第３９回ダイヤモンドシンポジウム講演プログラム
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2025年11月12日(水)～14日(金) 東京理科大学 野田キャンパス
第１日目（１１月１２日(水)）
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| １０：００～１１：２０ 座長 加藤宙光（産総研） | |
| 101 | 915MHzマイクロ波プラズマCVDを用いた大面積ウェハ作製（２） （産総研１，ティ･ディ･シー２）○山田英明１，茶谷原昭義１，新田魁洲１，嶋岡毅紘１，高橋有希子２，赤羽優子２ |
| 102 | NV量子センサ高感度化に向けた(001)ダイヤモンドの合成研究 （京大化研１，産総研２，金沢大３，京大CSRN４）○川瀬凜久１，川島宏幸１，中川大夢１，加藤宙光２，徳田規夫３，山崎聡３，小倉政彦２，牧野俊晴２森岡直也１，大木出１，水落憲和１,４ |
| 103 | tert-butylphosphineを用いたn型ダイヤモンドの高品質化に向けた研究 （京大化研１，産総研２，金沢大３，京大CSRN４）〇中川大夢１，川瀬凜久１，川島宏幸１，加藤宙光２，徳田規夫３，山崎聡３，小倉政彦２，牧野俊晴２，重松英１,４，森岡直哉１,４，水落憲和１,４ |
| 104 | 下地層がシリコン基板上でのリン添加多結晶CVDダイヤモンド膜の成長に及ぼす影響 （九工大）○片宗優貴，中村龍平，鳥越天馬，和泉亮 |
１１：２０～１３：００ 昼 休 み |
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オ－ラルセッション２ |
| １３：００～１４：２０ 座長 水落憲和（京都大） | |
| 105 | 高エネルギー電子線照射ダイヤモンドの過渡電荷分光法による欠陥準位解析 （量研１，金沢大２）○佐藤真一郎１，曽根雄二１，松本翼２ |
| △106 | 単結晶ダイヤモンドにおけるヤング率の定量評価と異方性解析 （物材機構）○張兆宗，趙文，陳果，小泉聡，廖梅勇 |
| △107 | NVセンタを用いたダイヤモンド中の転位のストレステンソルイメージング （物材機構１，名大２)○辻赳行１，原田俊太２，寺地徳之１ |
| 108 | NVセンターの量子特性の空間分布計測を用いたCVDダイヤモンドの評価 （量研１，物材機構２)○増山雄太１，陳君２，阿部浩之１，寺地徳之２ |
| １４：２０～１４：４０ 休 憩 |
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オ－ラル特別セッション |
| １４：４０～１５：４０ 座長 寺地徳之(物材機構) | |
| 109 | 二次元物質の自在配列による物性制御とエレクトロニクス応用 （東大生技研）○町田友樹 |
| 110 | ダイヤモンド熱伝導率測定 （住友電工）〇中島猛、久木野暁 |
| １５：４０～１５：５０ 休 憩 |
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ポスターセッション１ |
| １５：５０～１６：５０ Group１ | |
| １６：５０～１７：５０ Group２ |
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第２日目（１１月１３日(木)）
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| ９：４０～１１：２０ 座長 松本翼（金沢大） | |
| △201 | p型ダイヤモンドショットキーバリアダイオードにおけるトラップアシストトンネリング （ＮＴＴ(株)）○河野慎，谷保芳孝，平間一行 |
| 202 | イオン注入による埋め込みp+電極を有する水素終端ダイヤモンドMOSFETの耐放射線性評価 （北大１，神大２，産総研３）○上原さくら１，関裕平１,２，星野靖２,３，梅沢仁３，金子純一１ |
| 203 | 耐放射線性水素終端ダイヤモンドMOSFETによる負帰還回路の実現 （大熊ﾀﾞｲﾔﾓﾝﾄﾞﾃﾞﾊﾞｲｽ(株)１，技術士事務所TM RAMS Consulting２，北大３）○伊藤洋輔１,２，前川立行２，川島宏幸１，山口卓宏１,３，金子純一１,３，梅沢仁１ |
| △204 | ダイヤモンドMEMSを用いたナノケルビン温度計測 （物材機構）○趙文，陳果，寺地徳之，張兆宗，小泉聡，廖梅勇 |
| 205 | MEMS熱センサー用グラフェン・オン・ダイヤモンド （物材機構）○陳果，趙文，張兆宗，小泉聡，廖梅勇 |
| １１：２０～１３：００ 昼 休 み |
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オ－ラルセッション４ |
| １３：００～１４：００ 座長 渡辺剛志（青学大） | |
| 206 | ダイヤモンド電極と機械学習を併用した尿中グルコース濃度推定モデルの構築 （慶大１，産総研２，(株)ExtenD３）○大竹敦１,３，大曲新矢２,３，栄長泰明１ |
| 207 | ダイヤモンド電極を用いたフロー電解におけるCO2を原料とするカルボン酸合成プロセスの開発 （東理大院創域理工学部１，東理大総合研究院２，旭ﾀﾞｲﾔﾓﾝﾄﾞ工業３）○岡村綾也１，稲葉任哉１，上塚洋２,３，寺島千晶１,２ |
| 208 | CO2電解還元への応用に向けた塗布型ダイヤモンド電極の開発 （東理大１，慶大２）○島田大輝１，栄長泰明２，近藤剛史１ |
| １４：００～１４：１０ 休 憩 |
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ポスターセッション２ |
| １４：１０～１５：１０ Group２ | |
| １５：１０～１６：１０ Group１ | |
１６：１０～１６：２０ 休 憩 |
特別講演 |
| １６：２０～１７：２０ 座長 寺地徳之（物材機構） |
| 「ダイヤモンド・トランジスタの将来」 早稲田大学 特命教授 川原田 洋 氏 |
学術交流会 |
| 東京理科大野田キャンパス カナル会館 1F 食堂 １７：３０～１９：３０ |
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第３日目（１１月１４日(金)） |
オ－ラルセッション５ |
| １０：００～１１：２０ 座長 大越康晴（東京電機大） | |
| 301 | シリコンおよび窒素添加ダイヤモンドライクカーボン膜の光起電力特性および機械的特性 （弘前大院）○竹村凜太朗，山崎雄也，伊東翔太，鈴木裕史，遠田義晴，小林康之，中澤日出樹 |
| 302 | DLCパターニング成膜による細胞付着・形態制御 （日工大）○伴雅人，高森明日海 |
| △303 | DLC電極の物性制御による醸造製品の電気化学的評価 （東京電機大１，東京科学大２，鹿児島大３，岐阜大４）萌出大道１，赤坂大樹２，青野祐美３，針谷達４，向山義治１，平栗健二１，大越康晴１ |
| 304 | 電気化学処理によるh-BNへのカリウム添加と電気特性評価 （産総研１，物材機構２）沖川侑揮１，岡田光博１，谷口尚２，山田貴壽１ |
| １１：２０～１３：００ 昼 休 み |
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オ－ラルセッション６ |
| １３：００～１４：２０ 座長 蔭浦泰資（産総研） | |
| 305 | 分子イオン注入法により形成されるNV中心周囲にある環境ノイズの観測 （高崎量研１，群馬大２，ウルム大３，物材機構４，筑波大５）○小黒翼１,２，ﾋﾞｽﾜｽ ﾋﾞｽﾜｼﾞｯﾄ１，木村晃介１，大門俊介１，ﾌﾟﾘﾔﾀﾞﾙｼﾆ ﾊﾞﾗｽﾌﾞﾗﾏﾆｱﾝ３，ﾌｪﾄﾞﾙ ｲｪﾚｽﾞｺ3，寺地徳之４，磯谷順一５，花泉修2，小野田忍1 |
| 306 | NV中心含有爆轟ナノダイヤモンドを用いた磁気センシング （京大化研１，量研機構量子生命科学研２，(株)ﾀﾞｲｾﾙ３，京大化研ｽﾋﾟﾝｾﾝﾀｰ４，東京科学大５）○藤原正規１，神山直也１，大堀真尚１，蘇梓傑１,２，牧野有都３， ﾍﾙﾌﾞｽﾚﾌﾞ ﾃﾞｲｳﾞｨｯﾄ ｴﾝｽﾄ１,西川哲理１，重松英１,４，大木出１，森岡直也１,４，五十嵐龍治２,５，水落憲和１,４ |
| △307 | ダイヤモンド中の単一の鉛-空孔センターを用いた二光子干渉実験 （東京科学大院１，物材機構２，高崎量研３，産総研４）○太田英岐１，平井紅陽１，陳溢暘１，Wang Peng１,宮川仁２，谷口尚２，小野田忍３，牧野俊晴４，波多野睦子１，岩﨑孝之１ |
| 308 | ダイヤモンド中の鉛-空孔センターにおけるシュタルク効果による波長制御 （東京科学大院１，物材機構２，高崎量研３，産総研４）〇千田淳貴１，陳溢暘１，宮川仁２，谷口尚２，小野田忍３，牧野俊晴４，波多野睦子１，岩﨑孝之１ |
ポスターセッション グループ
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| P1-01 | SiO2マスク・リフトオフ法を用いたSi(100)基板上孤立単結晶ダイヤモンドの結晶成長条件の最適化について （電通大）○谷屋勁治，奥村直大，塚本貴広，一色秀夫 |
| P1-02 | Si基板上孤立単結晶ダイヤモンドの選択的形成におけるダイヤモンド核密度制御 （電通大）○奥村直大，谷屋勁治、塚本貴広，一色秀夫 |
| P1-03 | マイクロ波および高周波プラズマCVDを用いた高窒素含有a-CN:H薄膜の形成と構造解析 （長岡技科大）○伊藤治彦，佐藤悠雅，綿貫了太，鈴木常生，斎藤秀俊 |
| P1-04 | 超高真空原子間力顕微鏡によるダイヤモンド表面の個々の原子の可視化 （東大新領域１，東大物性研２，産総研３）張潤楠１，安井勇気１，福田將大２，小倉政彦３，牧野俊晴３，竹内大輔３，尾崎泰助２，○杉本宜昭１ |
| P1-05 | ダイヤモンドに対する光励起法を用いた電荷捕獲準位評価 （北大院１，産総研２，大熊ﾀﾞｲﾔﾓﾝﾄﾞﾃﾞﾊﾞｲｽ(株)３）○明石悠宇斗１，金子純一１，高橋正樹１，織田堅吾１，茶谷原昭義２，山田英明２，嶋岡毅紘２，星川尚久３ |
| P1-06 | 大面積フィラメント加熱処理によるダイヤモンド水素終端チャネルの形成 （産総研）○野田和哉，白髪純也，蔭浦泰資，大曲新矢 |
| P1-07 | ダイヤモンド(100)再構成プロセスを用いた反転層MOSFETの実証 （金沢大院１，金沢大ﾅﾉﾏﾃ研２）○小池暁大１，中川愛斗１，吉本翼１，小林和樹２，林寛１,２，市川公善２，猪熊孝夫１，山崎聡２，徳田規夫１,２，松本翼１,２ |
| P1-08 | ダイヤモンド縦型ショットキーバリアダイオードにおける電極縁辺長の影響 （産総研１，九大院２）〇白髪純也１,２，Sreenath Mylo Valappil１,２，吉武剛２，大曲新矢１ |
| P1-09 | 有機化合物電解下で進行するホウ素ドープダイヤモンド陽極の異方性エッチング構の解析 （青学大１，慶大２）〇戸松千博１，岩井豪輝２，渡辺剛志１，栄長泰明２，黃晋二１ |
| P1-10 | ダイヤモンド電極によるPFOAの分解 （東理大創域理工１，東理大総研２，旭ﾀﾞｲﾔﾓﾝﾄﾞ工業(株)３）○瀬戸口祐昌１，深谷薫音１，上塚洋２,３，寺島千晶１,２ |
| P1-11 | ダイヤモンド電極を触媒担体とした直接ギ酸形燃料電池の高機能化 （慶大）〇吉岡晃佑，村田道生，栄長泰明 |
| P1-12 | 同軸型アークプラズマ成膜法を用いた窒素ドープナノダイヤモンド被膜による導電性ダイヤモンド粉末の作製とその応用 （九大院１，東京高専２）〇渡辺観侃１，御園樹１，楢木野宏１，城石英伸２，吉武剛１ |
| P1-13 | CVDグラフェンを利用したフレキシブルなフィルム型エレクトロクロミックデバイスの作製と評価 （青学大１，チュラロンコン大２）〇山下幹裕１，ﾌﾟﾊﾟｶﾞ ｼﾞｰﾗﾊﾟｯﾄ２，福澤実希１，渡辺剛志１，黃晋二１ |
| P1-14 | 水素ガスセンサ用N-DLC被覆QCM素子の熱安定性評価 （東京電機大１，防衛大２）〇加藤透和１，植村皇介１，石黒康志２，金杉和弥１，立木隆２，平栗健二１ |
| P1-15 | 光電子制御プラズマによるDLC絶縁膜の形成と電気特性特性評価 （日大１，産総研２）○関理志１，小川修一１，岡田光博２，沖川侑輝２，山田貴壽２ |
| P1-16 | 非晶質炭素を利用したQCM型ガスセンサにおける各種ガスの応答性評価 （東京電機大１，防衛大２）○植村皇介１，石黒康志２，金杉和弥１，立木隆２，平栗健二１ |
| P1-17 | 水素化アモルファス炭素薄膜の膜構造が赤血球吸着に及ぼす影響 （東京電機大１，ｼﾝｸﾛﾄﾛﾝ光研２）〇笠松謙一１，阿部紗都美１，Nakajima Hideki２，Tunmee Sarayut２，平栗健二１，大越康晴１ |
| P1-18 | ホウ素ドープによるDLC電極のORR活性化 （東京電機大１，春日電機(株)２）〇久保瑠惟１，萌出大道１，鈴木輝夫２，田村豊２，小木曽智２，杉村智２，松浦慶２，向山義治１，平栗健二１，大越康晴１ |
| P1-19 | 非晶質炭素薄膜の赤血球吸着性とラマンマッピング構造分析の相関性評価 （東京電機大）〇阿部紗都美，笠松謙一，平栗健二，大越康晴 |
| P1-20 | 窒素含有によるDLC電極の電位窓拡大と醸造製品の品質評価への応用 （東京電機大１，東京科学大２，鹿児島大３，岐阜大４）〇石川皓規１，萌出大道１，赤坂大樹２，青野祐美３，針谷達４，向山義治１，平栗健二１，大越康晴１ |
Group2
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| P2-01 | Si基板上ダイヤモンド単結晶の大面積化過程における結晶性評価 （電通大）〇山崎翔平，塚本貴広，一色秀夫 |
| P2-02 | 単結晶ダイヤモンドのプラズマ援用研磨特性における結晶面方位依存性の評価 （阪大）○居松正悟，森下浩彰，藤原歌文，菫佳遠，孫栄硯，大久保雄司，山村和也 |
| P2-03 | 単結晶ダイヤモンド基板上にRFマグネトロンスパッタリングで成膜したヘテロエピタキシャルβ-Ga2O3薄膜の成長メカニズム （九大院総合理工１，九大超顕微解析研究ｾﾝﾀｰ２，九工大院３）〇御園樹１，根北翔１，高高紅２，池上悠登１，Sreenath Mylo Valappil１，王毅心１，片宗優貴１,３，楢木野宏１，Ahmed Abdelrahman Zkria１，吉武剛１ |
| P2-04 | 極性分子とベンゼン系芳香族化合物によって誘起された水素終端ダイヤモンドの伝導性 （北大院１，産総研２）○森晧平１，関裕平１，田地川浩人1，樋口幹雄１，新井則義１，梅沢仁２，金子純一１ |
| P2-05 | ダイヤモンドFETを用いたディジタル回路基本要素の試作検証 （福島高専１，北大２，産総研３）○髙田宇洋１，松本大輝１，山田貴浩１，奥野朝陽２，金子純一２，梅沢仁３ |
| P2-06 | 高温水中電気化学測定におけるホウ素ドープダイヤモンドの作用極および参照極としての評価 （九大１，産総研２）○井口誠大１，稲葉優文１，大曲新矢２，楢木野宏１，中野道彦１，末廣純也１ |
| P2-07 | 導電性ダイヤモンドパウダーキャスト電極によるL-ドパの電気化学検出 （東理大）〇白田渚音，近藤剛史 |
| P2-08 | マイクロダイヤモンド電極を用いた全血中での抗がん剤濃度測定法の開発 （慶大）〇渡邊哲丸，緒方元気，栄長泰明 |
| P2-09 | チタン製医療機器への応用に向けたプラズマ表面処理によるナノダイヤモンド膜の濡れ性制御 （九大院１，佐世保高専２）〇生山也真登１，楢木野宏１，御園樹１，楼厲寧１，Ahmed Abdelrahman Zkria１，竹市悟志２，吉武剛１ |
| P2-10 | レーザ照射を用いたアモルファス炭素系膜の積層 （東京科学大）〇長谷嘉琉，奈良千尋，青野祐子，平田祐樹，大竹尚登，赤坂大樹 |
| P2-11 | エチレンオキサイドガス滅菌処理を施した非晶質炭素膜の構造と表面特性 （東京電機大）〇佐々木皓貴，金杉和弥，平栗健二 |
| P2-12 | レーザー照射による水素化アモルファス炭素膜とホウ素添加ダイヤモンドの接合 （東京科学大１，産総研２）〇曾慎之１，長谷嘉琉１，大曲新矢２，赤坂大樹１ |
| P2-13 | ダイヤモンド状炭素薄膜の細胞接着性とId/Ig比による膜構造分布との関係 （東京電機大）○森下直哉，清水敬行，平栗健二，大越康晴 |
| P2-14 | 機械学習によるプラズマ判別に基づくDLC表面の細胞接着性評価 （東京電機大１，神大２，津田塾大３，春日電機(株)４）〇當間宗一朗１，中村聡２，小松隆２，植村あい子３，鈴木輝夫４，田村豊４，小木曽智４，杉村智４，松浦慶４，平栗健二１，大越康晴１ |
| P2-15 | Diamond-like Carbonの水素終端構造とパターン幅が細胞接着性に及ぼす影響 （東京電機大）○黄拓登，清水敬行，森下直哉，平栗健二，大越康晴 |
| P2-16 | 電子線照射生成NVセンターによるダイヤモンド光学フォノン場強度の増幅 （産総研１，量研２，筑波大３）○市川卓人１，蔭浦泰資１，小野田忍２，長谷宗明３ |
| P2-17 | 蛍光性ナノダイヤモンドのODMR性能向上に向けた空気酸化条件の最適化 （京工繊大院１，阪大２，高崎量研３，阪大WPI-PRIMe４）〇白矢昂汰１，加藤祐基２，阿部浩之３，大島武３，原田慶恵４，吉田裕美１，前田耕治１，外間進悟１ |
| P2-18 | 2.45GHzマイクロ波を用いた高均一の大面積ダイヤモンド成膜 （ｺｰﾝｽﾞﾃｸﾉﾛｼﾞｰ）ﾀｽﾔﾑ ﾑﾊﾏﾄﾞ ﾔｯｻｰ，ﾌｨｵﾘ ｱﾚｷｻﾝﾀﾞｰ，津川和夫，池本学 |
| P2-19 | ホットノズルを用いたダイヤモンドCVD法の開発 （アリオス(株)１，(株)Kanazawa Diamond２）半田瑛大１，有屋田修１，鈴木浩明１，小島芳恭１，小林和樹２ |
■ 優秀講演賞について優秀講演賞の選考対象となる発表には講演番号の前に△印が付記されています。 |
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