歴史的にダイヤモンドの合成は数多く試みられてきたが、実用レベルでの合成の成功は1955年Natureに発表されたGEグループの高温高圧法であろう。その後高温高圧法によって合成されたダイヤモンドは工具として使われるダイヤモンドの95％以上を占めるようになった。また高温高圧法では不純物としてホウ素をドープすることによって、p形半導体が合成され、さらには天然には存在しない新物質である立方晶窒化ホウ素が合成された。これらの結果はダイヤモンド系物質の材料としての機能化を期待させるものであったが、合成に高度な技術が要求されること、したがってコストが高いことが技術の広がりを阻むものとなっていた。
一方、化学気相成長法(CVD: Chemical Vapor Deposition)による合成の試みは、高圧環境を利用した合成法が19世紀後半に始まったのに比べ、比較的新しいもので1940年代といわれている。米国で高温高圧法と気相法の両方で合成するプロジェクトが始まり、結果的に高温高圧法が残り、GEの成功につながったようである。気相法が注目を集めたのは1980年にモスクワで開かれた結晶成長国際会議で発表されたロシアのグループの結果で、翌1981年に論文としてJ. Cryst. Growthに掲載された。その中の原子状水素の記述に注目してダイヤモンドの気相合成に成功したのが無機材質研究所のグループである。またヨーロッパや米国でも合成に取り組んでいたようでその成果はダイヤモンド状炭素膜、硬質炭素膜、アイカーボンなどと呼ばれていた。
ニューダイヤモンドという言葉が使われるようになったのは、ダイヤモンドの応用分野が主に工具であったことに対し、ニューという接頭語は、新たに機能材料として期待されてつけられたものであり、またダイヤモンドだけでなく窒化ホウ素やダイヤモンド状炭素膜、あるいはそれらに類似する性質を有するものも同様に含む意味合いがある。そのきっかけはダイヤモンドの気相合成法の開発で、それによってコーティング、大面積化、不純物の制御などが可能となり、低コスト化とともに高機能化を大いに期待させるものであった。その後20年を経て、材料「ニューダイヤモンド」は、その一部にコストや寿命など競争材料に太刀打ちできず淘汰されたものも存在するが、いまだに可能性が期待されて発展途上にあるもの、ほかの材料を凌駕して商品化され市場に出回っているもの、新規登場のものなどさまざまである。
| 年 | 業 績 | 研究者名 | 所 属 | Reference および本会誌掲載号 |
|---|---|---|---|---|
| 1955 | ダイヤモンド高圧合成成功 | F. P. Bundy | GE | Nature,176,p. 51-55（1955）,NEW DIAMOND 7,38（1987） |
| 1956 | CCl4,CBr4 を原料とする熱CVD（特許） | B. Spitsyn | 物理化学研究所（ソ） | USSR Inv. Certif.,No. 339134（1956） |
| 1957 | 立方晶窒化ホウ素の高圧合成成功 | R. H. Wentorf,Jr. | GE | J. Chem. Phys.,26,p. 956（1957）,NEW DIAMOND 7,38（1987） |
| 高圧合成ダイヤモンド商品化 | GE | NEW DIAMOND 7,38（1987） | ||
| 1958 | 炭化水素の熱分解によるダイヤモンドの合成（特許） | Eversole | カーボランダム社（米） | US Patent 3030187 and 3030188 |
| 1959 | ダイヤモンド内の窒素の分析 | W. Kaiser | Bell Tel. | Phys. Rev.,115,p. 857-863（1959） |
| ダイヤモンド内の窒素（ESR） | W. V. Smith | International Business Machine Corporation | Phys. Rev.,115,p. 1546-1552（1959） | |
| 1960 | ベルト型高圧発生装置の開発 | H. T. Hall | Rev. Sci. Instrum.,31,p. 125-131（1960） | |
| 1961 | 衝撃圧縮によるダイヤモンド合成成功 | P. S. DeCarli | Stanford Research Institute | Science,133,p. 1821（1961）,NEW DIAMOND 2,16（1986） |
| 1962 | ホウ素ドープダイヤモンドの高圧合成成功 | R. H. Wentorf,Jr. | GE | J. Chem. Phys.,36,p. 1987-1990（1962）,NEW DIAMOND 7,38（1987） |
| 半導体cBN の合成成功 | R. H. Wentorf,Jr. | GE | J. Chem. Phys.,36,1950（1962）,NEW DIAMOND 10,21（1988） | |
| 1963 | 爆発法ナノダイヤモンドの合成成功 | Nature,333,p. 440-442（1988）,NEW DIAMOND 74,7（2004） | ||
| 1967 | 炭化水素の熱分解によるダイヤモンド合成と水素による黒鉛成分の除去 | J. Angus | Case Western Researve Univ.（米） | J. Appl. Phys.,39,p. 2915（1968）13,40（1989） |
| 1971 | カラットサイズダイヤモンド単結晶の合成成功 | R. H. Wentorf,Jr. | GE | J. Phys. Chem.,75,p. 1833-1837（1971）,NEW DIAMOND 7,38（1987） |
| ダイヤモンド内のホウ素の同定 | A. T. Collins | King’s College,London | J. Phys. C,4,p. 1789（1971） | |
| Diamond-like carbon の発表（イオンビーム法） | S. Aisenberg | J. Appl. Phys.,42,p. 2953（1971） | ||
| 1972 | ダイヤモンド焼結体工具の商品化 | GE | NEW DIAMOND 7,38（1987） | |
| イオンビームによるダイヤモンド加工 | E. G. Spencer | J. Appl. Phys.,43,p. 2956（1972）,NEW DIAMOND 12,18（1989） | ||
| 1974 | 焼結ダイヤモンド・cBN 工具の開発 | L. E. Hibbs Jr. | GE | High Temperature-High Pressures,6,p. 409（1974） |
| 1976 | 直流グロー放電法によるダイヤモンド状炭素膜の作製 | D.S. Whitmell | AERE Harwell（英） | Thin Solid Films,35,p. 255（1976） |
| 高周波グロー放電法によるダイヤモンド状炭素膜の作製 | L. Holland | Univ. Sussex（英） | Thin Solid Films,38,p. L17（1976） | |
| ダイヤモンド中のp 形ドーパントの同定 | E. C. Lightowlers | King’s College,London | Diamond Research Suppl.14（1976） | |
| 1977 | ダイヤモンド内の窒素の凝集の観察 | R.M.Chrenko | GE | Nature,270,p. 141-144（1977） |
| 1979 | オーストラリアダイヤモンド鉱山パイプ発見 | ダイヤモンド展図録（2000） | ||
| ダイヤモンドの負の電子親和力の発見 | E. J. Himpsel | IBM（米） | Phys. Rev. B,20,p. 624（1979） | |
| 1980 | ダイヤモンドの異質基板上での薄膜，単結晶の合成 | B. Spitsyn | 物理化学研究所（ソ） | J. Cryst. Growth,52,p. 219（1981）,NEW DIAMOND 14,44（1989） |
| ダイヤモンドのバイポーラ動作確認 | J. F. Prins | Univ. Witwatersrand | Appl. Phys. Lett.,41,p. 950（1982） | |
| 1981 | 熱フィラメント法によるダイヤモンド合成 | 松本精一郎 | 無機材質研究所 | Jpn. J. Appl. Phys.,21,p. L183（1982）,NEW DIAMOND 14,44（1989） |
| 1982 | マイクロ波プラズマ法によるダイヤモンド合成 | 加茂睦和 | 無機材質研究所 | J. Cryst. Growth,62,p. 642（1983）,NEW DIAMOND 14,44（1989） |
| イオンプレーティング法によるダイヤモンド状炭素膜の作製 | C. Weissmantel | Thin Solid Films,96,p. 31（1982） | ||
| マグネトロンスパッタ法によるダイヤモンド状炭素膜の作製 | S. Craig | Univ. Sydney（豪） | Thin Solid Films,97,p. 345（1982） | |
| 焼結ダイヤモンドアンビルを使った高圧発生 | 遠藤将一 | 大阪大学 | J. Jpn. Association of Mineralogists,Petrologists Economic Geologists（Special Issue 3）,p. 341（1982）,NEW DIAMOND 6,16（1987） | |
| 1983 | ダイヤモンドの電気化学電極への応用 | 岩木正哉 | 理化学研究所 | Necl. Instrum. Methods phys. res.,209,p. 1129819839 |
| 1984 | 3 万トンプレスの製作 | 無機材質研究所 | NEW DIAMOND 1,8（1985） | |
| 1985 | RF プラズマ法によるダイヤモンド合成 | 松本精一郎 | 無機材質研究所 | J. Mater. Sci. Lett.,4,p. 600（1985）,NEW DIAMOND 14,44（1989） |
| 熱フィラメントCVD 法における正バイアス効果 | 澤邊厚仁 | 青山学院大学 | Appl. Phys. Lett.,46,p. 146（1985）,NEW DIAMOND 14,44（1989） | |
| カラットサイズダイヤモンド単結晶商品化 | 住友電気工業 | NEW DIAMOND 16,16（1990） | ||
| 超高圧単結晶のヒートシンク発売 | 住友電気工業 | 住友電気，129,p. 99（1986） | ||
| ダイヤモンドのドライエッチング | N. N. Efremow | MIT | J. Vac. Sci. Technol. B,3,p. 416（1985）,NEW DIAMOND 62,15（2001） | |
| 1986 | 高圧合成ダイヤモンドアンビルを使った高圧発生 | 小野寺昭史 | 大阪大学 | Science,232,p. 1419（1986）,NEW DIAMOND 9,10（1988） |
| ダイヤモンド被覆タングステンチップ工具の開発 | 奥住文徳 | 旭ダイヤモンド工業 | NEW DIAMOND 5,32（1987） | |
| ダイヤモンド被覆焼結ダイヤモンド工具の開発 | 吉川昌範 | 東京工業大学 | 精密工学会誌,55,p. 1645（1989）,NEW DIAMOND 6,32（1987） | |
| ダイヤモンド被覆超硬合金工具の商品化 | 菊池則文 | 三菱金属 | Mater. Sci. Eng.,A105/106,p. 525（1988）,NEW DIAMOND 7,26（1987） | |
| ダイヤモンドコーティング超硬合金工具の開発 | 池ヶ谷明彦 | 住友電気工業 | 粉体および粉末冶金，34，p. 411（1987） | |
| 1987 | 直流プラズマ法によるダイヤモンド合成 | 鈴木一博 | 青山学院大学 | Appl. Phys. Lett.,50,p. 728（1987）,NEW DIAMOND 14,44（1989） |
| ECR マイクロ波プラズマ法によるダイヤモンド合成 | 川原田洋 | 大阪大学 | Jpn. J. Appl. Phys.,26,p. L1032（1987）,NEW DIAMOND 29,32（1993） | |
| cBN のpn 接合作製に成功 | 三島 修 | 無機材質研究所 | Science,238,p. 181（1987）,NEW DIAMOND 10,21（1988） | |
| 金属添加ダイヤモンド状炭素膜（Me:DLC）の作製 | H. Dimigen | Philips | Appl. Phys. Lett.,50,p. 1056（1987） | |
| ダイヤモンドおよびダイヤモンド状炭素膜コーティング振動板の開発 | 藤森直治 | 住友電気工業 | NEW DIAMOND 5,20（1987） | |
| ダイヤモンド状炭素膜のビデオ用蒸着テープ保護膜への適用 | 黒川英雄 | 松下電器産業 | IEEE Trans. Magnetics,MAG-23,5,p. 2410（1987）,NEW DIAMOND 11,14（1988） | |
| ダイヤモンドポイントコンタクトトランジスタの試作 | M. W. Geis | MIT | IEEE Elect. Dev. Lett.,EDL 8-341（1987） | |
| ダイヤモンド状炭素膜コーティング振動板の開発 | 藤森直治 | 住友電気工業 | NEW DIAMOND 5,20（1987） | |
| ダイヤモンド状炭素膜のビデオ用蒸着テープ保護膜への適用 | 黒川英雄 | 松下電器産業 | IEEE Trans. Magnetics,MAG-23,5,p. 2410（1987）,NEW DIAMOND 11,14（1988） | |
| 1988 | 燃焼炎法によるダイヤモンド合成 | 広瀬洋一 | 日本工業大学 | Proc. 1st Int.Symp. Diamond and Diamond-like Films,Electrochem. Soc.,p. 80（1989）,NEW DIAMOND 10,34（1988） |
| CVD ダイヤモンド自立膜ろう付け工具の開発 | 奥住文徳 | 旭ダイヤモンド工業 | Proc. Superabrasive’91,15,p. 1-14（1991）,NEW DIAMOND 9,34（1988） | |
| 13C ダイヤモンドの欠陥評価 | A. T. Collins | King’s College,London | J. Phys. C Solid State Phys.,21,p. 1363（1988） | |
| X 線用ダイヤモンド窓の開発 | K. V. Ravi | Crystallume | Proc. 1st Conference on Science and Technology of New Diamond,p. 29（1988） | |
| ダイヤモンドサーミスタの開発 | 中幡英章 | 住友電気工業 | 1st Int’l Conf.New Diamond and Technol.（1988） | |
| 1989 | CVD ダイヤモンドで励起子発光の観察 | A. Collins | King’s College,London（英） | J. Phys. Condens. Matter,1,p. 4029（1989）,NEW DIAMOND 18,2（1990） |
| 超硬質C3N4 の予言 | A. Y. Liu | UC Berkeley | Science,245,p. 84-842 47,4（1997） | |
| H パッシベーションでダイヤモンドの電気抵抗変化観測 | M. I. Landstrass | Crystallume | Appl. Phys. Lett.,55,p. 1391（1989） | |
| ダイヤモンドFET（電界効果トランジスタ）の研究開発 | 塩見 弘 | 住友電気工業 | Jpn. J. Appl. Phys.,28,p. L2153（1989） | |
| ダイヤモンド膜の塑性加工用型への応用 | 村川正夫 | 日本工業大学 | Surf. Coat. Technol.,36,p. 303（1988）,NEW DIAMOND 15,42（1989） | |
| 熱化学反応を利用したダイヤモンド膜の研磨 | 吉川昌範 | 東京工業大学 | 精密工学会誌,55,p. 77（1989）11,18（1988） | |
| 1990 | マイクロ波熱プラズマ法によるダイヤモンド合成 | 光田好孝 | 東京大学 | Proc. 1st Conference on Science and Technology of New Diamond,p. 65（1988） |
| ベルジャー型マイクロ波プラズマ法によるダイヤモンド合成 | P. Bachmann | Pennsilvania State Univ.（米） | ||
| cBN 上でのヘテロエピタキシャル成長 | 小泉 聡 | 青山学院大学 | Appl. Phys. Lett.,57,p. 563（1990）,NEW DIAMOND 34,8（1994） | |
| 同位体高純度ダイヤモンドの高熱伝導の観測 | T,R. Anthony | GE | Phys. Rev. B,42,p. 1104（1990） | |
| ダイヤモンド単体振動板の開発 | 田辺敬一郎 | 住友電気工業 | NEW DIAMOND 19,26（1990） | |
| パルスYAG レーザによるダイヤモンド薄膜の切断・平坦化 | 吉川昌範 | 東京工業大学 | 精密工学会誌,56,p. 2017（1990） | |
| 最大サイズダイヤモンド（34 ct）合成 | DeBeers | NEW DIAMOND 52,2（1999） | ||
| ダイヤモンド高圧合成用非金属触媒発見 | 赤石 實 | 無機材質研究所 | J. Cryst. Growth,104,p. 578-581（1990）,NEW DIAMOND 19,24（1990） | |
| 変成岩からのダイヤモンドの発見 | N. Sobolev | Russia | Nauture,343,p. 742-746（1990） | |
| CVD ダイヤモンドヒートシンクの商品化 | 田辺敬一郎 | 住友電気工業 | Private communication | |
| ダイヤモンド単体振動板の開発 | 田辺敬一郎 | 住友電気工業 | NEW DIAMOND 19,26（1990） | |
| ハードディスクへのダイヤモンド状炭素保護膜の適用 | 正畑伸明 | 日本電気 | NEW DIAMOND 16,18（1990） | |
| 1991 | バイアス法によるダイヤモンド核形成 | 湯郷成美 | 電気通信大学 | Appl. Phys. Lett.,58,p. 1036（1991）,NEW DIAMOND 36,9（1995） |
| STM による（1 0 0）表面上の2×1 構造の観察 | 築野 学 | 住友電気工業 | ||
| 気相合成ダイヤモンド粉・砥粒の試作 | 吉川昌範 | 東京工業大学 | 精密工学会誌，58，p. 277（1992）,NEW DIAMOND 20,38（1991） | |
| CVD ダイヤモンドTAB ツールの開発 | 奥住文徳 | 旭ダイヤモンド工業 | Proc. Superabrasive’91,15,p. 1-14（1991）,NEW DIAMOND 23,39（1991） | |
| ダイヤモンド表面伝導層の発見 | 中幡英章 | 住友電気工業 | 2nd Symp. Diamond Mat.,p. 481（1991） | |
| 眼内レンズへのDLC コーティングの応用 | 細谷比左志 | 大阪大学 | NEW DIAMOND 22,21（1991） | |
| キャプスタンへのDLC コーティング実用化 | 中上祐一 | 松下電器産業 | Thin Solid Films,212,p. 240（1992）,NEW DIAMOND 23,34（1991） | |
| ダイヤモンドpn ダイオードの順方向バイアス時電子放出観測 | M. W. Geis | MIT | IEEE EDL,12,p. 456（1991） | |
| 多結晶ダイヤモンド膜を使ったSAW フィルタ開発 | 鹿田真一 | 住友電気工業 | Diam. Relat. Mater.,2,p. 1197（1993） | |
| 1992 | Si 上でのダイヤモンドのへテロエピタキシャル成長 | B.R.Stoner | North Carolina State Univ. | Appl. Phys. Lett.,60,p. 698（1992） |
| 表面弾性波フィルタへの気相合成ダイヤモンド膜の適用 | 中幡英章 | 住友電気工業 | IEEE Ultrasonics Conf. Proc.,377（1992）,NEW DIAMOND 26,38（1992） | |
| 多結晶ダイヤモンドを使ったMISFET の試作 | 宮田浩一 | 神戸製鋼所 | Appl. Phys. Lett.,60,p. 480（1992）,NEW DIAMOND 24,41（1992） | |
| ダイヤモンド被覆切削ドリルの開発 | 神田一隆 | 不二越 | NEW DIAMOND 27,34（1992） | |
| 1993 電子デバイス用CVD ダイヤモンドの製品化 | G. Lu | Norton | 2nd Int. Conf. Appl. Diam. Films and Relat. Mater.,p. 269（1993） | |
| ダイヤモンド高圧合成用リン触媒の発見 | 赤石 實 | 無機材質研究所 | Science,259,p. 1592（ 1993） | |
| 固定砥粒ワイヤソーの試作 | 諏訪部仁 | 金沢工業大学 | 精密工学会誌,59,p. 939（1993）,NEW DIAMOND 54,34（1999） | |
| 1994 | SiC 上でのダイヤモンドのヘテロエピタキシャル成長 | 川原田洋 | 早稲田大学 | Appl. Phys. Lett.,66,p. 583（1995） |
| 気相合成ダイヤモンド自立膜超精密切削バイトの試作 | 吉川昌範 | 東京工業大学 | 精密工学会誌，60，p. 1654（1994） | |
| ダイヤモンド表面伝導層を使ったFET の開発 | 川原田洋 | 早稲田大学 | Appl. Phys. Lett.,65,p. 1563（1994）,NEW DIAMOND 45,24（1997） | |
| 耐熱性ダイヤモンド焼結体の開発 | 赤石 實 | 無機材質研究所 | 第35 回高圧討論会要旨集31,20（1993） | |
| Ⅱ型大型ダイヤモンドの商品化 | 角谷 均 | 住友電気工業 | Diam. Relat. Mater.,5,p. 1359-1365（1996）,NEW DIAMOND 58,16（2000） | |
| ダイヤモンド状炭素膜のPET ボトルへの応用（特許） | キリンビール | |||
| ダイヤモンド状炭素膜のカメラのO-リングへの応用 | オリンパス | |||
| ダイヤモンド状炭素膜を用いた温水混合栓の開発 | 桑山健太 | TOTO | NEW DIAMOND 42,20（1996） | |
| ダイヤモンド状炭素膜を用いたおさ羽の開発 | シチズン | NEW DIAMOND 48,19（1998） | ||
| ダイヤモンド状炭素膜の時計の保護膜への応用 | シチズン | NEW DIAMOND 8,19（1988） | ||
| 1995 | ダイヤモンドのPt 上でのヘテロエピタキシャル成長 | 新谷義廣 | 徳島大学 | Diam. Relat. Mater.,6,p. 266（1997）, NEW DIAMOND 41,22（1996） |
| CVD ダイヤモンドスクラッチ試験圧子の試作 | 竹内貞雄 | 日本工業大学 | 精密工学会誌，61，p. 142（1995）,NEW DIAMOND 37,27（1995） | |
| ダイヤモンドを用いた圧力センサの試作 | M. Werner | TU Berlin | Diam. Relat. Mater.,4,p. 873（1995） | |
| ダイヤモンドを用いたガスセンサの試作 | W. P. Kang | Vanderbilt Univ. | Sensors and Actuators,B24,p. 421（1995） | |
| ダイヤモンド内のシリコンの同定 | C. D. Clark | Univ. Reading | Phys. Rev. B,51,p. 1668（1995） | |
| VTR シリンダ，有機感光体ドラムへのDLC 膜の適用 | 黒川英雄 | 松下電器産業 | 電気学会研資，MC-95-1（1995） | |
| ダイヤモンドp＋ -i-p＋構造FET の試作 | 横田嘉弘 | 神戸製鋼所 | IEEE Trans. Electron Devices,42,p. 2010（1995） | |
| 1996 | ダイヤモンドのIr 基板上でのヘテロエピタキシャル成長 | 大塚一樹 | 青山学院大学 | Jpn. J. Appl. Phys.,35,p. L1072（1996）,NEW DIAMOND 44, 20（1997） |
| クラスタイオンビームによるダイヤモンド膜の平坦化 | 山田 公 | 京都大学 | Nucl. Inst. Meth. Phys. Res.,Section B 112,p. 248（1996）,NEW DIAMOND 40,16（1996） | |
| 3 インチ多結晶ダイヤモンドウェハの開発 | 藤井 知 | 住友電気工業 | IEEE Ultrasonics Symp. Proc.,183（1997）,NEW DIAMOND 53,28（1999） | |
| 窒素添加多結晶ダイヤモンドからの電子放出観測 | 岡野 健 | 高知工科大学 | Nature,381，p. 140（1996）,NEW DIAMOND 43,22（1996） | |
| タングステンカーバイド･アモルファス炭素膜積層コーティングの高負荷部品への適用 | 浜田正樹 | 機械設計，40,p. 4（1996）,NEW DIAMOND 66,43（2002） | ||
| ダイヤモンド紫外線検出器の試作 | M. D. Whitfi eld | Univ. College,London | Appl. Phys. Lett.,68,p. 290（1996） | |
| ダイヤモンドの深紫外線センサへの応用 | R. D. Mokeag | Univ. College,London | Appl. Phys. Lett.,67,p. 2117（1995） | |
| リンをドープしたn 形ダイヤモンド半導体の合成 | 小泉 聡 | 無機材質研究所 | Appl. Phys. Lett.,71,p. 1065（1997）,NEW DIAMOND 47,26（1997） | |
| 1997 | アンテナ型マイクロ波プラズマ法によるダイヤモンド合成 | 谷山記一 | 早稲田大学，ミクロ電子 | Jpn. J. Appl. Phys.,40,p. L698（2001） |
| ダイヤモンドの高品質ホモエピタキシャル成長 | 竹内大輔 | 電子技術総合研究所 | Diam. Films Technol.,7,p. 277（1997）,NEW DIAMOND 52,7（1999） | |
| ダイヤモンド被覆切削チップの開発 | 福井治世 | 住友電気工業 | NEW DIAMOND 65,30（2002） | |
| CVD ダイヤモンド光学部品の発売 | GE | Private communication | ||
| 1998 | ダイヤモンド膜のジャイロトロン用出力窓への応用 | 今井 剛 | 日本原子力研究所 | Rev. Sci. Instrum.,69,p. 2160（1998）,NEW DIAMOND 52,26（1999） |
| カナダダイヤモンド鉱山の発見 | ダイヤモンド展図録（2000） | |||
| ガイドブッシュ，繊維機械おさ羽，ゴルフヘッドへのダイヤモンド状炭素膜の応用 | 杉山 修 | シチズン | NEW DIAMOND 48,19（1998） | |
| ホウ素ドープダイヤモンドの電気分解電極としての実用化 | 栄長泰明 | 東京大学 | J. Electrochem. Soc.,145,1870（1998）,NEW DIAMOND 57,18（2002） | |
| 光通信用ダイヤモンドSAW フィルタ製品化 | 中幡英章 | 住友電気工業 | Jpn. J. Appl. Phys.,5B,p. 2918（1998）,NEW DIAMOND 49,22（1998） | |
| ダイヤモンド深紫外非線形励起子発光効果の観測 | 渡邊幸志 | 電子技術総合研究所 | Appl. Phys. Lett.,73,p. 981（1998）,NEW DIAMOND 62,22（2001） | |
| 高圧合成単結晶ダイヤモンドバイトの試作 | 小畠一志 | 大阪ダイヤモンド工業 | 1998 年度精密工学会秋季大会講演論文集,p. 261（1998）,NEW DIAMOND 51,28（1998） | |
| ケミカルメカニカルポリシング用ダイヤモンド工具の開発 | 原 知義 | 旭ダイヤモンド工業 | 砥粒加工学会誌,42,p. 168（1998）,NEW DIAMOND 50,18（1998） | |
| B ドープダイヤモンドでの高移動度観測 | 山中貞則 | 電子技術総合研究所 | Jpn. J. Appl. Phys.,37,p. L109（1998） | |
| 1999 | 多結晶ダイヤモンド膜を使ったDNA チップの作成 | 高橋浩一郎 | 広島国際大学 | 第58 回日本癌学会総会記事 P.314（1999），BIO INDUSTRY,17,6,p.44（2000）,NEW DIAMOND 71,7（2003） |
| ダイヤモンド大面積ホモエピタキシャル成長基板の合成 | 住友電気工業 | Proc. ADC/FCT'99 p. 71（1999）,NEW DIAMOND 56,16（2000） | ||
| ダイヤモンド膜のマイクロマシニング | 柴田隆行 | 北海道大学 | Proc. SPIE,3680,Symp. Design,Test,and Microfabrication on MEMS and MOEMS,1125（1999）,NEW DIAMOND 57,24（2000） | |
| 茶色天然ダイヤモンドの高品質化処理の開発 | GE | Diam. Relat. Mater.,9,p. 113-122（2000） | ||
| バインダレスcBN 焼結体の開発 | 角谷 均 | 住友電気工業 | ASME 1999,Manufacturing Sci. Eng.,MED,10,p. 759（1999）,NEW DIAMOND 66,24（2002） | |
| ガラスモールドへのダイヤモンド状炭素膜コーティング | 宇野 賢 | HOYA | オプティクス52,14（1999） | |
| 2000 | ダイヤモンドのエキシトン発光の非線形効果 | 渡邊幸志 | 電子技術総合研究所 | Jpn. J. Appl. Phys.,39,p. L835（2000）,NEW DIAMOND 62,22（2001） |
| sp3-sp2-H の三元状態図の発表 | A.C. Ferrari | Univ. Cambridge（英） | Phys. Rev. B,61,p. 14095（2000） | |
| ペースメーカリード，ステントへのダイヤモンド状炭素膜コーティング | 木村加奈子 | 聖マリアンナ医科大学 | 人工臓器，29,p. 127（2000）,NEW DIAMOND 63,30（2001） | |
| 集束イオンビームを用いたアモルファス炭素立体ナノ構造の形成 | 松井真二 | 姫路工業大学 | J. Vac. Sci. Tech.. B,18,p. 3168（2000）,NEW DIAMOND 65,24（2002） | |
| ダイヤモンドのAFM プローブへの応用 | 柴田隆行 | 北海道大学 | Symp. Design,Test Maicrofab. MEMS and MOEMS,SPIE 3680,p. 1125-1999 | |
| ダイヤモンドMEMS マイクログリッパ試作 | 柴田隆行 | 北海道大学 | IEEE J. MEMS,9,47（2000）,NEW DIAMOND 57,24（2000） | |
| ダイヤモンドと金属の常温接合 | 須賀唯知 | 東京大学 | NEW DIAMOND 56,18（2000） | |
| 2001 | CVD ダイヤモンドドレッサの開発 | 相川博勝 | 旭ダイヤモンド工業 | NEW DIAMOND 61,26（2001） |
| ダイヤモンドを使ったDNA を合成するマイクロシステムの試作 | M. Adamschik | Univ. Ulm | Diam. Relat. Mater.,10,p. 722（2001） | |
| ダイヤモンドを使ったDNA を合成するマイクロシステムの試作 | E. Kohn | Univ. Ulm | Diam. Relar. Mater.,10,p. 1684（2001） | |
| SAW デバイス新製品展開多数（無線通信，共振器など） | 鹿田真一 | 住友電気工業 | NDFCT,15,p. 349（2005） | |
| 電解質溶液ゲートFET の試作 | 川原田洋 | 早稲田大学 | Phys. Status Solidi A,185,p. 79（2001） | |
| ダイヤモンドマイクロシステムによるヘモグロビンなどの生体分子の分離検出 | H. Bjoerkman | Uppsala Univ. | Sensors and Actuators,B79,p. 71（2001） | |
| ダイヤモンド高周波動作確認 | 谷内寛直 | 早稲田大学 | IEEE Elec.Dev. Lett.,22,p. 391-393（2001） | |
| 2002 | ダイヤモンドpn 接合の作製 | 小泉 聡 | 物質・材料研究機構 | Diam. Relat. Mater.,11,p. 307（2002） |
| ダイヤモンド状炭素膜コーティング切削チップの開発 | 福井治世 | 住友電気工業 | NEW DIAMOND 65,30（2002） | |
| ダイヤモンドを使って最大発振周波数 fmax＝30 GHz 観測 | A. Aleksov | Univ. Ulm | Dev. Lett.,23,488（2002） | |
| ダイヤモンドを使った単電子トランジスタ動作確認 | 立木 実 | 早稲田大学 | Appl. Phys. Lett.,81,p. 2854-2856（2002） | |
| 2003 | バインダレスダイヤモンド多結晶体の高圧合成 | 入舩徹男 | 愛媛大学 | Nature,421,p. 599（2003）,NEW DIAMOND 69,28（2003） |
| ダイヤモンド電極を使った電気分解による汚水処理装置 | CONDIAS | The Elctrochem. Soc.,Spring 40（2003） | ||
| 2004 | 気相法によるダイヤモンド超伝導体の合成 | 高野義彦 | 早稲田大学，物質・材料研究機構 | Appl. Phys. Lett.,85,p. 2851（2004）,NEW DIAMOND 76,26（2005） |
| ダイヤモンドFET による酵素（バイオ）センサの試作 | K-S. Song | 早稲田大学 | Jpn. J. Appl. Phys.,43,p. L814-L817（2004） | |
| 超伝導ダイヤモンドの高圧合成に成功 | E. A. Ekimov | Russia | Nature,428,p. 542-545（2004） | |
| 高品質hBN 単結晶の合成に成功 | 谷口 尚 | 物質材料研究機構 | Nature,Mater.,3,p. 404（2004）,NEW DIAMOND 75,34（2004） | |
| ダイヤモンド（1 0 0）面でn 形半導体の合成 | 加藤宙光 | 産業技術総合研究所 | Appl. Phys. Lett.,86,p. 222111（2005） | |
| ダイヤモンドpn 接合で紫外線発光を確認 | 堀内賢治 | 東京ガス | 第63 回応用物理学会，p. 501（2002）,NEW DIAMOND 72,6（2004） | |
| ダイヤモンドFET による酵素（バイオ）センサの試作 | K. S. Song | 早稲田大学 | Jpn. J. Appl. Phys.,43,p. L814-L817（2004） | |
| メタルダイヤコンポジットヒートシンク材料 | 吉田克也 | 住友電気工業 | Microelectron. Reliab.,44,p. 303（2004） | |
| 2005 | ダイヤモンド（1 0 0）面でのn 形半導体の合成 | 加藤宙光 | 産業技術総合研究所 | Appl. Phys. Lett.,86,p. 222111（2005） |
| ダイヤモンドの1 インチへテロエピタキシャル成長 | 前田真太郎 | 青山学院大学 | 第19 回ダイヤモンドシンポジウム講演要旨集，p. 50（2005）,NEW DIAMOND 82,20（2006） | |
| 高配向ダイヤモンド膜を使った紫外線センサの開発 | 林 和志 | 神戸製鋼所 | Jpn. J. Appl. Phys.,44,p. 7301（2005）,NEW DIAMOND 81,32（2006） | |
| ロータリーエンジンコーナシールへのダイヤモンド状炭素膜応用 | 中谷達行 | トーヨーエイテック | NEW DIAMOND 79,36（2005） | |
| ダイヤモンド高周波FET の高パワー動作 | 嘉数 誠 | NTT | Elect. Lett.,41,p. 1249-1250（2005） | |
| パワーデバイス検討 | S. J. Rashid | Univ. Cambridge | IEEE Int’1 Symp. Power Semiconductor Devices,Proc.,315（2005） | |
| 高圧合成Ⅱa ダイヤモンド圧子の開発 | 角谷 均 | 住友電気工業 | Rev. Sci.,Instrum.,76 ,p. 026112（2005）,NEW DIAMOND 77,24（2005） |