平成8年第13回光・エレクトロニクス分科会講演要旨集

日 時: 平成8年1月19日(金) 12:15~16:40
場 所: 東京大学生産技術研究所 第7会議室

「ダイヤモンドNEAとフィールドエミッタ」

(1) CVDダイヤモンドの電子親和力とその制御
  八田章光(阪大)・・・・・・・・・・・・・・・1
(2) ピラミッド状ダイヤモンドの作製とその電子放出特性
  岡野 健(東海大)・・・・・・・・・・・・・・7
(3) Tip-structureダイヤモンド孤立粒子の合成とその電界放出特性
  山下 敏(東京ガス)・・・・・・・・・・・・・11
(4) 金属/ダイヤモンド接合型フィールドエミッタ
  杉野 隆(阪大)・・・・・・・・・・・・・・・17
(5) 高安定フィールドエミッタ
  石沢芳夫(無機材研)・・・・・・・・・・・・・22
(6) イオン注入法を用いたSi電界エミッタの特性制御
  伊藤順司(電総研)・・・・・・・・・・・・・・28
   

平成8年度合同分科会講演要旨集

日 時: 平成8年5月24日(金) 13:00~17:00
場 所: 電気通信大学(東4号館802室)

「犬塚直夫先生追悼 ニューダイヤモンドフォーラム合同分科会’96
-ダイヤモンドのエピタキシャル成長を徹底討論する-」
パネル討論会「ダイヤモンドのエピタキシャル成長を徹底討論する」

(1) イントロダクトリ
  加茂睦和(無機材研)
(2) 「犬塚直夫先生を偲んで」
  広瀬洋一(東海大)、澤邊厚仁(青学大)
   

講演2「ダイヤモンドのエピタキシャル成長を徹底討論する」

(1) マイクロ波プラズマCVD法によるダイヤモンドのエピタキシャル成長
  築野 孝(住友電工)・・・・・・・・・・・・・1
(2) ダイヤモンドのステップフローエピタキシャル成長
  林 和志(電総研)・・・・・・・・・・・・・・5
(3) ダイヤモンドガスソースMBEにおける水素脱離及びメタン吸着過程
  西森年彦(三菱重工)・・・・・・・・・・・・11
(4) ダイヤモンドとグラファイト及びc-BNとh-BN
  鈴木哲也(慶大)・・・・・・・・・・・・・・16
(5) CBN表面でのダイヤモンドのエピタキシー
  小泉 聡(無機材研)・・・・・・・・・・・・25
(6) 2段階バイアス処理による高配向ダイヤモンド膜の合成
  前田英明(九州大)・・・・・・・・・・・・・26
(7) Cu基板上への一軸配向ダイヤモンド粒子の合成
  石倉威文(東京ガス)・・・・・・・・・・・・29
(8) 新谷法によるPt(111)上のダイヤモンド薄膜エピタキシャル成長
  橘 武史(神戸製鋼)・・・・・・・・・・・・35
(9) イリジウム薄膜表面へのダイヤモンドのエピタキシャル成長
  鈴木一博(トウプラス)・・・・・・・・・・・41