| （１） | ダイヤモンド表面とエレクトロニクス |
| | 川原田 洋（早大）・・・・・・・・・・・・・・1 |
| （２） | STRUCTURE AND CHEMISTORY OF THE DIAMOND SURFACE |
| | Taro Yamada,T.j,Chuang and H.Seki(IBM Research Division,Almaden research Center)・・・・・・・7 |
| （３） | シリコン結晶欠陥と表面 |
| | 押山 淳（日本電気）・・・・・・・・・・・・・17 |
| （４） | 化合物半導体表面とデバイス |
| | 鹿田真一（住友電工）・・・・・・・・・・・・・19 |
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| （１） | 「ダイヤモンド低温気相成長法の世界の研究状況」 |
| | 村中 廉､H．yamashita､H．Miyadera（日立製作所）・・・1 |
| （２） | 「低温域におけるダイヤモンド成長の温度依存性」 |
| | ・CVDダイヤモンドの低温合成メカニズム |
| | 小宮山宏､伊原 学､山口敦治（東大）・・・・・・16 |
| （３） | 「ECRプラズマを用いたダイヤモンド薄膜の低温気相合成」 |
| | ・有磁場マイクロ波プラズマCVD法によるダイヤモンドの低温合成 |
| | 八田章光､平木昭夫（阪大）・・・・・・・・・・22 |
| （４） | 「物理的活性化による低温ダイヤモンド合成」 北畠 真（松下電産） |
| | ・Diamond films by ion-assisted deposition at room temperature |
| | Makoto kitabatake and kiyotake Wasa（Central Reserch Laboratories,Matsusita Electric Ind.)・・・・・・28 |
| | ・MOLECULAR DYNAMICS SIMULATIONS OF GRAPHITE→ DIAMOND TRANSFORMATIONS AND SiC GROWTH ON Si(001) |
| | M.Kitabatake(Central Reseach Labs.,Matsushita ELechctric Ind.)・・・・・・・・・・・・・・・33 |
| | 総合討論会 コメンテーター 加茂睦和（無機材研） |
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