第35回ダイヤモンドシンポジウム講演プログラム

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日 時:2021年11月17日(水)~19日(金)

オンライン開催

第1日(11月17日)
オーラルセッション1

 スペース 10:20~12:00  座長 山田英明(産総研)
101 リンドープn型ダイヤモンドへのホウ素イオン注入によるpn接合の形成
(産総研1,法政大2,中央大3)○小倉政彦1,西村智朗2,加藤宙光1,牧野俊晴1,横田貴恒3,竹内大輔1,庄司 一郎3,山崎聡1
102 高濃度ホウ素ドープダイヤモンド膜のラテラル成長
(金沢大1,Diamond and Carbon Applications2)○小林和樹1,張旭芳1,松本翼1,猪熊孝夫1,Christoph E Nebel2,山崎聡1,徳田規夫1
△ 103 MPCVD法によるRu(0001)基板上のダイヤモンド(111)粒子のヘテロエピタキシャル成長
(早大理工1,西安交通大2,アダマンド並木精密宝石3)○太田康介1,Fei Wenxi1,Wei Kongting2,森下葵1,Wang Hongxing2,Kim Seongwoo3,小山浩司3,川原田洋1
△ 104 Si基板上ボロンドープ孤立単結晶ダイヤモンドの作製と評価
(電通大)○萩原大智,有路颯樹,一色秀夫
△ 105 静電相互作用を用いたナノダイヤモンド粒子の基板上ナノパターン配列
(ダイセル)○吉川太朗,劉明,三宅弘人,家城良典,小嶋良太,牧野有都,鶴井明彦,間彦智明,西川正浩
 
12:00~13:00 昼 休 み

ポスターセッション

 スペース 13:00~14:20
P1-01 非凝集ナノダイヤモンドコロイド分散液の作製と低温電子顕微鏡法による分散状態評価
(ダイセル)○吉川太朗,劉明,牧野有都,鶴井明彦,間彦智明,西川正浩
P1-02 マイクロ波液中プラズマCVDによるボロンドープダイヤモンドの合成条件の最適化
(東理大院理工1,スペースシステム創造研究センター2,旭ダイヤモンド工業3)○富永悠介1,上塚洋3,石田直哉2,近藤剛史1,湯浅真1,藤島昭2,寺島千晶2
P1-03 X線トポグラフィを用いたダイヤモンドHPHT基板の結晶転位解析
(関西学院大院)○佐藤雄哉,宮嶋孝輔,明石直也,鹿田真一
P1-04 FCVA法を用いた金属基板上へのグラフェン合成法の開発
(東工大工学院1,東工大科学創成研究院2)○堤香澄1,平田祐樹2,赤坂大樹1,大竹尚登2
P1-05 ゲート幅30mmを超える耐高温・耐放射線ダイヤモンドMESFETの作製と性能評価
(産総研)○川島宏幸,梅沢仁,大曲新矢,牧野俊晴,小倉政彦,山田英明
P1-06 電気化学イムノセンサーの作製を目指した導電性ダイヤモンドパウダーの表面修飾
(東理大)○大島夏乃,近藤剛史,東條敏史,湯浅真
P1-07 電解水処理への実用化に向けた塗布型ダイヤモンド電極の作製
(東理大1,エーワンテクニカ2)○中嶋遥1,近藤剛史1,金田英一2,東條敏史1,湯浅真1
P1-08 低周波プラズマCVD法により成膜した窒素含有 DLCの電気化学特性評価
(東京電機大)○松崎充晃,河上瑛彦,長谷部伸一,木川啓太,久保美希,向山義治,平栗健二,大越康晴
P1-09 カーボン系材料の光表面化学修飾法を利用した高強度異種材料接合技術
(産総研1,新技術研究所2)○中村挙子1,土屋哲男2,秋山勇2,平井勤二2
 
14:20~14:40 休  憩

オ-ラルセッション2

 スペース 14:40~16:40 座長 徳田規夫(金沢大)
△ 106 プラズマを援用した大面積モザイク単結晶ダイヤモンド基板の高能率ダメージフリー研磨
(阪大1,ティ・ディ・シー2,産総研3)○吉鷹直也1,劉念1,杉本健太郎1,菅原宏輝2,山田英明3,赤羽優子2,川合健太郎1,有馬健太1,山村和也1
△ 107 ダイヤモンドホモエピタキシャル成長における転位の伝播
(物材機構1,産総研2)○市川公善1,加藤友香子2,小泉聡1,寺地徳之1
108 多光子励起PL法によるヘテロエピダイヤモンド基板のBand-A発光三次元イメージング
(産総研)○大曲新矢,坪内信輝,田中孝治,竹内大輔,山田英明
109 HPHTダイヤモンド結晶のESRイメージング
(筑波大1,ブルカージャパン2,物材機構3,住友電工4,量研5,産総研6)○磯谷順一1,原英之2,渡邊賢司3,角谷均4,小野田忍5,寺地徳之3,渡邊幸志6,梅田享英1,上殿明良1
110 カリウム添加多層グラフェンにおけるEBAC評価
(産総研)○沖川侑揮,中島秀朗,岡崎俊也,山田貴壽
111 高空間分解SEM-EDSによるカーボンナノホーン表面修飾に関するメカニズム考察
(産総研1,ギリシャ国立研究財団2)○中島秀朗1,森本崇宏1,小橋和文1,張民芳1,Sideri Ioanna2,Tagmatarchis Nikos2,岡崎俊也1

 

 

第2日目(11月18日)
オ-ラルセッション3

 スペース 10:20~12:00 座長 渡辺剛志(青学大)、近藤剛史(東理大)
△ 201 高周波プラズマCVD法により成膜した窒素含有DLCの電気化学的特性
(東京電機大)○長谷部伸一,河上瑛彦,松崎充晃,木川啓太,久保美希,向山義治,平栗健二,大越康晴
△ 202 生体適合性N-DLC成膜のための機械学習を用いたプラズマ発光観察
(東京電機大1,神奈川大2)○ヌルルシャキラ ビンティジャメル1,平栗健二1,大越康晴1,中村聡2,小松隆2,若山明梨1
203 ナノダイヤモンドの表面修飾によるホウ素中性子捕捉療法薬剤
(京大院人間・環境学1,ダイセル2,京大複合原子力科学研3)○西川正浩1,2,鈴木実3,小松直樹1
△ 204 ダイヤモンド電解質溶液ゲートFETとステンレス容器による高温(80℃)でのpHセンシング
(早大)○野本玲於奈,川口柊斗,佐藤弘隆,寳田晃翠,張育豪,川原田洋
△ 205 ダイヤモンド電極を用いた緑内障点眼薬の電気化学測定
(慶大理工1,東大医2)○米田真央1,緒方元気1,花輪藍1,浅井開1,山岸麗子2,本庄恵2,相原一2,栄長 泰明1
 
12:00~13:00 昼 休 み

ポスターセッション

 スペース 13:00~14:20
P2-01 選択成長を用いた大面積シリコン基板上単結晶ヘテロエピタキシャルダイヤモンドの作製と評価
(電通大情報理工)○有路颯樹,萩原大智,一色秀夫
P2-02 TiPS/Ar/H2を用いたナノ結晶ダイヤモンドの気相合成
(電通大)○森田豪,森敏洋,一色秀夫
P2-03 爆轟法を用いたSiV中心含有ナノダイヤモンドの光学特性
(阪大1,ダイセル2)○齋藤良樹1,牧野有都2,蓑輪陽介1,芦田昌明1
P2-04 臭素添加によるグラフェン導電性制御
(静岡大電子工学研1,産総研2)○増澤智昭1,沖川侑揮2,三宅拓1,中川央也1,青木徹1,三村秀典1,山田貴壽2
P2-05 超伝導転移端センサを用いた光子検出器によるダイヤモンドNV中心の蛍光測定
(産総研1,筑波大2)○堀江千紘1,2,吉澤明男1,渡邊幸志1,野村暢彦2,福田大治1
P2-06 四角状アルミ線へのDLCコーティングの評価
(東京電機大1,仲代金属2,ピーエス特機3)○三原伊織1,桒原大樹2,安中 茂2,林俊郎3,春山哲也3,平栗健二1
P2-07 ダイヤモンド電極を用いた CO2 還元における一酸化炭素の選択的生成
(慶大理工)○小沢太雅,山本崇史,栄長泰明
P2-08 グラフェンインク印刷電極の作製と機械学習を利用した電気化学塩素センサへの応用
(青学大1,柴田科学2)○季暁波1,渡辺剛志1,土肥正和1,左成信之2,檜山功2,高澤康之2,榎本孝紀2,黄晋二1
P2-09 窒素含有DLC薄膜の細胞接着性評価
(東京電機大1,理研2,順天堂大3)○北洞涼雅1,池ノ谷祥平1,福原武志2, 3, 平栗健二1,大越康晴1
P2-10 白金修飾ダイヤモンド電極を用いた水素水センサーの開発
(慶大理工)○風間一穂,イルハム,栄長泰明
 
14:20~14:40 休  憩

オ-ラルセッション4

 スペース 14:40~16:20 座長 赤坂大樹(東工大)、大越康晴(東京電機大)
206 炭素イオン流を用いた水素フリー浸炭技術の開発
(東工大工学院1,日立Astemo2,東工大科学技術創成研究院3)○金野雄志1,2,加藤豊大1,稲葉宏2,平田祐樹3,赤坂大樹1,大竹尚登3
△ 207 圧力負荷における中性子反射率法を用いたダイヤモンド状炭素薄膜の構造評価
(東京電機大院1,CROSS中性子科学センター2)○ムハマドアズミ アリフ1,高田歩1,平渡琉斗1,安野直樹1,小畑修二1,宮田登2,宮崎司2,平栗健二1,大越康晴1
△ 208 医療デバイスの応用に向けたDLC膜の摺動性評価
(東京電機大1,ナミキ・メディカルインストゥルメンツ2,ナノテック3)○中村優翔1,並木和茂2,平塚傑工3,平栗健二1
209 圧縮下における非晶質炭素膜の基板依存性評価
(東京電機大1,CROSS中性子科学センター2)○高田歩1,ムハマドアズミ アリフ1,平渡琉斗1,安野直樹1,小畑修二1,宮田登2,宮崎司2,平栗健二1,大越康晴1
210 C6H6-N2混合気体のマイクロ波プラズマを用いたa-CNx:Hの成膜と構造解析
(長岡技科大)○神田匠,伊藤治彦

 

 

第3日目(11月19日 )
オ-ラルセッション5

 スペース 9:20~10:40 座長 宮本良之(産総研)
301 フタロシアニンイオン注入によるNVセンターの形成
(群馬大1,量研2,物材機構3,筑波大4)○木村晃介1,小野田忍2,山田圭介2,加田渉1,寺地徳之3,磯谷順一4,花泉修1,大島武2
△ 302 窒素濃度5×10^20 [㎝]^(-3)の高濃度窒素ドープダイヤモンドを用いたNVアンサンブルの作製
(早大1,量研2,物材機構3,筑波大4,早大材研5)○上田真由1,早坂京祐1,金久京太郎1 ,蔭浦泰資3,河合空1,大谷和毅1,上田優樹1,齋藤悠太1,谷井孝至1,小野田忍2,磯谷順一4,榎本心平5,河野省三5,川原田洋1
△ 303 NVセンターの負電荷割合 - 平衡状態方程式による解釈
(物材機構1,量研2)○真栄力1,宮川仁1,石井秀弥2 ,佐伯誠一2,小野田忍2,谷口尚1,大島武2,寺地徳之1
△ 304 グラフェン・オン・ダイヤモンドを用いた表面近傍のNVセンターの電荷状態安定化
(産総研)○春山盛善,沖川侑揮,加藤宙光,牧野俊晴,山田貴壽
 
10:40~11:00 休  憩

オ-ラルセッション6

 スペース 11:00~12:20 座長 宮本良之(産総研)
△ 305 ダイヤモンド量子センサの高性能化と次世代応用の開拓
(JSTさきがけ1,東工大2)○荒井慧悟1, 2,石綿整1, 2,藤崎伊久哉2,松木 亮磨2,梶山健一2,佐藤直人2,岩﨑孝之2,波多野睦子2
306 ダイヤモンドマイクロウェル形状に沿って作製したNV量子センサー
(産総研1,慶大理工2)○石川豊史1,吉澤明男1,馬渡康徳1,早瀬潤子2,伊藤公平2,渡邊幸志1
307 ダイヤモンド量子センサの小型・高感度化に向けた電子スピン制御方法の研究
(東工大1,産総研2,量研3)○富岡寛凱1,波多野雄治1,関口武治1,荒井慧悟1,加藤宙光2,小野田忍3,大島武3,岩﨑孝之1,波多野睦子1
△ 308 SiVセンタを含む爆轟法ナノダイヤモンドを用いた温度センシング
(京大1, ダイセル2)○藤原正規1,内田岳1,大木出1,劉明2,鶴井明彦2,吉川太朗2,西川正浩2,水落憲和1
 
12:20~13:20 昼 休 み

オ-ラルセッション7

 スペース 13:20~14:40 座長 牧野俊晴(産総研)
309 ダイヤモンドMEMS磁気センサ
(物材機構)○廖梅勇,張子竜,サン リウエン,小出康夫,小泉聡
△ 310 高濃度ボロンドープ層を有するダイヤモンドMOSFETsの高周波ハイパワー化に向けた接触抵抗の低減
(早大)○高橋輝,久樂顕,浅井風雅,荒井雅一,平岩篤,川原田洋
△ 311 RADDFETの耐放射線性の分析
(北大1,産総研2)○桝村匡史1,梅沢仁2,山口卓宏1,出口祐靖1,川島宏幸2,牧野俊晴2,星川尚久1,大曲新矢2,小倉政彦2,小泉均1,金子純一1
△ 312 耐放射線性水素終端ダイヤモンドMOSFET(RADDFET)を用いた差動増幅回路の開発
(北大1,産総研2)○出口祐靖1,梅沢仁2,桝村匡史1,川島宏幸2,牧野俊晴2,星川尚久1,大曲新矢2,小倉政彦2,小泉均1,金子純一1
 
14:40~15:00 休  憩

オ-ラルセッション8

 スペース 15:00~16:20 座長 牧野俊晴(産総研)
△ 313 高濃度ボロンドープ層導入による縦型 2DHG ダイヤモンド MOSFET の電流密度向上化
(早大)○長澤太河,太田康介,新倉直弥,行木佑太,張潤銘,角田隼,平岩篤,川原田洋
△ 314 110面に基づいて縦型2DHGダイヤモンドMOSFETのトレンチ角度の違いによるダイポール密度変化の理論計算
(早大)○張潤銘,太田康介,新倉直弥,川原田洋
△ 315 ダイヤモンドSQUID磁気センサの感度向上に向けたジョセフソン接合の微細化
(早大1,物材機構2)○若林千幸1,高橋泰裕1,蔭浦泰資2,高野義彦2,立木 実2,大井修一2,有沢俊一2,川原田洋1
△ 316 誘電泳動集積法により作製したカーボンナノチューブ/SnO2ハイブリッドガスセンサのNO2応答
(九大)○稲葉優文,中野道彦,末廣純也

■ 優秀講演賞について

優秀講演賞の選考対象となる発表には講演番号の前に△印が付記されています。