ダイヤモンドシンポジウム講演プログラム(第19回)

 

シンポ講演要旨集 Topへ戻る

 第19回 ダイヤモンドシンポジウム講演プログラム

 

日 時:平成17年11月24日(月),25日(火)

会 場:大阪大学 コンベンションセンター

第1日(11月24日)大阪大学 コンベンションセンター

◇座長 神田久生(物材機構)9:15~10:30

101  高圧下温度差法による窒化ホウ素単結晶の合成と不純物添加効果

    (物材機構)○谷口 尚,渡邊賢司,中山敦子………………………………………………………………………………………4

102  第一原理計算による六方晶窒化ホウ素のドーパントの探索

    (京大,物材機構*)○大場史康,東後篤史,田中 功,谷口 尚*,渡邊賢司*……………………………………………………6

103  マイクロ波プラズマCVDによる単結晶ダイヤモンドの高速成長Ⅲ

    (産総研)○杢野由明,茶谷原昭義,惣田洋佑,堀野裕治,藤森直治……………………………………………………………8

104  ダイヤモンド単結晶埋め込み多結晶複合基板の試作

    (住友電工)○目黒貴一,谷崎圭祐,関 裕一郎,山本喜之,今井貴浩…………………………………………………………10

105  Ir上ヘテロエピタキシャルダイヤモンド中の欠陥に対する選択成長の効果

    (青学大・理工,トウプラスエンジ*)○安藤 豊,木村 拓,金子正明,鈴木一博*,澤邊厚仁……………………………………12

 

◇10:30~10:45 コ-ヒ-ブレイク

 

◇座長 齋藤秀俊(長岡技術科学大学)10:45~11:45

106  高出力ホモエピタキシャルCVDダイヤモンド成長における最適成長条件の基板結晶品質依存性

    (阪大院・工)○宮武秀宇,寺地徳之,伊藤利道…………………………………………………………………………………14

107  ライン式大気圧グロープラズマCVD装置の作製

    (慶應大・理工)○飯泉 智,植田恭輔,児玉英之,堀田 篤,鈴木哲也…………………………………………………………16

108  先端放電型マイクロ波プラズマCVD法による単層カーボンナノチューブの成長制御

    (早大・理工)○森金亮太,鍾 国倣,岩崎孝之,相川拓海,吉田 剛,川原田 洋………………………………………………18

109  FIB-CVD法で成膜した炭素系薄膜の電子状態

    (兵庫県立大)○西窪明彦,井垣潤也,加藤有理,米谷玲皇,神田一浩,松井真二……………………………………………20

 

◇11:45~12:45 昼休み

 

◇オ-ラルセッション

◇座長 中村挙子(産業技術総合研究所) 12:45~14:00

110  有機ラジカル反応によるダイヤモンド表面のNO2基による化学修飾

    (九州工大)○坪田敏樹,横野照尚,奥 久子,田中菜保子………………………………………………………………………26

111  化学共有結合によるCVDダイヤモンドのDNA修飾

    (産総研)○Dongchan Shin,中村挙子,C. E. Nebel………………………………………………………………………………28

112  動的環境におけるフッ素添加ダイヤモンドライクカーボン(F-DLC)膜の抗血栓性評価

    (東大・医,慶應大・理工/立川病院*,慶應大・理工**)○上條亜紀,

    長谷部光泉*,石丸哲也**,吉本幸洋**,吉村泰一**,饒平名智士**,齊藤俊哉**,堀田 篤**,高橋孝喜,鈴木哲也**…30

113  硫化水素に対するDLC薄膜の耐腐食性

    (東京電機大・理工,サウジアラムコ*)○松本賢二,Alanazi Ali S*,佐藤慶介,平栗健二………………………………………32

114  大気圧グロープラズマCVD法によるハイパーガスバリア炭素膜の作製

    (慶應大・理工,キリンビール*)○児玉英之,飯泉 智,中谷正樹*,白倉 晶*,堀田 篤,鈴木哲也……………………………34

 

◇特別講演 座長 川原田 洋(早稲田大学) 14:00~14:45

 「ナノダイヤモンド研究最近の進捗」    (有)ナノ炭素研究所 代表取締役 大澤 映二 氏…………………………………………36

 

◇ポスタ-セッション 14:45~16:45

P01  各種炭素材料から超高圧高温下直接変換により得られたナノ多結晶ダイヤモンドの特性の違い

    (住友電工,物材機構*,愛媛大学**)○角谷 均,遊佐 斉 *,井上 徹**,入舩徹男**…………………………………………48

P02  直径1インチエピタキシャルダイヤモンド自立膜の作製

    (青学大・理工,トウプラスエンジ*)○前田真太郎,渡辺浩二,安藤 豊,鈴木一博*,澤邊厚仁…………………………………50

P03  マイクロ波プラズマCVDにおけるダイヤモンド成長面の巨視的モフォロジーの制御

    (産総研)○山田英明,茶谷原昭義,杢野由明,惣田洋佑,堀野裕治,鹿田真一………………………………………………52

P04  金属基材上への液体ソースを用いたBドープ多結晶ダイヤモンドの成膜(2)

    (東芝)○吉田博昭,柳瀬 勇,小野富男,佐久間尚志,鈴木真理子,酒井忠司…………………………………………………54

P05  超硬合金上における微細化されたダイヤモンド薄膜

    (慶應大・理工)○木村英司,佐本篤紀,鈴木哲也…………………………………………………………………………………56

P06  高出力マイクロ波プラズマCVD法における多結晶ダイヤモンド膜の高品質化

    (阪大院・工)○野呂雅和,寺地徳之,伊藤利道……………………………………………………………………………………58

P07  CVDダイヤモンド成膜におけるELO法の有効性の検討

    (阪大院・工)○長谷川哲視,寺地徳之,伊藤利道…………………………………………………………………………………60

P08  マイクロ波プラズマCVDによるダイヤモンド合成に及ぼすマイクロ波出力の影響

    (千葉工大,大亜真空*)○羽根田成也,坂本幸弘,高見義人,

    高谷松文,中田洋一*,冨江 崇*,井上英明*………………………………………………………………………………………62

P09  熱フィラメントCVDによるダイヤモンド合成における基板設置位置の影響

    (千葉工大,大亜真空*)○渡邊一永,坂本幸弘,高谷松文,宇田川 啓*,中田洋一*,井上英明*,冨江 崇*…………………64

P10  CNラジカルの付着確率計測

    (長岡技大)○河村好範,齋藤秀俊,伊藤治彦……………………………………………………………………………………66

P11  DCプラズマCVDによるDLC成膜時のパーティクルの発生

    (広島県西部工技センター,大河内金属*)○筒本隆博,山本 晃,島川 修*,茨木宏史*,森永健次郎*………………………68

P12  フラーレンC86:2, C86:6, C86:17, C86:18の統計的成長機構(理論)

    (産総研)○吉田晴男…………………………………………………………………………………………………………………70

P13  水を添加した炭素源を用いたCNFの成長

    (東海大学)○清水健志,今野泰隆,細野浩平,広瀬洋一…………………………………………………………………………72

P14  BCl3-NH3系およびボラジン系CVD法による六方晶窒化ホウ素合成

    (物材機構)○津田 統,渡邊賢司,谷口 尚…………………………………………………………………………………………74

P15  RFプラズマCVD法による厚いPC基板へのDLC堆積

    (東京電機大・理工)○龍田和也,佐藤慶介,平栗健二……………………………………………………………………………76

P16  真空アーク蒸着法によるアモルファスカーボン厚膜合成に及ぼす基板加熱の影響

    (東工大院・理工)○岩崎睦美,平田 敦……………………………………………………………………………………………78

P17  DLCの膜質に及ぼす成膜条件の検討

    (大河内金属,広島県西部工技センター*)○島川 修,筒本隆博*,山本 晃*,茨木宏史,森永健次郎…………………………80

P18  ポリマー基板上に蒸着したダイヤモンドライクカーボンの伸縮時の破壊特性の研究

    (慶應大・理工,東大・医*,慶應大・理工/立川病院**)○坪根 大,上條亜紀*,長谷部光泉**,鈴木哲也,堀田 篤…………82

P19  ハイス基板に合成したDLC膜の疲労特性評価

    (日工大)○竹内貞雄,阿部喬晋,鈴木 学…………………………………………………………………………………………84

P20  RFプラズマCVD法で合成したDLC膜のフレッチング摩耗

    (日工大)○阿部喬晋,鈴木 学,小林利靖,竹内貞雄……………………………………………………………………………86

P21  セグメント構造DLC膜の形状設計とトライボロジー特性評価

    (東工大院・理工)○足立雄介,青木佑一,大竹尚登………………………………………………………………………………88

P22  DLC膜のトライボロジー特性改善

    (日工大院,日工大・工*)○小野智弘,野城淳一,渡部修一*……………………………………………………………………90

P23  自己組織化単分子膜および金を複合したカーボンオニオン固体潤滑層

    (東工大院・理工)○平田 敦,岸 雅也………………………………………………………………………………………………92

P24  高周波プラズマCVD法により作製されたドープトアモルファス炭素膜の特性評価

    (東工大院・理工)○西 英隆,赤坂大樹,大竹尚登………………………………………………………………………………94

P25  Diamond-like carbon (DLC)の抗血栓性メカニズムの解明Transmission electron microscopy

    (TEM)による試料界面での血小板活性化過程の詳細検討 (慶應大・理工,慶應大・理工/立川病院*,東大・医**)

    ○吉本幸洋,長谷部光泉*,上條亜紀**,齊藤俊哉,饒平名智士,石丸哲也,

    吉村泰一,堀田 篤,高橋孝喜**,鈴木哲也………………………………………………………………………………………96

P26  フッ素添加ダイヤモンドライクカーボン (F-DLC) 膜上での白血球付着傾向の評価

    (慶應大・理工,慶應大・理工/立川病院*,東大・医**)○吉村泰一,

    長谷部光泉*,石丸哲也,吉本幸洋,饒平名智士,齊藤俊哉,堀田 篤,上條亜紀**,高橋孝喜**,鈴木哲也………………98

P27  硫黄官能基によるダイヤモンド膜表面の光化学修飾

    (産総研)○中村挙子,大花継頼,石原正統,長谷川雅考,古賀義紀…………………………………………………………100

P28  ダイヤモンド上へのDNAの光化学修飾とその時間安定性

    (産総研/筑波大,産総研*)○山本友子,B.Reze*,D.Shin*,竹内大輔*,渡邊幸志*,中村挙子*,C.E.Nebel*…………102

P29  ナノダイヤモンド薄膜の相制御と電気特性評価

    (九州大)○池田知弘,堤井君元…………………………………………………………………………………………………104

P30  樹脂基CNF複合材料の機械的特性に及ぼす表面処理の影響

    (東工大院・理工)○林 芳広,佐藤倫史,安原鋭幸,村上碩哉,大竹尚登……………………………………………………106

P31  高窒素含有のアモルファス窒化炭素薄膜の光学的性質

    (岐阜工業高専)○纐纈英典,羽渕仁恵…………………………………………………………………………………………108

P32  アモルファス窒化炭素水素吸蔵材の生成

    (長岡技大)○野崎太郎,安島初穂,齋藤秀俊,伊藤治彦………………………………………………………………………110

P33  マイクロ波プラズマCVDを用いた硬質窒化炭素膜の形成-パルスRFバイアスの印加-

    (長岡技大)○渡部勇介,篠原章郎,堀 建造,高野真弥,齋藤秀俊,伊藤治彦………………………………………………112

P34  ダイヤモンド表面への重金属イオン照射による局所低抵抗層の形成とその応用

    (早大・理工)○小出 敬,新井達也,目島壮一,平間一行,ドミンゴ フェレール,

           宋 光燮,品田賢宏,大泊 厳,川原田 洋……………………………………………………………………………114

P35  高濃度ボロンドープCVDダイヤモンドにおけるキャリア密度の評価

    (早大・理工,物材機構*)○石綿 整,手塚真一郎,竹之内智大,高野義彦*,

    長尾雅則*,坂口 勳*,立木 実*,羽多野 毅,川原田 洋…………………………………………………………………………116

P36  バイアス法によってボロンを添加したダイヤモンドの電気特性評価

    (電通大)○石橋路子,池原正之,河野 馨士朗,一色秀夫,木村忠正…………………………………………………………118

P37  同一基板上にホモエピタキシャル成長した高出力MWPCVDダイヤモンド薄膜のボロンドーピング濃度依存性

    (阪大院・工)○有馬一也,寺地徳之,伊藤利道…………………………………………………………………………………120

P38  ダイヤモンド半導体中のリン関連複合欠陥の第一原理計算

    (産総研)○宮崎剛英,山崎 聡……………………………………………………………………………………………………122

P39  ダイヤモンドへの低濃度リンドーピング

    (筑波大/物材機構,筑波大*,物材機構**)○片桐雅之,磯谷順一*,小泉 聡**,神田久生**………………………………124

P40  CVDダイヤモンド薄膜の電気伝導

    (玉川大・工)○三鴨尚子,月岡邦夫………………………………………………………………………………………………126

P41  (001)面上に作製したダイヤモンドpn接合の電気・光学特性

    (産総研/CREST)○牧野俊晴,加藤宙光,小倉政彦,渡邊幸志,李 成奇,山崎 聡,大串秀世………………………………128

P42  高温高圧下でのナノチューブ・フラレンへの流体貯蔵

    (物材機構,海洋開発研究機構*)○遊佐 斉,倉嶋敬次,鈴木敏弘*……………………………………………………………130

P43  絶縁性ダイヤモンド薄膜中における電荷キャリア輸送特性評価手法の開発

    (北大院・工)○押木祐介,辻 勝英,金子純一,藤田文行,本間 彰,古坂道弘…………………………………………………132

P44  全光電子放出率分光測定法による負性電子親和力を示すダイヤモンド表面からの電子放出機構に関する研究(Ⅰ)

    (産総研)○竹内大輔,山崎 聡,C.E.Christoph……………………………………………………………………………………134

P45  Atomic force microscopy view of bio-functionalized diamond surfaces

    (産総研)○Bohuslav Rezek,D.Shin,山本友子,渡邊幸志,中村挙子,C.E.Nebel…………………………………………136

P46  ホモエピタキシャルCVDダイヤモンド薄膜の表面ナノ構造と電気的特性との相関

    (阪大院・工)○藤本晋矢,寺地徳之,伊藤利道……………………………………………………………………………………138

P47  発表取消

P48  CVDホモエピタキシャルダイヤモンドにおける水素関連欠陥の光学特性に与える影響の研究

    (筑波大/産総研/CREST,産総研/CREST*,物材機構**,筑波大/産総研***)

    ○水落憲和,渡邊幸志*,新妻潤一**,関口隆史** ,磯谷順一***,大串秀世*,山崎 聡……………………………………140

P49  2つのピークから構成されるダイヤモンドからのエキシトン発光スペクトルの起原

    (産総研/CREST)○渡邊幸志,菅野正吉,大串秀世………………………………………………………………………………142

P50  ダイヤモンドのカソードルミネッセンススペクトルの電子線照射による変化(その2)

    (物材機構)○神田久生,渡邊賢司…………………………………………………………………………………………………144

P51  Euをドープした立方晶窒化ホウ素のフォトルミネッセンスの圧力変化

    (物材機構)○中山敦子,谷口 尚,渡邊賢司,神田久生,関田正實……………………………………………………………146

P52  六方晶窒化ホウ素の積層欠陥に束縛された励起子発光

    (物材機構)○渡邊賢司,谷口 尚,黒田 隆,神田久生……………………………………………………………………………148

P53  BCN/SiC MIS構造の特性評価

    (阪大院・工)○栗本裕史,柴田 馨,木村千春,青木秀充,杉野 隆………………………………………………………………150

P54  低誘電率BCN薄膜の合成条件の影響

    (阪大院・工)○森山良太,木村千春,青木秀充,杉野 隆…………………………………………………………………………152

P55  メタンとアセチレンから合成したダイヤモンドライクカーボン膜の電気伝導性比較

    (高知工科大)○Md.K.Hassan,八田章光…………………………………………………………………………………………154

P56  高出力ショットキーダイオードに向けたCVDダイヤモンド表面欠陥と金属接触特性評価

    (産総研)○梅沢 仁,齊藤丈靖,小倉政彦,李 成奇,徳田則夫,山崎 聡,鹿田真一…………………………………………156

P57  M/i/p+構造ダイヤモンドダイオードの電気特性

    (東芝)○鈴木真理子,小野富男,酒井忠司,佐久間尚志,吉田博昭……………………………………………………………158

P58  WC基コンタクト材を用いたダイヤモンド・フォトダイオード

    (物材機構)○小出康夫,メイヨン.リョオ,ホセ.アルバレッツ………………………………………………………………………160

P59  新たなダイヤモンド深紫外発光素子の提案

    (電通大)○池原正之,向山進也,石橋路子,一色秀夫,木村忠正………………………………………………………………162

P60  高配向ダイヤモンド膜を用いた高分解能紫外線位置センサの開発

    (北大院・工,神戸製鋼*)○辻 勝英,林 和志*,金子純一,藤田文行,本間 彰,押木祐介,澤村輝子,古坂道弘……………164

P61  カーボンナノチューブFETへの超低エネルギーイオン注入

    (産総研,阪大*)○山本和弘,上村崇史*,松本和彦*……………………………………………………………………………166

P62  ダイヤモンドMESFETの温度可変高周波測定と等価回路解析

    (NTT・物性研,NTT・フォトニクス研*)○Haitao Ye,嘉数 誠,植田研二,

           山内喜晴,前田就彦*,佐々木 智,牧本俊樹……………………………………………………………………168

P63  ダイヤモンドからの二次電子利得評価(2)

    (東芝,東北大・多元*)○佐久間尚志,酒井忠司,小野富男,吉田博昭,鈴木真理子,河野省三*,後藤忠彦*………………170

P64  電子ビーム機器用ダイヤモンドシングルエミッタTipの開発

    (住友電工)○難波暁彦,辰巳夏生,山本喜之,西林良樹,今井貴浩……………………………………………………………172

P65  水素および酸素終端高濃度リン添加ホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜からの電子放出特性

    (産総研,国際基督教大*)○山田貴壽,加藤宙光,鹿田真一,山口尚登*,岡野 健*,C.E.Nebel……………………………174

P66  ダイヤモンドフィールドエミッタアレーからの電子放出

    (産総研)○山田貴壽,鹿田真一,藤森直治………………………………………………………………………………………176

P67  ECRプラズマCVDによる電界放射型窒化炭素材料の創製

    (長岡技大)○小暮悠紀央,高野真弥,並木恵一,鷲尾 司,坂内紳一郎,齋藤秀俊,伊藤治彦………………………………178

P68  様々な温度で堆積したBCN薄膜からの電界電子放出

    (阪大院・工)○岡田邦孝,木村千春,青木秀充,杉野 隆…………………………………………………………………………180

P69  高温用ダイヤモンド圧力センサの開発

    (広島県西部工技センター)○山本 晃,筒本隆博,縄稚典生……………………………………………………………………182

P70  ダイヤモンドSGFET-DNAセンサにおけるハイブリダイゼーション制御

    (早大・理工)○高橋宏徳,古川 慧,宋 光燮,張 国軍,梁 正勲,大泊 巌,川原田 洋…………………………………………184

P71  ダイヤモンドSGFETのpH感応性と時間応答

    (早大・理工)○坂本琢磨,佐々木順紀,大木貴史,梁 正勲,宋 光燮,川原田 洋………………………………………………186

P72  導電性ダイヤモンドコーティング製品の紹介 2

    (住友電工)○泉 健二,関 裕一郎,今井貴浩………………………………………………………………………………………188

P73  水素終端CVDダイヤモンド表面の準安定原子誘起分光法による研究

    (九州工大,石川高専*)○渡辺晃彦,白水康雄,西岡信介,山田健二*,内藤正路,西垣 敏…………………………………190

P74  高濃度リンドープエピタキシャルダイヤモンドの表面エネルギーバンド

    (東北大・多元/CREST,JST,東北大・多元*,住友電工**)○河野省三,

    水落健二*,後藤忠彦*,虻川匡司*,難波暁彦**,西林良樹**,今井貴浩**……………………………………………………192

P75  ダイヤモンドライクカーボン(DLC)膜の表面粗さによる抗血栓性評価

    (慶應大・理工,慶應大・理工/立川病院*,東大・医**)○石丸哲也,長谷部光泉*,吉本幸洋,

    吉村泰一,饒平名智士,齊藤俊哉,堀田 篤,上條亜紀**,高橋孝喜**,鈴木哲也……………………………………………194

P76  金属微粒子を有する基板上への窒化ホウ素炭素(BCN)の成長

    (阪大院・工)○山室 裕,木村千春,青木秀充,杉野 隆…………………………………………………………………………196

 

◇懇親会   17:30~19:30

 

第2日目(11月25日)

◇座長 平田 敦(東京工業大学) 9:00~10:30

201  パルスバイアスカソーディックアーク法による高硬度炭素厚膜の研究

    (日立製作所・中研,ナンヤン大学*)○稲葉 宏,千葉 拓,安井啓人,楊 旭東,佐々木新治,劉 樹平*………………………202

202  DLC膜のステンレス鋼を摩擦相手材とした時の水中における潤滑膜の形成

    (産総研,光洋精工*)○大花継頼,鈴木雅裕*,呉 行陽,中村挙子,田中章浩,古賀義紀……………………………………204

203  固体潤滑硫化物/DLCナノコンポジット膜

    (日工大院,日工大・工*)○野城淳一,渡部修一*,櫻井貴彦*,三宅正二郎*…………………………………………………206

204  カーボンオニオンの固体潤滑特性に与える酸化処理の影響

    (東工大院・理工)○山田亮一,平田 敦…………………………………………………………………………………………208

205  ハイブリッドナノダイヤモンド(HND)膜の製膜とその特性

    (石川県工試,金沢工大*,オンワード技研**)○安井治之,粟津 薫, 池永訓昭*, 長谷川祐史**,作道訓之*………………210

206  TEMナノマニピュレーションで評価したカーボンナノチューブの微細構造と力学特性

    (東大・生産研,東工大院・理工*)○葛巻 徹,山口龍介*,大竹尚登*,光田好孝……………………………………………212

 

◇10:30~10:45 コ-ヒ-ブレイク

 

◇座長 今井貴浩(住友電工)10:45~12:30

207  X線光電子回折によるIr(001)基板上CVDダイヤモンド成長の研究:対向電極直流放電バイアス処理の効果

    (東北大・多元,青学大・理工*)○青山朋弘,天野猶貴,後藤忠彦,虻川匡司,河野省三,安藤 豊*,澤邊厚仁*…………214

208  種々の酸化処理方法による(111)ダイヤモンド表面伝導層の評価

    (産総研/CREST,産総研*,産総研/筑波大**)○李 成奇,C.E.Nebel*,

    竹内大輔,山崎雄一**,徳田規夫*,山崎 聡,大串秀世………………………………………………………………………216

209  高品質CVDダイヤモンド積層構造における励起キャリアの長距離拡散

    (阪大院・工)○山元 貴,寺地徳之,伊藤利道……………………………………………………………………………………218

210   高濃度ボロンドープCVDダイヤモンド超伝導体におけるJc評価

    (早大・理工,物材機構*)○手塚真一郎,石綿 整,竹之内智大,

     高野義彦*,長尾雅則*,坂口 勳*,立木 実*,羽多野 毅*,川原田 洋………………………………………………………220

211   イオン注入法によるダイヤモンドへの高濃度Bドーピング層の形成

    (産総研)○坪内信輝,小倉政彦,加藤宙光,渡邊幸志,李 成奇,堀野裕治,鹿田真一,大串秀世…………………………222

212   電子スピン共鳴によるダイヤモンド中のリンドナーの評価

    (筑波大/物材機構,筑波大*,物材機構**)○片桐雅之,磯谷順一*,梅田享英*,小泉 聡**,神田久生**…………………224

213   Pドープn型CVD(111)ダイヤモンド薄膜の表面エネルギーバンド

    (東北大・多元/CREST,東北大・多元*,産総研**)○河野省三,水落健二*,

    後藤忠彦*,虻川匡司*,青山朋弘*,竹内大輔**,加藤宙光**,山崎 聡**……………………………………………………226

 

◇12:30~13:30 昼休み

 

◇座長 河野省三(東北大学) 13:30~14:45

214  人工ダイヤモンド電極を用いた気体放電の特性

    (高知工科大)○西川 毅,矢内啓資,吉村紘明,八田章光………………………………………………………………………232

215  BドープCVDポリダイヤモンド膜放電特性の評価(2)

    (東芝)○小野富男,酒井忠司,佐久間尚志,吉田博昭,鈴木真理子…………………………………………………………234

216  均一ダイヤモンドエミッタの作製と電子放出特性

    (住友電工)○辰巳夏生,難波暁彦,谷崎圭祐,西林良樹,今井貴浩…………………………………………………………236

217  XPS/UPS/FES複合分光システムによるダイヤモンドからの電界電子放出メカニズム解明の試み

    (国際基督教大/北陸先端大,産総研*,日本電子**,Washington State大***,国際基督教大****)

    ○山口尚登,山田貴壽*,工藤政都**,B.B.Pate***,岡野 健****……………………………………………………………238

218  ナノダイヤモンドエミッタによる電界放射型ランプの試作

    (高知県産業振興センター,富士重工*)○西村一仁,加藤策臣,笹岡秀紀,難波篤史*………………………………………240

 

◇14:45~15:00 コ-ヒ-ブレイク

 

◇座長 八田章光(高知工科大学) 15:00~16:30

219  ダイヤモンドMISダイオードを用いた原子層堆積Al2O3絶縁膜の評価

    (神戸製鋼)○川上信之,横田嘉宏,橘 武史,林 和志,小橋宏司………………………………………………………………242

220  高周波ダイヤモンドMISFETにおけるホールキャリア速度の向上

    (早大・理工,産総研/ NEDO*,早大・理工/NEDO**)○山内真太郎,平間一行,小柴 亨,与原圭一朗,

    高柳英典,佐藤允也**,梅沢 仁*,齊藤丈靖*,朴 慶浩*,藤森直治*,川原田 洋**…………………………………………244

221  水素終端ダイヤモンドMESFETの高周波大電力動作

    (NTT・物性研)○嘉数 誠,植田研二,Haitao Ye,山内喜晴,佐々木 智,牧本俊樹……………………………………………246

222  窒化ホウ素炭素膜によるGaN表面のパッシベーション

    (阪大院・工)○近松健太郎,島田佳亮,木村千春,青木秀充,杉野 隆…………………………………………………………248

223  埋め込み型電極を用いた紫外線検出器の特性

    (阪大院・工)○松原 弘,寺地徳之,伊藤利道……………………………………………………………………………………250

224   ダイヤモンド電極による電気科学分析への応用

    (慶應大・理工,東大・RIC*,KAST**)○栄長泰明,T.A.lvandini,鈴木あかね,渡辺剛志,巻出義紘*,藤嶋 昭**……252

 

Topへ戻る