ダイヤモンドシンポジウム講演プログラム（第７回） |
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第７回 ダイヤモンドシンポジウム講演プログラム |
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日 時：平成５年１１月２９日（月），３０日（火） 会 場：神戸国際会議場 第１日（１１月２８日） 神戸国際会議場 ３０１国際会議室◇９：００～１２：００ 鹿田真一（住友電工） 101 ＣＬ測定による高純度ＣＶＤダイヤモンドヘのボロンドーブ効果 ・・・・・・・・・・・・・ 4 102 ＣＶＤダイヤモンドの電気特性 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 6 103 ダイヤモンドの表面フェルミ準位 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 8 104 ＣＶＤダイヤモンド水素終端表面のショットキーダイオード特性 ・・・・・・・・・・・・・ 10
◇コーヒブレイク １０：２０～１０：４０
◇座長 杉野 隆（阪大・工） 105 ダイヤ／ｃ－ＢＮヘテロ接合ダイオード ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 14 106 多結晶ダイヤモンド薄膜ＦＥＴにおけるドレイン電流のカットオフの観測 ・・・・・・・・・ 16 107 種結晶法によるダイヤモンドの選択形成法とその電界放出特性１）・・・・・・・・・・・・・ 18 108 ＺｎＯ／ダイヤモンド／Ｓｉ構造の高周波ＳＡＷフィルター ・・・・・・・・・・・・・・・ 20
◇昼食 １２：００～１３：００
◇座長 安藤寿浩（無機材研） 109 ダイヤモンド（００１）シングルドメイン２×１表面の形成 ・・・・・・・・・・・・・・・ 24 110 ＣＶＤダイヤモンド（００１）２×１面の構造 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 26 111 走査型トンネル顕微鏡によるＣＶＤダイヤモンド（111）面の吸着物の観察 ・・・・・・・・・28 112 陽電子消滅によるダイヤモンド結晶評価 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 30
◇コーヒブレイク １４：２０～１４：４０
◇座長 平井寿子（東工大・工材研） 113 イオン照射したダイヤモンド結晶の電子スピン共鳴 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 32 114 高純度ダイヤモンド単結晶の合成 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 34 115 高圧合成ダイヤモンド（III）セクター内のニッケルの不均一分布 ・・・・・・・・・・・・・36 116 バラスの内部組織 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 38
◇ポスターセッション（１６：００～１８：００） P01 溶融塩不均化反応法ＴｉＣ被覆ダイヤモンド微粒子によるダイヤモンド複合体の超高圧焼結 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・44 P02 ＰＶＤ法による金属間化合物超微粒子被覆ダイヤモンドの超高圧焼結 ・・・・・・・・・・・ 46 P03 ＰＶＤ法による金属間化合物超微粒子被覆微粒ｃＢＮの超高圧焼結 ・・・・・・・・・・・・ 48 P04 メタノールのみを用いたダイヤモンド合成装置の製作 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 50 P05 マイクロ波プラズマ法による広領域へのダイヤモンド合成 ・・・・・・・・・・・・・・・・ 52 P06 ＥＣＲプラズマによるダイヤモンドの低圧での成膜 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 54 P07 多結晶ダイヤモンド薄膜を用いた湿度検出器 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 56 P10 窒素含有カーボン膜の形成とマイクロスクラッチ硬度 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 58 P11 ダイヤモンドのＣ－Ｋ Ｘ線放射スペクトル ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 60 P12 ダイヤモンド（００１）基板上のホモエピタキシャル膜の成長と評価 ・・・・・・・・・・・62 P13 酸素含有ＣＶＤダイヤモンド薄膜の評価 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 64 P14 ＣＶＤダイヤモンド中水素の定量 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 66 P15 ＳＩＭＳによるホモエピタキシャルダイヤモンド膜の分析 ・・・・・・・・・・・・・・・・ 68 P16 ＦＴＩＲによるダイヤモンド表面の気相酸化の観察 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 70 P17 ＣＬにおけるＣＶＤ ＤＩＡＭＯＮＤＯの電子線照射ＤＩＡＭＯＮＤＯ ・・・・・・・・・・ 72 P18 フッ素化ダイヤモンド（III）表面のＣｌｓ化学シフト ・・・・・・・・・・・・・・・・・・74 P19 水素化ダイヤモンド表面の電子状態 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 76 P20 ＣＶＤダイヤモンド薄膜／金属界面の特性 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 78 P21 ＣＶＤダイヤモンドの電子親和力の評価 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 80 P22 ホモエピタキシャル薄膜の局在準位の評価 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 82 P23 ダイヤモンド薄膜からの電界放出特性１） ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 84 P25 ｃ－ＢＮ被覆された切削インサートの作成および性能試験 ・・・・・・・・・・・・・・・・ 86
◇懇親会 １８：００～２０：００ （神戸国際会議場レセプションホール） 第２日（１１月３０日）（神戸国際会議場 ３０１国際会議室）◇９：００～１２：００ 座長 川原田洋（早大・理工） 202 マイクロ波プラズフマＣＶＤによるダイヤモンド合成に及ぼす白金族金属基板の表面反応 ・・・・・・・・・・・・・・・ 92 203 鉄薄膜を用いたダイヤモンドの選択成長 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 94 204 三電極型直流プラズマＣＶＤ法によるＳｉ表面へのダイヤモンド成長 ・・・・・・・・・・・ 96 205 電界印加処理がＳｉ墓板上のダイヤモンド薄膜の核形成に及ぼす影響 ・・・・・・・・・・・ 98
◇コーヒーブレイク １０：２０～１０：４０
◇座長 西村耕造（神戸製鋼） 206 高密度ダイヤモンド核発生の問題点 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・100 207 ＣＶＤダイヤモンドの基板表面状態の影響 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・102 208 単結晶Ｃｕ基板上のダイヤモンドの成長 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・104 209 ダイヤモンドエピタキシャル成長の活性化エネルギー ・・・・・・・・・・・・・・・・・・106
◇昼食 １２：００～１３：００
◇１３：００～１７：００ 座長 広瀬洋一（東海大・工） 210 活性種輪送法によるＣＶＤダイヤモンド合成 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・112 211 ロースーツを被覆した各種基板へのダイヤモンド合成 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・114 212 気相化学反応によるセラミック微粒子の生成に及ぼす重力の効果 ・・・・・・・・・・・・・116 213 フィラメントＣＶＤに於けるラジカルの計測 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・118
◇コーヒーブレイク １４：２０～１４：４０
◇座長 神田久生（無機材研） 214 Ｃ６０フラーレンから転換したアモルファスダイヤモンドの物性 ・・・・・・・・・・・・・120 215 ＣａＬｉＢＮ２触媒による立方晶ＢＮの合成 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・122 216 焼結助剤無添加ｃＢＮ多結晶体の高圧合成 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・124 217 溶融塩不均化反応法ＴｉＮ－ＴｉＢ２被覆ｃＢＮ微粒子によるｃＢＮ基複合体の超高圧焼結 ・・・・・・・・・・・・・・126
◇座長 平田 敦（東工大・工） 218 気相合成ダイヤモンド粉合成装置に関する研究 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・128 219 均一分散砥石「ユニメタル」の研削特性について ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・130 220 ＣＶＤダイヤモンドの引抜きダイスへの応用 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・132 |
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