第33回ダイヤモンドシンポジウム講演プログラム

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日 時:2019年11月13日(水)~15日(金)

会 場:東京工業大学

第1日(11月13日)
オーラルセッション1

 スペース10:40~12:00 座長 町田友樹(東大生研)
101超高圧合成法による窒化ホウ素単結晶の残留不純物制御
(物材機構)○谷口 尚,宮川 仁,渡邊賢司
102密度汎関数理論に基づく不純物状態の新たな高精度計算手法とダイヤモンドおよび立方晶窒化ホウ素に対する応用
(東工大理)○山下寛樹,芳賀太史,藤本義隆,斎藤 晋
103グラフェン/n型ダイヤモンドヘテロ構造の電界放出電子分光による評価
(産総研1,静岡大2,国際基督教大3)○山田貴壽1,増澤智昭2,三村秀典2,岡野健3
△ 104ラマン分光法を用いたCVDグラフェンの移動度散乱機構の解明
(産総研1,物材機構2)○沖川侑揮1,谷口 尚2,渡邊賢司2,長谷川雅考1,山田貴壽1
 
12:00~13:00 昼 休 み

オ-ラルセッション2

 スペース13:00~15:00 座長 山田英明(産総研)、宮本良之(産総研)
△ 105微傾斜ダイヤモンド{111}基板上での高品質ホモエピタキシャル成長
(物材機構)○市川公善,寺地徳之,嶋岡毅紘,小泉 聡
△ 106{111}ホウ素ドープダイヤモンド薄膜成長の基板オフ角依存性評価
(物材機構)○嶋岡毅紘,市川公善,小泉 聡
107CVD装置改良によるダイヤモンドの高濃度リンドーピング
(物材機構)○小泉 聡,嶋岡毅紘,市川公善
108熱フィラメントCVD法により成長したリンドープn型ダイヤモンド膜の電気的特性
(九州工業大1,物材機構2)○片宗優貴1,森 大地1,和泉 亮1,嶋岡毅紘2,市川公善2,小泉 聡2
△ 109室温11B+イオン注入及び1150°C,1300°Cアニール処理によるIIa型ダイヤモンド基板への高効率p型Bドーピング
(神奈川大)○関 裕平,星野 靖,中田穣治
110リンドープn型ダイヤモンドへのホウ素イオン注入によるp型伝導層の形成
(産総研1,法政大2)○小倉政彦1,西村智朗2,加藤宙光1,牧野俊晴1,山崎 聡1
 
15:00~15:20 休  憩

ポスターセッション

 スペース15:20~16:50
P1-01複数パルス列における15N窒素核スピンからの超微細相互作用によって変調されたNVスピンコヒーレンス
(産総研)○石川豊史,吉澤明男,馬渡康徳,渡邊幸志
P1-02オニオンライクDLCコーティングの開発
(東工大工学院1,東工大科学技術創成院2)○榎本 隼1,平田祐樹1,赤坂大樹1,大竹尚登2
P1-03MVP法を用いたカーボン膜の作製における圧力の影響
(兵庫県立大院)○大久保拓志,田中一平,原田泰典
P1-04アーク蒸着とマグネトロンスパッタを重畳した気相成長法により作製したa-BCN膜の評価
(東工大院1,東工大工学院2,東工大科学創成研究院3)○竹内亮大郎1,岩本喜直1,河越雅雄1,谷口紘章1,平田祐樹3,赤坂大樹2,大竹尚登3
P1-05軟質金属材料へのDLCコーティングの応用
(東工大工学院1,東工大科学技術創成研究院2,小松製作所3)○大澤卓也1,松尾 誠1,江山雄哉1,山本 浩3,田中真二2,菊池雅男2,平田祐樹2,赤坂大樹1,大竹尚登2
P1-06RFプラズマCVDおよびマグネトロンスパッタリング法を用いて形成された多層DLCの組成評価
(東京電機大)○鈴木貴大,大越康晴,小畑修二,平栗健二,本間章彦
P1-07PECVD法により作製したDLC膜の光学定数の基板パルスバイアス周波数、Duty比、及び電力依存性
(大阪産業技術研究所1,大阪府立大2)○近藤裕佑1,筧 芳治1,佐藤和郎1,松村直巳1,沈 用球2
P1-08水素化アモルファス炭素膜の水素量と電気伝導特性の相関
(東工大1,タイ・シンクロトロン光研究所2)○冨所優志1,Tunmee Sarayut2,Nakajima Hideki2,Rittihong Ukit2,Supruangnet Ratchadaporn2,平田祐樹1,大竹尚登1,赤坂大樹1
P1-09ボールオンディスク試験後のDLC表面の摺動痕の構造評価
(東工大1,タイ放射光研究所2)○法月奏太1,Tunmee Sarayut2,Euaruksakun Chanan2,Rittihong Ukit2,鈴木啓介1,冨所優志1,平田祐樹2,大竹尚登1,赤坂大樹1
P1-10酸に対する2層DLCコーティングの耐食性向上効果
(東京電機大1,ナノテック2)○永井智靖1,竹田秀也1,中森秀樹2,平塚傑工2,平栗健二1
P1-11各種高分子材料における非晶質炭素膜の電気特性評価
(東京電機大)○髙田 歩,大越康晴,鈴木貴大,小畑修二,平栗健二,本間章彦
P1-12プラズマ処理したDLC膜の高分子材料に対する摩擦特性の評価
(日工大院1,物材機構2,日工大3)○黒澤徳弘1,井上友希1,神田久生2,福長 脩3,竹内貞雄3
P1-13DLCを金属中に包埋した複合材料厚膜の作製
(東工大)○沖村奈南,崔 鐘範,中山 亘,阿多誠久,平田祐樹,大竹尚登,赤坂大樹
P1-14各種材料の抗菌性向上に向けたダイヤモンド状炭素薄膜
(東京電機大1,日本アイ・ティ・エフ2)○小野寺修1,藤井慎也2,森口秀樹2,内海慶春2,平栗健二1
P1-15DLCを活用した医療機器の表面改質
(東京電機大1,ナミキ・メディカルインストゥルメンツ2,ナノテック3)○金子眞生1,並木和茂2,中森秀樹3,平塚傑工3,平栗健二1
P1-16骨折治療に有効なZn-DLCのZn溶出特性
(東京電機大1,東京慈恵会医科大2,ナノテック3,ニチオン4)○齋藤一拓1,馬目佳信2,藤岡宏樹2,平塚傑工3,本田宏志4,大越康晴1,平栗健二1
P1-17Characterization of adsorbed protein on post wear test of ta-C and a-C:H contact surfaces
(マレーシア工科大1,東工大2)○Liza Binti Kamis Shahira1,赤坂大樹2,大竹尚登2
P1-18異なる分子形状を有するカーボンオニオンの研磨性能の比較
(東工大)○村井祥祐,佐野龍樹,青野祐子,平田 敦
P1-19再利用Ir(111)/α-Al2O3(0001)基板を用いた一様な単層グラフェンのCVD成長
(青学大院理工)○櫻井 篤,仁木雅也,渡辺剛志,澤邊厚仁,黄 晋二
P1-20熱CVD法によるCNT合成におけるAl触媒の影響
(東海大院工1,東海大工2,東海大/東海大院3)○小久保良亮1,加藤裕一2,葛巻 徹3
P1-21コールドスプレー法によるCNT含有鉄複合材料膜の高速合成
(東工大)○中山 亘,沖村奈南,崔 鐘範,發知卓也,平田祐樹,大竹尚登,赤坂大樹
P1-22エンジニアリングプラスチック基カーボンナノチューブ複合材料膜のコールドスプレー法による作製
(東工大)○發知卓也,Choi Jongbeom,沖村奈南,中山 亘,平田祐樹,大竹尚登,赤坂大樹
P1-23透明導電膜形成におけるC60とNi触媒の膜厚の最適化
(東海大院工1,東海大工2,産総研3,東海大院/東海大4)○和田有里1,宮本かおり2,山田貴壽3,葛巻 徹4
P1-24フラーレン由来のグラフェンによる配線材料形成の検討
(東海大院工1,東海大工2,産総研3,東海大院/東海大4)○永田兆嗣1,嶋谷拓真2,山田貴壽3,沖川侑揮3,葛巻 徹4
P1-25C60由来の炭素導電薄膜を負極とする全固体型リチウムイオン電池の形成
(東海大院1,東海大院/東海大2)○田村亮太1,永田兆嗣1,葛巻 徹2
P1-26チタン被覆したCNT紡績糸の機械的性質に及ぼす通電加熱の影響
(東海大院工1,東海大工2,岡山大院自然科学3,東海大院工/東海大工4)○手塚貴也1,佐野巧馬2,中條大樹3,森 光生3,葛巻 徹4,林 靖彦3
P1-27光電子顕微鏡によるグラフェン/h-BN界面の評価
(東北大1,産総研2,物材機構3)○小川修一1,山田貴壽2,門脇 良1,虻川匡司1,谷口 尚3,高桑雄二1
P1-28分子動力学法によるカーボンオニオンナノ粒子の面間圧縮変形の解析
(東工大)○野口悠輝,太田立志,青野祐子,平田 敦
P1-29RFスパッタリング法により作製した非晶質窒化ホウ素膜の熱的安定性
(千葉工大院1,千葉工大2)○丸子拓也1,坂本幸弘2
P1-30h-BN膜におけるドナーとアクセプターのイオン化エネルギーの高精度推定
(東工大理)○芳賀太史,藤本義隆,斎藤 晋
P1-31物理気相成長法による銅基板上への六方晶窒化ホウ素薄膜の合成
(東工大工学院1,東工大科学技術創成研究院2)○吉里樹人1,平田祐樹2,赤坂大樹1,大竹尚登2
P1-32Floating Zone法により合成したβ型酸化ガリウム結晶表面に対するAr+イオンミリングと空気雰囲気中熱処理の効果
(産総研1,物材機構2)○渡邊幸志1,立木 実2,田中孝治1,高野美和子2,尾崎康子1,伊藤利充1
P1-33高温高圧法により成長した六方晶窒化ホウ素単結晶の発光像観察
(物材機構)○渡邊賢司,谷口 尚
P1-34C6H6-N2混合気体のマイクロ波プラズマCVDで生成するa-CNx:H薄膜の結合状態解析
(長岡技科大)○金田敦司,伊藤治彦

 

 

第2日目(11月14日)
オ-ラルセッション3

 スペース10:00~10:40 座長 宮下庸介(三菱マテリアル)
201CMPによるダイヤモンド加工変質層の除去
(アダマンド並木精密宝石)○小山浩司,藤田直樹,川又友喜,金 聖祐
202ナノダイヤモンド膜の硬質被膜への応用
(九大1,カフルアッシャイフ大2,オーエスジー3,アル=アズハル大4)○吉武 剛1,エギザ モハメド2,村澤功基3,アリ モハメド アリ4,杉田博  昭1,福井康雄3,権田英修3,櫻井正俊3

オ-ラル 特別セッション「DLC」

 スペース10:40~12:00 座長 大花継頼(産総研)、平田 敦(東工大)
△ 203アルミ合金切削時におけるDLC膜上への凝着発生メカニズムの解明
(三菱マテリアル1,東工大2)○龍田 誠1,藤原和崇1,大竹尚登2
204フィルタードアーク蒸着法で作製した水素フリーおよび水素化DLC膜の特性と分類
(豊橋技科大1,神奈川県立産業技術総合研究所2,岡山県工業技術センター3,兵庫県立大4,伊藤光学工業5,オンワード技研6)○針谷 達1,今井貴大1,戸谷陽文1,滝川浩史1,金子 智2,國次真輔3,新部正人4,神田一浩4,神谷雅男5,瀧 真6
205SRV試験機を用いたDLC膜のはく離特性評価
(産総研)○間野大樹,大花継頼
206マイクロスクラッチ試験機によるDLC基準試料の密着性評価
(レスカ1,ナノテック2)○新井大輔1,平塚傑工2,竹内光明1
 
12:00~13:00 昼 休 み

オ-ラルセッション4

 スペース13:00~14:40 座長 渡辺剛志(青学大)、近藤剛史(東理大)
△ 207ホウ素ドープダイヤモンドを用いたCO2の電解還元における生成物選択性の制御
(慶大院理工1,慶大理工2)○冨﨑真衣1,笠原誠司1,夏井敬介1,池宮範人1,栄長泰明2
208ホウ素ドープダイヤモンド電極を用いた電気化学発光
(慶大1,慶大/JST-ACCEL2)○イルハム イルハム1,フィオラニ アンドレア1,坂ノ上航平1,栄長泰明2
△ 209各種DLCの光学定数とsp3/sp2構造の違いに依存した細胞接着特性の評価
(東京電機大1,順天堂大2,ナノテック3,シンクロトロン光研究所4)○鬼頭大海1,大越康晴1,福原武志2,平塚傑工3,Tunmee Sarayut4,Rittihong Ukit4,Euaruksakul Chanan4,Nakajima Hideki4,中森秀樹3,矢口俊之1,本間章彦1,平栗健二1
△ 210スクリーン印刷ダイヤモンド電極の高感度化と薬剤濃度測定
(東理大理工)○松永智広,近藤剛史,東條敏史,湯浅 真
211導電性ダイヤモンドナノ粒子を用いた高エネルギー・高出力密度水系EDLCデバイスの作製
(東理大理工1,ダイセル2)○須貝聖也1,宮下健丈1,近藤剛史1,西川正浩2,鄭 貴寛2,東條敏史1,湯浅 真1
 
14:40~15:00 休 憩

ポスターセッション

 スペース15:00~16:30
P2-01ダイヤモンドマイクロ電極を用いた神経作用薬の生体内リアルタイム測定
(慶大理工1,新潟大医2,慶大理工/JST-ACCEL3)○花輪 藍1,緒方元気2,浅井 開1,日比野浩2,栄長泰明3
P2-02光表面化学修飾法を利用した窒素官能基化カーボンおよびポリマー材料の作製
(産総研)○中村挙子,大花継頼,土屋哲男
P2-03多層グラフェン電極の電気化学発光イメージング解析
(青学大院理工)○岩﨑貴充,渡辺剛志,原 菜摘,黄 晋二
P2-04KrFエキシマレーザーを用いた超硬合金上の多結晶ダイヤモンド膜の表面研磨
(九州工業大1,オーエスジーコーティングサービス2,九大3)○片宗優貴1,村澤功基2,吉武 剛3,菊地俊文3,池上 浩3
P2-05熱フィラメントCVD装置を用いた超硬合金の脱炭処理
(日工大院1,物材機構2,日工大3)○木村駿吾1,稲田大雅1,神田久生2,福長 脩2,竹内貞雄3
P2-06ダイヤモンドコーティングにおける超硬合金基板のCo除去効果
(日工大院1,物材機構2,日工大3)○海老優季1,飯塚拓也1,神田久生2,福長 脩3,竹内貞雄3
P2-07金属被覆ダイヤモンドからの金属基複合材料膜の作製
(東工大1,旭ダイヤモンド工業2)○崔 鐘範1,中山 亘1,沖村奈南1,上塚 洋2,大谷亮太2,發知卓也1,平田祐樹1,大竹尚登1,赤坂大樹1
P2-08ボロンドープした多結晶ダイヤモンド膜の化学摩耗の評価
(日工大院1,物材機構2,日工大3)○宋 翰聞1,神田久生2,福長 脩3,竹内貞雄3
P2-09窒素濃度の異なる単結晶ダイヤモンドの摩耗特性評価
(日工大院1,住友電工2,物材機構3,日工大4)○堀川翔平1,大澤聖也1,角谷 均2,神田久生3,福長 脩4,竹内貞雄4
P2-10単結晶ダイヤモンドのヘルツ破壊強度におよぼす圧子表面粗さの影響
(日工大院1,住友電工2,物材機構3,日工大4)○阿部航大1,角谷 均2,神田久生3,福長 脩4,竹内貞雄4
P2-113C-SiC/Si(111)基板上へのダイヤモンド核形成プロセスのIn-situ観測
(東工大)○梶山健一,奥田真一郎,岩崎孝之,波多野睦子
P2-12金属援用終端法によるヘテロエピタキシャルダイヤモンド基板の結晶性改善
(産総研1,大阪府立大院工2)○小林篤史1,大曲新矢1,坪内信輝1,齊藤丈靖2,竹内大輔1
P2-13マイクロ波プラズマCVDによるSi基板上ダイヤモンド薄膜の合成
(電通大院情報理工)○上岡弘弥,森 敏弘,坂井玲央,一色秀夫
P2-14Si基板上ダイヤモンドデバイスへの応用に向けたボロンチップを用いたp型ダイヤモンド薄膜成長
(電通大院情報理工)○坂井玲央,一色秀夫,上岡弘弥,森 敏洋
P2-15マイクロ波液中プラズマ法を利用したダイヤモンドへのリンドーピング
(東理大院理工1,東理大総合研究院2,旭ダイヤモンド工業3)○内田晃弘1,富永悠介1,寺島千晶2,軽部瑶美3,上塚 洋3,鈴木孝宗2,近藤剛史1,星 芳直1,四反田功1,板垣昌幸1,藤嶋 昭2
P2-16Ar/TiPSマイクロ波プラズマを用いたナノ結晶ダイヤモンドの化学気相合成に向けた作製と評価
(電通大院情報理工)○森 敏洋,一色秀夫,坂井玲央,上岡弘弥
P2-17直接照射型慣性核融合用ダイヤモンドカプセルの高品質化
(大阪大レーザー科学研1,産総研2)○岩崎稔広1,山田英明2,大曲新矢2,茶谷原昭義2,竹内大輔2,杢野由明2,弘中陽一郎1,重森啓介1
P2-18X線トポグラフィによる転位ベクトル解析手法
(関学大)○鹿田真一,明石直也
P2-19ダイヤモンド基板上の貫通転位がデバイス特性に及ぼす影響評価
(関学大1,物材機構2)○見方尚輝1,寺地徳之2,鹿田真一1
P2-20禁制反射を用いたダイヤモンド単結晶の結晶性評価
(関学大)○河田 快,鹿田真一
P2-21ダイヤモンドエピタキシャル膜起因のCL発光欠陥の同定
(関学大1,物材機構2)○宮嶋孝輔1,寺地徳之2,鹿田真一1
P2-22ダイヤモンド(111)基板上のMBE成長AlGaN薄膜の質とバンドオフセット
(早大ナノ・ライフ1,早大理工2)○河野省三1,堀川清貴2,立石哲也2,矢部太一2,川原田洋2
P2-23ラマン分光法によるn型リンドープダイヤモンドに水素が与える影響評価
(関学大1,産総研2,物材機構3)○松岡実李1,土田有記1,大谷 昇1,山田貴壽2,小泉 聡3,鹿田真一1
P2-24Snイオン注入した高温高圧処理ダイヤモンドのフォトルミネッセンス
(愛媛大工1,愛媛大GRC2)○福田 玲1,村上洋平1,石川史太郎1,松下正史1,新名 亨2,大藤弘明2,入舩徹男2
P2-25ダイヤモンド微粒子の誘電泳動による電気的特性調査
(九大院システム情報科学府1,九大院システム情報科学研究院2)○林 将平1,李 赫男1,稲葉優文2,中野道彦2,末廣純也2
P2-26高分解能EBSD測定とFIB/STEM観察によるβ-Ga2O3とモザイク・ダイヤモンドの評価
(産総研1,物材機構2)○田中孝治1,大曲新矢1,梅沢 仁1,渡邊幸志1,立木 実2,高野美和子2,伊藤利充1
P2-27低温におけるダイヤモンドショットキーpnダイオードの電気特性
(筑波大1,産総研2)○唐澤歩睦1,牧野俊晴2,加藤宙光2,小倉政彦2,加藤有香子2,竹内大輔2,山崎 聡2,櫻井岳暁1
P2-28ホウ素ドープダイヤモンド金属 - 半導体電界効果トランジスタの開発
(物材機構)○劉 江偉,寺地徳之,達 博,小出康夫
P2-29ダイヤモンド電解質溶液ゲートFETを用いた海中無線通信の通信距離の評価
(早大理工)○寳田晃翠,蓼沼佳斗,井山裕太郎,張 育豪,新谷幸弘,川原田洋
P2-30超伝導ボロンドープダイヤモンド(111)成長層を用いた液体ヘリウム温度以上で動作可能な超伝導量子干渉計の作製
(早大理工1,物材機構2)○高橋泰裕1,天野勝太郎1,森下 葵1,蔭浦泰資2,高野義彦2,立木 実2,大井修一2,有沢俊一2,川原田洋1
P2-31ALD-Al2O3ダイヤモンドMOSFETにおける高周波出力密度の向上に向けたオーバーラップ構造の採用
(早大理工)○荒井雅一,久樂 顕,今西祥一朗,堀川清貴,平岩 篤,川原田洋

特別講演

16:40~17:40 座長 平田 敦(東工大)

「固体にレーザー光をあて続けて30年余り」

講演者

三重大学大学院工学研究科 教授 小海 文夫 氏

懇親会

東京工業大学 蔵前会館 ロイアルブルーホール 18:00~19:30

 

 

第3日目(11月15日 )
オ-ラル特別セッション
「NVセンター」

 スペース10:00~12:20 座長 波多野睦子(東工大)、岩﨑孝之(東工大)、寺地徳之(物材機構)
△ 301窒素終端(111)ダイヤモンドから作製した2次元高配向NVアンサンブル
(早大1,高崎量子応用研2,メルボルン大3,物材機構4,筑波大5,各務記念材料技術研6)○金久京太郎1,立石哲也1,薗田隆弘1,BuendiaJJorge1,蔭浦泰資1,川勝一斗1,畑 雄貴1,永岡希朗1,石井 邑1,谷井孝至1,小野田忍2,Stacey Alastair3,寺地徳之4,磯谷順一5,河野省三6,川原田洋1
302ダイヤモンドCVD成長における窒素ドーピング制御
(物材機構)○寺地徳之,渡邊賢司,小泉 聡
303異方的高温高圧処理によるNVセンター形成
(量研1,群馬大2,愛媛大3)○小野田忍1,樋口泰成2,齋藤寛之1,西原 遊3,加田 渉2,花泉 修2,大島 武1
△ 304量子中継システム実験に向けたダイヤモンド量子NV素子の光学的構造最適化
(横浜国立大1,セイコーインスツル2,産総研3)○倉見谷航洋1,関口雄平1,鈴木智也2,新荻正隆2,加藤宙光3,牧野俊晴3,小坂英男1
305ダイヤモンドNVセンターの電気的読み出しに向けたpin構造による光電流の検出
(東工大1,産総研2)○室岡拓也1,楊 棒1,椎貝雅文1,牧野俊晴2,加藤宙光2,小倉政彦2,山崎 聡2,波多野睦子1,岩崎孝之1
△ 306n型ダイヤモンド中のNV中心による長いコヒーレンス時間と超高感度化の実現
(京大化学研1,産総研2)○ヘルブシュレブ デイビッド エルンスト1,加藤宙光2,丸山祐一1,檀上拓哉1,牧野俊晴2,山崎 聡2,大木 出1,林 寛1,森下弘樹1,藤原正規1,水落憲和1
△ 307核スピンイメージングを用いた生体分子解析
(JSTさきがけ1,東工大2)○石綿 整1,波多野睦子2
 
12:20~13:20 昼 休 み

オ-ラルセッション5

 スペース13:20~14:40 座長 廖 梅勇(物材機構)
△ 308(111)面を用いた六角形トレンチ構造を持つ縦型2DHGダイヤモンドMOSFETの大電流動作の実現
(早大理工)○新倉直弥,西村 隼,岩瀧雅幸,大井信敬,森下 葵,川原田洋,平岩 篤
△ 309厚膜Al2O3絶縁膜を有する2DHGダイヤモンドMOSFETsの大信号特性解析@1GHz
(早大理工)○鈴木優紀子,久樂 顕,今西祥一朗,堀川清貴,平岩 篤,川原田洋
△ 310金属援用終端法によるダイヤモンド高濃度ホウ素ドープ基板のキラー欠陥低減
(産総研1,大阪府立大院工2)○小林篤史1,大曲新矢1,梅沢 仁1,齊藤丈靖2,竹内大輔1
△ 311ミニマルファブを活用したダイヤモンドSBDの作製と歩留まり率の評価
(北大1,産総研2)○花田尊徳1,梅沢 仁2,大曲新矢2,竹内大輔2,金子純一1
 
14:40~15:00 休 憩

オ-ラルセッション6

 スペース15:00~16:00 座長 寺地徳之(物材機構)
312単結晶ダイヤモンドMEMSセンサチップ
(物材機構)○廖 梅勇,Sang Liwen,小泉 聡,井村将隆,小出康夫
△ 313ダイヤモンド電解質溶液ゲートを用いたVessel Gate本体のpH Sensitivity
(早大)○川口柊斗,井山裕太郎,張 育豪,蓼沼佳斗,新谷幸弘,川原田洋
314自動車電池モニタに向けたダイヤモンド量子センサの開発
(矢崎総業1,東工大2,量研3)○申 在原1,波多野雄治2,増山雄太3,杉山洋貴1,石居 真1,岩崎孝之2,波多野睦子2

■ 優秀講演賞について

優秀講演賞の選考対象となる発表には講演番号の前に△印が付記されています。