ダイヤモンドシンポジウム講演プログラム（第１４回） |
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第１４回 ダイヤモンドシンポジウム講演プログラム |
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日 時：平成１２年１１月３０日（月），１２月１日（火） 会 場：つくば工業技術院共用講堂 第１日（１１月３０日） （つくば工業技術院共用講堂）◇座長 光田 好孝（東京大学）９：４０～１２：００ 101 大型ダイヤモンド単結晶合成中のプラズマ評価 （住友電工、JFCC･大阪*）○目黒貴一，安藤 豊*，西林良樹*，今井貴浩…………………………………………………………4 102 60kWマイクロ波CVD装置で合成したダイヤモンド薄膜 （JFCC･大阪、阪大･工*）○橘 武史，安藤 豊，渡邉晃彦，西林良樹，小橋宏司，平尾 孝*，尾浦憲治郎*……………………6 103 超臨界H2O-CO2流体からのダイヤモンドの生成過程 （無機材研）○山岡信夫，赤石 實，M.D.Shaji Kumar，神田久生……………………………………………………………………8 104 高圧下温度差法によるcBN単結晶の合成と評価 （無機材研、阪大･工*）○谷口 尚，寺地徳之*，小泉 聡，渡邊賢司，山岡信夫…………………………………………………10 105 プラズマジェットCVDによるc-BN膜の断面構造 （無機材研）○張 文軍，松本精一郎，倉嶋敬次，板東義雄………………………………………………………………………12 106 Tiを添加した炭素ターゲットを用いたDLC膜の作製 （慶應大･理工）○東 恭志，木村綾子，鈴木哲也…………………………………………………………………………………14 107 エキシマレーザー照射によるフラーレンのBN置換反応 （物質研、JFCC･つくば*）○中村挙子，石川啓一郎，後藤亜紀子*， 石原正統，大花継頼，古賀義紀，津田 統*……………16
◇１２：００～１３：００ 昼休み
座長 澤邊 厚仁（青山学院大学）１３：００～１４：４０ 108 単結晶ダイヤ基板上の新しい形の尖鋭エミッタの形成と電子放出特性 （JFCC･大阪、住友電工*、阪大･工**）○西林良樹，安藤 豊，小橋宏司， 目黒貴一*，今井貴浩*，平尾 孝**，尾浦憲治郎**………………………………………………………………………………22 109 粒子状ダイヤモンドからのフィールドエミッション:電子放出サイトおよび電界電子放出特性の 観察 （JFCC･大阪、松下電産*）○渡邉晃彦，出口正洋*，北畠 真……………………………………………………………………24 110 多結晶ダイヤモンド薄膜を用いた電子エミッターの作製 （高知工大）○八田章光，住友 卓，川上悦一，富士敬司，猪本秀夫……………………………………………………………26 111 超硬基板に合成した炭素膜の電子放出特性 （広島県西部工技センター）○筒本隆博，山本 晃………………………………………………………………………………28 112 窒化ホウ素薄膜のフィールドエミッション特性 （阪大院･工学研）○木村千春，堀 貴充，山本知秀，杉野 隆…………………………………………………………………30
１４：４０～１５：００ コ－ヒ－ブレイク
◇特別講演 座長 山岡 信夫（無機材研） １５：００～１５：４０ 「高品質大型ダイヤモンド単結晶の合成と応用」住友電気工業（株）常任理事 矢津 修示氏………………………………………32
◇ポスタ－セッション １６：００～１７：４０ P01 先端放電型マイクロ波プラズマCVD装置を用いたIr基板上へのダイヤモンドヘテロエピタキシャル薄膜の作製 （早大･理工）○藤崎豊克，立木 実，梅澤 仁，谷山記一，工藤 稔， 川原田 洋………………………………………………42 P02 ダイヤモンド核発生の初期過程の考察 （電通大）○湯郷成美，斎藤大輔，菅 章宏，田代智成，石垣哲孝………………………………………………………………44 P03 非ダイヤモンド基板上への配向ダイヤモンドの核形成 （佐賀大･機器分析センター、東北大･金材研*、理学電機**）○池田 進，西本 潤，芳尾真幸，宍戸統悦*，稲葉克彦**……46 P04 基板表面形態とダイヤモンド成長表面及び基板前処理の試み （JFCC･つくば、電総研*、東芝**）○吉田博昭，李 成奇*，渡辺幸志*， 山中貞則*，竹内大輔*，大串秀世*，張 利**，酒井忠司**……………………………………………………………………48 P05 微小溝付き基板上へのダイヤモンド成長 （徳島大･工）○山本裕史，直井美貴，藤井芳雄，新谷義廣……………………………………………………………………50 P06 ダイヤモンドの選択成長（Ⅳ） （東京電機大･理工）○横山岳宏，奥 祐一朗，平栗健二…………………………………………………………………………52 P07 ホウ素イオン注入によるCVDホモエピタキシャルダイヤモンドのp型電気伝導性制御 （電総研）○小倉政彦，長谷川雅考，竹内大輔，山中貞則，渡辺幸志，李 成奇，大串秀世，小林直人………………………54 P08 不純物ドープダイヤモンド薄膜の新しい作製法 （電通大）○斎藤大輔，石垣哲孝，小畑洋二，小原 亮，湯郷 成美……………………………………………………………56 P09 トリメチルボロンを用いて成長したダイヤモンド薄膜の評価 （徳島大･工）○山本裕史，直井美貴，藤村康史，新谷義廣……………………………………………………………………58 P10 ダイヤモンド中の硫黄不純物の第一原理計算 （電総研）○宮崎剛英，大串秀世…………………………………………………………………………………………………60 P11 ステンレス基板上へのダイヤモンド合成 （東京電機大･理工）○中村江里，大山 学，中山慶一，山越容子，平栗健二…………………………………………………62 P12 円筒H11モードマイクロ波共振器によるダイヤモンド膜のCVD生成 （東大院、東大･生産研*）○高井義成，小林剣二*，光田好孝*…………………………………………………………………64 P13 高温熱フィラメントを用いたCVD法で作製されたダイヤモンド薄膜（原料気体圧力依存性） （青学大･理工、トウ・プラス*、旭ダイヤ**）○吉川桂介，山田 貴壽，鈴木一博*，池田隆二**，澤邊厚仁…………66 P14 低CH4濃度ホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜における表面形態のオフ角依存性 （電総研、JFCC･つくば*）○李 成奇，吉田博昭*，山中貞則，渡辺幸志，竹内大輔，大串秀世………………………………68 P15 誘電結合プラズマを用いたダイヤモンドエッチング （神戸製鋼、広島大･システム研*）○川上信之，横田嘉宏，井上憲一，芝原健太郎*，廣瀬全孝*……………………………70 P16 高純度大型ダイヤモンド単結晶の育成 （住友電工）○角谷 均，戸田直大，佐藤周一……………………………………………………………………………………72 P17 熱化学研磨による球状ダイヤモンドの作製 （東工大院･理工）○武冨浩介，平田 敦…………………………………………………………………………………………74 P18 エミッタティップ形成のための反応性イオンエッチングによるダイヤ円柱加工 （JFCC･大阪、阪大･工*）○安藤 豊，西林良樹，小橋宏司，平尾 孝*，尾浦憲治郎*………………………………………76 P19 単結晶ダイヤモンドマイクロ波CVD法におけるプラズマプロセス耐性金属マスクの開発 （阪大院･工学研）○遠藤誠一，寺地徳之，伊藤利道…………………………………………………………………………78 P20 マイクロ波プラズマCVD法により作製したダイヤモンド膜のXPSによる評価 （JFCC･つくば、物質研*）○Sung-Pill Hong，吉川博道，後藤亜紀子，古賀義紀*…………………………………………80 P21 白金基板上ダイヤモンドのTEM観察 （徳島大･工）○久次米 進，稲岡 武，江 南，直井美貴，新谷義廣……………………………………………………………82 P22 ダイヤモンド薄膜のイオン注入欠陥とその評価 （阪大院･工学研）○木村謙一，遠藤誠一，王 春蕾，寺地徳之，伊藤利道…………………………………………………84 P23 単結晶ダイヤモンド(100)表面における微細構造と電子状態の評価 （阪大院･工学研、阪大･超伝導*）○福本訓子，横山 真，寺地徳之，村上博成*，伊藤利道………………………………86 P24 ダイヤモンド薄膜界面におけるミスフィット転位の分子動力学シュミレーション （慶應大･理工）○大久保慶和，野口裕久，鈴木哲也…………………………………………………………………………88 P25 ダイヤモンド表面上水素の種々の反応過程に関する第一原理電子論 （東京理科大･理、東北大･科計研*）○金井千里，高橋政男，渡辺一之，高桑雄二*………………………………………90 P26 質量分離イオンビーム蒸着法によるDLC膜の化学結合の制御 （物質研、JFCC･つくば*）○山本和弘，渡辺俊哉*，和住光一郎*，小海文夫*，古賀義紀，藤原修三……………………92 P27 イオン注入によるDLC膜の付着性改善 （石川島播磨重工、JFCC･つくば*）○渕上健児，堀内正昭，鈴木勝美， 和住光一郎*，上松和夫，佐々 正………………94 P28 EBEP-CVDにて各種条件で成膜したDLC膜の内部応力 （川崎重工）○伴 雅人，藤井貞夫，藤岡順三…………………………………………………………………………………96 P29 高分子基板上へのDLC被覆と化学結合特性 （慶應大･理工）○児玉英之，木村綾子，鈴木哲也……………………………………………………………………………98 P30 DLC薄膜の溶血性評価 （東京電機大院･理工）○大越康晴，安田利貴，平栗健二，舟久保昭夫，福井康裕………………………………………100 P31 プラズマイオン注入法によるa-C膜の合成と評価 （JFCC･つくば、物質研*、機械研**）○渡辺俊哉，山本和弘*，古賀義紀*，田中章浩**…………………………………102 P32 ダイヤモンドへの電荷注入層としての非晶質炭素薄膜 （東芝）○佐久間尚志，酒井忠司，小野富男，張 利…………………………………………………………………………104 P33 ECRプラズマスパッタ法により作成したアモルファス炭素及び窒化炭素薄膜の構造及びトライボ特性 （物質研、JFCC･つくば*、機械研**、東芝***）○大花継頼，後藤亜紀子*，山本和弘，中村挙子，田中章浩**， 大沢裕一***，興田博明***，佐橋政司***，古賀義紀………………………………………………………………………106 P34 炭素膜の膜質とその電子放出特性 （広島県西部工技センター）○山本 晃，筒本隆博……………………………………………………………………………108 P35 レーザー照射によるグラッシーカーボンの構造改質 （長岡技大、レーザー応用研*）○品田敬宏，平賀 仁*，井上尚志*，大塩茂夫，齋藤秀俊…………………………………110 P36 フラーレンのC82の統計的成長機構の温度依存性（理論） （名工研）○吉田晴男……………………………………………………………………………………………………………112 P37 カーボンナノチューブ含有樹脂の射出成形 （東工大院･理工）○榎本和城，安原鋭幸，大竹尚登，加藤和典……………………………………………………………114 P38 NMRを用いたcBN薄膜及び関連物質の評価；その現状と未来 （無機材研）○丹所正孝，W.J.Zhang，松本精一郎，森 孝雄…………………………………………………………………116 P39 低誘電率窒化ホウ素薄膜の作製 （阪大院･工学研）○多井知義，衛藤義弘，杉野 隆…………………………………………………………………………118 P40 電子ビーム励起プラズマCVDにより作製した窒化炭素膜 （JFCC･つくば、物質研*、川崎重工**）○長谷川 猛，後藤亜紀子，山本和弘*，角舘洋三*，伴 雅人**…………………120 P41 アモルファス窒化炭素を被覆したZnOエピタキシャルウイスカーからの電界放出特性 （長岡技大）○内城貴則，大河原吉明，大塩茂夫，伊藤治彦，齋藤秀俊……………………………………………………122 P42 イオンプレーティングにより形成した窒素炭素膜のマイクロトライボロジー特性 （日工大）○渡部修一，三宅正二郎，関根幸男，村川正夫……………………………………………………………………124 P43 アモルファス窒化炭素膜の構造と機械特性 （長岡技大）○赤坂大樹，大河原吉明，大塩茂夫，伊藤治彦，齋藤秀俊……………………………………………………126 P44 レーザーアプレーション法による炭化ホウ素薄膜の形成 （JFCC･つくば、物質研*）○谷脇 学，小海文夫，古賀義紀*…………………………………………………………………128 P45 クラスター蒸着法で作製したSiCN薄膜の化学結合状態 （JFCC･つくば、物質研*）○木村 巧，後藤亜紀子、山本和弘*，古賀義紀*…………………………………………………130 P46 ダイヤモンド基板上への窒化アルミニウム薄膜の作製と表面弾性波特性 （物質研、東芝*、住友電工**）○石原正統，江畑泰男*，鹿田真一**，古賀義紀……………………………………………132 P47 単結晶ダイヤモンド(100)上へ成長したMgO薄膜の特性 （阪大院･工学研、阪大･超伝導*）○李 昇穆，村上博成*，伊藤利道…………………………………………………………134 P48 単結晶ダイヤモンド(100)上へのナノ構造シリコンの形成 （阪大院･工学研）○伊澤正裕，西山健次，伊藤利道…………………………………………………………………………136 P49 ダイヤコーティング軸受けの作製 （住友電工）○今井貴浩，目黒貴一……………………………………………………………………………………………138 P50 多層構造ダイヤモンド膜の機械的特性 （日工大、昭和電工*、東海大･工**）○竹内貞雄，小田澄嗣，村川正夫，小巻邦雄*，広瀬洋一**………………………140 P51 窒素含有微結晶ダイヤモンド薄膜のトライボロジー特性 （JFCC･つくば、物質研*、機械研**）○和住光一郎，古賀義紀*，田中章浩**………………………………………………142 P52 サブミクロンダイヤモンドの表面処理と研磨特性 （トーメイダイヤ）○大島龍司，山中 博，細見 暁………………………………………………………………………………144 P53 ダイヤモンド絶縁薄膜コイルを用いたマイクロ搬送デバイスの研究 （富士電機総研）○渡辺泰正，森田 修，江戸雅晴，米澤栄一…………………………………………………………………146 P54 ホウ素ドープダイヤモンドのバンド端における発光特性 （無機材研）○渡邊賢司，神田久生，佐藤洋一郎………………………………………………………………………………148 P55 結晶欠陥を導入した単結晶ダイヤモンドのカソードルミネッセンス特性 （日工大）○竹内貞雄、村川正夫………………………………………………………………………………………………150 P56 CVDホモエピタキシャルダイヤモンドのカソードルミネッセンス （無機材研、阪大院･工学研*）○神田久生，小泉 聡，渡邊賢司，寺地徳之*…………………………………………………152 P57 高品質ホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜でのエキシトン発光の非線形効果 （電総研）○渡辺幸志，大串秀世………………………………………………………………………………………………154 P58 Si/ダイヤモンド界面の粗さを変化させたダイヤモンド薄膜からの電子放出 （東海大･工）○大矢 剛，松川年寿，庄 善之，岩瀬満雄，和泉富雄…………………………………………………………156 P59 ホウ素添加ダイヤモンドからの電子放出機構 （青学大･理工、無機材研*、電総研**、国際基督大***）○山田貴壽， 澤邊厚仁，小泉 聡*，伊藤順司**，神尾隆昌***，岡野 健***………………………………………………………………158 P61 ホモエピタキシャルダイヤモンドの励起子発光 （阪大院･工学研）○王 春蕾，木村謙一，入江正丈，遠藤誠一，寺地徳之，伊藤利道………………………………………160 P62 高電界下におけるダイヤモンド中でのキャリア輸送Ⅰ （阪大院･工学研）○入江正丈，寺地徳之，遠藤誠一，木村謙一，王 春蕾，伊藤利道………………………………………162 P63 BN/GaN構造のフィールドエミッション特性 （阪大院･工学研）○木村千春，堀 貴充，山本知秀，杉野 隆………………………………………………………………164 P64 ダイヤモンド薄膜の正孔移動度の温度依存性 （玉川大･工）○櫻田 寛，月岡邦夫……………………………………………………………………………………………166 P65 硫黄ドープCVDダイヤモンドの合成と評価 （東京ガス･フロンティア研）○河村亜紀，堀内賢治，石倉威文，井出卓宏，山下 敏………………………………………168 P66 デバイスシミュレーションを用いた縦型デュアルゲートダイヤモンドFETのDC解析 （早大･理工）○田中啓章，大庭誉士和，川原田 洋…………………………………………………………………………170 P67 AFM局所酸化プロセスおよびAr＋イオン注入プロセスを用いた表面伝導層サイドゲートFETの作製 （早大･理工）○坂野時習，立木 実，梅澤 仁，福田 徹，須方健太，瀬尾北斗，川原田 洋…………………………………172 P68 平坦化多結晶ダイヤモンドMISFETの特性改善 （早大･理工）○藤原直樹，石坂博明，谷内寛直，有馬拓也，梅澤 仁，立木 実，川原田 洋………………………………174
◇懇 親 会 １８：００～（つくば工業技術院内食堂）
第 ２ 日（１２月１日）◇座長 今井 貴浩（住友電工） ９：４０～１２：００ 201 アモルファスダイヤモンドの蛍光分光測定 （東工大･総合理工、応セラ研*、物質研**、キヤノン***）○保前友高， 岡本篤志，中村一隆*，近藤建一*，吉田正典**，平林敬二***………………………………………………………………180 202 医用生体材料へのDLC膜の応用 （東京電機大･理工，テルモ*）○平栗健二，大越康晴，野尻知里*，城戸隆行*，舟久保昭夫，福井康裕…………………182 203 アモルファスCNx:H(0≦x≦1)膜の水素定量 （長岡技大）○大河原吉明，大塩茂夫，鈴木常生，伊藤治彦，八井 浄，齋藤秀俊…………………………………………184 204 オニオン構造フラーレンの潤滑材への適用 （東工院･理工、工*）○平田 敦，五十嵐正記*…………………………………………………………………………………186 205 単層ナノチューブの高圧処理による新規な超硬度炭素材料の生成 （JFCC･つくば、物質研*、ノースカロライナ大**）○ミハエル ポポフ，京谷陸征，古賀義紀*，R.J.Nemanich**……………188 206 SPMによる炭素系薄膜のナノオーダー電気物性評価 （東芝、JFCC･つくば*）○張 利，酒井忠司，小野富男，佐久間尚志， 吉田博昭*…………………………………………190 207 セラミックス皮膜形成用電磁加速プラズマ溶射装置の開発 （JFCC･つくば、物質研*）○北村順也，薄葉 州*，角舘洋三*，横井裕之*，山本和弘*，藤原修三*………………………192
◇１２：００～１３：００ 昼休み
◇座長 伊藤 利道（大阪大学）１３：００～１５：２０ 208 電解質水溶液ゲートダイヤモンドFETの特性評価 （早大･理工）○堺 俊克，荒木裕太，梅澤 仁，立木 実，川原田 洋…………………………………………………………198 209 表面チャネル型ダイヤモンドFETの高周波特性評価 （早大･理工）○石坂博明，藤原直樹，谷内寛直，有馬拓也，梅澤 仁，立木 実，川原田 洋………………………………200 210 サブミクロンチャネルp+-i-p+ダイヤモンドMISFETの作製 （神戸製鋼、広島大･システム研*）○川上信之，横田嘉宏，林 和志，井上憲一，芝原健太郎*，廣瀬全孝*………………202 211 金属/酸素化BドーブCVDダイヤモンド薄膜の接合特性 （電総研）○山中貞則，竹内大輔，渡辺幸志，大串秀世……………………………………………………………………204 212 バンドAの起源となる欠陥に関する考察 （電総研、東大*、金材研**）○竹内大輔，渡辺幸志，沢田英敬*，市野瀬英喜*，関口隆史**，大串秀世………………206 213 室温化での電流注入によるダイヤモンド自由励起子再結合発光 （東京ガス･フロンティア研）○堀内賢治，河村亜紀，石倉威文，井手卓宏，中村和郎，山下 敏…………………………208 214 超高純度Ⅱa型ダイヤモンド結晶中の不純物分布と放射線検出器に対する影響 （日本原研、阪大･工*、電総研**、住友電工***）○田中照也，金子純一， 竹内大輔**，角谷 均***，片桐政樹，西谷健夫，竹内 浩，飯田敏行*，大串秀世**……………………………………210
◇１５：２０～１５：４０ コ－ヒ－ブレイク
◇座長 鈴木 哲也（慶應義塾大学）１５：４０～１８：００ 215 MeV級イオンビーム照射によるPイオン注入高品質CVDダイヤモンド層の電気的活性化 （神奈川大、電総研*、法政大･イオン工研**）○中田穣治，李 成奇*， 山中貞則*，竹内大輔*，大串秀世*，長谷川雅考*，小倉政彦*，小林直人*，佐藤政孝**………………………………212 216 リンドープダイヤモンドにおけるドナー束縛励起子発光の観測 （早大･理工、無機材研*）○中澤一志，田辺憲司，小泉 聡*，川原田 洋…………………………………………………214 217 硫黄イオン注入によるCVDホモエピタキシャルダイヤモンドのn型電気伝導 （電総研）○長谷川雅考，竹内大輔，山中貞則，小倉政彦，渡辺幸志，李 成奇，大串秀世，小林直人…………………216 218 Sイオン注入ダイヤモンドからの電界電子放出 （東芝、JFCC･つくば*、電総研**）○酒井忠司，小野富男，佐久間尚志， 張 利，吉田博昭*，長谷川雅考**，大串秀世**……………………………………………………………………………218 219 反応性イオンエッチングによるダイヤモンドの高速微細加工 （JFCC･大阪、阪大･工*）○安藤 豊，西林良樹，小橋宏司，平尾 孝*，尾浦憲治郎*……………………………………220 220 ダイヤモンド及び炭素表面への繊毛構造の形成 （JFCC･大阪、神戸製鋼*）○小橋宏司，橘 武史，横田嘉宏*，林 和志*…………………………………………………222 221 ダイヤモンド工具を用いた超音波ミリングに関する研究 （日工大）○野口裕之，林 正弘，神 雅彦，竹内貞雄，村川正夫…………………………………………………………224
Ｌａｔｅ Ｎｅｗｓ １８：００～
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