ダイヤモンドシンポジウム講演プログラム（第１７回） |
|
|
第１７回 ダイヤモンドシンポジウム講演プログラム |
|
日 時：平成１５年１１月２７日（月），２８日（火） 会 場：青山学院大学 青山キャンパス 総研ビル 第１日（１１月２７日）（青山学院大学 青山キャンパス 総研ビル）◇座長 神田 久生（物材機構） ９：００～１０：２０ 101 高品質単結晶ダイヤモンド薄膜の高速成長プロセスの開発 （阪大院･工）○濱田充弘，寺地徳之，伊藤利道……………………………………………………………………………………4 102 Ir(001)基板上へのダイヤモンドCVDヘテロエピ成長におけるイオン照射効果 （東北大･多元研，青山学院大･理工*）○池嶋祐介，山田貴壽，白石基哉， 高野 享，後藤忠彦，虻川匡司，澤邊厚仁*，河野省三……………………………………………………………………………6 103 ガラス基板上への大面積ナノクリスタルダイヤモンド成膜 （産総研）○津川和夫，長谷川雅考，古賀義紀……………………………………………………………………………………8 104 高純度ナノダイヤモンド多結晶体の高圧合成とその特性 （住友電工，愛媛大*）○角谷 均，入舩徹男*，栗尾文子*………………………………………………………………………10
◇１０：２０～１０：４０ コ－ヒ－ブレイク
◇座長 齋藤 秀俊（長岡技大） １０：４０～１２：００ 105 ペルフルオロアゾ化合物の光分解反応を用いた水素終端ダイヤモンド膜表面の化学修飾 （産総研）○中村挙子，鈴木雅裕，石原正統，大花継頼，田中章浩，古賀義紀…………………………………………………12 106 表面改質による多結晶導電性ダイヤモンド電極の電気化学特性 （慶應大･理工，東大院･工*，東大･RIC**，KAST***）○栄長泰明， 佐藤利佳，知久昌信，近藤剛史*，柴山義行，巻出義紘**，藤嶋 昭***…………………………………………………………14 107 超分散性ダイヤモンドを用いたナノバイオアプリケーション （早大･理工，早大･理工/CREST･JST*）○中野善和，梅澤 仁*，張 国軍， 宋 光燮*，貝原 雄*，座古 保，船津高志，川原田 洋*…………………………………………………………………………16 108 フッ素添加ダイヤモンドライクカーボン膜の抗血栓性評価 （慶應大･理工，慶應大･医*，北里大･医**）○松岡義明，齋藤俊哉，児玉英之，長谷部光泉*，島田 厚**，鈴木哲也………18
◇１２：００～１３：００ 昼休み
◇座長 竹内 貞雄（日本工大） １３：００～１４：４０ 109 カーボンナノチューブの曲げ変形挙動と電気伝導性のその場測定 （東大･生産研）○葛巻 徹，光田好孝………………………………………………………………………………………………24 110 ダイヤモンドを用いた振動センサの開発 （広島県西部工技センター，新川センサテクノ*）○山本 晃，筒本隆博，縄稚典生，旭 尊史*…………………………………26 111 集束イオンビームによるダイヤモンドの三次元マイクロ形状加工 （日工大･先端研）○野口裕之，竹内貞雄，村川正夫………………………………………………………………………………28 112 カーボンナノチューブコーティングの固体潤滑材としての評価 （東工大院･理工）○平田 敦，吉岡信明……………………………………………………………………………………………30 113 ダイヤモンド含有ポリイミド材料の水中および空気中での摩擦摩耗特性 （産総研）○田中章浩，梅田一徳，高津宗吉………………………………………………………………………………………32
◇１４：４０～１５：００ コ－ヒ－ブレイク
◇特別講演 座長 澤邊 厚仁（青山学院大） １５：００～１５：５０ 「ダイヤモンドエミッタの開発－そしてダイヤモンド研究への私見」 高知工科大学 教授 平木昭夫 氏……………………………34
◇ポスタ－セッション １６：００～１８：００ P01 多電極直流プラズマCVD法による、方位成長速度比を制御したダイヤモンドのヘテロエピタキシャル成長 （青学大･理工，トウプラスエンジ*）○安藤 豊，藤澤 健，杉崎 泉，前田真太郎，桑原潤史，鈴木一博*，澤邊厚仁…………44 P02 ダイヤモンド配向核発生における基板表面形状の効果 （電通大）○石垣哲孝，斉藤大輔，田代智成，木村忠正…………………………………………………………………………46 P03 熱フィラメントCVD法によるダイヤモンド薄膜の作製 （東海大院，ミシガン州立大*）○植木伸和，大竹康夫，矢部 裕，石飛 崇，庄 善之*，和泉富雄………………………………48 P04 ダイヤモンド陰極を用いたマイクロプラズマの発生 （高知工科大）○朝山淳哉，青木祐典，吉村紘明，八田章光……………………………………………………………………50 P05 250mm角導電性ダイヤモンドコーティング （住友電工）○泉 健二，関 裕一郎，今井貴浩……………………………………………………………………………………52 P07 微細構造を形成したダイヤモンド｛110｝基板へのリンドープ成長 （住友電工）○難波暁彦，泉 健二，目黒貴一，西林良樹，築野 孝，今井貴浩…………………………………………………54 P08 化学反応を利用したダイヤモンドの加工 （熊本大院，熊本工技センター*）○伊田 進太郎，坪田敏樹*，谷井俊亮，永田正典*，松本泰道………………………………56 P09 ガス導入電子線描画装置による微細領域へのマスクレスダイヤモンド表面修飾 （早大･理工，早大･理工/CREST*）○新井達也，畑 英夫*，梅澤 仁*，貝原 雄*，宋 光燮*，川原田 洋*………………………58 P10 N-クロロスクシンイミドを利用したダイヤモンド表面の化学修飾 （熊本工技センター，熊本大･工*）○坪田敏樹，石田俊仁*，谷井俊亮*，永田正典，松本泰道*………………………………60 P11 電解質ゲートダイヤモンドFETを利用したグルコースセンサ （早大･理工，早大･理工/CREST*）○出川宗里，宋 光燮*，金澤啓史*，中村雄介*，佐々木 順紀，梅澤 仁*，川原田 洋*…62 P12 パルスレーザを用いたダイヤモンド膜の密着強度評価 （旭ダイヤモンド工業，青山学院大･理工*）○池田隆二，田坂 駿*，長 秀雄*，竹本幹男*，澤邊厚仁*…………………………64 P13 超硬合金へコーティングしたダイヤモンド膜の付着力向上 （日工大院，日工大･工*，不二越**）○小島雅治，竹内貞雄*，村川正夫*，高野茂人**，神田一隆**…………………………66 P14 ダイヤモンドコーティングの刃先強度に及ぼす膜質の影響 （川瀬工具店，広島県西部工技センター*）○川瀬裕三，筒本隆博*，山本 晃*…………………………………………………68 P15 半導体製造装置部材へのダイヤモンド応用 （日本ガイシ，東工大院･理工*）○東海林隆一，大竹尚登*，近藤好正，中村幸則………………………………………………70 P16 チタン材料を添加したDLC膜の境界潤滑特性 （日工大院，日工大･工*，日産自動車**）○斉藤喬士，三宅 正二郎*，渡部修一*，保田芳輝**，岡本裕介**………………72 P17 Cr-DLC膜の油潤滑特性 （日工大院，日工大･工*）○小竹克幸，渡部修一*，三宅 正二郎*………………………………………………………………74 P18 パルスバイアスCVDによるDLC膜およびSi含有DLC多層膜の水中でのトライボロジー特性 （産総研）○大花継頼，鈴木雅裕，中村挙子，田中章浩，古賀義紀………………………………………………………………76 P19 DLC自立体のFIBによる加工特性の評価 （日工大院，日工大･工*）○柳沢 仁，竹内貞雄*，丹治 明*，松野建一*，村川正夫*…………………………………………78 P20 マイクロ押出し金型細穴へのダイヤモンド状炭素膜合成 （東工大院･理工，日本ガイシ*）○楊 旭東，斉藤隆雄*，中村幸則*，近藤好正*，大竹尚登……………………………………80 P21 B-C-N extremely thin protective film on magnetic disk （日工大院，日工大･工*）○Mei Wang，三宅 正二郎*，斉藤喬士，渡部修一*…………………………………………………82 P22 ナノプローブマニピュレーションTEMによるCNT複合材料のナノダイナミックス評価 （東大･生産研，東工大院･理工*）○葛巻 徹，北方 慎太郎*，榎本和城*，安原鋭幸*，大竹尚登*，光田好孝………………84 P23 CNT含有樹脂基複合材料の摩擦摩耗特性 （東工大院･理工）○北方 慎太郎，榎本和城，安原鋭幸，大竹尚登，村上碩哉…………………………………………………86 P24 ナノパルスプラズマCVDによるDLC膜の合成及び評価 （日本ガイシ，東工大院･理工*）○齋藤隆雄，大竹尚登*，細野 慎太朗*，中村幸則，近藤好正，今西 雄一郎………………88 P25 微少水素流量下におけるスパッタ法によるa･C:H薄膜の作製 （琉球大院，琉球大･工*）○大城竹彦，山里将朗*，比嘉 晃*，渡久地 實*………………………………………………………90 P26 DLC膜の膜質に及ぼす基板温度の影響 （川瀬機工，広島県西部工技センター*）○島川 修，筒本隆博*，山本 晃*………………………………………………………92 P27 DLC薄膜の作製と絶縁性の評価 （高知工科大）○大橋 渉，松久治可，八田章光……………………………………………………………………………………94 P28 スパッタ法を用いたa-C膜の表面形態に及ぼすプロセスガスの影響 （産総研）○石原正統，鈴木雅裕，中村挙子，田中章浩，古賀義紀………………………………………………………………96 P29 繊維材料への炭素膜の作製 （東京電機大院･理工）○濱 一軌，塙 規枝，佐藤慶介，平栗健二………………………………………………………………98 P30 PETへのDLC膜の堆積とエッチング （東京電機大院･理工）○桑島 喜一郎，泉 俊朗，篠田貴久，佐藤慶介，平栗健二……………………………………………100 P31 準大気圧下でのナノパルスプラズマCVDによるDLC膜の合成 （東工大院･理工，日本ガイシ*）○細野 慎太朗，大竹尚登，齋藤隆雄*，中村幸則*，近藤好正*，今西 雄一郎*…………102 P32 CH４/H２/Arプラズマ中電子温度制御による炭素系膜質制御 （東北大院，仙台デジタルテクノ*，東北工大**）○筏 礼二郎，加藤公儀*，阿部俊三**，飯塚 哲……………………………104 P33 DLCのマスク特性について （広島県西部工技センター）○縄稚典生，筒本隆博，山本 晃……………………………………………………………………106 P34 歯列矯正用Ni-TiワイヤーのDLCコートによる Ni溶出防止効果 （東京電機大･理工，ナノテック*）○小林晋也，高田 哲，大越康晴， 尾関和秀，佐藤慶介，青木秀希，平栗健二，角谷 透*………………………………………………………………………108 P35 h-BN, w-BNの異方的圧縮下での格子構造及び電子状態の変化 （物材機構）○小林一昭……………………………………………………………………………………………………………110 P36 マイクロ波プラズマCVDによる窒化炭素合成における基板電位の影響 （千葉工大）○坂本幸弘，羽根田 成也，高谷松文………………………………………………………………………………112 P37 スパッタリングCVD法による窒化炭素膜の作成 （日本大学院）○谷津洋一，中村勝光，佐々木 朝照……………………………………………………………………………114 P38 BCN薄膜の電気的光学的特性評価 （阪大院･工）○幸 忠男，杉野 隆，梅田秀一，森 晴隆，張 崢峻，舟川慎吾，木村千春………………………………………116 P39 フラーレンC８８:7(C２)の統計的成長機構(理論) （産総研）○吉田晴男………………………………………………………………………………………………………………118 P40 マイクロ波プラズマCVD法による垂直配向円錐型カーボンナノファイバの作製 （早大･理工）○岩崎孝之，保坂亮太，鍾 国倣，大泊 巌，川原田 洋……………………………………………………………120 P41 カーボンナノウォール(CNW)薄膜の電子物性の評価 （高知工技センター，高知女子大*，高知産業振興センター**）○笹岡秀紀， 團野哲也*，王 宏興**，江 南**，平木博久**，西村一仁……………………………………………………………………122 P42 高周波プラズマCVD法によるカーボンナノチューブの合成 （東海大院，エイコーエンジ*，ミシガン州立大**）○矢部 裕，大竹康夫，石飛 崇， 植木伸和，庄 善之**，和泉富雄，山内秀彦*…………………………………………………………………………………124 P43 Bドープダイヤモンド/p-Si電極の光電気化学特性 （電通大）○田代智成，小野 洋，一色秀夫，木村忠正……………………………………………………………………………126 P44 低速陽電子を用いた高品質CVDダイヤモンドの物性評価 （産総研･CREST，筑波大*）○二子 渉，上殿明良*，加藤宙光，渡邊幸志，小倉政彦，竹内大輔，山崎 聡，大串秀世………128 P45 低エネルギーイオン照射したダイヤモンドの表面電子状態 （産総研，東芝*）○山本和弘，吉田博昭…………………………………………………………………………………………130 P46 高圧合成立方晶窒化ホウ素(cBN)の基礎吸収端近傍における光学特性 （物材機構）○渡邊賢司，谷口 尚，坂口 勲，神田久生…………………………………………………………………………132 P47 CVDホモエピタキシャルダイヤモンドの分光エリプソメトリとPASを用いた光吸収評価 （産総研･CREST）○熊谷直人，渡邊幸志，小倉政彦，李 成奇，二子 渉，加藤宙光，山崎 聡，大串秀世……………………134 P48 ボーズ統計に従ったダイヤモンドからのエキシトン発光スペクトルの解析 （産総研･CREST，茨城大･CREST*）○渡邊幸志，菅野正吉*，大串秀世………………………………………………………136 P49 高密度励起下におけるⅡa 型ダイヤモンドの電子正孔液滴と束縛励起子 （早大･理工，早大･理工/CREST*）○荻原大輔，河井啓朗*，梅澤 仁*，川原田 洋*…………………………………………138 P50 CVDダイヤモンド薄膜への電荷注入用電極の特性評価 （東芝，産総研*）○吉田博昭，鈴木 真理子，佐久間 尚志，小野富男，酒井忠司，小倉政彦*，山本和弘*，大串秀世*……140 P51 ２端子プローブによる真空中ダイヤモンド表面電気伝導度測定 （東北大･多元，早大･理工/CREST*，物材機構･CREST**）○後藤忠彦， 河野省三，二瓶雄次，虻川匡司，山田貴壽，立木 実**，川原田 洋*…………………………………………………………142 P52 非特殊材料ガス･トリメチルフォスフィンによるn型CVDダイヤモンドの合成 （阪大院･工）○和田英樹，寺地徳之，伊藤利道…………………………………………………………………………………144 P53 電子デバイス用高品質ホウ素ドープダイヤモンド薄膜 （産総研･CREST/JST）○小倉政彦，陳 益鋼，李 成奇，渡邊幸志，山崎 聡，大串秀世………………………………………146 P54 CVDダイヤモンド薄膜におけるキャリア伝導 （玉川大･工）○小川尚志，月岡邦夫………………………………………………………………………………………………148 P55 ホウ素ドープ{111}ホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜の作製 （物材機構/筑波大，筑波大*，物材機構**）○片桐雅之，磯谷順一*，小泉 聡**，神田久生**……………………………150 P56 ダイヤモンドのpn接合の特徴 （物材機構）○小出康夫……………………………………………………………………………………………………………152 P57 ダイヤモンドpn接合の構造制御 （物材機構，物材機構/筑波大*）○小泉 聡，片桐雅之*，神田久生……………………………………………………………154 P58 ダイヤモンド粒子径の電界放出特性に与える影響 （東京電機大院･理工）○高柳元一，藤井裕太，佐藤慶介，平栗健二…………………………………………………………156 P59 カーボンナノウオール(CNW)及びその電子放出型光源への応用 （高知産業振興センター，高知工技センター*）○平木博久，王 宏興，江 南，笹岡秀紀*，西村一仁*………………………158 P60 冷陰極放電灯陰極材料としてのダイヤモンド膜の検討 （東芝）○小野富男，酒井忠司，佐久間 尚志，鈴木 真理子，吉田博昭………………………………………………………160 P61 高品質ダイヤモンド薄膜を用いた高感度紫外線検出器の作製 （阪大院･工）○寺地徳之，吉嵜 聡，濱田充弘，和田英樹，伊藤利道…………………………………………………………162 P62 高配向性ダイヤモンド薄膜センサの開発 （神戸製鋼）○林 和志，川上信之，横田嘉宏，橘 武史，小橋宏司……………………………………………………………164 P63 ゲート抵抗低減によるダイヤモンドFETの高周波特性の改善 （早大･理工，早大･理工/CREST*）○平間一行，宮本真吾*，松平弘樹*，小林健作*，梅澤 仁*，川原田 洋………………166 P64 ダイヤモンド電極を用いたHPLC （東京電機大･理工）○高井信治，小澤康弘，佐藤生馬，石井 智，中村利通…………………………………………………168 P65 電解質ゲートダイヤモンドFETを用いたダイヤモンド表面のpH感応性評価 （早大･理工，早大･理工/CREST*）○佐々木 順紀，宋 光燮*，金澤啓史*， 中村雄介*，川村正太*，出川宗里，栗原裕介，梅澤 仁*，川原田 洋*…………………………………………………………170 P66 H２Sを添加したH２プラズマによるダイヤモンド表面への硫黄の導入 （九州大院･工）○天本哲生，外輪健一郎，今任稔彦，草壁克己………………………………………………………………172
◇懇親会 青学会館 １８：００～２０：００
第２日目（１１月２８日）◇座長 古賀 義紀（産総研） ９：００～１０：２０ 201 液中アーク法によるカーボンナノチューブ、ナノホーン、無機フラーレン粒子の合成 （姫路工大）○佐野紀彰……………………………………………………………………………………………………………178 202 電子ビーム励起プラズマによる高密度アモルファスカーボン膜の合成 （東工大院･理工）○岩崎睦美，平田 敦…………………………………………………………………………………………180 203 アモルファス炭素系膜の高圧水素添加反応の赤外分光分析 （長岡技大）○日下健一，高野真弥，戸田育民，大塩茂夫，齋藤秀俊…………………………………………………………182 204 DLC薄膜の水素ガス遮断壁としての応用 （高知工科大）○松久治可，八田章光……………………………………………………………………………………………184
◇１０：２０～１０：４０ コ－ヒ－ブレイク
◇座長 西林 良樹（住友電工）１０：４０～１２：００ 205 温度センサを目指したダイヤモンドライクナノコンポジット薄膜の評価 （東北大院，東北大･流体科研*，モスクワ国大**，モスクワ電工研***）○竹野貴法， 高木敏行*，佐藤武志*，A.Bozhko**，M.Shupegin***……………………………………………………………………………186 206 BNナノ薄膜の電界放出特性 （阪大院･工）○舟川慎吾，駱 海濤，木村千春，杉野 隆…………………………………………………………………………188 207 積層型CVD単結晶ダイヤモンド放射線検出器の試作と特性評価 （北大院･工，阪大院･工*）○金子純一，平井佑樹，吉嵜 聡*， 白石和正， 寺地徳之*，澤村晃子，伊藤利道*…………………………………………………………………………………………………190 208 ダイヤモンドin-plane-gated FETのヒステリシス特性 （早大･理工，早大･理工/CREST*，物材機構･CREST**）○伊藤 裕， 澄川 雄*，小林健作*，立木 実**，梅澤 仁*，川原田 洋*………………………………………………………………………192
◇１２：００～１３：００ 昼休み
◇座長 川原田 洋（早稲田大学） １３：００～１４：２０ 209 ESRによるCVDホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜中における水素関連欠陥の研究 （筑波大/産総研･CREST，産総研･CREST*，筑波大/産総研**）○水落憲和 小倉政彦*，渡邊幸志*，磯谷順一**，大串秀世*，山崎 聡*……………………………………………………………………198 210 リンベース触媒から成長した高圧合成ダイヤモンドのカソードルミネッセンス （物材機構）○神田久生，渡邊賢司…………………………………………………………………………………………………200 211 Pドープn型ホモエピタキシャルダイヤモンドの電気的特性 （東芝，物材機構*，物材機構/筑波大**）○鈴木 真理子，吉田博昭， 佐久間 尚志，小野富男，酒井忠司，片桐雅之**，小泉 聡*……………………………………………………………………202 212 ターシャルブチルホスフィンを用いたn型ダイヤモンド膜の成長とその物性評価 （産総研･CREST）○加藤宙光，二子 渉，山崎 聡，大串秀世……………………………………………………………………204
◇１４：２０～１４：４０ コ－ヒ－ブレイク
◇座長 杉野 隆（大阪大学） １４：４０～１６：００ 213 リンドープダイヤモンドエミッタの電子放出特性の改善 （住友電工）○辰巳夏生，難波暁彦，西林良樹，今井貴浩………………………………………………………………………206 214 ウイスカー冷陰極からの電界放射電流の変動率制御 （長岡技大）○鷲尾 司，大木智史，大塩茂夫，齋藤秀俊…………………………………………………………………………208 215 全光電子放出率分光測定法によるダイヤモンドからの光電子放出機構に関する研究 （産総研･CREST）○竹内大輔………………………………………………………………………………………………………210 216 高濃度窒素添加ダイヤモンド冷陰極を用いた三極構造アモルファスセレン光導電体光検出器 （国際基督教大，浜松ホトニクス*，東北大･多元研**）○岡野 健，鈴木雄宇， 山口尚登，大貫宏祐，岡村憲伯*，山田貴壽**……………………………………………………………………………………212
Ｌａｔｅ Ｎｅｗｓ １６：００～
|
1709018