平成6年第6回機械・工具分科会講演要旨集

日 時:平成6年2月4日 13:30~17:00
場 所:東京工業大学国際交流会館
(1)気相合成ダイヤモンド工具
 吉川昌範(東工大)・・・・・・・・・・・・・1
(2)ダイヤモンド膜及び c-BN膜の工具への応用
 村川正夫(日工大)・・・・・・・・・・・・・・21
(3)気相法ダイヤモンドを用いた超精密バイト
 小巻邦雄、小柳直樹、小畑龍夫(昭和電工)・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・29
(4)「均一分散砥石:ユニメタル」
 星 順二、高橋 務、岡田英敏、滝沢与司夫(三菱マテリアル)・・・・・・・・・・・・36
  

平成6年第11回光・エレクトロニクス/第10回基礎合同分科会講演要旨集

日 時:平成6年4月1日(金)10:00~16:45
場 所:東京工業大学国際交流会館
(1)半導体の表面フェルミ準位ピンニング
 白藤純嗣(阪大)・・・・・・・・・・・・・・1
(2)単結晶ダイヤモンドの表面導電層
 西林良樹(住友電工)・・・・・・・・・・・・・13
(3)ダイヤモンド薄膜電気特性の熱処理効果
 宮田浩一(神戸製鋼)・・・・・・・・・・・・・15
(4)半導体ダイヤモンド表面の水素化及び酸化と電気伝導性
 安藤寿浩(無機材研)・・・・・・・・・・・・・18
(5)第一原理分子動力学法によるC(001)-2×1、2×2表面の計算
 小林一昭(無機材研)・・・・・・・・・・・・・20
(6)単結晶ダイヤモンドの表面導電層
 牧 哲郎(阪大) ・・・・・・・・・・・・・・22
(7)酸化物不純物源を用いた半導体ダイヤモンドの表面伝導
 岡野 健(東海大)・・・・・・・・・・・・・・23
(8)ダイヤモンド表面伝導層の電子デバイスへの利用
 川原田 洋(早大)・・・・・・・・・・・・・24
  

平成6年第11回基礎分科会講演要旨集

日 時:平成6年10月14日(金)11:00~17:00
場 所:東京大学生産技術研究所

「ニューダイヤモンドにおける基板バイアス効果」

(1)c-BN生成と基板バイアス効果
 吉田豊信(東大)・・・・・・・・・・・・・・・1
(2)イオンプレーティングによるc-BN膜形成における基板バイアス効果
 渡部修一(日工大)・・・・・・・・・・・・・・11
(3)ECRプラズマCVDによるダイヤモンド膜作製時のバイアス効果
 八田章光(阪大)・・・・・・・・・・・・・・・19
(4)バイアス処理によるダイヤモンドの核生成とその配向性制御
 前田英明(九州大)・・・・・・・・・・・・・・27
(5)ダイヤモンドの核発生(イオン効果を中心として)
 湯郷成美(電通大)・・・・・・・・・・・・・・39