ダイヤモンドシンポジウム講演プログラム(第23回)

 

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 第23回 ダイヤモンドシンポジウム講演プログラム

 

日 時:平成21年11月18日(水),19日(木),20日(金)

会 場:千葉工業大学

 

第1日(11月18日)
オーラルセッション(A会場)

 10:00~12:00 座長 石原正統(産総研)
101

複合効果処理により鋼基板への炭素系膜の形成

(千葉工大) ○坂本幸弘,高谷松文

102Structure and Properties of Amorphous Carbon Films Deposited by Sublimation of C60 Fullerene in Electron Beam Excited Plasma
(東工大) ○Hamed Vaez Taghvi,平田 敦
103PE-CVD法によるDLC膜のキャラクタリゼーション
(ユーテック,千葉工業大学*) ○早川晴仁,阿部浩二,寺島慶一*
104DLC膜のトライボロジー特性に及ぼす前処理条件の影響
(ジェイテクト) ○鈴木雅裕,保木井美和,斎藤利幸
105DLC成膜したステンレス鋼の耐摩耗・耐腐食性に及ぼすCr中間層の効果
(名古屋大,東工大*) ○高島 舞,大竹尚登*
106パルス化した直流プラズマCVDによる電気二十層キャパシタ用多孔質カーボン膜の形成
(中部大) ○野田三喜男,松島真央,梅野正義
 
12:00~13:00 昼 休 み

オ-ラルセッション(A会場)

 13:00~15:20 大竹尚登(東工大)
107第一原理電子構造研究による同位体ダイヤモンドの構造と電子状態予言
(東工大) ○斎藤 晋,山上雄一郎,櫻井誠大,是常 隆
108ダイヤモンドを用いた同位体ホモ接合バンドエンジニアリング
(産総研) ○渡邊幸志,鹿田真一
109

単一NV中心における同位体炭素(13C,12C)を用いた量子情報研究
(筑波大/JSTさきがけ,東京ガス*,産総研**,シュトゥットガルト大物理***) ○水落憲和,P. Neumann***,F. Rempp***,中村和郎*,渡邊幸志**,山崎 聡**,F. Jelezko***,J. Wrachtrup***

110センターの量子情報処理・磁束系への応用の課題と欠陥制御
(筑波大,日本原子力研究開発機構*,NIMS**,住友電工***) ○磯谷順一,大島 武*,小野田忍*,森下憲雄*,谷口 尚**,渡邉賢司**,神田久生**,角谷 均***
111ナノダイヤモンド膜の熱伝導率に及ぼす界面熱抵抗の影響
(産総研,ピコサーム*) ○石原正統,津川和夫,金 載浩,古賀義紀,長谷川雅考,石川佳寿子*,馬場哲也*
112半導体検査装置の電気接触子への導電性CVDダイヤモンド膜の応用
(九州工大,熊本県産技センター*,サンユー工業**)○坪田敏樹,濱山知勇,村上直也,横野照尚,末永知子*,長畑博之**
113CVDダイヤモンド(001)表面伝導層の表面敏感C1s内殻光電子スペクトル
(東北大,Yonsei Univ. Korea*) ○河野省三,S.H.Kang*,斉藤 達,H.W.Yeom*
 
15:20~15:40 休 憩

ポスターセッション(B会場)

 15:40~18:00
P1-01バイアス核発生におけるメタン濃度及び基板温度がエピタキシャルダイヤモンド成長に与える影響
(青学大,トウプラスエンジニアリング*) ○松岡 遼,鈴木一博*,澤邊厚仁
P1-02イリジウム/サファイアへのエピタキシャルダイヤモンド薄膜成長~ダイヤモンド成長条件の最適化~
(青学大,トウプラスエンジニアリング*,並木精密**)○熊木大介,鈴木一博*,古滝敏朗**,澤邊厚仁
P1-03中空ファイバー構造からなる導電性ダイヤモンド多孔質体の作製
(東京理科大) ○児玉泰孝,近藤剛史,湯浅 真
P1-04シリサイド化による超硬合金基材へのダイヤモンドコーティング
(電通大) ○荒木祐輔,一色秀夫,木村忠正,関口紗弥佳
P1-05MMSiを用いたSi基板上へのダイヤモンドのヘテロエピタキシャル核発生の検討
(電通大) ○吉田樹央,一色秀夫
P1-06下地研磨プロセスに起因するダイヤモンド表面形態の変化
(物材機構) ○寺地徳之
P1-07ステンレス基材へのダイヤモンドコーティング
(電通大) ○関口紗弥佳,一色秀夫,荒木祐輔
P1-08大気開放プラズマプロセスによるダイヤモンド成膜に関する研究-成膜条件と膜質について-
(愛媛大) ○八木秀次,本村秀樹,神野雅文,青山善行
P1-09熱フィラメントCVDによるダイヤモンド合成におけるナノパルス援用効果
(東工大) ○永島清成,望月佳彦,村上碩哉,大竹尚登
P1-10H2Sガスを用いたSドープ多結晶ダイヤモンド膜の作製
(東大・生産研) ○藤田龍平,野瀬健二,光田好孝
P1-11マイクロ波プラズマCVDによるCH4-H2-02系からの高圧合成ダイヤモンド上へのダイヤモンド合成
(千葉工大) ○吉原正隆,坂本幸弘,高谷松文
P1-12ダイヤモンド合成のためのマイクロ波プラズマの数値解析及び実験との比較
(産総研) ○山田英明,茶谷原昭義,杢野由明,鹿田真一
P1-13高濃度メタン原料によるダイヤモンド系薄膜の合成および成長メカニズム
(慶應大) ○伊東誠司,和田章裕,福山 塁,鈴木哲也
P1-14リング共振型マイクロ波プラズマCVDを用いたダイヤモンド系薄膜の低温成長
(電通大) ○飛田龍太郎,一色秀夫,前田由美
P1-15フラーレン溶液を利用して成膜したDLC薄膜の構造評価
(日工大) ○清水裕章,伴 雅人
P1-16ArのECRプラズマにおけるC2H2の解離励起反応解析
(長岡技科大) ○越村克明,鬼束さおり,斉藤秀俊,伊藤治彦
P1-17摺動部材への応用を目指したAl合金上への高付着力DLC膜の形成
(東大・生産研) ○佐々木勇斗,野瀬健二,光田好孝
P1-18高密度DLC膜の作製技術とその特性
(石川県工業試験場) ○安井治之
P1-19パルス化した直流放電を用いたプラズマCVDによるDLC膜のコーティング
(中部大,中川製作所*) ○野田三喜男,園田雅紀*,中川雅弘*
P1-20化学ドーピング法によるa-C:H薄膜へのヨウ素ドーピング
(琉球大) ○遠江栄希,中橋崇紘,山里将朗,比嘉 晃
P1-21カーボンナノチューブ/Al複合薄膜の作製と構造評価
(東海大) ○閏間謙次,島田啓吾,葛巻 徹
P1-22周期的円錐空洞配列構造を有するカーボンナノファイバーの成長条件の検討と熱処理による空洞内部への金属粒子形成
(三重大) ○今井智仁,小塩 明,小海文夫
P1-23アセチレンの爆轟を用いた機能性炭素粉末の合成
(日工大) ○加藤 翔,竹内貞雄
P1-24アルコール蒸気を用いたアーク放電法による多面体グラファイト粒子の形成
(三重大) ○山本 誠,小塩 明,小海文夫
P1-25カーボンオニオンを添加した炭化タングステン焼結体の作製および評価
(東工大) ○中川一平,平田 敦
P1-26インプリント用3次元ガラス状炭素ナノモールドの作製
(舞鶴高専,山梨大*,エリオニクス**)○荒木慎司,清原修二,倉島優一*,田口佳男**
P1-27Arのマイクロ波放電フローを用いたアモルファス炭化ケイ素膜の形成
(長岡技科大) ○大柿 猛,戸田育民,赤坂大樹,斉藤秀俊,伊藤治彦
P1-28窒化炭素結晶合成に向けたフラックス探索-超高圧を用いた取り組み-
(物材機構) ○川村史朗,谷口 尚
P1-29CNラジカルの付着確率
(長岡技科大) ○新木一志,和田 晃,斉藤秀俊,伊藤治彦
P1-30高周波プラズマCVDによるアモルファス窒化炭素薄膜の生成
(長岡技科大) ○工藤貴広,大柿 猛,斉藤秀俊,伊藤治彦
P1-31CH3CNのマイクロ波放電分解によるa-CNx:H膜の形成
(長岡技科大) ○福原 翔,大柿 猛,斉藤秀俊,伊藤治彦
P1-32異なる反応ガスからのマイクロ波プラズマCVDによる窒化炭素合成
(千葉工大) ○井上昌利,坂本幸弘,高谷松文
P1-33バイアス支援核形成による窒化炭素膜の作製
(千葉工大) ○坂本幸弘,萩原正悟,高谷松文
P1-34He添加による立方晶窒化ホウ素薄膜の残留応力緩和
(長岡技科大) ○大堀鉄太郎,白幡 淳,赤坂大樹,鈴木常生,中山忠親,末松久幸,新原晧一
P1-35

02プラズマによるMethyl-BCN膜への影響評価
(大阪大) ○呂 志明,杉野 隆,青木秀充,木村千春

P1-36

Methyl-BCN薄膜の作製と光学的特性評価
(大阪大) ○岩野祐太,木村千春,青木秀充,杉野 隆

P1-37RF反応性スパッタリングによるBN膜の作製におけるスパッタガスの影響
(千葉工大) ○今宮麻衣,小林厚輝,坂本幸弘,高谷松文

 

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第2日(11月19日)
オ-ラルセッション(A会場)

 9:20~10:20 座長 澤邊厚仁(青山学院大)
201多結晶ダイヤモンドの微細形状形成技術の開発(II)
(トーメイダイヤ,協同インターナショナル*,栃木県産技センター**,東工大***) ○吉川博道,三田正弘,竹澤信隆,吉本 護
202室温ナノインプリントリソグラフィによるダイヤモンドの3次元ナノパターン形成
(舞鶴高専,豊橋技科大*,エリオニクス**)   ○柏木大幸,清原修二,滝川浩史*,田口佳男**
203バイアス処理におけるダイヤモンド核形成条件のプラズマ診断とイオンエネルギー分布の数値計算
(東大・生産研) ○野瀬健二,光田好孝
 
10:20~10:40 休 憩

オ-ラルセッション(A会場)

 10:40~12:00 座長 葛巻 徹(東海大)
204PPS樹脂上のナノダイヤモンド膜の成長機構
(産総研) ○津川和夫,石原正統,金載浩,古賀義紀,長谷川雅考
205ナノ多結晶ダイヤモンドの特性と工業的応用
(住友電工) ○角谷 均,原野佳津子,佐藤 武
206大気圧合成法を越える低圧化でのリモートプラズマCVDによる超尺・垂直配向単層カーボンナノチューブの高速成長
(早大) ○加藤良吾,川原田 洋
207レーザー蒸発法により形成される多層カーボンナノチューブの直径および層数
(三重大) ○小海文夫,野崎伊織,小塩 明
 
12:00~13:00 昼 休 み

オ-ラルセッション(A会場)

 13:00~14:00 座長 野瀬健二(東大・生産研)
208ダイヤモンド基板上の単結晶AIN薄膜のヘテロエピタキシャル成長機構
(NTT・物性研) ○平間一行,谷保芳孝,嘉数 誠
209低圧CVD法による非金属基板上への深紫外発光性六方晶窒化ホウ素の薄膜堆積
(物材機構) ○津田 統,渡邊賢司,谷口 尚
210

Ni基金属系溶媒を用いた六方晶窒化ホウ素結晶の液相成長
(物材機構) ○谷口 尚,渡邊賢司

 
14:00~14:20  休憩

特別講演(A会場)

14:20~15:10 座長 光田好孝(東大・生産研)

「ダイヤモンド,c-BN,DLCの研究を振り返って」

講演者

日本工業大学専門職大学院 技術経営研究科 教授 村川 正夫 氏

 
15:10~15:30 休 憩

ポスターセッション(B会場)

 15:30~17:30
P2-01CVD法によって作製したアンドープ単結晶ダイヤモンド自立板の結晶性
(産総研) ○坪内信輝,杢野由明,茶谷原昭義
P2-02ホモエピタキシャルマイクロ波プラズマCVDダイヤモンド薄膜の各種分析評価
(神奈川大) ○加藤健一,星野 靖,斎藤保直,中田穣治
P2-03ダイヤモンド(001)2x1表面伝導層の光電子顕微鏡観察
(東北大) ○河野省三,斎藤 達,河田宏史,後藤忠彦
P2-04リンドープn型ダイヤモンド薄膜における電子散乱:非弾性散乱評価法の比較
(玉川大) ○月岡邦夫
P2-05ナノ多結晶ダイヤモンドの光学特性
(住友電工) ○有元桂子,原野佳津子,角谷 均
P2-06加熱処理したナノダイヤモンド粒子の構造および砥粒性能の変化
(東工大) ○向後博康,平田 敦
P2-07DLC膜の真空中における摩擦特性改善
(日工大) ○ムルサラドゥ,渡部修一
P2-08多層性ダイヤモンドライクカーボンの機械的特性の解析
(慶應大,東邦大医療センター佐倉病院*)○大竹正頼,長谷部光泉*,堀田 篤,鈴木哲也
P2-09プラズマCVDで作製したDLC膜の内部応力に及ぼす諸因子の影響
(ユーテック,千葉工大*) ○阿部浩二,早川晴仁,寺島慶一*
P2-10水素化アモルファス炭素膜の弾性反跳粒子検出法による水素量測定における最適厚さ
(長岡技科大) ○赤坂大樹,水口和也,鈴木常生,大塩茂夫,斎藤秀俊
P2-11結晶面選択的吸着現象を応用した金/白金/ダイヤモンド複合表面の作製
(東京理科大) ○平田孝輔,近藤剛史,河合武司
P2-12ダイヤモンドナノワイヤーDNAセンサーの定量性
(産総研,Fraunhofer Institute for Applied Solid-State Physics*) ○上塚 洋,楊 年俊*,ネーベル クリストフ*,藤森直治
P2-13ダイヤモンド表面におけるアプタマーを介したATP検出
(早大) ○石山雄一郎,武田芳幸,田島慎也,川原田 洋
P2-14ダイヤモンド表面のカルボキシル基修飾によるSNPs検出
(早大) ○石井陽子,田島慎也,川原田 洋
P2-15光科学修飾法を用いたダイヤモンド電極表面の機能化とグルコースセンサーへの応用
(東京理科大) ○今井順一,近藤剛史,河合武司
P2-16グルコースオキシダーゼ/コバルトフタロシアニン修飾ダイヤモンド電極の作製と高感度グルコースセンサーへの応用
(東京理科大) ○堀谷 勝,近藤剛史,湯浅 真
P2-17ダイヤモンド電極によるコエンザイムQ10の高感度電気化学検出
(東京理科大) ○酒井和也,五十嵐政嗣,近藤剛史,湯浅 真
P2-18N-クロロコハク酸イミドを利用した水素化ダイヤモンド表面とピリジンカルボン酸および類似した化合物の反応性
(九州工大) ○坪田敏樹,山根順一,村上直也,横野照尚
P2-19表面スルホ化による機能性ダイヤモンドナノ粒子の作製
(東京理科大) ○亀島 貴,近藤剛史,河合武司
P2-20シランカップリング剤によりAPS改質されたDLC膜の細胞親和性評価
(東京電機大) ○星野祐太,松尾晴貴,大越康晴,平栗健二
P2-21再生医療のための窒素添加a-C:H膜の生体適合性評価
(東京電機大) ○鳥生敦子,松尾晴貴,大越康晴,平栗健二
P2-22水素化アモルファス炭素系膜表面へのタンパク質の吸着検出
(長岡技科大) ○赤坂大樹,竹田 葵,鈴木常生,大塩茂夫,斎藤秀俊
P2-23血管内皮細胞模擬形状―DLC複合化表面を用いた新規人工血管用材料の創製
(慶應大,東邦大医療センター佐倉病院*)○堀越 拓,長谷部光泉*,堀田 篤,鈴木哲也
P2-24DLCをコーティングしたポリマー材料の薬剤溶出性
(慶應大,東邦大医療センター佐倉病院* ,横浜市大付属病院**) ○浅川玲奈,長谷部光泉*,榎本圭祐,上條亜紀**,高橋孝喜,鈴木哲也,堀田 篤
P2-25DLCコーティングした歯科材料の機械的特性と生体親和性
(東工大,名古屋大*,ふくはうちテクノロジー**)○宮部一二三,高島 舞*,内 富男**,高井 治*,大竹尚登
P2-26六方晶窒化ホウ素を発光層に用いた遠紫外面発光デバイス
(物材機構,双葉電子工業*) ○渡邊賢司,谷口 尚,新山剛宏*,宮 健太*,谷口昌照*
P2-27有限要素法による電界放出型光源の構造開発
(高知FEL) ○大岡昌洋,笹岡秀紀,西村一仁
P2-28ソース・ドレインにボロンドープ層を選択成長させた(111)水素終端ダイヤモンドMOSFETsの電気特性評価
(早大) ○小野 祐,市川 大,津野哲也,川原田 洋
P2-29高圧高温アニールで高効率化したボロン注入ダイヤモンドFETの高耐圧、高温動作
(NTT物性科研) ○嘉数 誠,植田研二,山内喜晴
P2-30ダイヤモンド超伝導薄膜を用いたステップ構造ジョセフソン接合の特性評価
(早大,物財機構*) ○野村 亮,河野明大,川原田 洋,高野義彦*
P2-31ダイヤモンドSBD特性の結晶品質依存性
(産総研) ○梅沢 仁,アシュラフ オマル,鹿田真一
P2-32横方向成長によるライン状ヘテロエピタキシャルダイヤモンドの接合
(青学大,トウプラスエンジニアリング*)○鷲山 瞬,三田清二,鈴木一博*,澤邊厚仁
P2-33ドライプレス用ダイヤモンドコーテッド絞りダイスの開発
(日工大,湘南工科大*) ○鈴木 航,竹内貞雄,片岡征二*
P2-34電子顕微鏡用ダイヤモンド電子源の画像分解能評価
(住友電工) ○植田暁彦,池田和寛,西林良樹,今井貴浩
P2-35

CVDダイヤモンドを用いた電子透過窓の作製
(広島県総技研・西部工技センター,国立環境研*)○本多正英,山本 晃,縄稚典生,筒本隆博,久米 博*

P2-36

DLCを用いた電子透過窓の作製
(広島県総技研・西部工技センター,広島国際大*,神奈川県産技センター**)○縄稚典生,山本 晃,本多正英,伊藤幸一,筒本隆博,上月具挙*,金子 智**

P2-37モンテカルロ法によるDLC薄膜の電子透過性能の評価
(広島県総技研・西部工技センター,広島国際大*,神奈川県産技センター**)○伊藤幸一,縄稚典生,本多正英,
筒本隆博,山本 晃,上月具挙*,金子 智**
P2-38形状記憶合金上に作製したタングステンを含むDLC膜の繰り返し曲げ試験による疲労強度評価
(東北大) ○塩田浩之,竹野貴法,三木寛之,高木敏行
P2-39

PBll法及び多元マグネトロンスパッタ法でのDLC及びSi含有DLC成膜によるマグネシウム合金の耐食性の向上
(産総研,東大*) ○池山雅美,園田 勉,中尾節男,崔 埈豪*

懇親会

(於:未定) 18:00~

 

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第3日(11月20日)
オ-ラルセッション(A会場)

 9:20~10:40 座長 中村挙子(産総研)
301フェニルボロン酸修飾ダイヤモンド表面でのアデノシン三リン酸(ATP)の検出
(早大) ○新井裕史,田島慎也,川原田 洋
302機能化したダイヤモンド表面上におけるアプタマーを用いた血小板成長因子(PDGF) 検出
(早大) ○田島慎也,角皆光浩,石井陽子,川原田 洋
303多層カーボンナノチューブを気管注入したラット肺の電顕観察
(産総研,産業医科大*) ○山本和弘,小林恵美子,大神 明*,森本泰夫*
304ダイヤモンド/カーボンペーパー電極を用いた高感度HBrガスセンシング
(東京理科大,理研計器*,KAST**)○近藤剛史,松浦宏昭*,中野信夫*,藤嶋 昭**,河合武司,湯浅 真
 
10:40~11:00 休 憩

オ-ラルセッション(A会場)

 11:00~12:00 座長 近藤剛史(東京理科大)
305精密有機合成化学に基づく蛍光ナノダイヤモンドの多段階合成
(滋賀医科大) ○小松直樹,滝本竜哉,木村隆英,茶野徳宏
306ダイヤモンド粉末の光学活性官能基化学修飾および不斉認識挙動
(産総研,九州工大*) ○中村挙子,大花継頼,萩原佑太*,坪田敏樹*
307メルカプトフェニル基修飾ダイヤモンド表面からのDNA放出
(産総研,Fraunhofer Institute for Applied Solid-State Physics*) ○上塚 洋,中村挙子,山田貴壽,ネーベル クリストフ*,藤森直治
 
12:00~13:00 昼 休 み

オ-ラルセッション(A会場)

 13:00~14:40 座長 長谷川雅考(産総研)
308窒素酸化物による水素終端ダイヤモンドFETのDC,RF特性の向上
(NTT・物性研) ○ミハエル クボヴィッチ,嘉数 誠,山内喜晴
309水素終端(111)面ダイヤモンド基板上に作製したMOSFEETの高周波特性
(早大) ○佐藤隼介,柘植恭介,川原田 洋
310

真空紫外線/オゾン処理を用いて形成したp型ダイヤモンドショットキーダイオード
(物材機構,大阪大*) ○寺地徳之,GARINO Yiuri,小出康夫,伊藤利道*

311CVDダイヤモンドを用いた積層型SNSジョセフソン接合
(早大,産総研*,物材機構**) ○渡邉 恵,河野明大,北郷伸弥,川原田 洋,梅沢 仁*,山口尚秀**,高野義彦**
312ダイヤモンドp-i-n接合ダイオードからの電子放出
(産総研) ○竹内大輔,小倉政彦,加藤宙光,山崎 聡
 
14:40~15:00  休憩

オ-ラルセッション(A会場)

 15:00~16:20 座長 杉野 隆(大阪大学)
313

ダイヤモンド紫外線センサにおける光伝導利得および永続的光伝導のメカニズム
(物材機構,フランス国立科研センター*) ○小出康夫,寥 梅勇,井村将隆,Jose Alvarez*

314Photocurrent gain in intrinsic single crystal diamond
(物材機構)○寥 梅勇,寺地徳之,小泉 聡,小出康夫
315リフトオフ法を用いてCVD合成された大面積単結晶ダイヤモンド自立膜における電荷輸送特性の測定
(北大,産総研*) ○藤田文行,垣本明徳,金子純一,坪内信輝*
316

高濃度ボロンドープCVDダイヤモンド薄膜の断面TEM観察による結晶構造評価
(早大,物材機構*) ○北郷伸弥,川原田 洋,高野義彦*,知京豊裕*

 

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※DLC国際特別セッション※
Poster Session(B会場)

 10:00~12:00

P3-01

~10

(10件程度)

Invited Oral Presentation(B会場)

 13:30~15:00 Chair:Dr. Atsushi Hirata(Tokyo Inst. of Technol.)
DLC1Progress for carbon film standardization in Germany
Dr. Jan Gaebler(Fraunhofer Institutte for Surface Engineering and Thin Films)
DLC2Review of the 1st Workshop and the Current Endeavor for the DLC Standardization in Korea
Dr. Kwang-Ryeol Lee (Korean Institute Science and Technology)
DLC3Current Topic of Industrial Application of DLC
Dr. Naoto Ohtake (Tokyo Institute of Technology)

 

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