第34回ダイヤモンドシンポジウム講演プログラム

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日 時:2021年1月12日(火)~14日(木)

オンライン開催

第1日(1月12日)
オーラルセッション1

 スペース 9:20~10:20  座長 寺地徳之(物材機構)
△ 101 熱フィラメントCVD法によるリンドープn型ダイヤモンド薄膜の成長と評価
(九工大1,産総研2,物材機構3)○片宗優貴1,森大地1,和泉亮1,嶋岡毅紘2,市川公善3,小泉聡3
△ 102 Si基板上ダイヤモンドデバイスに向けた孤立単結晶ダイヤモンドのヘテロ成長
(電通大)○萩原大智,上岡弘弥,一色秀夫
△ 103 高配向核形成とαパラメータ変調を用いたSi基板上コアレッセントエピタキシャルダイヤモンド薄膜の合成と評価
(電通大)○上岡弘弥,萩原大智,一色秀夫
 
10:20~10:40 休  憩

オ-ラルセッション2

 スペース 10:40~12:00 座長 片宗優貴(九工大)
△ 104 マイクロ波液中プラズマ法を利用したダイヤモンドへの異元素ドーピング
(東理大院理工1, 東理大総合研究院光触媒国際研究センター2,旭ダイヤモンド工業3)○内田晃弘1,富永悠介1,辻内愛3,上塚洋3,鈴木孝宗2,近藤剛史1,渡辺日香里1,四反田功1,板垣昌幸1,藤嶋昭2,寺島千晶2
△ 105 マイクロ波液中プラズマCVDを用いた大面積ダイヤモンド薄膜の製造技術の開発
(東理大院理工1,東理大光触媒国際研究センター2,旭ダイヤモンド工業3)○富永悠介1,内田晃弘1,寺島千晶2,辻内愛3,上塚洋3,鈴木孝宗2,近藤剛史1,湯浅真1,藤嶋昭2
△ 106 爆轟法を用いたSiV中心含有ナノダイヤモンドの合成
(ダイセル1,長町サイエンスラボ2,熊本大3,大阪大4,京大5)○牧野有都1,間彦智明1,劉明1,吉川太朗1,長町信治2,田中茂3,外本和幸3,芦田昌明4,藤原正則5,水落憲和5,西川正浩1
△ 107 Bイオン注入によるCVDダイヤモンド薄膜中への低補償率p型伝導層の形成
(神奈川大)○関裕平,川﨑壮,星野靖,中田穣治
 
12:00~13:00 昼 休 み

オ-ラルセッション3

 スペース 13:00~14:00 座長 宮本良之(産総研)
△ 108 高感度磁気センシングに向けた2次元高密度NVアンサンブルの作製
(早大1,量研2,メルボルン大3,筑波大4,材研5)○早坂京祐1,金久京太郎1,立石哲也1,齋藤悠太1,中村洸介1,川勝一斗1,畑雄貴1,谷井孝至1,小野田忍2,Alastair Stacey3,磯谷順一4,河野省三5,川原田洋1
△ 109 置換窒素(P1)と電子線照射によるNVセンター荷電状態比(NV-/NV0)制御
(物材機構1, 量研2)○真栄力1,宮川仁1,谷口尚1,小野田忍2,石井秀弥2,寺地徳之1
110 高感度を維持した高ダイナミックレンジ量子計測
(京大1,産総研2)○ヘルプシュレプ デイビット エルンスト1,加藤宙光2,牧野俊晴2,山崎聡2,水落憲和1
 
14:00~14:20 休  憩

オ-ラルセッション4

 スペース 14:20~15:20 座長 牧野俊晴(産総研)
△ 111 生体内リアルタイム蛍光ナノダイヤモンド温度計測
(大阪市立大1,ベルリンフンボルト大2,蘇州大3,京大4,慶大5,チャップマン大6)○藤原正澄1,Sun Simo1,Dohms Alexander2,西村勇姿1,首藤健1,竹澤有華1,押味佳裕1,Zhao Li3,Sadzak Nikola2,梅原有美1,手木芳男1,小松直樹4,Benson Oliver2,鹿野豊5,6,中台枝里子1
△ 112 ナノスケール量子計測を用いたラベルフリー脂質二重層相転移計測
(JST さきがけ1,慶大量子コンピューティングセンター2,大阪大3,東工大4)○石綿整1,渡辺宙志2,花島慎弥3,岩崎孝之4,波多野睦子4
113 ダイヤモンド薄膜中に埋め込まれたFeナノ粒子の超常磁性ブロッキング
(NTT物性科学基礎研究所)○河野慎,平間一行,熊倉一英

 

 

第2日目(1月13日)
オ-ラルセッション5

 スペース 10:00~11:00 座長 梅沢仁(産総研)
201 水素終端ダイヤモンド電界効果トランジスタの移動度の解析
(物材機構MANA1,筑波大数理2,物材機構3)○笹間陽介1,蔭浦泰資1,小松克伊1,森山悟士1,井上純一1,井村将隆3,渡邊賢司3,谷口尚3,内橋隆1,山口尚秀1,2
△ 202 トレンチゲート構造を持つ縦型2DHGダイヤモンドMOSFETの大電流密度(20.2 kA/cm2)及び低オン抵抗化(2.5 mΩ・cm2)の達成
(早大理工1,早大材研2)○太田康介1,角田隼1,岩瀧雅幸1,堀川清貴1,天野勝太郎1,新倉直弥1,平岩篤1,川原田洋1,2
△ 203 耐放射線性を強化した水素終端ダイヤモンドMOSFET(RADDFET)の1MGy照射後特性
(北大1, 産総研2)○山口卓宏1,梅沢仁2,大曲新矢2,小泉均1,金子純一1
 
11:00~11:20 休  憩

オ-ラルセッション6

 スペース 11:20~12:00 座長 梅沢仁(産総研)
△ 204 ゲート幅を1 mmまで拡張した際の多結晶ダイヤモンドMOSFETに及ぼす直流特性、高周波特性への影響
(早大理工)○浅井風雅,荒井雅一,今西祥一朗,久樂顕,鈴木優紀子,平岩 篤,川原田洋
△ 205 ダイヤモンド電解質溶液ゲートFET(SGFET)を用いた海中無線通信の出力特性に対する溶液断面積依存性
(早大理工)○佐藤弘隆,寳田晃翠,川口柊斗,蓼沼佳斗,張育豪,川原田洋
 
12:00~13:00 昼 休 み

オ-ラルセッション7

 スペース 13:00~14:00 座長 近藤剛史(東理大)
206 ホウ素ドープSiC薄膜の作製と電気化学特性の評価
(慶大理工)○内山和樹,山本崇史,栄長泰明
△ 207 中性子反射率測定による細胞親和性窒素含有DLCの構造評価
(東京電機大院1,CROSS中性子科学センター2,順天堂大3)○ファウズィア カマリナ1,宮田登2,福原武志3,平栗健二1,大越康晴1
208 Cu含有DLCの作製と抗菌性評価および滅菌処理による膜耐久性評価
(東京電機大1,ナノテック2,慈恵医大3)○加賀洋行1,平塚傑工2,馬目佳信3,大越康晴1,平栗健二1
 
14:00~14:20 休 憩

オ-ラルセッション8

 スペース 14:20~15:00 座長 近藤剛史(東理大)
△ 209 ダイヤモンドナノ粒子による細胞の熱伝導計測
(大阪大蛋白質研究所)○外間進悟,仲崇霞,鈴木団,原田慶恵
210 ダイヤモンド電極による硫化水素ガス計測
(慶大院理工)○トゥリアナ ユニタ,栄長泰明

 

 

第3日目(1月14日 )
オ-ラルセッション9

 スペース 9:00~10:20 座長 矢野雅大(三菱マテリアル)
301 軟質金属材料へのDLCコーティングを用いた高機能摺動表面の提案
(東工大工学院機械系1,小松製作所2,東工大科学技術創成研究院3)○山城崇徳1,松尾誠1,田村幸雄2,山本浩2,平田祐樹3,赤坂大樹1,田中真二3,菊池雅男3,大竹尚登3
302 FCVA法による三次元構造物へのta-C極薄膜コーティング
(東工大工学院機械系1,東工大科学技術創成研究院2,東工大工学院3)○川合 功太郎1,平田祐樹2,赤坂大樹3 ,大竹尚登2
303 ポストアニールが窒素添加水素化DLC膜の機械的・光学的・電気的特性に及ぼす影響
(弘前大院理工)○長内公哉,室野優太,佐藤聖能,小林康之,遠田義晴,鈴木裕史,中澤日出樹
△ 304 CVD法で合成したホモエピタキシャルダイヤモンドの機械的特性評価
(日工大院1,住友電工2,物材機構3,日工大4)○堀川翔平1,阿部航大1,角谷均2,神田久生3,福長脩4,竹内貞雄4
 
10:20~10:40 休  憩

オ-ラルセッション10

 スペース 10:40~12:00 座長 山田貴壽(産総研)
△ 305 ダイヤモンドpn接合による超高変換効率ベータボルタ電池
(物材機構1,産総研2,グルノーブル大3)○嶋岡毅紘1,梅沢仁2,市川公善1,Pernot Julien3,小泉聡1
△ 306 単結晶ダイヤモンドを用いた1ポートSAW共振子
(沖縄高専1,堀場エステック2,横河ソリューションサービス3,TCK4)○前田拓哉1,小渡祐樹1,藤井知1,堀田将也2,西里洋2,遠江栄希3,柴育成3,大江隆4,小坂光二4
307 ダイヤモンド微粒子を電界整列させた伝熱シートの熱伝導率評価
(九大)○稲葉優文,李赫男,神村尊,中野道彦,末廣純也
308 ダイヤモンデバイスのためのプロセス技術開発
(産総研)○渡邊幸志,根本一正,谷島孝,野田周一,居村史人,Mickael Lozach,梅澤仁,クンプアン ソマワン,原史朗
 
12:00~13:00 昼 休 み

オ-ラルセッション11

 スペース 13:00~14:20 座長 町田友樹(東大)
△ 309 CVDグラフェン/HPHT h-BN構造における電気特性の温度依存性評価
(産総研1,物材機構2)○沖川侑揮1,山田貴壽1,渡邊賢司2,谷口尚2
310 水酸化カリウム水溶液を用いて作製したカリウム添加多層グラフェンの評価
(産総研1,静岡大2,東北大3)○山田貴壽1,畠山一翔1,沖川侑揮1,増澤智昭2,小川修一3,高桑雄二3
311 高空間分解SEM-EDSによるナノ炭素材料の表面状態に関する元素組成分析
(産総研)○中島秀朗,森本崇宏,周英,小橋和文,山田健郎, 岡崎俊也
312 ダイナミックアニーリングプロセスによるh-BNナノシート合成手法の開発
(東工大工学院機械系1,東工大科学技術創成研究院未来産業技術研究所2)○吉里樹人1,平田祐樹2,赤坂大樹1,大竹尚登2

■ 優秀講演賞について

優秀講演賞の選考対象となる発表には講演番号の前に△印が付記されています。