第36回ダイヤモンドシンポジウム講演プログラム

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2022年11月16日(水)~17日(木) 慶應義塾大学 矢上キャンパス

2022年11月18日(金) オンライン

第1日目(11月16日)

オーラルセッション1

10:20~12:00  座長 徳田規夫(金沢大)
101 3次元バルクCVD 成長による単結晶ダイヤモンドの結晶品質向上
(産総研)○嶋岡毅紘,山田英明,坪内信輝,杢野由明,茶谷原昭義
102 熱フィラメントCVD法により成長した高濃度リンドープダイヤモンド(111)薄膜の電気的特性
(九工大1,物材機構2)○片宗優貴1,和泉亮1,市川公善2,小泉聡2
103 マイクロ波プラズマCVD法で作製した高濃度ホウ素ドープダイヤモンドの特性
(イーディーピー)○古橋匡幸,藤森直治
△104 ダイヤモンド単結晶合成における酸素添加の電荷キャリア輸送特性に対する影響評価
(北大1,産総研関西2,産総研つくば3)○織田堅吾1,金子 H 純一1,茶谷原昭義2,渡邊幸志3 ,梅沢仁2,小早川友佑1
105 マイクロ波液中プラズマ法による厚膜ダイヤモンドの高速合成
(東理大理工学研究科1,東理大スペースシステム創造センター2,旭ダイヤモンド工業3)○久保田侃昌1,2,上塚洋2,3,鈴木孝宗2,寺島千晶1,2

12:00~13:20     昼   休   み

オ-ラルセッション2

13:20~14:40 座長 中村挙子(産総研)
△106 ダイヤモンド電極の表面活性化によるCO2電解還元の高性能化
(慶大)○杜京倫,フィオラニ アンドレア,稲垣泰一,大竹敦,村田道生,畑中美穂,栄長泰明
△107 ホウ素・窒素共ドープダイヤモンドの作製とCO2電解還元用電極への応用
(東理大1,慶大2)○三宅祐大1,近藤剛史1,大竹敦2,栄長泰明2,東條敏史1,湯浅真1
108 ホウ素ドープダイヤモンド電極を用いた小型高速オゾン水濃度センサ
(サイオクス1,住友化学2,慶大3)○栗原香1,田村颯人2,赤井和美3,栄長泰明3
109 ダイヤモンド電子舌センサとAI技術を活用した溶液情報の分類
(産総研)○大曲新矢,中原大哉,森田伸友,竹村謙信,岩崎渉
 
14:40~15:00   休   憩

オ-ラル特別セッション「量子デバイス」

15:00~16:20 座長 栄長泰明 (慶大)、宮本良之(産総研)
110 【基調講演】ダイヤモンド中NV中心を用いた量子センシング
(慶大)○早瀬潤子
111 窒素・空孔欠陥の温度・圧力依存性の計算
(東工大工学院1,JSTさきがけ2)○木村詠吉1,小場瑛介1,荒井慧悟1,2
△112 超高濃度窒素ドープCVDダイヤモンドに作製した、NVアンサンブルのスピン特性評価
(早大1,高崎量子応用研2,物材機構3,早大材研4)○淺野雄大1,上田真由1,早坂京祐1,金久京太郎1,蔭浦泰資1,3,谷井孝至1,小野田忍2,榎本心平4,河野省三4,川原田洋1,4
 
16:20~16:40   休   憩

16:40~18:00 座長 栄長泰明 (慶大)、宮本良之(産総研)
113 NV-13C形成に向けたL-アルギニンイオンビームの開発
(量研1,群馬大2,物材機構3)○小菅臨1,2,小野田忍1,山田圭介1 ,木村晃介1,2,馬場智也1,2,加田渉1,2,寺地徳之3,大島武1
△114 NV量子センサ高感度化のためのtert-butylphosphineを用いたn型ダイヤモンド合成
(京大化研1,産総研2,金沢大3,京大CSRN4)○川瀬凜久1,川島宏幸1,2,加藤宙光2,徳田規夫3,山崎聡3,小倉政彦2,牧野俊晴2,水落憲和1,4
△115 NV-センターの磁気双極子相互作用強度の決定
(物材機構1,量研2)○真栄力1,増山雄太2,宮川仁1,阿部浩之2,石井秀弥2,佐伯誠一2,小野田忍2,谷口尚1,大島武2,寺地徳之1
△116 ダイヤモンド量子計測を用いた細胞解析法の開発
(量研量子生命科学研)○石綿整,神長輝一,五十嵐龍治

 


第2日目(11月17日)

オ-ラルセッション3

10:20~12:00 座長 牧野俊晴(産総研)、寺地徳之(物材機構)
△201 C-Si-O側壁チャネルによる初のノーマリーオフ動作縦型ダイヤモンドMOSFET
(早大1,早大材研2)○成田憲人1,太田康介1,付裕1,若林千幸1,平岩篤1,川原田洋1,2
△202 ダイヤモンドpip構造のスナップバック現象
(九工大生命体工学研究科)○松本有吾,後藤成雅,渡邉晃彦
△203 エアブリッジマルチフィンガー構造を有するダイヤモンドMOSFETsによるゲート幅拡大時の高周波特性劣化の大幅な抑制
(早大1,早大材研2)○長幸宏1,荒井雅一1,高橋輝1,浅井風雅1,鈴木優紀子1,平岩篤1,川原田洋1,2
△204 ダイヤモンド横型 PIN ダイオードの NEA 表面からの電子放出
(中大理工学研究科1,産総研2)○山川翔也1,2,加藤宙光2,小倉政彦2,加藤有香子2,牧野俊晴2,塚本涼太1,2,竹内大輔1,2,庄司一郎1,2
△205 近接効果型の超伝導ダイヤモンドFET実現に向けた極低温(1.6 K)動作検証
(早大理工1,産総研2,物材機構3,早大材研4)○竹内雅治1,若林千幸1,高橋泰裕1,太田康介1,蔭浦泰資1,2,高野義彦3,立木実3,大井修一3,有沢修一3,川原田洋1,4
 
12:00~13:20  昼 休 み

オ-ラルセッション4

13:20~14:40 座長 山田英明(産総研)
206 圧力負荷による非晶質炭素薄膜への導電性付与における高分子基板依存性評価
(東京電機大1,シンクロトロン光研2)○ビンマドサニ ムハンマドアズミアリフ1,中川颯太1,山崎盛夢1,杉原輔扇1,小畑修二1,平栗健二1,大越康晴1,Sarayut Tunmee2
△207 爆轟法ナノダイヤモンド中のゲルマニウム-空孔中心を用いた温度センシング
(京大1,ダイセル2)○藤原正規1,付海寧1,大木出1,劉明2,鶴井明彦2,吉川太朗2,西川正浩2,水落憲和1
208 Bイオン注入IIa型ダイヤモンドの活性化アニール時間の最適化
(神大)○関裕平,倉島凛太郎, 星野靖
209 大電流プローブを用いた高分解能EBSD法によるモザイク・ダイヤモンド基板とHFCVD層の結晶性評価
(産総研1,物財機構2)○田中孝治1,高野美和子2,大曲新矢1,立木実2,山田英明1
 
14:40~15:00   休   憩

オ-ラルセッション5

15:00~15:40 座長 山田英明(産総研)
210 n型c-BNエピタキシャル薄膜のキャリア散乱機構
(NTT物性科学基礎研)○平間一行,谷保芳孝,山本秀樹,熊倉一英
211 生体計測応用に向けた炭化ケイ素ナノ粒子の高機能化
(阪大1,量研2)○外間進悟1,阿部浩之2,大島武2,原田慶恵1
 
15:40~16:00   休   憩

特別講演

16:00~17:00 座長 平田敦(東工大)
「ワイドギャップ材料・デバイスを追って」
関西学院大学工学部 教授 鹿田真一 氏

 


第3日目(11月18日)

ポスターセッション1

13:00~14:00
P1-01 誘電泳動集積を用いて作製した両極性CNT-FETガスセンサの電子伝導領域におけるNO2高速応答
(九大1,名大2)○中原正太1,八木凱人1,大町遼2,稲葉優文1 ,中野道彦1,末廣純也1
P1-02 オゾン水生成用ダイヤモンド電極の高品質化
(サイオクス)○西川直宏,守田俊章,栗原香
P1-03 化学気相成長法を用いたヘテロエピタキシャルイリジウムの作製と評価
(青学大)○中井太一,木村豊,澤邊厚仁
P1-04 グラフェン形成に及ぼす固体炭素源C60薄膜とNi触媒の膜厚及び熱処理条件の影響
(東海大院工学研究科1,東海大工2,産総研3)○菅原一真1,赤羽裕矢2,山田貴壽3,葛巻徹1,2
P1-05 偏光ラマン分光によるダイヤモンドの転位評価
(関学大)○竹内莉莉花,安岡幹貴,石井万里野,鹿田真一
P1-06 高周波・広帯域用ScAlN/ダイヤモンドSAWデバイス
(関学大1,産総研九州2)畑下昂平1,土屋俊貴1,岡崎雅哉1,中野真梨1,アングライニ アユ スリ2,平田研二2,大曲新矢2,上原雅人2,山田浩志2,秋山守人2,○鹿田真一1
P1-07 膜質の異なるDLC膜のアルカリ溶液に対する耐食性
(東京電機大1,ナノテック2)○海老原匠1,平塚傑工2,平栗健二1
P1-08 選択成長マスクを用いたシリコン基板上単結晶ヘテロエピタキシャルダイヤモンド膜の作製と評価
(電通大)○有路颯樹,吉田あかり,木川啓太,根本優輝,一色秀夫
P1-09 RFプラズマCVD法により成膜した窒素含有DLCの水素発生反応の抑制効果
(東京電機大)○長谷部伸一,松崎充晃,長谷川和,山口朝輝,渡辺千也,向山義治,平栗健二,大越康晴
P1-10 光学定数に基づいて分類したDLC膜の抗菌性
(東京電機大1,慈恵医大2,ナノテック3)○有村景太1,金杉和弥1,大越康晴1 ,馬目佳信2,平塚傑工3,平栗健二1
P1-11 単結晶ダイヤモンドの反応摩耗の評価
(日工大院1,物材機構2,日工大3,住友電工4)○樋口優斗1,神田久生2,福長脩3,角谷均4,竹内貞雄3
P1-12 ボロンドープ多層構造膜の合成
日工大院1,物材機構2,日工大3)○岡部直輝1,江川流星1,神田久生2,福長脩3,竹内貞雄3
P1-13 Pt-Pd修飾ダイヤモンド電極を用いたギ酸燃料電池の特性評価
(慶大1,パジャジャラン大2)○風間一穂1,イルハム2,栄長泰明1

14:00~14:30   休   憩

ポスターセッション2

14:30~15:30
P2-01 表面活性化接合法を用いて作製したSi/ダイヤモンドヘテロ接合の電気特性
(大阪市立大1,産総研2,大阪公立大3)○上東洋太1,大曲新矢2,梅沢仁2,山田英明2,梁剣波1,3,重川直輝1,3
P2-02 多結晶ダイヤモンドフレークの作製と電界整列挙動
(九大1,産総研2)○清家清弥1,陳映晨1,大曲新矢2,稲葉優文1,中野道彦1,末廣純也1
P2-03 多結晶ダイヤモンド放射線検出器のキャリア輸送特性評価
(静岡大1,ANSeeN2,産総研3)○増澤智昭1,三宅拓2,中川央也1,中野貴之1,都木克之2,青木徹1,2,三村秀典1,2,山田貴壽3
P2-04 C6H6/N2混合気体のマイクロ波プラズマCVDを用いた高窒素含有a-CNx:H薄膜の形成
(長岡技科大物質材料工学)○青山裕樹,伊藤治彦
P2-05 低侵襲医療機器に向けたフッ素含有DLC膜の評価
(東京電機大1,ナミキ・メディカルインストゥルメンツ2,ナノテック3)○中村優翔1,並木和茂2,平塚傑工3,平栗健二1
P2-06 ラマン分光によるダイヤモンドの転位マッピング
(関学大)○安岡幹貴,石井万里野,竹内茉莉花,鹿田真一
P2-07 ダイヤモンド状炭素薄膜による細胞パターニングデバイスの開発
(東京電機大1,理研2)○北洞涼雅1,笠松謙一1,福原武志2,平栗健二1,大越康晴1
P2-08 ダイヤモンド電極を用いた緑内障点眼薬ブリモニジンの電気化学測定
(慶大理工1,東大医2)○小川梨紗1,緒方元気1,山岸麗子2,本庄恵2,相原一2,栄長泰明1
P2-09 ダイヤモンドプラズマエッチングの結晶方位依存性評価
(奈良先端大1,近畿大2)○吉井大陸1,藤井茉美2,上沼睦典1, 浦岡行治1
P2-10 多結晶ダイヤモンド摩耗特性の評価
(日工大院1,物材機構2,日工大3,住友電工4)○宋翰聞1,神田久生2,福長脩3,角谷均4,竹内貞雄3
P2-11 スプレーコート法を用いた塗布型ダイヤモンド電極の開発と硫酸電解への応用
(東京理科大1,旭化成2)○森友希1,近藤剛史1,岡田祐二2, 東條敏史1,湯浅真1
P2-12 トリイソプロピルシラン、Ar、H2系を用いたダイヤモンド・ナノパウダーの化学気相合成における圧力依存性
(電通大)○森田豪,十河圭,有路颯樹,塚本貴広,一色秀夫
P2-13 Mnドープダイヤモンド(111)薄膜のCVD成長メカニズム
(NTT物性科学基礎研)○河野慎,平間一行,谷保芳孝,熊倉一英

15:30~16:00   休   憩

ポスターセッション3

16:00~17:00
P3-01 稜線伝導構造による単結晶ダイヤモンドジョセフソン接合の微細化とSQUID動作
(早大1,産総研2,物材機構3,早大材研4)○橋本裕太郎1,若林千幸1,高橋泰裕1,蔭浦泰資1,2,高野義彦3,立木実3,大井修一3,有沢俊一3,川原田洋1,4
P3-02 集束イオンビームによるニードル状単結晶ダイヤモンドの作製と評価
(青学大)○我妻佑飛,木村豊,澤邊厚仁
P3-03 ダイヤモンドエピタキシャル薄膜の転位伝搬解析
(関学大)○藤井勇気,鹿田真一
P3-04 C6H14/N2混合気体のマイクロ波プラズマCVDによる高窒素含有a-CNx:H薄膜の作製と構造解析
(長岡技科大物質材料工学)○小林泰賀,伊藤治彦
P3-05 光学的分類法によって分類したDLC膜の膜厚に対する細胞増殖性
(東京電機大1,ナノテック2,慈恵医大3)○江口広晃1,金杉和弥1,平塚傑工2,馬目佳信3,大越康晴1,平栗健二1
P3-06 ダイヤモンド電極を用いた抗がん剤ドキソルビシンのヒト血清中遊離型測定
(慶大理工1,東大院2,阪大院3)○森山英人1,緒方元気1,梨本遥馬2,古川良明1,日比野浩3,楠原洋之2,栄長泰明1
P3-07 n型を起点としたプロセスで作製したダイヤモンドpinダイオードの特性評価
(九工大生命体工学研究科)○後藤成雅,渡邉晃彦
P3-08 MMSiを用いた配向核発生条件の最適化
(電通大)○木川啓太,有路颯樹,森田豪,吉田あかり,根本優輝,一色秀夫
P3-09 多結晶ダイヤモンドのヘルツ破壊強度
(日工大院1,物材機構2,日工大3)○佐藤勇斗1,神田久生2,福長脩3,竹内貞雄3
P3-10 ヘテロエピダイヤモンド基板上へのホウ素ドープ薄膜の作成と電気特性評価
(産総研1,九大2)○笹栗優1,2,蔭浦泰資1,Phongsaphak Sittimart2,Valappil Mylo Sreenath2,吉武剛2,大曲新矢1
P3-11 低周波プラズマCVD法により成膜した窒素含有 DLC電極の酸素還元活性
(東京電機大)○松崎充晃,長谷部伸一,長谷川和,山口朝輝,渡辺千也,向山義治,平栗健二,大越康晴
P3-12 Pt担持導電性ダイヤモンドナノ粒子の作製とPEFCカソード触媒への応用
(東理大1,石福金属興業2)○佐藤舞1,近藤剛史1,石田貴信2,東條敏史1,湯浅真1

■ 優秀講演賞について

優秀講演賞の選考対象となる発表には講演番号の前に△印が付記されています。