(1) | ダイヤモンド表面とエレクトロニクス |
| 川原田 洋(早大)・・・・・・・・・・・・・・1 |
(2) | STRUCTURE AND CHEMISTORY OF THE DIAMOND SURFACE |
| Taro Yamada,T.j,Chuang and H.Seki(IBM Research Division,Almaden research Center)・・・・・・・7 |
(3) | シリコン結晶欠陥と表面 |
| 押山 淳(日本電気)・・・・・・・・・・・・・17 |
(4) | 化合物半導体表面とデバイス |
| 鹿田真一(住友電工)・・・・・・・・・・・・・19 |
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(1) | 「ダイヤモンド低温気相成長法の世界の研究状況」 |
| 村中 廉、H.yamashita、H.Miyadera(日立製作所)・・・1 |
(2) | 「低温域におけるダイヤモンド成長の温度依存性」 |
| ・CVDダイヤモンドの低温合成メカニズム |
| 小宮山宏、伊原 学、山口敦治(東大)・・・・・・16 |
(3) | 「ECRプラズマを用いたダイヤモンド薄膜の低温気相合成」 |
| ・有磁場マイクロ波プラズマCVD法によるダイヤモンドの低温合成 |
| 八田章光、平木昭夫(阪大)・・・・・・・・・・22 |
(4) | 「物理的活性化による低温ダイヤモンド合成」 北畠 真(松下電産) |
| ・Diamond films by ion-assisted deposition at room temperature |
| Makoto kitabatake and kiyotake Wasa(Central Reserch Laboratories,Matsusita Electric Ind.)・・・・・・28 |
| ・MOLECULAR DYNAMICS SIMULATIONS OF GRAPHITE→ DIAMOND TRANSFORMATIONS AND SiC GROWTH ON Si(001) |
| M.Kitabatake(Central Reseach Labs.,Matsushita ELechctric Ind.)・・・・・・・・・・・・・・・33 |
| 総合討論会 コメンテーター 加茂睦和(無機材研) |
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