平成8年第13回光・エレクトロニクス分科会講演要旨集

日 時:平成8年1月19日(金) 12:15~16:40
場 所:東京大学生産技術研究所 第7会議室

「ダイヤモンドNEAとフィールドエミッタ」

(1)CVDダイヤモンドの電子親和力とその制御
 八田章光(阪大)・・・・・・・・・・・・・・・1
(2)ピラミッド状ダイヤモンドの作製とその電子放出特性
 岡野 健(東海大)・・・・・・・・・・・・・・7
(3)Tip-structureダイヤモンド孤立粒子の合成とその電界放出特性
 山下 敏(東京ガス)・・・・・・・・・・・・・11
(4)金属/ダイヤモンド接合型フィールドエミッタ
 杉野 隆(阪大)・・・・・・・・・・・・・・・17
(5)高安定フィールドエミッタ
 石沢芳夫(無機材研)・・・・・・・・・・・・・22
(6)イオン注入法を用いたSi電界エミッタの特性制御
 伊藤順司(電総研)・・・・・・・・・・・・・・28
  

平成8年度合同分科会講演要旨集

日 時:平成8年5月24日(金) 13:00~17:00
場 所:電気通信大学(東4号館802室)

「犬塚直夫先生追悼 ニューダイヤモンドフォーラム合同分科会’96
-ダイヤモンドのエピタキシャル成長を徹底討論する-」
パネル討論会「ダイヤモンドのエピタキシャル成長を徹底討論する」

(1)イントロダクトリ
 加茂睦和(無機材研)
(2)「犬塚直夫先生を偲んで」
 広瀬洋一(東海大)、澤邊厚仁(青学大)
  

講演2「ダイヤモンドのエピタキシャル成長を徹底討論する」

(1)マイクロ波プラズマCVD法によるダイヤモンドのエピタキシャル成長
 築野 孝(住友電工)・・・・・・・・・・・・・1
(2)ダイヤモンドのステップフローエピタキシャル成長
 林 和志(電総研)・・・・・・・・・・・・・・5
(3)ダイヤモンドガスソースMBEにおける水素脱離及びメタン吸着過程
 西森年彦(三菱重工)・・・・・・・・・・・・11
(4)ダイヤモンドとグラファイト及びc-BNとh-BN
 鈴木哲也(慶大)・・・・・・・・・・・・・・16
(5)CBN表面でのダイヤモンドのエピタキシー
 小泉 聡(無機材研)・・・・・・・・・・・・25
(6)2段階バイアス処理による高配向ダイヤモンド膜の合成
 前田英明(九州大)・・・・・・・・・・・・・26
(7)Cu基板上への一軸配向ダイヤモンド粒子の合成
 石倉威文(東京ガス)・・・・・・・・・・・・29
(8)新谷法によるPt(111)上のダイヤモンド薄膜エピタキシャル成長
 橘 武史(神戸製鋼)・・・・・・・・・・・・35
(9)イリジウム薄膜表面へのダイヤモンドのエピタキシャル成長
 鈴木一博(トウプラス)・・・・・・・・・・・41