ダイヤモンドシンポジウム講演プログラム（第２０回） |
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第２０回 ダイヤモンドシンポジウム講演プログラム |
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日 時：平成１８年１１月２１日（火），２２日（水） 会 場：東京大学 駒場リサーチキャンパス 第１日（１１月２１日）東京大学 駒場リサーチキャンパス◇座長 西林良樹（住友電工）９：１５～１０：１５ 101 大面積ヘテロエピタキシャルダイヤモンド厚膜の作製 （青学大･理工，トウプラスエンジニアリング*）○岡田 蛍，千明弘介，安藤 豊，鈴木一博*，澤邊厚仁……………………4 102 マイクロ波プラズマCVDによる単結晶ダイヤモンドの高速成長IV （産総研）○杢野由明，茶谷原昭義，山田英明………………………………………………………………………………6 103 直接変換による高純度ナノ多結晶ダイヤモンドの高圧合成とその特徴Ⅱ （住友電工，愛媛大学*）○角谷 均，入舩徹男*………………………………………………………………………………8 104 大面積処理を目指した連続処理型大気圧プラズマCVD装置の開発 （KAST，神奈川産技センター*，慶應大**）○児玉英之，熊谷正夫*，加納 眞*，鈴木哲也**……………………………10
◇１０：１５～１０：３０ コ－ヒ－ブレイク
◇座長 齋藤秀俊（長岡技術科学大学）１０：３０～１１：４５ 105 高輝度深紫外線発光六方晶窒化ホウ素結晶の金属溶媒による常圧合成 （物材機構）○窪田陽一，谷口 尚，渡邊賢司………………………………………………………………………………12 106 マイクロ波プラズマCVD法による立法晶窒化ホウ素(c-BN)膜の作製 （日大，物材機構*）○佐々木俊介，松本精一郎*，中村勝光………………………………………………………………14 107 熱フィラメントCVD法による単層及び二層カーボンナノチューブの合成 （日工大）○岩崎琢磨，新谷勝巳，石川 豊…………………………………………………………………………………16 108 Co触媒微粒子を用いた先端放電型ラジカルCVDによるCNTの低温合成 （早大･理工，富士通）○横山大輔，岩崎孝之，吉田 剛，佐藤信太郎*，二瓶瑞久*，粟野祐二*，川原田 洋……………18 109 レーザー蒸発法における多層および単層カーボンナノチューブ成長機構の比較的研究 （三重大院）○小海文夫，松本浩輝，小塩 明………………………………………………………………………………20
◇１１：４５～１２：４５ 昼休み
◇座長 鈴木哲也（慶應義塾大学） １２：４５～１４：００ 110 Electrochemical DNA sensing on boron doped single crystalline diamond （産総研）○D.Shin，H.Uetsuka，N.Tokuda，C.E.Nebel……………………………………………………………………26 111 部分的酸素終端表面を用いたSGFET-DNAセンサによる塩基ミスマッチ検出 （早大･理工）○久我翔馬，梁 正勲，宋 光燮，川原田 洋…………………………………………………………………28 112 ダイヤモンド電極を用いたタンパク質の直接酸化 （慶應大･理工，KAST*）○知久昌信，T.A.lvandini，藤嶋 昭*，栄長泰明…………………………………………………30 113 光化学反応を利用した単層カーボンナノチューブの化学修飾および金属ナノ粒子担持 （産総研）○中村挙子，大花継頼，石原正統，長谷川雅考，古賀義紀……………………………………………………32 114 フッ素添加ダイヤモンド･ライク･カーボン薄膜の抗血栓性メカニズム－生体内材料における抗血栓性の本質とは何か？－ （慶應大･理工，慶應大･理工/立川病院*，東大･医**）○吉村泰一，長谷部光泉*，上條亜紀**，児玉英之， 堀田 篤，高橋孝喜**，鈴木哲也……………………………………………………………………………………………34
◇特別講演 座長 川原田 洋（早稲田大学） １４：００～１４：４５ 「気相合成ダイヤモンド ～その素顔を求めて～ 」 （独）物質・材料研究機構 名誉顧問 加茂 睦和 氏………………36
◇ポスタ－セッション １５：００～１７：３０ P01 ダイヤモンド(111)基板上へのステップフリー表面の形成 (産総研，産総研/CREST*，産総研/CREST /筑波大**，筑波大/TIMS***) ○徳田規夫，梅沢 仁，李 成奇*，小倉政彦*，山部紀久夫***，山崎 聡**，大串秀世*…………………………………46 P02 気相合成ダイヤモンド単結晶埋め込み2インチ基板の試作 （住友電工）○谷崎圭祐，目黒貴一，関 裕一郎，今井貴浩………………………………………………………………48 P03 選択成長法によるヘテロエピタキシャルダイヤモンド膜の作製 （青学大･理工，トウプラスエンジ*）○金子正明，安藤 豊，鈴木一博*，澤邊厚仁…………………………………………50 P04 ヘテロエピタキシャルダイヤモンド薄膜の高品質化～エピタキシャルダイヤモンド核の高数密度化～ （青学大･理工，トウプラスエンジ*，東北大･多元**）○市原幸雄，安藤 豊， 鈴木一博*，澤邊厚仁，天野猶貴**，河野省三**…………………………………………………………………………52 P05 熱フィラメントCVD法による細線上のダイヤモンド合成 （広島県西部工技センター）○本多正英，筒本隆博，山本 晃………………………………………………………………54 P06 微細針状シリコンのダイヤモンドコーティング （高知工科大）○古川雅英，高木宏和，鐵艸浩彰，吉村紘明，八田章光…………………………………………………56 P07 ダイヤモンドウィスカーの作製 （高知工科大）○高木宏和，古川雅英，李 朝陽，八田章光…………………………………………………………………58 P08 TMSを用いたシリサイド化による超硬合金基材へのダイヤモンドコーティング （電通大）○堤 弘毅，川合 学，一色秀夫，木村忠正………………………………………………………………………60 P09 マイクロ波プラズマCVDの包括的シミユレーションによるダイヤモンド単結晶大型化に伴う諸物理量の変化 （産総研）○山田英明，茶谷原昭義，杢野由明，鹿田真一…………………………………………………………………62 P10 直接変換焼結により得られたナノ多結晶ダイヤモンドの特性 （住友電工，愛媛大学*）○原野佳津子，角谷 均，入舩徹男*………………………………………………………………64 P11 ナノパルスプラズマCVD法によるBN系薄膜の合成 （東工大院･理工，日本ガイシ*，名古屋大**）○齊藤雅典，斉藤隆雄*，近藤好正*，村上碩哉，大竹尚登**……………66 P12 アモルファス窒化炭素薄膜の水素終端構造生成メカニズム （長岡技大）○伊藤治彦，齋藤秀俊……………………………………………………………………………………………68 P13 フィルタードアーク支援PVDによるDLC成膜 （豊橋技大，オンワード技研*，伊藤光学**）○田上英人，彦坂博紀，滝川浩史，長谷川祐史*，瀧 真*，神谷雅男**……70 P14 真空アーク蒸着a-C膜におけるドロップレット数密度のパルス放電周波数依存性 （東工大院･理工）○堀越睦美，平田 敦………………………………………………………………………………………72 P15 発表取消 P16 a-C:H膜の密度に対するECRプラズマ中に導入した水素の影響 （長岡技大）○小野友紀，松尾亮太郎，大塩茂夫，西野純一，齋藤秀俊……………………………………………………74 P17 FIB-CVDで成膜したDLC薄膜のアニールによる構造変化 （兵庫県立大院/CREST-JST，兵庫県立大院*，兵庫県立大院/CREST-JST/JSPS**） ○西窪明彦，加藤有里*，井垣潤也，米谷玲皇**，神田一浩，松井真二……………………………………………………76 P18 3次元構造物への炭素系薄膜形成プロセスの開発 （東京電機大･理工）○金杉和弥，木塚博之，大越康晴，佐藤慶介，平栗健二………………………………………………78 P19 圧力一定分子動力学法によるナノチューブ･カーボン物質の相転移研究と新sp３固体結晶相 （東工大院･理工）○斎藤 晋，山上雄一郎……………………………………………………………………………………80 P20 窒素およびフッ素化した多面体グラファイトやバルーン状粒子の形成 （三重大院，産総研*，名城大**）○小海文夫，石原正統*，小塩 明，中山敦子**，古賀義紀*……………………………82 P21 阿蘇黄土及び脱鉄スラッジを利用した液相からのカーボンナノチューブの合成 （九州工大，熊本工技センター*，日本リモナイト**）○坪田敏樹，青木慎司，横野照尚，末永知子*，蔵本厚一**………84 P22 三極型高周波プラズマCVD法を用いたカーボンナノチューブの選択成長 （東海大学）○福住典彦，庄 善之………………………………………………………………………………………………86 P23 長尺カーボンナノチューブ合成のための先端放電型ラジカルCVD条件最適化 （早大･理工）○真木 翼，岩崎孝之，相川拓海，川原田 洋……………………………………………………………………88 P24 金属粒子を触媒としたダイヤモンド表面層へのナノホールの形成 （信州大）○大橋達也，小西俊輔，杉本 渉，高須芳雄………………………………………………………………………90 P25 導電性ダイヤモンドチップを用いた磁気ディスクDLC保護膜の境界潤滑特性の評価 （日工大）○黒坂 渡，三宅正二郎………………………………………………………………………………………………92 P26 DLC薄膜の水素ガスバリア性評価 （高知工科大）○金子史幸，Md.K.Hassan，八田章光…………………………………………………………………………94 P27 イオン衝撃にもとづくアモルファス窒化炭素薄膜の硬質化メカニズム （長岡技大）○伊藤治彦，齋藤秀俊……………………………………………………………………………………………96 P28 CNTへのアモルファス炭素膜合成およびそのCNT複合材料としての機械的特性評価 （東工大院･理工，名古屋大*）○林 芳広，相原広忠，安原鋭幸，村上碩哉，大竹尚登*…………………………………98 P29 樹脂基CNT複合材料の表面導電性に及ぼす射出成形条件の影響 （東工大院･理工，名古屋大*）○河瀬 暁，林 芳広，荒木康之，安原鋭幸，村上碩哉，大竹尚登*………………………100 P30 水中におけるSi-DLC膜の耐はく離性向上 （産総研，ジェイテクト*）○呉 行陽，鈴木雅裕*，大花継頼，田中章浩……………………………………………………102 P31 高圧パルスバイアスによるDLC膜の付着力改善 （日工大）○杉山裕一，渡部修一……………………………………………………………………………………………104 P32 DLC膜の密着性に対する原料ガス等の影響について （広島県西部工技センター）○山本 晃，筒本隆博…………………………………………………………………………106 P33 ダイヤモンドライクカーボン（DLC）コーティングによる高密度ポリエチレン(HDPE)の接着性向上 （慶應大･理工，慶應大･理工/立川病院*，慶應大･理工/東大･医**） ○星田 隆，長谷部光泉*，上條亜紀**，坪根 大，鈴木哲也，堀田 篤…………………………………………………108 P34 TEMナノマニピュレーションによる表面処理したカーボンナノチューブの機械的性質の評価 （東大･生産研，東工大院･理工*，名古屋大**）○葛巻 徹，光田好孝，相原広忠*，大竹尚登**………………………110 P35 水中および空気中でのDLC膜の摩擦摩耗 （産総研，ジェイテクト*）○田中章浩，大花継頼，呉 行陽，鈴木雅裕*……………………………………………………112 P36 水環境下でのDLC膜の摩擦摩耗における潤滑膜と相手材の影響 （産総研）○大花継頼，呉 行陽，中村挙子，田中章浩………………………………………………………………………114 P37 ナノメータ膜厚のダイヤモンドライクカーボンのナノ摩耗特性 （日工大）○押元幸一，三宅正二郎，黒坂 渡………………………………………………………………………………116 P38 表面処理ダイヤモンド膜と金属添加ダイヤモンドライクカーボン（DLC）膜の境界潤滑特性 （日工大）○小宮光貴，三宅正二郎，黒坂 渡，若月幸彦…………………………………………………………………118 P39 セグメント構造DLCの形状設計とトライボロジー特性評価 （東工大院･理工，名古屋大*）○大曽根祐樹，青木佑一，足立雄介，村上碩哉，大竹尚登*……………………………120 P40 フッ素樹脂複合セグメント構造DLC膜の作製とトライボロジー特性の評価 （東工大院･理工，名古屋大*）○足立雄介，青木佑一，大曽根祐樹，村上碩哉，大竹尚登*……………………………122 P41 気相合成多結晶ダイヤモンド薄膜の摩擦特性の雰囲気依存性 （東北大院･工，東北大･流体科研*）○吉田直樹，三木寛之*，阿部利彦*，高木敏行*…………………………………124 P42 Photochemical bio-functionalization of polycrystalline CVD diamond （産総研）○C. E. Nebel， Dongchan Shin，T.Nakamura，H.Watanabe，H.Uetsuka………………………………………126 P43 ダイヤモンド及び炭素同素体上の抗血栓性評価 （慶應大･理工，慶應大･理工/立川病院*，東大･医**）○萩原真美，長谷部光泉*，上條亜紀**， 佐本篤紀，堀田 篤，高橋孝喜**，鈴木哲也………………………………………………………………………………128 P44 フッ素添加ダイヤモンド･ライク･カーボン (F-DLC) 膜内の元素分布分析～膜内フッ素分布分析と血小板付着抑制効果のメカニズム～ （慶應大･理工，慶應大･理工/立川病院*，東大･医**）○永島 壮，長谷部光泉*，上條亜紀**， 堀田 篤，高橋孝喜**，鈴木哲也……………………………………………………………………………………………130 P45 ダイヤモンドマイクロ電極による電気化学分析 （慶應大･理工，KAST*）○鈴木あかね，T.A.lvandini，藤嶋 昭*，栄長泰明………………………………………………132 P46 銅修飾ダイヤモンド電極を用いたグルコースの選択的検出 （慶應大･理工，東大･RIC*，KAST**）○渡辺剛志，T.A.lvandini，栄長泰明，巻出義紘*，藤嶋 昭**……………………134 P47 ダイヤモンド薄膜の電気化学的特性とその応用 （佐賀大）○池田 進，山村貴博，王 宏宇，藤田寛治………………………………………………………………………136 P48 B-ドープ単結晶ダイヤモンド上に電気化学的に作成したニトロフェニル分子層のキャラクタリゼーション （産総研，産総研/NEDO*）○上塚 洋，Dongchan Shin*，徳田規夫，佐伯和彦，C. E. Nebel*……………………………138 P49 CF４プラズマ処理したn型CVDダイヤモンド(111)表面 （東北大･多元，東北大･多元/CREST,JST*，物材機構**，青学大･理工***） ○水落健二，河野省三*，後藤忠彦，小泉 聡**，安藤 豊***，澤邊厚仁***……………………………………………140 P50 Hydrogen/oxygen plasma treatment effect on CVD diamond epitaxial growth （NTT･物性研）○テレア アレクサンダ，嘉数 誠，植田研二，山内喜晴，牧本俊樹………………………………………142 P51 酸素終端ダイヤモンド表面からの脱離過程 （東大院･工，東大･生産研*）○新沢慶介，葛巻 徹*，光田好孝*…………………………………………………………144 P52 ダイヤモンド(001)面上Alの安定性に関する理論検討 （NTT･物性研）○影島博之，嘉数 誠………………………………………………………………………………………146 P53 高濃度リンドープCVDダイヤモンドチップの電界放射電子顕微鏡分光 （東北大･多元/CREST,JST，東北大･多元*，住友電工**）○河野省三，田京 剛*，天野猶貴*，N.I.Plusnin*， 水落健二*，後藤忠彦*，虻川匡司*，植田暁彦**，辰巳夏生**，西林良樹**，今井貴浩**……………………………148 P54 雰囲気制御走査プローブ顕微鏡内での水素終端ダイヤモンドの表面改質 （東大院･工，東大･生産研*）○池尻憲次朗，葛巻 徹*，光田好孝*………………………………………………………150 P55 金属/高品質ホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜の接触特性 （物材機構，阪大院*）○寺地徳之，小泉 聡，小出康夫，伊藤利道*………………………………………………………152 P56 イリジウム上へのヘテロエピタキシャルリンドープダイヤモンド膜の作製 （青学大･理工，トウプラスエンジ*）○砥綿洋佑，安藤 豊，鈴木一博*，澤邊厚仁…………………………………………154 P57 (001)面リンドープダイヤモンド膜におけるキャリア補償 （産総研，産総研/筑波大*）○加藤宙光，渡邊幸志，水落憲和*，山崎 聡*，大串秀世…………………………………156 P58 リン添加ダイヤモンド(111)熱処理表面のXPS評価 （産総研）○K.SOMU，T.Yamada，H.Uetsuka，S.Shikata……………………………………………………………………158 P59 ホウ素ドープCVDダイヤモンド薄膜に於けるドーピングメカニズム （産総研/CREST，産総研/CREST/筑波大*）○小倉政彦，李 成奇，徳田規夫，水落憲和*，山崎 聡*，大串秀世……160 P60 チャンバーフレーム法で合成したダイヤモンド膜の電気伝導度 （日工大，東工大*，エーステック**）○王 伯倫，大熊 哲*，福長 脩**，竹内貞雄………………………………………162 P61 ボロンドープCVDダイヤモンド薄膜のキャリア伝導における不純物伝導の影響 （玉川大）○月岡邦夫…………………………………………………………………………………………………………164 P62 酸素化処理方法に依存するB-doped (111)ホモエピタキシャルダイヤモンドの電気的特性 （産総研/CREST，産総研*，産総研/筑波大**，産総研/CREST/筑波大***）○李 成奇，竹内大輔， C. E. Nebel*，山崎雄一**，徳田規夫*，山崎 聡***，大串秀世…………………………………………………………166 P63 水素終端した高濃度ボロン添加ホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜からの光電子放出率 （産総研）○竹内大輔，徳田規夫，C. E. Nebel，山崎 聡…………………………………………………………………168 P64 a-C:H膜の放射光誘起屈折率変化 （住友電工，オートネットワーク技研*）○松浦 尚，大久保総一郎，織田一彦，赤羽良啓，後 利彦， 三崎貴史*，今井貴浩………………………………………………………………………………………………………170 P65 ダイヤモンドの高密度励起子状態での励起子-励起子衝突による発光スペクトルとその空間分布 （産総研/CREST）○渡邊幸志，小倉政彦，山崎 聡，菅野正吉，大串秀世………………………………………………172 P66 UVパルスレーザーを用いた真性ダイヤモンド薄膜中における輸送特性評価手法の開発(2) ～局所励起を用いた飛行時間測定と出力信号のシミユレーション （北大院･工，産総研*，住友電工**）○押木祐介，金子純一，藤田文行，本間 彰，川村宗範，古坂道弘， 渡邊幸志*，目黒貴一**，山本喜之**，今井貴浩**………………………………………………………………………174 P67 カーボンナノチューブの生体適合評価のための電子顕微鏡観察 （産総研，京都大*）○山本和弘，牧野 雅，小林恵美子，遠藤茂寿，内田邦夫，川崎 一，稲葉カヨ*，高原和彦*………176 P68 非晶質炭素膜の熱特性 （東大院，理化学研*）○宮井清一，小林知洋*，寺井隆幸…………………………………………………………………178 P69 ダイヤモンドライクカーボン(DLC)薄膜のXPS解析 （広島大，トーヨーエイテック*）○元光邦彦，鷹林 将，高萩隆行，岡本圭司*，中谷達行*………………………………180 P70 原子状水素エッチングによるDLC膜の構造変化 （弘前大）○中澤日出樹，杉田寛臣，真下正夫……………………………………………………………………………182 P71 アルゴン/水素イオン混合照射によるダイヤモンド表面欠陥層の構造変化 （筑波大/産総研，産総研*，東北大**）○山崎雄一，竹内大輔*，石川健治**，山崎 聡………………………………184 P72 電界印加中のダイヤモンド表面のその場TEM観察 （東大院･工，東大･生産研*）○瀬尾一文，葛巻 徹*，光田好孝*…………………………………………………………186 P73 (001)面上に作製したダイヤモンドp-i-n接合からの高効率自由励起子発光 （産総研/CREST，産総研/CREST/筑波大*）○牧野俊晴，徳田規夫，加藤宙光，小倉政彦，渡邊幸志， 李 成奇，山崎 聡*，大串秀世……………………………………………………………………………………………188 P74 ダイヤモンドpn＋接合の電気特性 （筑波大，産総研*）○下村知子，牧野俊晴*，徳田規夫*，加藤宙光*，山崎 聡*，大串秀世*…………………………190 P75 負電荷保持薄膜のパッシベーションによるダイヤモンドFET特性の改善 （早大･理工，早大･理工/NEDO*）○福本 亘，田中雅也*，平間一行*，山内真太郎*，川原田 洋*……………………192 P76 ダイヤモンド超伝導への表面・界面の影響 （早大･理工，物材機構）○岡田竜介，石綿 整，竹之内智大，入山慎吾，立木 実*，高野義彦*， 石井 聡*，興津貴史*，上田真也*，川原田 洋……………………………………………………………………………194 P77 In-plane gate field-effect transistor structures from undoped singlecrystalline diamond for DNA sensing （筑波大/産総研，産総研*）○T.Yamamoto，D.Shin*，T.Yamada*，H.Watanabe*，C.E.Nebel*…………………………196 P78 ダイヤモンド表面における電子親和力の負から正への過程における電子状態の変化 （産総研）○竹内大輔，C.E.Nebel，山崎 聡………………………………………………………………………………198 P79 電子ビーム機器用ダイヤモンド電子源の開発 （住友電工）○植田暁彦，辰巳夏生，山本喜之，西林良樹，今井貴浩……………………………………………………200 P80 窒化炭素の合成と電界電子放出特性の評価 （千葉工大，武蔵工大*）○坂本幸弘，小溝俊一郎，浜村尚樹*，高谷松文………………………………………………202 P81 多機能薄膜センサとしての応用を目指したMe-C:H薄膜の電気磁気的特性の評価 （東北大院･工，東北大･流体科研*）○星 悠太郎，竹野貴法，三木寛之*，佐藤武志*，高木敏行*……………………204 P82 窒化アルミニウム（AIN）発光ダイオードからの遠紫外発光 （NTT･物性研）○谷保芳孝，嘉数 誠，牧本俊樹…………………………………………………………………………206 P83 時間相関単一光子計数法による六方晶窒化ホウ素のバンド端発光寿命の測定 （物材機構）○渡邊賢司，谷口 尚，黒田 隆，神田久生……………………………………………………………………208 P84 希土類を添加したBN及びAlN単結晶の高圧合成とその光学特性 （物材機構，名城大*）○谷口 尚，中山敦子*，渡邊賢司…………………………………………………………………210 P85 熱CVD法による深紫外発光性六方晶窒化ホウ素の合成 （物材機構）○津田 統，渡邊賢司，谷口 尚………………………………………………………………………………212
◇懇親会（東京大学 駒場リサーチキャンパス A棟3F 大会議室） １７：４５～
第２日目（１１月２２日）◇座長 竹内貞雄（日本工業大学） ９：００～１０：１５ 201 イオン性液体の添加によるカーボンオニオンゲルの生成およびその潤滑特性 （東工大院･理工）○齋藤真司，平田 敦……………………………………………………………………………………218 202 ワイヤーボンディング用キャピラリーへのDLCコーティング （福岡県工技センター，九州共立大*，一條商事**，大熊エンジニアリング***） ○土山明美，生地文也*，一條秀樹**，小柳伸也***…………………………………………………………………220 203 パーフルオロヘキサン雰囲気中での放射光プロセスによるダイヤモンドライクカーボンの表面改質 （兵庫県立大院/高度産業科技研）○山田倫子，神田一浩，春山雄一，松井真二………………………………………222 204 XRR法を用いたマイクロ波プラズマCVD法によるa-C:H膜の密度､膜厚､表面粗さ （長岡技大）○松尾亮太郎，大塩茂夫，西野純一，齋藤秀俊……………………………………………………………224 205 ポリマー基板上に蒸着したDLC薄膜の破壊挙動とガスバリア特性 （慶應大･理工，慶應大･理工/立川病院*，東大･医**）○坪根 大，長谷部光泉*，上條亜紀**， 児玉英之，鈴木哲也，堀田 篤……………………………………………………………………………………………226
◇１０：１５～１０：３０ コ－ヒ－ブレイク
◇座長 大竹尚登（名古屋大学）１０：３０～１１：３０ 206 ICPエッチングによるカンチレバー用ダイヤモンドtipの試作 （産総研，産総研/NEDO*）○上塚 洋，山田貴壽*，鹿田真一*…………………………………………………………228 207 DLC薄膜を成膜したPMMA基板の耐薬品性 （日工大）○伴 雅人，湯原 拓，塩野入 真…………………………………………………………………………………230 208 超音波キャビテーション法を用いたモリブデン基板上のCVDダイヤモンドの付着性評価 （東北大院･工，東北大･流体科研*）○若生仁志，阿部利彦*，高木敏行*，井小萩利明………………………………232 209 水素吸蔵用炭素材料の内部構造 （長岡技大，都城高専*）○谷川洋樹，大塩茂夫，西野純一，國府俊則*，齋藤秀俊……………………………………234
◇１１：３０～１２：３０ 昼休み
◇座長 小泉 聡（物材機構） １２：３０～１３：４５ 210 金属ドープBN薄膜の電気的光学的特性評価 （阪大院）○近松健太郎，曽田浩司，木村千春，青木秀充，杉野 隆……………………………………………………240 211 水素化ダイヤモンド(001)および(111)表面近傍でのリンおよびボロン不純物原子のエナージェティクス （産総研）○宮崎剛英，山崎 聡……………………………………………………………………………………………242 212 イオン注入と高温高圧アニールを組合せたダイヤモンドへのドーピング （NTT･物性研）○植田研二，嘉数 誠，牧本俊樹…………………………………………………………………………244 213 ボロンイオン注入によるp型ダイヤモンド層形成における高温アニール効果 （産総研）○坪内信輝，小倉政彦，水落憲和，茶谷原昭義，大串秀世……………………………………………………246 214 高濃度ボロンドープCVDダイヤモンド超伝導体における合成条件とTcの関係 （早大･理工，物材機構*，東大物性研**）○入山慎吾，竹之内智大，石綿 整，岡田竜介，立木 実*， 高野義彦*，石井 聡*，石坂香子**，馬場輝久**，川原田 洋……………………………………………………………248
◇１３：４５～１４：００ 休 憩
◇座長 八田章光（高知工科大学）１４：００～１５：１５ 215 ヘテロエピダイヤモンド上p-i-p型FETの高周波特性 （神戸製鋼，早大･理工*）○川上信之，横田嘉宏，平間一行*，高柳秀典*，佐藤允也*，川原田 洋*， 橘 武史，林 和志，小橋宏司………………………………………………………………………………………………250 216 高周波等価回路解析によるダイヤモンドFETの動作機構の解明 （NTT･物性研）○嘉数 誠，植田研二，山内喜晴，テレア アレクサンダ，牧本俊樹………………………………………252 217 Ti/Pt/Auオーミック電極を用いた水素終端ダイヤモンドMISFETの作製と評価 （早大･理工）○神宮宜克，小柴 亨，高柳英典，山内真太郎，興原圭一郎，平間一行，岩崎孝之，川原田 洋…………254 218 高温環境におけるダイヤモンドSBDの界面安定性評価 （産総研，住友電工*）○梅沢 仁，柴田 馨*，徳田規夫，池田和寛，辰巳夏生*，鹿田真一……………………………256 219 ナイトライド電極を用いたダイヤモンド紫外線フォトダイオード （物材機構，CNRSパリ電子工研*）○小出康夫，メイヨンリョウ，ホセアルバレッツ*………………………………………258
◇１５：１５～１５：３０ コ－ヒ－ブレイク
◇座長 岡野 健（国際基督教大学）１５：３０～１７：００ 220 リン添加ダイヤモンドからの電子放出特性の表面修飾効果 （産総研）○山田貴壽，鹿田真一，C.E.Nebel………………………………………………………………………………260 221 ダイヤモンドpn接合を用いた冷陰極 （物材機構，東芝*）○小泉 聡，小野富男*，酒井忠司*……………………………………………………………………262 222 ダイヤモンドエミッタデバイスの電子放出電流の向上 （住友電工）○辰巳夏生，植田暁彦，谷崎圭祐，西林良樹，今井貴浩……………………………………………………264 223 ナノダイヤモンドエミッタの構造と電子放出特性の研究 （高知県産業振興センター）○笹岡秀紀，西村一仁………………………………………………………………………266 224 ダイヤモンド冷陰極放電灯の作製と評価 （東芝，産総研*，東北大･多元**，青学大･理工***）○酒井忠司，小野富男，佐久間尚志，吉田博昭， 鈴木真理子，柳瀬 勇，石川 宣，竹内大輔*，山崎雄一*，山崎 聡*，河野省三**，後藤忠彦**， 澤邊厚仁***，安藤 豊***………………………………………………………………………………………………268 225 ダイヤモンド電子源のX線源への適用－評価装置作製とX線発生実験－ （北大院･工，住友電工*）○福本 栄，本間 彰，金子純一，西林良樹*，植田暁彦*，山本喜之*， 今井貴浩*，藤田文行，古坂道弘…………………………………………………………………………………………270
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1721900