ダイヤモンドシンポジウム講演プログラム（第１２回） |
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第１２回 ダイヤモンドシンポジウム講演プログラム |
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日 時：平成１０年１１月２４日（月），２５日（火） 会 場：東京大学山上会館 第１日（１１月２４日）（東京大学山上会館）◇座長 八田章光（高知工科大学）１０：００～１２：４０ 101 白金／サファイア基板上のダイヤモンド薄膜合成 （神戸製鋼、東工大*）○橘 武史，横田嘉宏，林 和志，小橋宏司，吉本 護*……………………………………………………4 102 Diamond-SiC界面構造についてのクラスター計算 （CREST・早大・理工）〇森田和敏，津川和夫，山本洋介，川原田洋………………………………………………………………6 103 オフ角を含めたホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜の表面形態 （電総研、東海大*）〇竹内大輔，渡辺幸志，山中貞則，政井茂雄*，鹿島恵美*，大串秀世，梶村皓二…………………………8 104 トリメチルホウ素を用いたマイクロ波プラズマCVD法によるP形ホモエピタキシャル (100)ダイヤモンド膜の合成とその電気的特性 （九州大院・工学研）〇坪田敏樹，福井照美，斉藤丈靖，草壁克己，諸岡成治，前田英明……………………………………10 105 デバイス品質Bドープホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜の合成と評価 (電総研、東北大・金研*）〇山中貞則，渡辺幸志，政井茂雄，関口 隆*，竹内大輔，大串秀世，梶村皓二*…………………12 106 リンドープ｛111｝ホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜のＣＬ評価 （早大・理工、九州大・工*）〇佐藤 篤,田辺憲司，前田英明*，江川慎二*，坪田敏樹*，諸岡成治*，北條純一*， 川原田 洋…………………………………………………………………………………………………………………………… 14 107 マイクロ波プラズマCVDによるn型リンドープダイヤモンド薄膜の作製 （青学大・理工、無機材研*、トゥプラス**)〇三田清二，小泉 聡*,寺地徳之*，神田久生*，鈴木一博**，澤邊厚仁……16 108 金属/n型リンド-プダイヤモンド界面の電気的特性 （無機材研、青学大・理工*）〇寺地徳之,小泉 聡，三田清二*，澤邊厚仁*，神田久生………………………………………18
◇昼休み １２：４０～１３：４０
◇座長 澤邊厚仁（青山学院大）１３：４０～１６：００ 109 イオン注入形成非晶質C層のMeV級イオンビーム照射によるエピタキシャルダイヤモンド成長 （NTT・基礎研）〇中田穣治………………………………………………………………………………………………………24 110 400keＶ以下のイオンビ-ムによる、ダイヤモンドの結晶成長 （電総研）〇小倉政彦，長谷川雅考，田中保宣，小林直人………………………………………………………………………26 111 sp3結合を多く含む窒化炭素膜の作製 （阪大院・工学研）〇貴田真二郎，葉 玉牽，青山俊洋，和田由宇子，森 勇介，佐々木孝友………………………………28 112 カーボン系材料の高精度キャラクタリゼーション手法としての放射光励起 高分解能軟ｘ線発光・吸収分光法 （NTT・入出力研）〇村松康司，林 孝好…………………………………………………………………………………………30 113 レーザーアブレーションにおけるポリマー･プルームのストリークカメラによる観察 （阪大院・基礎工学研）〇中村明博，細見 剛，立木 実，牧 哲朗，小林 猛………………………………………………32 114 焼結ダイヤモンドターゲットを用いたスパッタ法によるDLC膜の合成 （東工大・院・東工大*）〇高間康之，大竹尚登*，加藤和典*…………………………………………………………………34 115 C60-ジルコニア複合体の作製 115（東大・工、東大・院*、電総研**、無機材研***）〇宮沢薫一，矢野純也*，葛巻 徹， 本間 格**，伊藤邦夫，赤石 實***……………………………………………………………………………………………36
◇ポスタ－セッション １６：００～１８：００
P01 ダイヤモンド薄膜の均一高密度化に関する研究 (電通大) 〇佐野潤一，石垣哲孝，平原勝久，曽根嵩史，武藤信人，湯郷成美………………………………………………42 P02 ダイヤモンドを陰極とした直流プラズマCVD法におけるダイヤモンド薄膜の高速合成 (日工大・工、東海大・工*、トーメイダイヤ**)〇三上敏秀，大西加寿男，石川 豊，広瀬洋一*，山中 博**………………44 P03 燃焼炎法におけるバイアス処理によるダイヤモンド膜の成長 (日工大、東海大*、昭和電工**）〇竹内貞雄，広瀬洋一*，小巻邦雄**，村川正夫…………………………………………46 P04 大気圧における気相成長ダイヤモンド合成 (東京電機大・理工・工*)〇小林俊宏，平栗健二，六倉信喜*，町 好雄*……………………………………………………48 P05 バイアス処理法によるPd上へのダイヤモンド核形成（2） （佐賀大・機器分析センター・理工*）〇池田 進，川本倫行*，永野正光*……………………………………………………50 P06 ダイヤモンド膜とシリコン基板界面に生じたミスフィットの分子動力学解析 （慶應大・理工）〇佐藤正伸，野口裕久，鈴木哲也……………………………………………………………………………52 P07 ダイヤモンドとイリジウム界面の高分解能TEM観察 （ファインセラミックスセンター、東大・工*、慶應大・理工**、青学大・理工***） 〇鈴木敏之，幾原雄一*，鈴木哲也**，福田秀夫***，澤邊厚仁***………………………………………………………54 P08 ダイヤモンドヘテロエピタキシャル成長機構に関する研究 （電通大）〇石垣哲孝，佐野潤一，館 良弘，若菱忠高，榊原彩芳，湯郷成美……………………………………………56 P09 平板状ダイヤモンドにおける生成条件の検討 （東海大・工、トーメイダイヤ*、日工大**）〇広瀬洋一,梶ケ谷洋史，大島龍司*，飯塚完司**……………………………58 P10 ダイヤモンド粒子の選択成長（2） （東京電機大・工・理工*）〇倉田敬臣,平栗健二*，六倉信喜，大内幹夫……………………………………………………60 P11 有磁場マイクロ波プラズマCVDチャンバー内壁に付着した炭素系膜のクリーニングとダイヤモンド核形生への影響 （阪大・電気工、高知工科大*）〇全 炯敏，八田章光*，伊藤利道…………………………………………………………62 P12 酸化多孔質シリコン上のCVDダイヤモンドの成長 （阪大院・工学研、高知工科大*）〇西山健次，八田章光*，伊藤利道………………………………………………………64 P13 燐ドープn型ダイヤモンド薄膜の結晶性評価 （東北大・科計研、三菱重工・基礎研*，科技団・さきがけ**） 〇河野省三，下村 勝，西森年彦*，虻川匡司，高桑雄二，坂本仁志*…………………………………………………66 P14 ホウ素ド-プCVDダイヤモンドにおけるラマンスペクトルのホウ素濃度依存性 （科技団、無機材研*、CREST**）〇牛澤浩一，渡邊賢司*，安藤寿浩*，坂口 勲**， 蒲生西谷美香**，佐藤洋一郎*，神田久生*………………………………………………………………………………68 P15 Bドープホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜の電気的特性における水素化の影響 （電総研、東海大*、筑波大連携大学院**） 〇政井茂雄，山中貞則，渡辺幸志，川田 栄，竹内大輔，大串秀世，黒須楯生*，梶村皓二…………………………70 P16 走査型カソ-ドルミネッセンス(CL)法によるホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜の欠陥評価 （電総研、筑波大連携大学院*、東海大**、東北大・金研***） 〇渡辺幸志，竹内大輔，山中貞則，政井茂雄**，関口隆史***，大串秀世，梶村皓二…………………………………72 P17 ラマン分光によるホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜の評価 （住友電工・伊丹研）〇齋藤裕久，今井貴浩………………………………………………………………………………74 P18 熱処理した高圧合成ダイヤモンドにおける窒素関連発光センタ-の分布 （無機材研、金材技研*）〇神田久生，賈 暁鵬*……………………………………………………………………………76 P19 CVDダイヤモンドの光電子放出のしきい値エネルギーの表面酸素量依存性 （阪大院・工学研）〇横山 真，江 南，伊藤利道…………………………………………………………………………78 P20 熱フィラメント法によるダイヤモンド膜の合成と電気絶縁特性 （九州大院・工学研）〇定栄正大，上原雅人，前田英明，北條純一………………………………………………………80 P21 ダイヤモンド水素終端面ー電解質溶液界面の電気的特性について （早大・理工）〇北谷謙一，瀬戸信行，川原田洋……………………………………………………………………………82 P22 液相中におけるダイヤモンド表面へのブチルアミン基の導入 （九州大院工学研・材料・物質*）〇坪田敏樹，江川慎一，諸岡成治，齋藤丈靖，草壁克己，前田英明…………………84 P23 ダイヤモンド表面チャンネル型MESFETのデバイスシミュレーション （CREST・早大・理工）〇津川和夫，川原田洋………………………………………………………………………………86 P24 ダイヤモンドMISデバイスにおけるゲート絶縁膜としての（BaxCa1-x)F2 薄膜の評価 （阪大院・基礎工学研）〇伊藤暁広，田仲寛之，尹 榮，牧 哲朗，小林 猛……………………………………………88 P25 CVDダイヤモンド光伝導素子を用いたTHz波放射源の開発 （NEC・機能材研、電通大・レーザー研*） 〇山本博規，馬場和宏，山崎理威智*，徳山一龍*，米田仁紀*，植田憲一*…………………………………………90 P26 電極材料としてのダイヤモンド薄膜の電気特性 （電通大）〇曽根崇史,小野 洋，木村正光，野崎真次，森崎 弘，湯郷成美……………………………………………92 P27 CVDダイヤモンド成長におけるマスク材料の検討 （阪大院・工学研）〇王 春蕾，横山 真，西村征起，江 南，伊藤利道…………………………………………………94 P28 ダイヤモンド被覆炭化タングステン切削工具の作製 （東工大・工、東工大院・総合理工研*）〇平田 敦，吉川昌範*…………………………………………………………96 P29 熱フィラメントCVD法によるマイクロドリル表面へのダイヤモンドコーティング （九州大院・工研）〇北崎昭弘，上原雅人，前田英明，北條純一，諸岡成治……………………………………………98 P30 CVDダイヤモンド単結晶表面の構造と２次電子放出特性 （東北大・科計研、科技団・さきがけ*、阪大院・工学研**） 〇河野省三，後藤 忠彦，虻川匡司，高桑雄二，八木弘雅**，伊藤利道**…………………………………………100 P31 ダイヤモンド薄膜からの電子放出（欠陥依存性） （東海大・工）〇伊藤勲一，庄 善之，岩瀬満雄 ，和泉富雄……………………………………………………………102 P32 ヘテロエピタキシャルダイヤモンド薄膜からのフィールドエミッション特性Ⅱ （青学大、トゥプラス*）〇前出 淳，山田貴壽，鈴木一博*,澤邊厚仁……………………………………………………104 P33 “Dependence of field emission from DLC on film thickness, H content and annealing effect." （日本放送協会、Science University*）〇A.H.Jayatissa, T.Tsukuda* , N.saito , H.Ohnishi ,F.Sato , and K.Takizawa…………………………………………………………………………106 P34 BN薄膜からのフィールドエミッション特性 （阪大・工）〇田川 滋，横田裕子，杉野 隆……………………………………………………………………………108 P35 電子ビーム励起プラズマ（EBEP）CVDによるDLC膜の成膜 （川崎重工）○伴 雅人，龍治 真，長谷川猛，森 幸隆，東海正國，藤岡順三………………………………………110 P36 ポリマーのレーザーアブレーションによる炭素系薄膜の成膜 （阪大・基礎工学研）〇細見 剛，中村明博，立木 実，牧 哲朗，小林 猛…………………………………………… 112 P37 RF窒素プラズマPLD法によるC-BN薄膜の作製 （阪大院・工学研）〇青山俊洋，葉 玉牽，貴田真二郎，和田由宇子，森 勇介，佐々木孝友………………………114 P38 超臨界窒素流体とホウ素からのcBN合成と結晶成長 （無機材研・超高圧ステーション）〇遊佐 斉……………………………………………………………………………116 P39 高温レ-ザ-蒸発法によるC58B15Nフラ-レンの合成と評価 （物質研）〇中村挙子，石川啓一郎，山本和弘，大花継頼，古賀義紀………………………………………………… 118 P40 イオンアシストレーザー蒸着法により作製したBCN薄膜 （物質研、早大・理工*）〇山本和弘，古賀義紀，藤原修三，小川雄史*，川原田洋*………………………………… 120 P41 窒化アルミニウム薄膜の組成に及ぼすレ-ザ-波長の影響 （物質研、産創研*）〇石原正統，山本和弘，小海文夫*，古賀義紀……………………………………………………122 P42 レーザーアブレーション法によるAlN薄膜の作製 （阪大・工）〇岡本光央，森 勇介，佐々木孝友…………………………………………………………………………124 P43 C-BN/TiN層の積層による硬質膜の形成 （日工大）〇渡部修一，三宅正二郎，村川正夫…………………………………………………………………………126 P44 ダイヤモンドが熱力学的に準安定な条件下でのダイヤモンド/Al2O3複合材のHP焼結 （名工研、名古屋大・工*）〇粂 正市，鈴木一孝，吉田晴男，金武直幸*……………………………………………128 P45 Diamond-like carbon 薄膜のエッチング特性とその応用（2） （東京電機大院・理工研）〇小松 靖，Ali Alanazi，松田岳彦，平栗健二………………………………………………130 P46 フラーレンの理論：生成の統計モデル （名工研）〇吉田晴男……………………………………………………………………………………………………132
◇懇親会 １８：００～（東京大学山上会館）
第 ２ 日（１１月２５日）
◇座長 鈴木哲也（慶應大）１０：００～１２：４０ 201 ダイヤモンドからのｘ線励起ルミネッセンスの励起ｘ線エネルギー依存性 （東大院・工、筑波大・物工*）〇早川慎二郎，広瀬勇秀，若槻雅男*，合志陽一……………………………………138 202 Thermoluminescence and thermally stimulated currents of polycrystalline diamond （Laboratoire d'Etudes des Proprietes Electroniques des Solides Centre Nationl de la Recherche Scientifique ， Laboratoire de Physique Electronique des Solides Universite de Nice-Sophia Antipolis*，France） 〇エチェン.ゲラール（E.GHEERAERT)， M.BENABDESSELAM*， P.IACCONI*，and A.DENEUVILLE…………140 203 光音響法によるCVDダイタモンド薄膜の熱伝導率の測定 （神奈川工大・工、東海大・工*）〇高畠信也，小林 武，伊藤勲一*,和泉富雄*……………………………………142 204 12C RF CVDダイヤモンド膜の熱伝導率測定 （東京ガスケミカル、東京ガス*）〇片岡加寿弘，石倉威文*，星 文之*,山下 敏*…………………………………144 205 CVDダイヤモンド工具におけるアルミ合金の加工 （三菱マテリアル）〇吉川博道，西山昭雄………………………………………………………………………………146 206 セルフアライン法による1μmゲ-トダイヤモンドFETの作製 （早大・理工）〇梅沢 仁，北谷謙一，絹村謙悟， 瀬戸信行，津川和夫，川原田洋……………………………………………………………………………………… 148 207 ダイヤモンド界面安定化処理とMIS構造特性評価 （阪大院・基礎工学研）〇牧 哲朗，田仲寛之，伊藤暁広，尹 榮，小林 猛……………………………………… 150 208 ダイヤSAWフィルタを用いた超高速光通信用受信モジュール （住友電工）〇鹿田真一，中幡英章，檜垣賢次郎，藤井 知，関 裕一郎， 村田和夫，高橋 聡…………………152
◇昼休み １２：４０～１３：４０
◇座長 岡野 健（国際基督教大）１３：４０～１５：４０ 209 ダイヤモンド粒子からのフィ-ルドエミッション （松下電産・中央研）〇出口正洋，北畠 真，黒川英雄，白鳥哲也…………………………………………………158 210 水素プラズマ処理されたダイヤモンドエミッタ表面の安定性 （青学大・理工、トゥプラス*）〇上城亜希彦,山田貴壽，鈴木一博*，澤邊厚仁……………………………………… 160 211 リンドープホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜におけるフィールドエミツション特性の評価 （阪大院・工学研、無機材研*）〇木村千春，栗山憲治，小泉 聡*， 加茂睦和*，杉野 隆………………………162 212 ダイヤモンド及びDLCからの電界電子放出 (高知工科大)〇八田章光，平木昭夫………………………………………………………………………………… 164 213 平面構造型ダイヤモンド電子エミッターの研究 (阪大院・基礎工学研) 〇河村秀樹，牧 哲朗，小林 猛…………………………………………………………… 166 214 単結晶CVDダイヤモンドを用いた高効率ダイオード型電子エミッター (阪大院・工学研、高知工科大*) 〇西村征起，伊藤利道，八田章光*……………………………………………168
◇コ－ヒ－ブレイク １５：４０～１６：００
◇座長 光田好孝（東京大学生研）１６：００～１７：００ 215 低圧力プラズマの診断と無重力材料プロセシングへの応用 (三菱総研、無機材研*、住友電工**、宇宙開発事団***) 〇石川正道，亀井信一，佐藤洋一郎*，藤森直治**，越川尚清***………………………………………………170 216 高重力による陽光柱の湾曲化 (慶應大院・理工研、電総研*) 〇石塚真男，長坂雄次，鈴木哲也，阿部宜之*……………………………………172 217 先端放電型マイクロ波プラズマCVDによるダイヤモンドの成長 (早大・理工、ミクロ電子*)〇福田 徹，江田研一郎，谷山記一*，川原田洋………………………………………174
◇Ｌａｔｅ Ｎｅｗｓ １７：００～１８：００
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