ダイヤモンドシンポジウム講演プログラム（第３回） |
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第３回 ダイヤモンドシンポジウム講演プログラム |
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日 時：平成元年１１月３０日（木），１２月１日（金） 会 場：野口英世記念会館 第１日［１１月３０日（木）］◇９：００～１２：００ 座長 福長 脩（東京工業大学） 101 気相合成ダイヤモンドのカソードルミネッセンス （無機材研，King's College London*） ○加茂睦和，佐藤洋一郎，A. T. Collins* ・・・・・ 1 102 カソードルミネッセンスによるＣＶＤダイヤモンドの評価 （大阪ダイヤモンド工業（株））○西村一仁，冨森 紘 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・3 103 ＣＶＤダイヤモンドのTEM観察 （三菱金属（株）中央研究所）○菊池則文，大沢雄三，玉生良孝 ・・・・・・・・・・・・・5
◇座長 小橋宏司（神戸製鋼所） 104 熱フィラメント法によるダイヤモンド薄膜の特性 （日本電気（株）基礎研究所）○馬場和宏，相川由実，正畑伸明 ・・・・・・・・・・・・・ 7 105 ボロンドープダイヤモンド薄膜のキャリア濃度の評価 （東海大工）○清田英夫，岡野 健，秋葉幸男，黒須楯生，飯田昌盛，中村輝太郎 ・・・・・ 9 106 合成ダイヤモンド薄膜の半導体特性 （出光石油化学㈱）○風早富雄，明田川正敏，勝又 聡 ・・・・・・・・・・・・・・・・・ 11
◇座長 小林健二（東京電機大学） 107 ダイヤモンド薄膜への金属点接触 （神戸製鋼所・電子技術研究所）○松居祐一，宮田浩一，熊谷和夫，宮内重明，小橋宏司，中上明光 ・・・・・・・・・・・・・ 13 108 ｃＢＮの新型合成装置の開発 （長岡技術科学大）○斎藤秀俊，一ノ瀬幸雄 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・15 109 平行磁界中において熱陰極放電を用いるｃ－ＢＮ薄膜の形成方法 （日本工大）村川正夫，○渡部修一，杉本安次郎 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・17
◇１２：００～１３：００ ［昼休み］
◇１３：００～１５：００ 座長 菊池則文（三菱金属㈱） 110 レーザ誘起放露ＰＶＤ法による硬質炭素膜の形成 （新日鐵，電総研*）○小椋茂樹，峰田進栄*，安永暢男，山田昭政*，柴田 肇* ・・・・19 111 高周波プラズマによる硬質炭素膜の作製とプラズマ分析 （東京電機大）○小林健二，井上信一，六倉信喜，町 好雄 ・・・・・・・・・・・・・・・21 112 イオンピーム蒸着法によるダイヤモンド状炭素膜の構造と物性 （新日鐵・第一技研）○岡田守弘，田中幸基，河野 巧，佐藤真樹，藤本研一 ・・・・・・・23
◇座長 赤石 實（無機材研） 113 衝撃圧縮によるダイヤモンドの反応焼結 （東工大，ノースカロライナ州立大*，住友石炭工業㈱**）○平林英明，国重博史，田村英樹，沢岡 昭， ホリエヤスユキ*，明石 保** ・・・・・・・・・ 25 114 ナノ粒子ダイヤモンド焼結体の衝撃焼結機構 （東工大）○近藤建一，沢井澄一 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 27 115 ダイヤモンドの衝撃焼結体の粒界 （東工大）○沢井澄一，近藤建一 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 29
◇１５：００～１５：２０ ［休 憩］
◇１５：２０～１８：２０ 座長 近藤建一（東京工業大学） 116 タングステンを助剤としてスパッタリング法と混合法により添加したダイヤモンドの焼結 （名工試）○粂 正市，吉田晴男 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 31 117 アルミナを助剤としたダイヤモンドのＨＩＰ焼結 （名工試）○粂 正市，吉田晴男 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 33 118 黒鉛及びダイヤモンドの25ＧＰａまでの圧縮と融解挙動 （大阪大）○都賀谷素宏 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 35
◇座長 山岡信夫（無機材研） 119 ＰＳＺを助剤としたｃＢＮの用Ｐ焼結 （名工試）○吉田晴男，粂 正市 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 37 120 アルミナを助剤としたｃＢＮのＨｌＰ焼結 （名工試）○吉田晴男，粂 正市 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 39 121 アモルファスコンポジットの結晶化による立方晶ＢＮ基焼結 （阪大，古河電工*，日本重化**，東北大***）○小野寺昭史，吉原治之，中江博之*，松波幸男**，平井敏雄*** ・・・・・・・・・・・・・・41
◇座長 小寿寺昭史 122 直接変換による透光性ｃＢＮ焼結体の合成 （無機材研）○赤石 實，佐藤忠夫，大沢俊一，山岡信夫 ・・・・・・・・・・・・・・・・ 43 123 温度差法によるｃＢＮ単結晶の育成 （東芝タンガロイ，無機材研*）○清 晴彦，赤石 實*，神田久夫*，大沢俊一*，山岡信夫* ・・・・・・・・・・・・・・・ 45 124 ｃＢＮ合成の諸問題 （東工大）○福長 脩 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 47
◇懇親会 １８：３０～２０：００ 第２日 ［１２月１日（金）］◇９：００～１２：００ 座長 佐藤洋一郎（無機材研） 201 人工ダイヤモンド単結晶のカソードルミネッセンス （無機材研）○神田久生，大沢俊一，山岡信夫 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 49 202 ダイヤモンドのＨ２及びＨ３センターのフォトクロミズム （阪大基礎工）○美田佳三，西田良男，水渡嘉一，小野寺昭史 ・・・・・・・・・・・・・・ 51 203 合成ダイヤモンドのカラーセンターとホールバーニング効果 （阪大基礎工，住友電工㈱*）○西田良男，三原敏行，矢津修示* ・・・・・・・・・・・・ 53
◇座長 神田久生 204 Ｉｂ型合成ダイヤモンドの力ラーセンターにおけるレーザーの可能性 （阪大基礎工，住友電工㈱*）○奥田真介，西田良男，矢津修示* ・・・・・・・・・・・ 55 205 合成ダイヤモンドを用いたカラーセンターレーザー （住友電工㈱）○中島 猛，佐藤周一，辻 一夫，矢津修示 ・・・・・・・・・・・・・・・ 57 206 ダイヤモンド砥石によるダイヤモンドの研削加工 （東大生研，理化学研究所*）○大森 整，中川威雄*，・・・・・・・・・・・・・・・・・ 59
◇座長 矢津修示（住友電工（株）） 207 マイクロ波プラズマ法による6インチシリコンウェハ上へのダイヤモンド膜の合成 （新日本無線（株））高村文雄，大竹公平 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・61 208 マイクロ波放電によるダイヤモンド膜の大面積化 （電気興業（株））○石堀宏一，大平義和 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・63 209 ＥＣＲ条件を利用した低圧，低温下でのダイヤモンド薄膜の合成 （阪大工，島津製作所（株）*）○魏 津，川原田洋，柳生博之，鈴木準一，平木昭夫* ・・・・・・・・・・・・・65
◇１２：００～１３：００［昼休み］
◇１３：００～１５：００ 座長 犬塚直夫（青山学院大） 210 トーチ走査モードを用いたガス燃焼法によるダイヤモンドコーティング （日本工大）村川正夫，○竹内貞雄，広瀬洋一，村上雄二 ・・・・・・・・・・・・・・・・ 67 211 メタンの熱分分解を抑制したダイヤモンドのＣＶＤ （東工大）○相京浩幸，近藤建一 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 69 212 ダイヤモンド膜の形成におよぼす基板前処理，基板電位印加の影響 （㈱東芝）鎌田真人，荒井真次，澤邊厚仁 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 71
◇座長 吉川昌範（東京工業大学） 213 プラズマＣＶＤにおけるダイヤモンド核発生の間題点 （電気通信大）湯郷成美，武藤敏之，和泉 亮，金井 尚，木村忠正 ・・・・・・・・・・・ 73 214 ｃ－ＢＮ表面へのダイヤモンドのエピタキシャル成長 （㈲協栄プラスチック工芸社*，青山学院大）○鈴木一博*，村上智子，小泉 聡，犬塚直夫 ・・・・・・・・・・・・75 215 ダイヤ薄膜の選択成長 （神戸製鋼所）熊谷和夫，宮田浩一，井上隆善，立花弘之，○小橋宏司，中上明光 ・・・・・ 77
◇１５：００～１５：２０ ［休 憩］
◇１５：２０～１７：４０ 座長 湯郷成美（電気通信大学） 216 ダイヤモンドの選択析出 （（株）豊田中研）○樋口和夫，野田正治 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・79 217 核形成の位置制御によるダイヤモンドの選択的な成長 （阪大工，キャノン*）○馬 京昇，川原田洋，米原隆夫*，平木昭夫 ・・・・・・・・・・ 81 218 ダイヤモンド被覆切削工具の評価 （東工大）○渡邊政嘉，吉川昌範 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 83
◇座長 加茂睦和（無機材研） 219 ＹＡＧレーザ照射によるダイヤモンド薄板の切断 （東工大）○手塚信一，吉川昌範 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 85 220 ダイヤモンド薄板のロールミル （東工大）大竹尚登，吉川昌範 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 87 221 気相合成ダイヤモンド半導体／金属界面のショットキーダイオード特性 （阪大工）富山明俊，森 勇介，横田嘉宏，川原田洋，平木昭夫 ・・・・・・・・・・・・・ 89 222 エピタキシャル膜を用いたダイヤモンドデバイス （住友電工（株））塩見 弘，西林良樹，藤森直治・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・91 |
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