ダイヤモンドシンポジウム講演プログラム(第34回)

 

 第34回 ダイヤモンドシンポジウム講演プログラム

 

日 時:2021年1月12日(火)~14日(木)

会 場:オンライン開催

第1日目(1月12日)
オーラルセッション1

 スペース 9:20~10:20  座長 寺地徳之(物材機構)
△101 熱フィラメントCVD法によるリンドープn型ダイヤモンド薄膜の成長と評価・・・2
(九工大1,物材機構2,産総研3)○片宗優貴1,森大地1,和泉亮1,嶋岡毅紘2,3,市川公善2,小泉聡2
△102 Si基板上ダイヤモンドデバイスに向けた孤立単結晶ダイヤモンドのヘテロ成長・・・4
(電通大)○萩原大智,上岡弘弥,一色秀夫
△103 高配向核形成とαパラメータ変調を用いたSi基板上コアレッセントエピタキシャルダイヤモンド薄膜の合成と評価・・・6
(電通大)○上岡弘弥,萩原大智,一色秀夫
 
10:20~10:40 休憩

オ-ラルセッション2

 スペース 10:40~12:00 座長 片宗優貴(九工大)
△ 104 マイクロ波液中プラズマ法を利用したダイヤモンドへの異元素ドーピング・・・8
(東理大院理工1,東理大総合研究院光触媒国際研究センター2,旭ダイヤモンド工業3)○内田晃弘1,2,富永悠介1,2,辻内愛3,上塚洋2,3,鈴木孝宗2,近藤剛史1,2,渡辺日香里1,四反田功1,2,板垣昌幸1,藤嶋昭2,寺島千晶2
△ 105 マイクロ波液中プラズマCVDを用いた大面積ダイヤモンド薄膜の製造技術の開発・・・10
(東理大院理工1,東理大光触媒国際研究センター2,旭ダイヤモンド工業3)○富永悠介1,2,内田晃弘1,2,寺島千晶2,辻内愛3,上塚洋2,3,鈴木孝宗2,近藤剛史1,2,湯浅真1,2,藤嶋昭2
△ 106 爆轟法を用いたSiV中心含有ナノダイヤモンドの合成・・・12
(ダイセル1,阪大2,長町サイエンスラボ3,熊本大4,京大5)○牧野有都1,2,間彦智明1,劉明1,鶴井明彦1,吉川太朗1,長町信治3,田中茂4,外本和幸4,芦田昌明2,藤原正規5,水落憲和5,西川正浩1
△ 107 Bイオン注入によるCVDダイヤモンド薄膜中への低補償率p型伝導層の形成・・・14
(神奈川大理)○関裕平,川崎壮,星野靖,中田穣治
 
12:00~13:00 昼 休 み

オ-ラルセッション3

 スペース 13:00~14:00 座長 宮本良之(産総研)
△ 108 透過型電子顕微鏡での空孔形成を用いた2次元高密度NVアンサンブルの作製・・・16
(早大1,量研2,メルボルン大3,筑波大4,材研5)○早坂京祐1,金久京太郎1,立石哲也1,齋藤悠太1,中村洸介1,川勝一斗1,畑雄貴1,谷井孝至1,小野田忍2,Alastair Stacey3,磯谷順一4,河野省三5,川原田洋1,5
△ 109 置換窒素(P1)と電子線照射によるNVセンター荷電状態の制御・・・18
(物材機構1,量研2)○真栄力1,宮川仁1,石井秀弥2,佐伯誠一2,谷口尚1,小野田忍2,大島武2,寺地徳之1
110 高感度を維持した高ダイナミックレンジ量子計測・・・20
(京大化学研1,産総研2)○ヘルブスレブ デイビット エルンスト1,加藤宙光2,牧野俊晴2,山崎聡2,水落憲和1
 
14:00~14:20 休憩

オ-ラルセッション4

 スペース 14:20~15:20 座長 牧野俊晴(産総研)
△ 111 生体内リアルタイム蛍光ナノダイヤモンド温度計測・・・22
(大阪市立大1,ベルリンフンボルト大2,蘇州大3,京大4,慶大5,チャップマン大6)○藤原正澄1,Sun Simo1,Alexander Dohms2,西村勇姿1,首藤健1,竹澤有華1,押味佳裕1,Li Zhao3,Nikola Sadzak2,梅原有美1,手木芳男1,小松直樹4,Oliver Benson2,鹿野豊5,6,中台(鹿毛)枝里子1
△ 112 ナノスケール量子計測を用いたラベルフリー脂質二重層相転移計測・・・24
(さきがけ1,東工大2,慶大量子コンピューティングセンター3,阪大4)○石綿整1,2,渡邉宙志1,3,花島慎弥4,岩崎孝之2,波多野睦子2
113 ダイヤモンド薄膜中に埋め込まれたFeナノ粒子の超常磁性ブロッキング・・・26
(NTT物性研)○河野慎,平間一行,熊倉一英

 


第2日目(1月13日)
オ-ラルセッション5

 スペース 10:00~11:00 座長 梅沢仁(産総研)
201 水素終端ダイヤモンド電界効果トランジスタの移動度の解析・・・30
(物材機構MANA1,物材機構2,筑波大数理3)○笹間陽介1,蔭浦泰資1,小松克伊1,森山悟士1,井上純一1,井村将隆2,渡邊賢司2,谷口尚1,内橋隆1,山口尚秀1,3
△ 202 トレンチゲート構造を持つ縦型2DHGダイヤモンドMOSFETの大電流密度(20.2kA/cm2)及び低オン抵抗化(2.5mΩ・cm2)の達成・・・32
(早大理工1,早大材研2)○太田康介1,角田隼1,岩瀧雅幸1,堀川清貴1,天野勝太郎1,新倉直弥1,平岩篤1,川原田洋1,2
△ 203 耐放射線性を強化した水素終端ダイヤモンドMOSFET(RADDFET)の1MGy照射後特性・・・34
(北大1,産総研2)○山口卓宏1,梅沢仁2,大曲新矢2,小泉均1,金子純一1
 
11:00~11:20休憩

オ-ラルセッション6

 スペース 11:20~12:00 座長 梅沢仁(産総研)
△ 204 高濃度ボロンドープ層を有するダイヤモンドMOSFETs:ゲート幅WG最大1mmの高周波特性評価・・・36
(早大1,早大材研2)○浅井風雅1,荒井雅一1,今西祥一朗1,久樂顕1,鈴木優紀子1,平岩篤1,川原田洋1,2
△ 205 ダイヤモンド電解質溶液ゲートFETを用いた海中無線通信の出力特性に対する溶液断面積依存性・・・38
(早大1,早大材研2)○佐藤弘隆1,寳田晃翠1,蓼沼佳斗1,張育豪1,川口柊斗1,川原田洋1,2
 
12:00~13:00 昼 休 み

オ-ラルセッション7

 スペース 13:00~14:00 座長 近藤剛史(東理大)
206 ホウ素ドープSiC薄膜の作製と電気化学特性の評価・・・40
(慶大理工)○内山和樹,山本崇史,栄長泰明
△ 207 中性子反射率測定による細胞親和性窒素含有DLCの構造評価・・・42
(東京電機大院1,CROSS中性子科学センター2,順天堂大3,理化学研究所4)○ファウズィアカマリナ1,宮田登2,福原武志3,4,平栗健二1,大越康晴1
208 Cu含有DLCの作製と抗菌性評価および滅菌処理に対する膜耐久性評価・・・44
(東京電機大1,ナノテック2,慈恵医大3)○加賀洋行1,平塚傑工2,大越康晴1,馬目佳信3,平栗健二1
 
14:00~14:20 休憩

オ-ラルセッション8

 スペース 14:20~15:00 座長 近藤剛史(東理大)
△ 209 ダイヤモンドナノ粒子による細胞の熱伝導計測・・・46
(阪大蛋白質研究所)○外間進悟,仲崇霞,鈴木団,原田慶恵
210 ダイヤモンド電極による硫化水素ガス計測・・・48
(慶大院理工)○トゥリアナ ユニタ,栄長泰明

第3日目(1月14日)
オ-ラルセッション9

 スペース 9:00~10:20 座長 矢野雅大(三菱マテリアル)
301 軟質金属材料へのDLCコーティングを用いた高機能摺動表面の提案・・・52
(東工大工学院機械系1,小松製作所2,東工大科学技術創成研究院3)○山城崇徳1,松尾誠1,田村幸雄2,山本浩2,平田祐樹3,赤坂大樹1,田中真二3,菊池雅男3,大竹尚登3
302 FCVA法による三次元構造物へのta-C極薄膜コーティング・・・54
(東工大工学院機械系1,東工大科学技術創成研究院2)○川合功太郎1,平田祐樹2,赤坂大樹1,大竹尚登2
303 ポストアニールが窒素添加水素化DLC膜の機械的・光学的・電気的特性に及ぼす影響・・・56
(弘前大院理工)○長内公哉,室野優太,佐藤聖能,小林康之,遠田義晴,鈴木裕史,中澤日出樹
△ 304 CVD法で合成したホモエピタキシャルダイヤモンドの機械的特性評価・・・58
(日工大院1,住友電工2,物材機構3,日工大4)○堀川翔平1,阿部航大1,角谷均2,神田久生3,福長脩4,竹内貞雄4
 
10:20~10:40 休憩

オ-ラルセッション10

 スペース 10:40~12:00 座長 山田貴壽(産総研)
△ 305 ダイヤモンドpn接合による超高変換効率ベータボルタ電池・・・60
(物材機構1,産総研2,Univ. Grenoble Alps3)○嶋岡毅紘1,2,梅沢仁2,3,市川公善1,Julien Pernot3,小泉聡1
△ 306 単結晶ダイヤモンドを用いた1ポートSAW共振子・・・62
(沖縄高専1,堀場エステック2,横河ソリューションサービス3,TCK4)○前田拓哉1,小渡祐樹1,藤井知1,堀田将也2,西里洋2,遠江栄希3,柴育成3,大江隆4,小坂光二4
307 ダイヤモンド微粒子を電界整列させた伝熱シートの熱伝導率評価・・・64
(九大システム情報科学研究院1,九大システム情報科学府2)○稲葉優文1,李赫男2,神村尊2,中野道彦1,末廣純也1
308 ダイヤモンドデバイスのためのプロセス技術開発・・・66
(産総研1,ミニマルファブ推進機構2)○渡邊幸志1,根本一正1,谷島孝1,野田周一1,居村史人1,Mickael Lozach2,梅澤仁1,クンプアン ソマワン1,2,原史朗1,2
 
12:00~13:00 昼 休 み

オ-ラルセッション11

 スペース 13:00~14:20 座長 町田友樹(東大)
△ 309 CVDグラフェン/HPHTh-BN構造における電気特性の温度依存性評価・・・68
(産総研1,物材機構2)○沖川侑揮1,山田貴壽1,渡邊賢司2,谷口尚2
310 水酸化カリウム水溶液を用いて作製したカリウム添加多層グラフェンの評価・・・70
(産総研1,熊本大2,静岡大3,東北大4)○山田貴壽1,畠山一翔2,増澤智昭3,沖川侑揮1,高桑雄二4,小川修一4
311 高空間分解SEM-EDSによるナノ炭素材料の表面状態に関する元素組成分析・・・72
(産総研)○中島秀朗,森本崇宏,周英,小橋和文,山田健郎,岡崎俊也
312 ダイナミックアニーリングプロセスによるh-BNナノシート合成手法の開発・・・74
(東工大工学院機械系1,東工大科学技術創成研究院2)○吉里樹人1,平田祐樹2,赤坂大樹1,大竹尚登2

■ 優秀講演賞について

優秀講演賞の選考対象となる発表には講演番号の前に△印が付記されています。