………………………194

P80  De-embedding手法によるダイヤモンドFETの高周波特性評価と寄生成分低減技術

    (早大・理工,早大・理工/NEDO*)○目島壮一,高柳英典,平間一行*,新井達也*,畑 英夫*,佐藤允也*,

     梅澤 仁*,ドミンゴ フェレール,品田賢宏,大泊 巌,川原田洋*…………………………………………………………196

P81  酸化物絶縁膜を用いたダイヤモンドMISFETと界面評価

    (早大・理工,早大・理工/NEDO*)○小柴 亨,与原圭一朗,平間一行*,佐藤允也*,梅澤 仁*,川原田洋*………198

P83  Bドープ(100)ダイヤモンド水素終端表面を利用したFETの作成

    (産総研,早大・理工*)○齋藤丈靖,小倉政彦,朴 慶浩,大串秀世,平間一行*,梅澤 仁*,川原田洋*………………200

P84  水素終端ダイヤモンド(111)表面を利用したFETの作成

    (産総研,早大・理工*)○齋藤丈靖,朴 慶浩,大串秀世,平間一行*,梅澤 仁*,川原田洋*………………………202

P86   微細ダイヤモンド電解質溶液ゲートFETのバイオセンサ応用

    (早大・理工)○平木貴博,川村正太,宋 光燮,中村雄介,佐々木順紀,出川宗里,大木貴史,

     田中雅也,古川 慧,本橋秀樹,梅澤 仁,川原田洋…………………………………………………………………204

P87   高温用ダイヤモンド圧力センサの開発

    (広島県西部工技センター,ミヨシ電子*)○山本 晃,縄稚典生,筒本隆博,西家 弘*………………………………206

 

◇懇親会   厚生センター食堂 18:00~20:00

 

第2日目(11月30日)

 

◇座長 平田  敦(東京工業大学) 9:00~10:00

201  DLC自立体を用いて作製したマイクロマシンシステム

    (日工大)○柳沢 仁,鈴木 学,村川正夫,竹内貞雄………………………………………………………………………212

202  ダイヤモンド状炭素膜のマイクロコーティング及びそのトライボロジー特性評価

    (東工大院・理工,日本ガイシ*)○楊 旭東,大竹尚登,斉藤隆雄*,中村幸則*,近藤好正*……………………………214

203  PBⅡ法で作製したa-C:F膜の摩擦摩耗特性

    (産総研,三菱重工*)○石原正統,渡辺俊哉*,鈴木雅裕,津田 統,中村挙子,田中章浩,古賀義紀……………216

 

◇10:00~10:20 コ-ヒ-ブレイク

 

◇座長 西林 良樹(住友電工) 10:20~12:00

204  サブミクロンゲート・ダイヤモンドMESFETの高電界下のキャリア輸送

    (NTT・物性研,ウルム大*)○嘉数 誠,Erhard Kohn*………………………………………………………………………218

205  高濃度ボロンドープCVDダイヤモンドの超伝導特性

    (早大・理工,物材機構*)○竹之内智大,小林健作, 高野義彦*, 長尾雅則*,坂口 勲*,立木 実*,

     羽多野毅*, 鍾 国倣, 梅澤 仁,川原田洋………………………………………………………………………………220

206  センシングデバイス応用に向けたダイヤモンド表面のアルキル化

    (阪大院・基礎工)○牧 哲朗,今西哲士,山崎はるか,中戸義禮,糸崎秀夫………………………………………………222

207  ダイヤモンド中のリンドナーの電子スピン共鳴

    (筑波大/物材機構,筑波大*,物材機構**)○片桐雅之,磯谷順一*,梅田享英*,小泉 聡**,神田久生**………224

208  新しい遠紫外発光材料としての六方晶窒化ホウ素の研究

    (物材機構)○渡邊賢司,谷口 尚,神田久生………………………………………………………………………………226

 

◇12:00~13:00 昼休み

 

◇座長 杉野  隆(大阪大学) 13:00~14:20

209  全光電子放出率分光法によるn形ダイヤモンドからの電子放出機構に関する研究(Ⅰ)

    (産総研)○竹内大輔,加藤宙光,山田貴壽,P.R. Vinod,山崎 聡,大串秀世,B.Rezek,C.E.Nebel……………………232

210  ダイヤモンドウィスカーの形成と電界電子放出の測定

    (高知工科大)○李 朝陽,鐵艸浩彰,朝山淳哉,吉村紘明,八田章光……………………………………………………234

211  a-CNx:H/ZnO:Alウイスカー冷陰極の低真空下動作特性

    (長岡技大)○鷲尾 司,大木智史,大塩茂夫,齋藤秀俊……………………………………………………………………236

212  BドープCVDポリダイヤモンド膜放電特性の評価

    (東芝)○小野富男,酒井忠司,佐久間尚志,鈴木真理子,吉田博昭…………………………………………………238

 

◇14:20~14:40 コ-ヒ-ブレイク

 

◇座長 酒井 忠司(東芝) 14:40~16:00

213  ダイヤモンドエミッタ3極管の電子放出動作

    (住友電工)○辰巳夏生,難波暁彦,西林良樹,今井貴浩…………………………………………………………………240

214  ダイヤモンド薄膜による電界放射型ランプの試作

    (高知工技センター)○西村一仁,笹岡秀紀…………………………………………………………………………………242

215  放射光を用いた光伝導型ダイヤモンド検出器の極短紫外域分光応答度測定

    (産総研,神戸製鋼*)○齋藤輝文,林 和志*……………………………………………………………………………244

216  ダイヤモンドSGFETを利用した電荷検出型ラベルフリーDNAセンサ

    (早大・理工)○古川 慧,中村雄介,張 国軍,宋 光燮,梁 正勲,梅澤 仁,大泊 巌,川原田洋…………………………246

 

Late News   16:00~

 

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