| （１） | 気相合成ダイヤモンド工具 |
| | 吉川昌範（東工大）・・・・・・・・・・・・・1 |
| （２） | ダイヤモンド膜及び ｃ－BN膜の工具への応用 |
| | 村川正夫（日工大）・・・・・・・・・・・・・・21 |
| （３） | 気相法ダイヤモンドを用いた超精密バイト |
| | 小巻邦雄、小柳直樹、小畑龍夫（昭和電工）・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・29 |
| （４） | 「均一分散砥石：ユニメタル」 |
| | 星 順二、高橋 務、岡田英敏、滝沢与司夫（三菱ﾏﾃﾘｱﾙ）・・・・・・・・・・・・36 |
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| （１） | 半導体の表面フェルミ準位ピンニング |
| | 白藤純嗣（阪大）・・・・・・・・・・・・・・1 |
| （２） | 単結晶ダイヤモンドの表面導電層 |
| | 西林良樹（住友電工）・・・・・・・・・・・・・13 |
| （３） | ダイヤモンド薄膜電気特性の熱処理効果 |
| | 宮田浩一（神戸製鋼）・・・・・・・・・・・・・15 |
| （４） | 半導体ダイヤモンド表面の水素化及び酸化と電気伝導性 |
| | 安藤寿浩（無機材研）・・・・・・・・・・・・・18 |
| （５） | 第一原理分子動力学法によるC（001）－2×1、2×2表面の計算 |
| | 小林一昭（無機材研）・・・・・・・・・・・・・20 |
| （６） | 単結晶ダイヤモンドの表面導電層 |
| | 牧 哲郎（阪大） ・・・・・・・・・・・・・・22 |
| （７） | 酸化物不純物源を用いた半導体ダイヤモンドの表面伝導 |
| | 岡野 健（東海大）・・・・・・・・・・・・・・23 |
| （８） | ダイヤモンド表面伝導層の電子デバイスへの利用 |
| | 川原田 洋（早大）・・・・・・・・・・・・・24 |
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| （１） | c－BN生成と基板バイアス効果 |
| | 吉田豊信（東大）・・・・・・・・・・・・・・・1 |
| （２） | イオンプレーティングによるc－BN膜形成における基板バイアス効果 |
| | 渡部修一（日工大）・・・・・・・・・・・・・・11 |
| （３） | ECRプラズマCVDによるダイヤモンド膜作製時のバイアス効果 |
| | 八田章光（阪大）・・・・・・・・・・・・・・・19 |
| （４） | バイアス処理によるダイヤモンドの核生成とその配向性制御 |
| | 前田英明（九州大）・・・・・・・・・・・・・・27 |
| （５） | ダイヤモンドの核発生（イオン効果を中心として） |
| | 湯郷成美（電通大）・・・・・・・・・・・・・・39 |
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