| （１） | ダイヤモンドのカラーセンターと光機能 |
| | 西田良男（阪大）・・・・・・・・・・・・・・1 |
| （２） | 半導体デバイスとしてのダイヤモンド薄膜 |
| | 飯田昌盛､黒須楯生､岡野健（東海大）・・・・・18 |
| （３） | 地球内部でのダイヤモンドの成因 |
| | 砂川一郎（東北大 名誉教授）・・・・・・・・22 |
| （４） | Recent study of the Opitical and Electrical Properties of CVD Diamond |
| | A.T. collins(King's College, London)・・・・・・・・27 |
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| （１） | DLC膜のトライボロジー |
| | 三宅正二郎（日工大）・・・・・・・・・1 |
| （２） | 気相法による結晶育成における問題点 ―sp２炭素に起因する欠陥の構造と性質― |
| | 佐藤洋一郎（無機材研）・・・・・・・・5 |
| （３） | 無機化合物触媒を用いたダイヤモンドの高圧合成 |
| | 赤石 實（無機材研）・・・・・・・・・12 |
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| （１） | SiCのエピ成長とデバイスの応用 |
| | 松波弘之（京大）・・・・・・・・・・・・1 |
| （２） | 気相合成ダイヤモンドの電気特性 |
| | 西村耕造（神戸製鋼）、Jeffrey T. Glass（North Carolina State University)・・・・・・・・7 |
| （３） | ダイヤモンドの励起子発光 |
| | 川原田 洋、平木昭夫（阪大）・・・・・・13 |
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| （１） | デバイス研究の現状と問題 |
| | 菊地 誠（東海大）・・・・・・・・・・・1 |
| （２） | 半導体・金属界面の電気特性 |
| | 大串秀世（電総研）・・・・・・・・・・・2 |
| （３） | ダイヤモンド薄膜を用いた青色発光素子の可能性 |
| | 平木昭夫（阪大）・・・・・・・・・・・・8 |
| （４） | 「パネルディスカッション・国内におけるデバイス開発の現状と問題点」 |
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| | （A）MES-FETの製作とその特性 |
| | 藤森直治（住友電工）・・・・・・・・・35 |
| | （B）ショットキ接合の課題 |
| | 小橋宏司、西村耕造（神戸製鋼）・・・・36 |
| | （C）p-n接合ダイオードの作製とその特性 |
| | 飯田昌盛（東海大）・・・・・・・・・・40 |
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