ダイヤモンドシンポジウム講演プログラム（第１３回） |
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第１３回 ダイヤモンドシンポジウム講演プログラム |
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日 時：平成１１年１１月２５日（月），２６日（火） 会 場：早稲田大学国際会議場 第１日（１１月２５日） （早稲田大学国際会議場）◇座長 鈴木 哲也（慶應義塾大学） ９：００～１０：４０ 101 超臨界H2O-CO2系流体からのダイヤモンドの生成 （無機材研）○山岡信夫，赤石實……………………………………………………………………………………………………4 102 5kWマイクロ波CVD装置によるダイヤモンド薄膜の作製 （JFCC･大阪）○安藤 豊，橘 武史，小橋宏司………………………………………………………………………………………6 103 A new type of microwave CVD reactor for diamond deposition （JFCC･つくば、ライボルト*）○Cedric.Morel，Micacl.Liehr*………………………………………………………………………8 104 極低CH4濃度におけるホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜の成長過程 （電総研、CREST*）○渡辺幸志，竹内大輔，山中貞則，川田 栄，関口隆史*，大串秀世，梶村皓二…………………………10 105 オフ角白金(111)上に合成した(111)配向性ダイヤモンド薄膜 （JFCC･大阪、神戸製鋼*）○橘 武史，横田嘉宏*，林 和志*，小橋宏司………………………………………………………12
◇１０：４０～１１：００ コ－ヒ－ブレイク
◇座長 広瀬 洋一（東海大学）１１：００～１２：４０ 106 マイクロ波プラズマCVD法によりlr基板上に合成したダイヤモンド薄膜の評価 （九州大院）○太田誠也，坪田敏樹，草壁克己，諸岡成治………………………………………………………………………14 107 多層構造ダイヤモンド膜の合成 （日工大、昭和電工*、東海大**）○竹内貞雄，村川正夫，小巻邦雄*，広瀬洋一**…………………………………………16 108 ガラス基板上へのダイヤモンド成膜 （JFCC･つくば）○吉川博道………………………………………………………………………………………………………18 109 ダイヤモンド核発生の分子軌道法による検討 （電通大）○平原勝久，菅 章宏，齋藤理一郎，湯郷成美………………………………………………………………………20 110 C２分子スペクトル計測によるマイクロ波プラズマ診断 （JFCC･大阪）○目黒貴一，松浦 尚，今井貴浩，齋藤裕久，山本喜之，鹿田真一，藤森直治………………………………22
◇１２：４０～１３：４０ 昼休み
◇座長 澤邊 厚仁（青山学院大学）１３：４０～１５：２０ 111 空き瓶や試験管のみで組み立てた簡易熱フィラメントCVD装置 （東海大・工、渋谷教育学園・幕張*）○広瀬洋一，盛口 襄*…………………………………………………………………28 112 オフ角を含めたホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜の表面形態(Ⅱ) （電総研）○竹内大輔，渡辺幸志，山中貞則，大串秀世，梶村皓二…………………………………………………………30 113 高濃度ホウ素ドープダイヤモンドにおけるバンド端発光の励起スペクトル （無機材研、LEPES-CNRS*、神戸製鋼**、JFCC･大阪***）○渡辺賢司，E.Gheeraert*，E.Bustarret*，横田嘉宏**， 小橋宏司***，神田久生，佐藤洋一郎…………………………………………………………………………………………32 114 AFMによるダイヤモンド表面機能性の制御 （早大･理工、CREST*）○瀬尾北斗，立木 実*，福田 徹，須方健太，川原田 洋……………………………………………34 115 水溶液系におけるダイヤモンド表面の電子物性の評価 （阪大院･基礎）○細見 剛，辻 清茂，伊藤暁広，牧 哲朗，小林 猛…………………………………………………………36
◇特別講演 座長 藤森 直治（住友電工） １５：２０～１６：００ 「ダイヤモンドに託す夢」 無機材質研究所 特別研究官 佐藤洋一郎氏………………………………………………………38
◇ポスタ－セッション １６：００～１８：００ P01 高品質ホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜の合成 （阪大･大学院）○入江正丈，王 春蕾，伊藤利道……………………………………………………………………………48 P02 アーク放電プラズマジェットCVD法による単結晶ダイヤモンド基板上へのダイヤモンド合成 （東工大･工）○吉田篤史，平田 敦……………………………………………………………………………………………50 P03 エピタキシャルダイヤモンド成長用イリジウム下地の作製 （青学大･理工、トウ・プラス*）○飯田雅代，仁村政順，鈴木一博*, 澤邊厚仁………………………………………………52 P04 Diamond-SiCおよびDiamond界面構造についてのクラスター計算 （早大･理工、CREST*）○森田和敏，日根恭子*，津川和夫，川原田 洋……………………………………………………54 P05 ダイヤモンドヘテロエピタキシャル成長におけるバイアスの効果 （電通大）○斎藤大輔，石垣哲孝，吉田宗生，木村忠正，湯郷成美…………………………………………………………56 P06 低メタン濃度合成でのダイヤモンド薄膜へのドーピング （電総研、無機材研*）○山中貞則，竹内大輔，渡辺幸志，大串秀世，梶村皓二，小松 学*，羽田 肇*…………………58 P07 トリメチルフォスフィン及びトリエチルフォスフィンをリンドープ源とするホモエピタキシャルリンドープダイヤモンドの合成と評価 （九州大院）○江川慎一，坪田敏樹，草壁克己，諸岡成治…………………………………………………………………60 P08 熱フィラメントCVD法による大面積基板へのダイヤモンド合成 （広島県西部工技センター）○筒本隆博………………………………………………………………………………………62 P09 高圧力下におけるCVDダイヤモンド合成 （東京電機大院･理工、工*）○小林俊宏，平栗健二，中村江里，六倉信喜*，町 好雄*…………………………………64 P10 ダイヤモンド粒子の選択成長（Ⅲ） （東京電機大院･理工）○横山岳宏，平栗健二………………………………………………………………………………66 P11 酸化多孔質シリコン上の積層CVDダイヤモンド薄膜の評価 （阪大院）○西山健次，伊藤利道………………………………………………………………………………………………68 P12 放電をパルス化したDCプラズマCVDによるダイヤモンド膜の作製 （愛知教育大）○野田三喜男…………………………………………………………………………………………………70 P13 タングステン基板上のダイヤモンド気相成長における結晶核の形成 （大同工大）○中井靖男，早川謙二…………………………………………………………………………………………72 P14 多段階制御による高配向ダイヤモンド膜の作製（2） （佐賀大･機器分析センター、理工*）○池田 進，永野正光*………………………………………………………………74 P15 DLC薄膜の堆積速度に対する電源周波数依存性 （東京電機大院･理工）○杉山 晋，平栗健二…………………………………………………………………………………76 P16 ダイヤモンド核発生におけるバイアス印加時のプラズマ構造 （電通大）○佐野潤一，石垣哲孝，天野洋一，木村忠正，湯郷成美………………………………………………………78 P17 質量分離イオンビーム蒸着法により作製した炭素薄膜 （物質研、JFCC･つくば*）○山本和弘，渡辺俊哉*，和住光一郎*，小海文夫*，古賀義紀，藤原修三……………………80 P18 電子ビーム励起プラズマ援用イオンビームスパッタリング法によるDLC膜の作製 （東工大･工）○野口賢次，平田 敦…………………………………………………………………………………………82 P19 イオンアシストCVDにより作製したDLC薄膜のトライボロジー特性 （石川島播磨重工）○渕上健児，堀内正昭，鈴木勝美，広瀬留美子，上松和夫…………………………………………84 P20 イオン注入を併用し形成したダイヤモンド･ライク･カーボン膜のスクラッチ特性 （日工大）○斉藤喬士，三宅正二郎，渡部修一………………………………………………………………………………86 P21 DLC薄膜のイオン注入に対する特性変化 （東京電機大院･理工）○松田岳彦，平栗健二，Ali.Alanazi…………………………………………………………………88 P22 ダイヤモンドへ高温イオン注入の効果 （シャープ・基盤技研）○大石隆一，山中幹宏，田中潤一，八代有史，中村好伸…………………………………………90 P23 イオンプレーティングによる窒素含有炭素膜の合成 （日工大）○渡部修一，三宅正二郎，村川正夫………………………………………………………………………………92 P24 Formation of cBN from hBN in the presence of Si under high pressure （無機材研）○Duan Wei He，赤石 實，田中高穂……………………………………………………………………………94 P25 白金基板上のダイヤモンド薄膜のAFM観察（Ⅰ） （徳島大･工）○山本裕史，直井美貴，江 南，新谷義廣……………………………………………………………………96 P26 白金基板上ダイヤモンド薄膜のX線構造解析 （徳島大･工）○脇本真吾，直井美貴，稲岡 武，江 南，新谷義廣…………………………………………………………98 P27 ボロンが添加された単結晶人口ダイヤモンドの低温におけるホッピング伝導 （玉川大･工、広島国際学院大*）○須藤智子，佐藤俊麿，大橋一利，春名勝次，前田裕司*……………………………100 P28 CVDダイヤモンド薄膜のホール移動度 （玉川大･工）○小笠原章之，櫻田 寛，月岡邦夫…………………………………………………………………………102 P29 硫黄ドープ窒化ホウ素薄膜の電気的特性評価 （阪大院、CREST*、無機材研**）○木村千春，衛藤義弘，蒲生西谷美香*，安藤寿浩**，杉野 隆……………………104 P30 高温熱処理によるダイヤモンド表面の再構成 （東海大･工、日立サイエンス*）○松川年寿，伊藤勲一，庄 善之，岩瀬満雄 ，和泉富雄，上野武夫*，矢口紀恵*…106 P31 金属/ホモエピタキシャルダイヤモンドの接合特性－水素化及び酸素化 （電総研、東海大･工*）○川田 栄，山中貞則，竹内大輔，渡辺幸志，和泉富雄*，大串秀世，梶村皓二………………108 P32 ダイヤモンド/Si電極の光電気化学特性と二酸化炭素の還元 （電通大）○曽根崇史，堤 栄作，沖本勝律，小野 洋，湯郷成美…………………………………………………………110 P33 多層膜におけるシリコンカーバイド層の化学結合状態評価 （NTT生活環境研、NTTアドバンステクノ*、テネシー大**、ローレンスバークリ国研***） ○村松康司，上野祐子，竹中久貴*，M M Grush**，R C C.Perera***…………………………………………………112 P34 多結晶ダイヤモンドにおける酸素プラズマエッチング （早大･理工）○田辺憲司，梅沢 仁，立木 実，津川和夫，川原田 洋……………………………………………………114 P35 HREMおよびEELSを用いた硬質炭素膜の解析 （慶應大･理工）○東 恭志，木村綾子，鈴木哲也…………………………………………………………………………116 P36 表面改質ダイヤモンドの高温トライボロジー特性 （日工大）○金 鍾得，三宅正二郎，渡部修一………………………………………………………………………………118 P37 窒化炭素系極薄膜を形成した磁気ディスクのマイクロトライボロジー （日工大）○関根幸男，三宅正二郎，渡部修一……………………………………………………………………………120 P38 小粒形ダイヤモンド状炭素膜のトライボロジー特性 （JFCC･つくば、機械研*、物質研**）○和住光一郎，Cedric Morel，田中章浩*，古賀義紀**…………………………122 P39 マグネトロンスパッタ法により合成したB-C-N系薄膜の機械的特性 （東工大･工）○高橋 徹，百瀬英明，大竹尚登，安原鋭幸，加藤和典……………………………………………………124 P41 ダイヤモンド表面チャンネル型電界効果トランジスタのキャリアの量子化を考慮したデバイスシミュレーション （早大･理工）○大庭誉士和，銭 峻，津川和夫，谷内寛直，川原田 洋……………………………………………………126 P42 セルフアラインプロセスを用いたCu/CaF２/Diamond MISFET （早大･理工、電総研*、CREST**）○谷内寛直，有馬拓也，梅沢 仁，立木 実**，津川和夫， 竹内大輔*，山中貞則*，大串秀世*，川原田 洋…………………………………………………………………………128 P43 CaF2/BaF2をゲート絶縁膜に用いるダイヤモンドMISデバイス （阪大院･基礎）○辻 清茂，伊藤暁広，牧 哲朗，小林 猛…………………………………………………………………130 P44 平面構造型ダイヤモンド電子エミッターの作製と特性解析 （阪大院･基礎）○加藤辰一朗，河村秀樹，劉 継平，牧 哲朗，小林 猛……………………………………………………132 P45 高品質単結晶ダイヤモンド基板でのMgO薄膜のヘテロ成長 （阪大院）○李 昇穆，村上博成，伊藤利道…………………………………………………………………………………134 P46 粒子状ダイヤモンドからのフィールドエミッション:表面形状･表面電子状態の解析 （JFCC･大阪）○渡邉晃彦，北畠 真…………………………………………………………………………………………136 P47 高温高圧合成単結晶ダイヤモンドの電界放出特性 （東工大･工）○新沼 剛，平田 敦……………………………………………………………………………………………138 P48 ポーラスシリコンを用いた窒素ドープダイヤモンドエミッタの作製とその電界放出特性 （東海大・工、ソニー*、九州東海大･工**）○滝田貴之，井上浩司*， 木村英樹，清田英夫**，斎藤一郎*，黒須楯生，飯田昌盛**………………………………………………………………140 P49 CVDダイヤモンド薄膜からの電子放出（Si基板前処理及び膜厚依存性） （東海大･工）○伊藤勲一，松川年寿，庄 善之，岩瀬満雄，和泉富雄………………………………………………………142 P50 CVDダイヤモンドの光電子放出のしきい値エネルギーの表面酸素量依存性 （阪大院）○横山 真，伊藤利道………………………………………………………………………………………………144 P51 単結晶ダイヤモンド薄膜を用いたpin積層構造の作製 （阪大院、三菱重工*）○遠藤誠一，伊藤利道，西森年彦*…………………………………………………………………146 P52 B-C-N薄膜の作製と評価 （阪大院）○稗田晴彦，杉野 隆………………………………………………………………………………………………148 P53 高調波を用いた10GHzダイヤSAWフィルタ （住友電工）○鹿田真一，中幡英章，藤井 知，八郷昭広，板倉克裕………………………………………………………150 P54 有機液相中におけるラジカル反応を利用したダイヤモンド表面の改質 （九州大院）○坪田敏樹，占部清和，江川慎一，谷口大知，草壁克己，諸岡成治…………………………………………152 P55 気相合成ダイヤモンドの曲面加工 （JFCC･大阪）○松浦 尚，今井貴浩，目黒貴一，齋藤裕久，山本喜之，鹿田真一，藤森直治……………………………154 P56 走査型プローブ顕微鏡による水素終端ダイヤモンド表面のナノファブリケイションおよび電気特性 （早大･理工、CREST*）○須方健太，立木 実*，梅沢 仁，福田 徹， 瀬尾北斗，有馬拓也，谷内寛直，川原田 洋………………………………………………………………………………156 P57 フラーレン/金属フラーレンと固体表面との衝突過程 （JFCC･つくば、名大院･理*、物質研**）○木村 巧，菅井俊樹*，篠原久典*，古賀義紀**，藤原修三**………………158 P58 クラスタダイヤモンドの加熱によるフラーレンの生成およびその潤滑特性 （東工大･工）○垣内孝宏，平田 敦…………………………………………………………………………………………160 P59 反応性DCスパッタ法によるSAWフィルター用AlN薄膜の作製と評価 （物質研）○石原正統，古賀義紀……………………………………………………………………………………………162 P60 GaN薄膜のPLD成長とその評価 （ 阪大院･基礎）○鈴木 淳，中村明博，細見 剛，牧 哲朗，小林 猛………………………………………………………164 P61 原子間力顕微鏡を用いた超硬質膜形成チップによるナノ機械加工 （日工大）○浅野正志，三宅正二郎…………………………………………………………………………………………166 P62 サブミクロンダイヤモンドの挙動 （トーメイダイヤ）○山中 博，大島龍司，細見 暁……………………………………………………………………………168
◇懇親会 １８：００～ （大隈ガーデンハウス）
第 ２ 日（１１月２６日）
◇座長 大竹 尚登（東京工業大学） ９：００～１０：４０ 201 Pイオン注入したホモエピタキシャルダイヤモンド層のイオンビーム照射によるアニール （神奈川大･理、電総研*）○中田穣治，竹内大輔*，山中貞則*，大串秀世*，小倉政彦*，長谷川雅考*，小林直人*…174 202 イオン注入法によるダイヤモンドへの硫黄ドーピング （電総研）○長谷川雅考，竹内大輔，山中貞則，小倉政彦，渡辺幸志， 大串秀世，小林直人，梶村皓二……………………………………………………………………………………………176 203 400keV以下のイオン照射を伴ったダイヤモンド中の照射損傷のアニール （電総研）○小倉政彦，長谷川雅考，田中保宣，小林直人…………………………………………………………………178 204 窒化炭素/窒化ホウ素超格子膜の形成とマイクロトライボロジー （日工大）○関根幸男，三宅正二郎，渡部修一………………………………………………………………………………180 205 PVD法による硬質炭素薄膜の作製及び微構造観察 （慶應大･理工）○木村綾子，東 恭志，鈴木哲也……………………………………………………………………………182
◇１０：４０～１１：００ コ－ヒ－ブレイク
◇座長 山本 和弘（物質研）１１：００～１２：４０ 206 高純度cBN多結晶体の特性 （住友電工）○角谷 均，上坂伸哉……………………………………………………………………………………………184 207 アモルファス窒化ホウ素の高圧相転移 （無機材研）○谷口 尚………………………………………………………………………………………………………186 208 熱処理した高圧合成ダイヤモンドにみられる変形による発光像 （無機材研）○神田久生………………………………………………………………………………………………………188 209 水素終端されていないグラフェンリボンの多重結合と電子構造 （JFCC･つくば、物質研*、NEC･基礎**）○河合孝純，古賀義紀*，宮本良之**，杉野 修**…190 210 フラーレンのC８４の生成機構の温度依存性（理論） （名工研）○吉田晴男…………………………………………………………………………………………………………192
◇１２：４０～１３：４０ 昼休み
◇座長 今井 貴浩（住友電工）１３：４０～１５：２０ 211 n型ダイヤモンドへの低抵抗オーミック電極の形成 （無機材研）○寺地徳之，小泉 聡，神田久生………………………………………………………………………………198 212 高濃度ボロンドープダイヤモンド薄膜を用いた紫外線LEDの特性評価 （神戸製鋼）○横田嘉宏，宮田浩一，川上信之，林 和志，井上憲一………………………………………………………200 213 ゲート絶縁膜堆積処理とダイヤモンド界面特性評価 （阪大院･基礎）○牧 哲朗，中村明博，鈴木 淳，伊藤暁広，細見 剛， 小林 猛…………………………………………202 214 水素終端ダイヤモンドFETにおけるプロセス改善による寄生抵抗の制御 （早大･理工、電総研*、CREST**）○有馬拓也，谷内寛直，梅沢 仁， 立木 実*，津川和夫，竹内大輔*，山中貞則*，大串秀世*，川原田 洋…………………………………………………204 215 アルカリ溶液中におけるダイヤモンドISFET （早大･理工）○小川雄史，荒木裕太，立木 実，津川和夫，川原田 洋……………………………………………………206
◇１５：２０～１５：４０ コ－ヒ－ブレイク
◇座長 杉野 隆（大阪大学）１５：４０～１７：２０ 216 炭素薄膜からの電界電子放出における予備処理過程 （松下寿電子、高知工科大*、カシオ計算機**）○猪本秀夫，八田章光*， 河端邦春**，河東田 隆*，平木昭夫*………………………………………………………………………………………208 217 ダイヤモンド系電界電子放出材料の表面損傷 （京大院）○板橋政次，小出康夫，村上正紀，浅利琢磨……………………………………………………………………210 218 CVD成長及び水素プラズマ処理した高圧合成ダイヤモンド粒子の２次電子分光 （東北大･科計研、松下電器･先端技研*）○河野省三，後藤忠彦，虻川匡司，北畠 真*，出口正洋*…………………212 219 尖鋭エミッタ付き単結晶ダイヤモンド基板からの電子放出 （JFCC･大阪、住友電工*）○西林良樹，齋藤裕久*，今井貴浩*，藤森直治*……………………………………………214 220 水素プラズマ処理による針状ダイヤモンドエミッターの作製 （NEC･機能材研、NEC･シリコン研*）○山本博規，吉本政行*，馬場和宏，武村 久*……………………………………216
Ｌａｔｅ Ｎｅｗｓ １７：２０～１８：００
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