| （１） | ダイヤモンドCVDにおける制御パラメータ（―反応種・熱・光・対流・輸送―） |
| | 近藤建一（東工大）・・・・・・・・・・・1 |
| （２） | 対流効果と宇宙でのダイヤモンドCVD 石川正道､亀井信一（三菱総研）藤森直治､太田進啓（住友電工）､ |
| | 佐藤洋一郎（無機材研）、犬塚直夫（青学大）､渋川喜和夫、村上敬司（宇宙開発事業団）・・・・・・・・・・・12 |
| （３） | プラズ法における反応種と反応機構 |
| | 太田与洋､三友享､近藤英一（川崎製鉄）・・・・・・・・・・・25 |
| （４） | 燃焼法における反応種と反応機構（ダイヤモンド合成の速度論的解析） |
| | 松井安次（三菱電機）・・・・・・・・・・・34 |
| （５） | 熱フィラメント法、ダイヤモンドの生成メカニズム |
| | 小宮山宏､伊原学､宮本一夫､安田哲二（東大）・・・・・・・・・・・44 |
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| （１） | SIMSによるエピタキシャル成長ダイヤモンド薄膜中の不純物分析 |
| | 加茂睦和（無機材研）・・・・・・・・・・・・1 |
| （２） | カルコゲナイド系半導体を用いた非揮発性RAMデバイスの製作 |
| | 鈴木正國､中山和也､北川敏哉､大村昌史（金沢大）､D.P.Gosain(ソニー）、岡野修一(石川高専)・・・・・3 |
| （３） | 半導体の光学的評価 |
| | 若木守明（東海大）・・・・・・・・・・・・・12 |
| （４） | STMを用いたグラファイト表面の観察 |
| | 植杉克弘､八百隆文（広島大）・・・・・・・・22 |
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| （１） | ダイヤモンド薄膜の気相成長とエピタクシー |
| | 犬塚直夫（青学大）・・・・・・・・・・・・・1 |
| （２） | ダイヤモンドエピタキシャル膜の表面構造 |
| | 藤森直治､築野 孝（住友電工）・・・・・・・7 |
| （３） | シリコン表面とMBEによる成長過程 |
| | 市川昌和（日立製作所）・・・・・・・・・・・12 |
| （４） | ダイヤモンドと水素原子との表面相互作用 |
| | 光田好孝（東大）、Taro Yamada､Tung J .Chuang、Hajime Seki(IBM･ｱﾙﾏﾃﾞﾝ研)・・・・・・・・・・・23 |
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| （１） | ダイヤモンド・cBN工具の適用事例 |
| | 菅谷伸夫（トヨタ自動車）・・・・・・・・・・・1 |
| （２） | ダイヤモンド砥粒による石材を軸とした周辺材料の研削加工について |
| | 福田 泉（精研ﾀﾞｲﾔﾓﾝﾄﾞ）・・・・・・・・・・・8 |
| （３） | 電子部品・OA機器部品とダイヤモンド工具 |
| | 田中克敏（東芝機械）・・・・・・・・・・・18 |
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