ダイヤモンドシンポジウム講演プログラム（第１１回） |
|
|
第１１回 ダイヤモンドシンポジウム講演プログラム |
|
日 時：平成９年１２月１日（月），２日（火） 会 場：大阪大学コンベンションセンター 第１日（１２月１日） （大阪大学コンベンションセンター）◇オーラルセッション ９：００～１２：００ ◇座長 光田好孝（東京大学生研） ９：００～１０：４０ 101 バイアス印加法による白金上のダイヤモンド核形成 （神戸製鋼、徳島大・工*）○橘 武史，横田嘉宏，林 和志，小橋宏司，新谷義廣* ………………………………………………4 102 バイアス処理による異種基板上への配向ダイヤモンド粒子析出過程の検討 （九州大・工）○鶴我薫典，齊藤丈靖，草壁克己，諸岡成治，前田英明 ……………………………………………………………6 103 ナノ・ダイヤモンド種付け基板上へのＣＶＤダイヤモンド膜の形成 （松下電産・中研，ディスプレイ*）○出口正洋，北畠 真，黒川英雄*，白鳥哲也*，北川雅俊 ……………………………………8 104 ダイヤモンド粒子の選択成長 （東京電機大・工，理工*）○倉田敬臣，丹埜 智*，地主浩将*，小林俊宏*，平栗健二*，六倉信喜，大内幹夫 ………………10 105 ホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜の成長モードに関する水素の役割（電総研，東北大・金研*）○渡辺幸志，竹内大輔，原 史朗，関口隆史*，大串秀世，梶村皓二 ……………………………… 12
◇コーヒーブレイク １０：４０～１１：００
◇座長 澤邊厚仁（青山学院大） １１：００～１２：４０ 106 マイクロ波プラズマＣＶＤを用いたダイヤモンド薄膜成長におけるＸｅ添加効果 （阪大・基礎工）○細見 剛，牧 哲朗，小林 猛 ……………………………………………………………………………………14 107 有機液相中でのダイヤモンド表面処理 （九州大・工）○池田吉紀，齊藤丈靖，草壁克己，諸岡成治．前田英明 …………………………………………………………16 108 レーザー加熱ＤＡＣによるＢＮナノチューブの合成 （無機材研）○遊佐 斉，M. I .Eremets，,D. Golberg，,坂東義雄，竹村謙一，倉島敬次 ………………………………………18 109 Facilitated synthesis of super-hard materials by hexagonal-cubic transition （無機材研）○黄 建宇，谷口 尚，堀内繁雄 ………………………………………………………………………………………20 110 Ｚｒ窒素ゲッターを用いた高純度ダイヤモンド育成と不純物評価 （筑波大・物質工，東大・工*）○大西章申，賈 暁鵬，若槻雅男，早川慎二郎*，合志陽一* ……………………………………22
◇昼休み １２：４０～１３：４０
◇オーラルセッション １３：４０～１５：２０ ◇座長 川原田洋（早稲田大） １３：４０～１５：２０ 111 Optical Characterization of Thin-Film Diamond （イオン工学研，立命大*，宇宙研**，阪大***，松下電産・中研****） ○梶山健二，難波秀利*，田島道夫**，播磨 弘***，北畠 真**** …………………………………………………………… 28 112 偏光ラマン分光法を用いたダイヤモンド結晶の評価 （日工大・工，トーメイダイヤ，東海大・工**）○大島龍司，飯塚完司，鈴木敏正，山中 博*，広瀬洋一** ………………………30 113 エンドランチ型マイクロ波プラズマＣＶＤ合成条件に対する ホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜のカソードルミネセンス（ＣＬ）及びショットキー特性 （電総研，東北大・金研*）○竹内大輔，渡辺幸志，山中貞則，政井秀和，川田 栄，原 史朗， 関口隆史*，大串秀世，梶村皓二 …………………………………………………………………………………………………32 114 ボロンドープダイヤモンドの交流電気伝導度の温度依存性 （東海大・工，神奈川産総研*，住友電工・伊丹**）○犬島 喬，松下考拓，白石 正，大屋誠志郎*，塩見 弘** ………………34 115 窒素ドープダイヤモンドの表面抵抗及び結晶性の評価 （阪大・工）○江 南，西村征起，小川兼司，八木弘雅，八田章光，伊藤利道 …………………………………………………… 36
◇ポスターセッション １５：２０～１７：００ P01 ガスパフを用いた有磁場マイクロ波プラズマＣＶＤ法によるダイヤモンド成膜とラジカルの時間変化 （阪大・工）○今川和之，全 炯敏，八田章光，伊藤利道 ………………………………………………………………………… 42 P02 ダイヤモンド薄膜低温合成に用いる有磁場マイクロ波プラズマＣＶＤ装置のクリーニング （阪大・工）○全 炯敏，今川和之，八田章光，伊藤利道 …………………………………………………………………………… 44 P03 トリエチルリンをドープ源とするホモエピタキシャルダイヤモンドの合成と評価 （九州大・工）○亀田正順，齊藤丈靖，草壁克己，諸岡成治，前田英明 ………………………………………………………… 46 P04 パラジウム結晶上へのダイヤモンド形成 （佐賀大・理工，佐賀県窯技センター*）○池田 進，中島紀美枝，夏 永挑，永野正光，一ノ瀬弘道* ………………………… 48 P05 炭化タングステン焼結体上へのダイヤモンド合成 （東工大・工）○平田 敦，鄭 漢卿，吉川昌範 …………………………………………………………………………………… 50 P06 ダイヤモンド微粒子で被覆された超微細Ｓｉ柱の作製 （日本真空技術）○今田早紀，村上裕彦，山川洋幸，多田哲也，金山敏彦 ……………………………………………………… 52 P07 Ｓｉ被覆ダイヤモンド微粒子の超高圧反応焼結 （名工研，融合研*，日清製粉・生技研**，リード***） ○粂 正市，鈴木一孝，吉田晴男*，山田幸良**，冬木 正**，秋山 聡**，隅田幸雄***，木村健一*** ………………………54 P08 ｃ－ＢＮの熱力学的準安定条件下でのｃ－ＢＮ／セラミックウィスカー複合材作製：ＨＩＰ法、ＵＨＰＨＩＰ法、 及びＵＨＰＨＰ法による焼結 （融合研，名工研*，日清製粉・生技研**，超高材研・山口研***）○吉田晴男，粂 正市*，鈴木一孝*，榊原俊作*， 冬木 正**，藤井隆司**，西村敬一**，山本雅章***，中川浜三*** …………………………………………………………… 56 P09 Ｓｉ上へのダイヤモンドエピタキシャル成長の機構 （電通大・電気）○中村伸之，佐野潤一，坪井 崇，山本正道，湯郷成美 ………………………………………………………… 58 P10 Ｐｔ基板上高配向ダイヤモンドの成長条件 （徳島大・工，神戸製鋼*）○植村弘樹，溝口 晃，英 貴弘，武田和剛，稲岡 武，牧田 寛，直井美貴， 新谷義廣，橘 武史* ……………………………………………………………………………………………………………… 60 P11 Ｐｔ（III）基板上での高配向ダイヤモンド薄膜成長への基板表面状態の影響 （徳島大・工，神戸製鋼*）○牧田 寛，直井美貴，武田和剛，溝口 晃，徳山達也，英 貴弘，植村弘樹，稲岡 武， 新谷義廣，橘 武史* ………………………………………………………………………………………………………………… 62 P12 ダイヤモンド単結晶微小円柱からのホモエピタキシャル成長 （住友電工・伊丹）○齊藤裕久，塩見 弘，築野 孝，今井貴浩 ………………………………………………………………… 64 P13 イオン注入したＣＶＤダイヤモンド薄膜へのエピタキシャル成長 （阪大・工，松下電産・中研*）○西村征起，小川兼司，八木弘雅，出口正洋*，北畠 真*，八田章光，伊藤利道 …………… 66 P14 電子ビーム励起プラズマによる炭素系薄膜の成膜 （川崎重工）○伴 雅人，龍治 真，森 幸隆，柳瀬悦也，東海正國，藤岡順三 ………………………………………………… 68 P15 レーザー蒸着法による炭素膜の作製と評価 （物質研，産創研*）○古賀義紀，山本和弘，小海文夫*，藤原修三 …………………………………………………………… 70 P16 Ｂ－Ｃ－Ｎ三元素を用いた薄膜形成 P17 Formation of BN Onions under Electron Beam Irradiation （無機材研）○茅 建富，松本精一郎，堀内繁雄 ………………………………………………………………………………… 74 P18 高圧合成ダイヤモンドの中のニッケル発光センターの分布 （無機材研）○神田久生，渡邊賢司 ……………………………………………………………………………………………… 76 P19 人工ダイヤモンド中の金属不純－Ｍｎの含有について－ （筑波大・物質，無機材研*，東大・工**）○若槻雅男，賈 暁鵬，神田久生*，早川慎二郎**，合志陽一** …………………78 P20 ＮおよびＢイオンを注入したＣＶＤダイヤモンド薄膜の常磁性欠陥 （東海大・工，松下電産・中研*，松下テクノ**）○林 真晴，関根大祐，松岡文彦，庄 善之，和泉富雄，出口正洋*， 北畠 真*，北川雅俊*，平尾孝一 …………………………………………………………………………………………………80 P21 ＣＶＤダイヤモンド薄膜内に存在する欠陥のボロン及びメタン濃度依存性（ＥＳＲ評価） （東海大・工）○松岡文彦，伊藤勲一，庄 善之，岩瀬満雄，和泉富雄 ……………………………………………………… 82 P22 表面伝導層抵抗の経時変化に対するＥＳＲ評価 （東海大・工，九州東海大・工*）○李 成奇，庄 善之，松岡文彦，和泉富雄，秋葉幸男，黒須楯生，飯田昌盛* ………… 84 P23 ＣＶＤダイヤモンド薄膜表面の評価 （阪大・基礎工）○黒川康人，河村秀樹，牧 哲朗，小林 猛 ………………………………………………………………… 86 P24 リンドープホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜の電気特性 （無機材研，青学大・理工*，イスラエル工科大**）○加茂睦和，小泉 聡，佐藤洋一郎，三田清二*，澤邊厚仁*， Rafi Kalish** …………………………………………………………………………………………………………………………88 P25 ダイヤモンドのキャリア散乱機構 （玉川大・工）○月岡邦夫 …………………………………………………………………………………………………………90 P26 ラジカルビーム処理したダイヤモンド表面の高速イオンビームによる評価Ⅲ （阪大・工）○八木弘雅，衣笠潤一，八田章光，伊藤利道 ………………………………………………………………………92 P27 ＥＲＤＡによるダイヤモンド膜中の水素濃度測定 （慶應大・理工）○木村綾子，渡辺豊之，中谷祐二郎，鈴木哲也 ………………………………………………………………94 P28 高分解能電子顕微鏡によるダイヤモンド薄膜と超硬合金基板との界面観察 （慶應大・理工）○渡辺豊之，木村綾子，鈴木哲也 …………………………………………………………………………… 96 P29 気相合成ダイヤモンド薄板の機械的強度 （東工大・工、東京ガス*、不二越**）○平田 敦，山下 敏*，神田一隆**，吉川昌範 ……………………………………… 98 P30 各種摩擦環境におけるｃ－ＢＮ膜の耐久性 （日工大・工，ＮＡＳＡルイス研*）○渡部修一，三宅正二郎，村川正夫，三好和寿* ………………………………………… 100 P31 Ｃ－Ｎ保護膜を形成した磁気ディスクのマイクロトライボロジー （日工大・工）○三宅正二郎，山本洋和，関根幸男，渡部修一 …………………………………………………………………102 P32 単結晶ダイヤモンド熱膨張係数の温度依存性（４．２Ｋ～室温） （玉川大・工，日立・超ＬＳＩ*，日本原研**）○鷲見 卓，春名勝次，佐藤俊麿，大橋一利，早乙女隆雄*，前田裕司**………104 P33 ホウ素ドープした１２Ｃダイヤモンドの熱伝導率 （東京ガス，東京ガスケミカル*）○中村和郎，堀内賢治，山下 敏，片岡加寿弘* ……………………………………………106 P34 ダイヤモンドＳＡＷフィルターの利点と応用 （住友電工・伊丹）○中幡英章，檜垣賢次郎，藤井 知，北林弘之，関裕一郎，吉田健太郎，上村智喜，鹿田真一 ……… 108 P35 イオンプレーティング法による鉄鋼材料上へのＳｉ－Ｃ薄膜の合成およびその面ヒータへの適用 （東工大・工）○鴛海達矢，大竹尚登，安原鋭幸，加藤和典 ……………………………………………………………………110 P36 ダイヤモンド／絶縁膜界面安定化処理とその電気特性 （阪大・基礎工）○田仲寛之，白川雄資，尹 榮，牧 哲朗，小林 猛 ………………………………………………………… 112 P37 水素終端ダイヤモンド表面を用いたＦＥＴのデバイス・シュミュレーション （早大・理工）○津川和夫，森田和敏，川原田洋 …………………………………………………………………………………114 P38 ダイヤモンド薄膜を用いたＭＩＳ型電子放出素子における電子放出機構 （阪大・工，松下電産・中研*）○小川兼司，西村征起，八田章光，伊藤利道，出口正洋*，北畠 真* ……………………… 116 P39 アーク放電プラズマジェットＣＶＤダイヤモンドの電子放出特性 （東工大・工）○平田 敦，吉川昌範 ………………………………………………………………………………………………118 P40 ダイヤモンド薄膜と孤立粒子の電子放出特性 （阪大・工）○横田裕子，川崎斉司，木村千春，杉野 隆 ……………………………………………………………………… 120 P41 リンドープ多結晶ダイヤモンド薄膜の電子放出特性 （阪大・工）○栗山憲治，川崎斉司，杉野 隆 ……………………………………………………………………………………122 P42 高重力場ではダイヤモンド薄膜の作製 （慶應大・理工，電総研*）○石塚真男，柴 孝司，曽根 登，渡辺豊之，鈴木哲也，長坂雄次，阿部宣之* …………………124 P43 イオンアシストレーザー蒸着法による窒化炭素膜の作製と評価 （物質研、産創研*）○山本和弘，古賀義紀，小海文夫*，藤原修三 ……………………………………………………………126 懇親会 １８：００～ （ローゼン） 第２日（１２月２日）◇オーラルセッション ９：００～１２：４０ ◇座長 平田 敦（東京工業大） ９：００～１０：４０ 201 Diamond－like carbon薄膜のエッチング特性とその応用 （東京電機大・理工）○小松 靖，Ali Alanazi，亀田昭規，村山 崇，平栗健二 ……………………………………………………132 202 焦電性高分子フィルム上へのアモルファス炭素膜の合成 （東工大・工）○高間康之，大竹尚登，岡田拓世，加藤和典 …………………………………………………………………… 134 203 圧縮応力を有するダイヤモンド膜の摩耗特性 （日工大・工）○竹内貞雄，村川正夫 ………………………………………………………………………………………………136 204 ダイヤモンド薄膜の密着性の評価 （広島県立西部工技センター）○筒本隆博 ……………………………………………………………………………………… 138 205 気相合成ダイヤを用いたフリップチップ実装用ボンディングツール （住友電工・ダイヤ事，伊丹*）○原野佳津子，井口剛寿，熊澤佳明，今井貴浩*，藤森直治* …………………………………140
◇コーヒーブレイク １０：４０～１１００
◇座長 橘 武史（神戸製鋼） １１：００～１２：４０ 206 Ｘ線リソグラフィー用ダイヤモントマスクヘの応用（２） （三菱マテリアル・総研，三菱電機・先端技研*）○足立美紀，山下博明，西山昭雄、矢部秀毅*， 北村佳恵子*，丸本健二* ……………………………………………………………………………………………………………142 207 ダイヤモンドマイクロヒートシンクの開発 （松下電産・ディスプレイ，中研*，松下電子**）○黒川英雄，白鳥哲也，出口正洋*，木戸口勲*， 大仲 清*，高森 晃** ……………………………………………………………………………………………………………… 144 208 平坦化された多結晶ダイヤモンドを用いたＭＯＳＦＥＴ （早大・理工，東京ガス*）○北谷謙一，梅沢 仁，上山健司，石倉威文*，山下 敏*，川原田洋 ……………………………… 146 209 デルタドーピングダイヤモンドＭＩＳ構造の評価 （阪大・基礎工）○白川雄資，田仲寛之，尹 榮，牧 哲朗，小林 猛 …………………………………………………………… 148 210 ダイヤモンド光伝導素子からの１ピコ秒電気パルスの発生 （日本電気・基礎研，電通大・レーザー*）○山本博規，馬場和宏，柘植久尚，正畑伸明，山崎理威智*， 徳山一龍*，米田仁紀*，植田憲一* …………………………………………………………………………………………………150
◇昼休み １２：４０～１３：４０
◇特別講演 座長 藤森直治（住友電工） １３：４０～１４：４０ 「人工ダイヤモンド中の金属不純物」 筑波大学物質工学系 教授 若槻雅男 ……………………………………………………… 156
◇コーヒープレイク １４：４０～１５：００
◇オーラルセッション １５：００～１６：４０ ◇座長 伊藤利道（大阪大） １５：００～１６：４０ 211 人工ダイヤモンドを使った放射線検出器の開発 （神奈川大・工）○柏木利介，奥野祥二，日比野欣也，吉田健二，西村 純 ……………………………………………………… 158 212 光電気分解用電極としてのダイヤモンド薄膜の検討 （電通大・電気）○小野 洋，曽根崇史，森谷恵介，野崎眞次，森崎 弘，湯郷成美 …………………………………………… 160 213 ジエチルアミンを用いて窒素ドープしたダイヤモンド薄膜からの低電界電子放出 （九州大・工）○清田正悟，槌田 潔，前田英明，北條純一 ……………………………………………………………………… 162 214 多結晶ダイヤモンド薄膜のフィールドエミッション特性 （阪大・工）○川崎斉司，木村千春，栗山憲治，横田裕子，杉野 隆 ……………………………………………………………… 164 216 ヘテロエピタキシャルダイヤモンド薄膜からのフィールドエミッション特性 （青学大・理工，トウプラス*）○前出 淳，石原弘嗣，鈴木一博*，澤邊厚仁 ………………………………………… 166
Ｌａｔｅ Ｎｅｗｓ １６：４０～１７：００
|
1720219