平成5年光・エレクトロニクス/基礎合同分科会講演要旨集

日 時:平成5年4月2日(金)10:30~16:00
場 所:東京工業大学百年記念館
(1)ダイヤモンド表面とエレクトロニクス
 川原田 洋(早大)・・・・・・・・・・・・・・1
(2)STRUCTURE AND CHEMISTORY OF THE DIAMOND SURFACE
 Taro Yamada,T.j,Chuang and H.Seki(IBM Research Division,Almaden research Center)・・・・・・・7
(3)シリコン結晶欠陥と表面
 押山 淳(日本電気)・・・・・・・・・・・・・17
(4)化合物半導体表面とデバイス
 鹿田真一(住友電工)・・・・・・・・・・・・・19
  

平成5年度基礎分科会講演要旨集

日 時:平成5年10月13日(水)10:50~19:30
場 所:東京大学山上会館

「ダイヤモンドの低温気相成長を考える」

(1)「ダイヤモンド低温気相成長法の世界の研究状況」
 村中 廉、H.yamashita、H.Miyadera(日立製作所)・・・1
(2)「低温域におけるダイヤモンド成長の温度依存性」
 ・CVDダイヤモンドの低温合成メカニズム
 小宮山宏、伊原 学、山口敦治(東大)・・・・・・16
(3)「ECRプラズマを用いたダイヤモンド薄膜の低温気相合成」
 ・有磁場マイクロ波プラズマCVD法によるダイヤモンドの低温合成
 八田章光、平木昭夫(阪大)・・・・・・・・・・22
(4)「物理的活性化による低温ダイヤモンド合成」  北畠 真(松下電産)
 ・Diamond films by ion-assisted deposition at room temperature
 Makoto kitabatake and kiyotake Wasa(Central Reserch Laboratories,Matsusita Electric Ind.)・・・・・・28
 ・MOLECULAR DYNAMICS SIMULATIONS OF GRAPHITE→ DIAMOND TRANSFORMATIONS AND SiC GROWTH ON Si(001)
 M.Kitabatake(Central Reseach Labs.,Matsushita ELechctric Ind.)・・・・・・・・・・・・・・・33
 総合討論会 コメンテーター 加茂睦和(無機材研)