(1) | 気相合成ダイヤモンド工具 |
| 吉川昌範(東工大)・・・・・・・・・・・・・1 |
(2) | ダイヤモンド膜及び c-BN膜の工具への応用 |
| 村川正夫(日工大)・・・・・・・・・・・・・・21 |
(3) | 気相法ダイヤモンドを用いた超精密バイト |
| 小巻邦雄、小柳直樹、小畑龍夫(昭和電工)・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・29 |
(4) | 「均一分散砥石:ユニメタル」 |
| 星 順二、高橋 務、岡田英敏、滝沢与司夫(三菱マテリアル)・・・・・・・・・・・・36 |
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(1) | 半導体の表面フェルミ準位ピンニング |
| 白藤純嗣(阪大)・・・・・・・・・・・・・・1 |
(2) | 単結晶ダイヤモンドの表面導電層 |
| 西林良樹(住友電工)・・・・・・・・・・・・・13 |
(3) | ダイヤモンド薄膜電気特性の熱処理効果 |
| 宮田浩一(神戸製鋼)・・・・・・・・・・・・・15 |
(4) | 半導体ダイヤモンド表面の水素化及び酸化と電気伝導性 |
| 安藤寿浩(無機材研)・・・・・・・・・・・・・18 |
(5) | 第一原理分子動力学法によるC(001)-2×1、2×2表面の計算 |
| 小林一昭(無機材研)・・・・・・・・・・・・・20 |
(6) | 単結晶ダイヤモンドの表面導電層 |
| 牧 哲郎(阪大) ・・・・・・・・・・・・・・22 |
(7) | 酸化物不純物源を用いた半導体ダイヤモンドの表面伝導 |
| 岡野 健(東海大)・・・・・・・・・・・・・・23 |
(8) | ダイヤモンド表面伝導層の電子デバイスへの利用 |
| 川原田 洋(早大)・・・・・・・・・・・・・24 |
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(1) | c-BN生成と基板バイアス効果 |
| 吉田豊信(東大)・・・・・・・・・・・・・・・1 |
(2) | イオンプレーティングによるc-BN膜形成における基板バイアス効果 |
| 渡部修一(日工大)・・・・・・・・・・・・・・11 |
(3) | ECRプラズマCVDによるダイヤモンド膜作製時のバイアス効果 |
| 八田章光(阪大)・・・・・・・・・・・・・・・19 |
(4) | バイアス処理によるダイヤモンドの核生成とその配向性制御 |
| 前田英明(九州大)・・・・・・・・・・・・・・27 |
(5) | ダイヤモンドの核発生(イオン効果を中心として) |
| 湯郷成美(電通大)・・・・・・・・・・・・・・39 |
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