(1) | ダイヤモンドのカラーセンターと光機能 |
| 西田良男(阪大)・・・・・・・・・・・・・・1 |
(2) | 半導体デバイスとしてのダイヤモンド薄膜 |
| 飯田昌盛、黒須楯生、岡野健(東海大)・・・・・18 |
(3) | 地球内部でのダイヤモンドの成因 |
| 砂川一郎(東北大 名誉教授)・・・・・・・・22 |
(4) | Recent study of the Opitical and Electrical Properties of CVD Diamond |
| A.T. collins(King's College, London)・・・・・・・・27 |
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(1) | DLC膜のトライボロジー |
| 三宅正二郎(日工大)・・・・・・・・・1 |
(2) | 気相法による結晶育成における問題点 ―sp2炭素に起因する欠陥の構造と性質― |
| 佐藤洋一郎(無機材研)・・・・・・・・5 |
(3) | 無機化合物触媒を用いたダイヤモンドの高圧合成 |
| 赤石 實(無機材研)・・・・・・・・・12 |
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(1) | SiCのエピ成長とデバイスの応用 |
| 松波弘之(京大)・・・・・・・・・・・・1 |
(2) | 気相合成ダイヤモンドの電気特性 |
| 西村耕造(神戸製鋼)、Jeffrey T. Glass(North Carolina State University)・・・・・・・・7 |
(3) | ダイヤモンドの励起子発光 |
| 川原田 洋、平木昭夫(阪大)・・・・・・13 |
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(1) | デバイス研究の現状と問題 |
| 菊地 誠(東海大)・・・・・・・・・・・1 |
(2) | 半導体・金属界面の電気特性 |
| 大串秀世(電総研)・・・・・・・・・・・2 |
(3) | ダイヤモンド薄膜を用いた青色発光素子の可能性 |
| 平木昭夫(阪大)・・・・・・・・・・・・8 |
(4) | 「パネルディスカッション・国内におけるデバイス開発の現状と問題点」 |
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| (A)MES-FETの製作とその特性 |
| 藤森直治(住友電工)・・・・・・・・・35 |
| (B)ショットキ接合の課題 |
| 小橋宏司、西村耕造(神戸製鋼)・・・・36 |
| (C)p-n接合ダイオードの作製とその特性 |
| 飯田昌盛(東海大)・・・・・・・・・・40 |
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