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第37回ダイヤモンドシンポジウム講演プログラム

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2023年11月14日(火)~16日(木) 東海大学 湘南キャンパス

第1日目(11月14日)

オーラルセッション1

10:20~12:00  座長 大曲新矢(産総研)
101 熱フィラメントCVD法を用いたホモエピタキシャルダイヤモンド(111)成長
(金沢大)○市川公善,田口稜真,小林和樹,松本翼,林寛,猪熊孝夫,山崎聡,徳田規夫
102 マイクロ波プラズマCVD法によるバルク単結晶ダイヤモンド成長と直交面形成による結晶品質向上
(産総研)○嶋岡毅紘,山田英明,坪内信輝,茶谷原昭義,杢野由明
103 イリジウム単結晶基板を用いたヘテロエピタキシャルダイヤモンド成長
(青学大1,長岡技科大2)○増田頼葵1,會田英雄2,澤邊厚仁1
104 有機金属化学気相成長法( MOCVD )法を用いたヘテロエピタキシャルイリジウム( Ir )の作製におけるO2濃度の影響
(青学大)○中井太一,澤邊厚仁
△105 リン添加による多結晶CVDダイヤモンド膜の平滑性向上
(九州工大)○片宗優貴,松本拓万,山口一色,和泉亮

12:00~13:00     昼   休   み

オ-ラルセッション2

13:00~14:40 座長 寺地徳之(物材機構)、宮本良之(産総研)
△106 圧力によるCVDダイヤモンドの不純物取り込み制御とNV中心コヒーレンス時間の改善
(京大化研1,産総研2,金沢大3,京大CSRN4)○川瀬凛久1,川島宏幸1,加藤宙光2,徳田規夫3,山崎聡3,小倉政彦2,牧野俊晴2,水落憲和1,4
△107 NVセンターを利用した水素終端ダイヤモンドにおける表面トランスファードーピング機構の解析
(物材機構1,産総研2,量研機構高崎3)○蔭浦泰資1,2,笹間陽介1,山田圭介3,木村晃介3,小野田忍3,山口尚秀1
108 単一レーザー照射後のダイヤモンド内空孔拡散とNV中心生成のシミュレーション
(産総研)○宮本良之,加藤宙光,牧野俊晴
109 単空孔形成によるNVセンターの荷電状態変化
(物材機構1,量研機構2)○眞榮力1,阿部浩之2,大島武2,寺地徳之1
△110 量子もつれNVセンターを用いた量子磁場センシング
(群馬大1,量研機構2,横浜国大QIC3,物材機構4,筑波大5)〇木村晃介1,2,小野田忍2,3,加田渉1,寺地徳之3,4,磯谷順一5,馬場智也1,2,後藤政哉1,2,花泉修1,大島武2
 
14:40~15:00   休   憩

ポスターセッション1

15:00~16:30
P1-01 ナノダイヤモンド粒子の誘電泳動集積の蛍光観察
(九州大)○浅野尚紀,稲葉優文,中野道彦,末廣純也
P1-02 電界整列ダイヤモンド粒子をフィラーに用いた意図的熱伝導率分布を有する伝熱シートの作製
(九州大)○市来宗一郎,清家清弥,稲葉優文,中野道彦,末廣純也
P1-03 研磨表面のラマン分光による評価
(関学大1,熊本大2)石井万里野1,安岡幹貴1,大谷昇1,笠村啓司2,久保田章亀2,○鹿田真一1
P1-04 ダイヤモンドFETの歩留まりの解析
(北大1,産総研2,大熊ダイヤモンドデバイス3)○桝村匡史1,金子純一1,梅沢仁2,奥野朝暘1,川島宏幸2,牧野俊晴2,小倉政彦2,高橋正樹1,伊藤洋輔3,庄子隼斗3,星川尚久3
P1-05 Niの炭素固溶反応による平坦化技術を応用した埋込ソース・ドレイン構造を有するMOSFETの作製と実証
(金沢大院自然科研1,金沢大ナノマテリアル研2)○加納翼1,佐藤解1,林寛1,2,市川公善2,吉川太朗2,猪熊孝夫1,山崎聡2,徳田規夫1,2,松本翼1,2
P1-06 チャンバーフレーム法で合成したダイヤモンドへのNVセンターの作製
(早大理工1,日工大2,早大材研3)〇阿部和実1,上田真由1,浅野雄大1,谷井孝至1,佐藤勇斗2,竹内貞雄2,川原田洋1,3
P1-07 ヘテロエピタキシャル基板上に作製した1mmΦ大型ダイヤモンドSBDの特性と耐放射線性評価
(産総研1,九州大2,九州シンクロトロン3)○笹栗優1,2,Phongsaphak Sittimart2,石地耕太朗3,蔭浦泰資1,吉武剛2,大曲新矢1
P1-08 Si基板上孤立単結晶ダイヤモンドの結晶性とSiV発光特性の評価
(電通大)○山本翔太,塚本貴広,一色秀夫
P1-09 大気中でのGaN/diamond接合技術
(東京理科大1,産総研2)〇大北称1,松前貴司2,倉島優一2,高木秀樹2,早瀬仁則1
P1-10 大気圧プラズマによるダイヤモンド粒子の親水化
(日工大院1,物材機構2,日工大3)〇金井稜芽1,神田久生2,福長脩3,角谷均3,竹内貞雄3
P1-11 光表面化学修飾を用いたフッ素フリー炭化水素系撥水コーティング
(産総研)○中村挙子
P1-12 ダイヤモンド電極を用いた高収量過酸化水素生成
(慶大1,バジャジャラン大2)〇巽友輔1,フィオラニ アンドレア1,イルハム2,栄長泰明1
P1-13 ポータブル型ダイヤモンド電子舌センサの開発と歩留まり評価
(産総研)○大曲新矢,蔭浦泰資,森田伸友,竹村謙信,岩崎渉
P1-14 ダイヤモンド電子舌センサを用いた機械学習による赤ワインの分類
(佐賀大1,産総研センシング2)〇有田涼二1,2,森田伸友2,上田俊1,大曲新矢2
P1-15 SiNx上のダイヤモンド成長とSiV発光センターの評価
(電通大)○吉田あかり,木川啓太,山崎翔平,一色秀夫
P1-16 熱CVD法によるCNT合成における二層触媒金属の組織解析
(東海大院工学研究科)○井出岳,菊地詩音,葛巻徹
P1-17 AlN基板上でのCNT垂直配向膜の合成と構造評価
(東海大院工学研究科)○菊地詩音,井出岳,葛巻徹
P1-18 異なる紡績条件で作製したCNT糸の機械的性質と熱処理効果の検討
(東海大院工学研究科1,東海大工2)○岡田環1,影島誠2,長谷川真之輔2,葛巻徹1,2
P1-19 多結晶ダイヤモンド膜の破壊強度および摩耗特性
(日工大院1,物材機構2,日工大3)〇佐藤勇斗1,神田久生2,福長脩3,角谷均3,竹内貞雄3
P1-20 超硬合金にコーティングしたCVDダイヤモンド膜の応力緩和
(日工大院1,物材機構2,日工大3)〇江川流星1,神田久生2,福長脩3,角谷均3,竹内貞雄3
P1-21 気相合成多結晶ダイヤモンド膜の反応摩耗特性の評価
(日工大院1,物材機構2,日工大3)〇宋翰聞1,神田久生2,福長脩3,角谷均3,竹内貞雄3
P1-22 単結晶ダイヤモンドの反応摩耗の評価(その2)
(日工大院1,物材機構2,日工大3)〇樋口優斗1,日比涼太1,宋翰聞1,神田久生2,福長脩3,角谷均3,竹内貞雄3

 


第2日目(11月15日)

オ-ラルセッション3

10:40~12:00 座長 梅沢 仁(産総研)
201 TBPを用いた(111)面リンドープn型ダイヤモンド膜のホール移動度の向上
(京大化研1,産総研2,金沢大3,京大CSRN4)○川島宏幸1,川瀬凛久1,加藤宙光2,徳田規夫3,山崎聡3,小倉政彦2,牧野俊晴2,森岡直也1,4,水落憲和1,4
△202 最大ドレイン電流密度:200 mA/mmを超えるSi-MBD法を用いたC-Si-O側壁チャネルによるノーマリーオフ縦型ダイヤモンドMOSFETの開発
(早大理工1,Power Diamond Systems2,早大各務記念材技研3)○山本稜将1,成田憲人1,太田康介1,2,付裕1,若林千幸1,平岩篤1,藤嶌辰也2,川原田洋1,2,3
203 リンドープn型ダイヤモンドを用いたnチャネルMOSFETの作製
(物材機構)○小泉 聡,廖梅勇
204 自己整合ゲート電極を有する水素終端ダイヤモンド電界効果トランジスタ
(物材機構1,筑波大数理2)○笹間陽介1,渡邊賢司1,谷口尚1,山口尚秀1,2
 
12:00~13:00  昼 休 み

オ-ラルセッション4

13:00~14:20 座長 嶋岡毅紘(産総研)
205 耐放射線性水素終端ダイヤモンドMOSFETによる計装用電子回路の開発
(大熊ダイヤモンドデバイス1,技術士事務所TM RAMS2,北大3)○伊藤洋輔1,川島宏幸1,前川立行2,金子純一1, 3,梅沢仁1
△206 高濃度窒素ドーピングによる接触抵抗低減とダイヤモンド(100)p+-i-n+ダイオードの実証
(金沢大自然科研1,金沢大ナノマテリアル研2)○松島優希1,村光希哉1,松本翼1,2,市川公善2,林寛1,2,山崎聡2,猪熊孝夫1,徳田規夫1,2
207 オンチップダイヤモンドMEMS磁気トランスデューサ
(物材機構1,東北大2)○廖梅勇1,張子龍1, 陳果1,小出康夫1,戸田雅也2,小泉聡1
△208 スピンデバイス応用に向けた強磁性金属/p型ダイヤモンドショットキー接触の実現
(NTT物性科学基礎研)○河野慎,クーニャ カルロス,平間一行,熊倉一英,谷保芳孝
 
14:20~14:40  休   憩

ポスターセッション2

14:40~16:10
P2-01 放射線検出器のためのホウ素添加/無添加ダイヤモンド積層構造の評価
(静岡大1,ANSeeN2,産総研3)○増澤智昭1,三宅拓2,中川央也1,中野貴之1,都木克之1,2,青木徹1,2,三村秀典1,2,山田貴壽3
P2-02 集束イオンビーム加工を用いた単結晶ダイヤモンドの作製と評価
(青学大)○我妻佑飛,澤邊厚仁
P2-03 マイクロ波プラズマの診断に基づく単結晶ダイヤモンド結晶成長の高精度制御
(産総研)○新田魁洲,嶋岡毅紘,山田英明
P2-04 尖端放電型プラズマCVD法を用いたダイヤモンド成長におけるCO2添加の影響評価
(産総研1,九大2)〇桂健斗1,2,笹栗優1,2,大曲新矢1,吉武剛2,蔭浦泰資1
P2-05 Si基板上における集積デバイス用選択成長ダイヤモンドの作製と評価
(電通大)○木川啓太,上原陽空,一色秀夫
P2-06 ホウ酸トリメチルを用いたボロンドープナノダイヤモンドパウダーの化学気相合成
(電通大)○十河圭,塚本貴広,一色秀夫
P2-07 Si基板上ボロンドープ孤立ダイヤモンド単結晶の作製と評価
(電通大)○山崎翔平,萩原大智,塚本貴広,一色秀夫
P2-08 荷電粒子検出器への応用を目的としたダイヤモンドピクセルセンサーの開発
(高エネ加速器研1,産総研2)〇岸下徹一1,田内一弥1,西口創1,田中真伸1,梅沢仁2,川島宏幸2
P2-09 ボロンドープダイヤモンド膜の合成条件によるボロン濃度の違い
(日工大院1,物材機構2,日工大3)〇岡部直輝1,宋翰聞1,神田久生2,福長脩3,角谷均3,竹内貞雄3
P2-10 ラマン分光による転位位置の正確な評価
(関学大1,物材機構2)安岡幹貴1,〇竹内茉莉花1,石井万里野1,大谷昇1,寺地徳之2,鹿田真一1
P2-11 低周波Yパラメータ測定によるダイヤモンド擬似縦型SBDの欠陥準位評価
(産総研1,佐賀大2)〇西田大生1,2,蔭浦泰資1,大曲新矢1
P2-12 9Beイオン注入と加熱処理ダイヤモンドからのカソードルミネッセンス
(産総研1,理研仁科センター2)〇渡邊幸志1,2,三宅泰斗2,奥野広樹2
P2-13 Ir/sapphire 基板上ヘテロエピタキシャル成長(001)面ダイヤモンド膜の結晶品質評価
(阪大1,Orbray2)〇望月梧生1,毎田修1,金聖祐2,加藤学2,小山浩司2,アン ジェフリ2,市川修平1,小島一信1
P2-14 カリウム添加ナノグラフェンを中間層としたグラフェンの残留電荷抑制
(産総研1,静岡大2)〇沖川侑揮1,増澤智昭2,山田貴壽1
P2-15 核種変換によるLiドープダイヤモンドの製作
(理研仁科センター1,産総研2)〇三宅泰斗1,渡邊幸志1,2,奥野広樹1
P2-16 水素化アモルファス炭素薄膜のパターン成膜による細胞接着性制御
(東京電機大1,春日電機2)〇清水敬行1,北洞涼雅1,宮城恒成1,鈴木輝夫2,田村豊2,小木曽智2,杉村智2,松浦慶2,平栗健二1,大越康晴1
P2-17 FCVA法によるta-C膜の三次元コーティング技術の開発
((鳥取大1,東工大2)〇為野悠人1,平田祐樹2,石川功1,赤坂大樹2,大竹尚登2,松岡広成1
P2-18 圧力負荷に対する非晶質炭素薄膜の導電性変化におけるガス種依存性評価
(東京電機大)〇中川颯太,杉原輔扇,小野澤博文,五十嵐唯斗,小畑修二,平栗健二,大越康晴
P2-19 アモルファル炭素薄膜の赤血球吸着性評価
(東京電機大1,トッケン2,堀場テクノサービス3,茨城大学4)〇笠松謙一1,北洞涼雅1,平塚傑工2,馬目佳信1,和才容子3,尾関和秀4,平栗健二1,大越康晴1
P2-20 機械学習を用いたプラズマ発光色によるDLCの細胞接着性判別
(東京電機大1,春日電機2,神大3)〇當間宗一朗1,尾高友輔1,中村聡3,小松隆3,鈴木輝夫2,田村豊2,小木曽智2,杉村智2,松浦慶2,平栗健二1,大越康晴1
P2-21 圧力負荷における非晶質炭素膜の基板依存性及び膜構造評価
(東京電機大院1,CROSS中性子科学センター2)〇高田歩1,平栗健二1,小畑修二1,宮田登2,大越康晴1

16:10~16:20   休   憩

特別講演

16:20~17:20 座長 平田敦(東工大)
「ヘテロエピタキシャルダイヤモンド研究のまとめ」
青山学院大学理工学部 教授 澤邊 厚仁 氏

学術交流会

東海大学 湘南キャンパス 19号館1階カフェラウンジ 17:30~19:30

 


第3日目(11月16日)

オ-ラルセッション5

10:20~12:00 座長 市川公善(金沢大)
301 偏光顕微鏡、共焦点ラマン分光法、高角度分解能EBSDを組み合わせた単結晶ダイヤモンド中の転位束の解析
(産総研)○田中孝治,杢野由明,梅沢仁,嶋岡毅紘,山田英明
302 真空紫外光援用研磨がエピ薄膜特性に及ぼす影響
(関学大1,熊本大2,物材機構3)稲田力1,外山正悟1,石井万里野1,菅本藍1,青野柊弥1,安岡幹貴1,竹内茉莉花1,大谷昇1,笠村啓司2,久保田章亀2,寺地徳之3,○鹿田真一1
△303 ダイヤモンドフィラーを電界整列した伝熱シートに対する重力の影響
(九州大)○稲葉優文,清家清弥,市来宗一郎,中野道彦,末廣純也
△304 電界整列多結晶ダイヤモンドフレークの伝熱シートフィラーへの応用
(九州大1,産総研2)○清家清弥1,市来宗一郎1,大曲新矢2,稲葉優文1,中野道彦1,末廣純也1
△305 ホウ素ドープダイヤモンド電極を有するダイヤモンドアンビルセルの開発
(物材機構1,筑波大2,愛媛大GRC3)○松本凌1,山根和樹1,2,寺嶋健成1,新名亨3,入舩徹男3,高野義彦1,2

■ 優秀講演賞について

優秀講演賞の選考対象となる発表には講演番号の前に△印が付記されています。