ダイヤモンドシンポジウム講演プログラム(第21回) |
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第21回 ダイヤモンドシンポジウム講演プログラム |
日 時:平成19年11月21日(水),22日(木) 会 場:長岡技術科学大学(講義棟 A講義室) 第1日(11月21日)◇座長 今井貴浩(住友電工)9:45~11:30 101 原子的平坦表面を有するダイヤモンド(111)薄膜の成長 (産総研,産総研・CREST*,筑波大・TIMS**,産総研・筑波大***)○徳田規夫,梅沢 仁, 李 成奇*,小倉政彦,山部紀久夫**,山崎 聡***,大串秀世…………………………………………………………………………4 102 同位体組成制御された高品質ホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜の合成 (産総研)○渡邊幸志,北村寿朗,中島信一,C.E.Nebel,鹿田真一…………………………………………………………………6 103 ヘテロエピタキシャルダイヤモンド薄膜における結晶性の基板オフ角依存性 (青学大,トウプラスエンジ*)○岡田晋治,安藤 豊,鈴木一博*,澤邊厚仁………………………………………………………………8 104 超伝導転移を示す高濃度ボロンドープCVDダイヤモンドの異方的な結晶格子伸張 (早大,物材機構*)○河野明大,入山慎吾,石綿 整,岡田竜介, 高野義彦*,石井 明*,川原田 洋……………………………………………………………………………………………………………10 105 様々の元素をイオン注入したダイヤモンドの高温高圧アニール (NTT・物性研)○植田研二,嘉数 誠………………………………………………………………………………………………………12 106 大気開放下におけるマイクロ波プラズマCVD法によるダイヤモンドの成膜特性について (愛媛大)○八木秀次,神野雅文,本村英樹,青山善行,小野和雄,後藤弘行,小浦紘充…………………………………………14 107 パルス励起型リモートプラズマCVD法によるカーボンナノチューブ成長 (MIRAI-Selete)○山崎雄一,佐久間尚志,片桐雅之,鈴木真理子,酒井忠司,粟野祐二……………………………………16
◇11:30~12:30 昼休み
◇座長 河野省三(東北大学)12:30~14:15 108 単体硫黄を利用した水素終端ダイヤモンド膜の硫黄官能基化学修飾 (産総研)○中村挙子,大花継頼………………………………………………………………………………………………………………22 109 フッ素ガス電解合成用新電極の開発 (東洋炭素)○東城哲朗,初代善夫,竹林 仁,児玉昌士,太田直人,河野貴典………………………………………………………24 110 水素終端リン添加ダイヤモンド(100)表面の真空熱処理効果のXPSによる評価 (産総研)○K.Somu,T.Yamada,S.Shikata………………………………………………………………………………………………26 111 Quantized Density of States in H-terminated diamond immersed into electrolyte solution (産総研)○C. E. Nebel,N.Yang,H.Uetsuka H.Watanabe,T.Yamada………………………………………………………28 112 ダイヤモンドFET形成における水素終端処理の役割 (NTT・物性研)○影島博之,嘉数 誠…………………………………………………………………………………………………………30 113 放射光軟X線発光分光法によるダイヤモンドのバンドギャップ内電子状態の観察 (兵庫県立大,住友電工*)○村松康司,飯原順次*,西林良樹*……………………………………………………………………32 114 軟X線吸収分光等を用いたDLC薄膜の包括的構造分析 (兵庫県立大/高度産業科技研,長岡技科大*)○神田一浩,西窪明彦, 山田倫子,鈴木常生*,新原皓一*,齋藤秀俊*………………………………………………………………………………………34
◇14:15~14:30 コ-ヒ-ブレイク
◇特別講演 座長 光田好孝(東京大学)14:30~15:15 「私の歩んだ炭素研究の道」 (独)産業技術総合研究所 ナノカーボン研究センター 副センター長 古賀 義紀 氏……………………………………………………36
◇ポスタ-セッション15:30~17:30 P01 マイクロ波プラズマCVDによる単結晶ダイヤモンドの高速成長V (産総研)○杢野由明,茶谷原昭義,山田英明,坪内信輝…………………………………………………………………………46 P02 マイクロ波プラズマCVDによるCH4-H2-O2系でのダイヤモンド合成 (千葉工大)○高見義人,坂本幸弘,高谷松文……………………………………………………………………………………48 P03 H2Sを用いたCVD多結晶ダイヤモンド薄膜へのイオウドーピング (東大,東大・生産技研*)○諏訪剛史,野瀬健二*,光田好孝*……………………………………………………………………50 P04粒子状ナノダイヤモンドの合成 (東京電機大)○須藤和幸,平栗健二………………………………………………………………………………………………52 P05 MPCVD法によるボロンドープダイヤモンドパウダーの作製 (東京理科大,KAST*)○剱持博文,近藤剛史,齋藤守弘,桑野 潤,藤嶋 昭*,河合武司………………………………………54 P06 直接変換焼結により得られたナノ多結晶ダイヤモンドの特性(2) (住友電工,愛媛大)○原野佳津子,角谷 均,入舩徹男*……………………………………………………………………………56 P07 高圧プラズマCVD環境における負バイアス基板へのイオンエネルギー分布の理論予測 (東大・生産技研,東大*)○野瀬健二,諏訪剛史*,光田好孝………………………………………………………………………58 P08 MMSiを用いたバイアス法ダイヤモンド核発生の検討 (電通大)○西 暁人,一色秀夫,木村忠正……………………………………………………………………………………………60 P09 MMSiを用いたシリサイド化による超硬合金基材へのダイヤモンドコーティング (電通大)○堤 弘毅,一色秀夫,木村忠正……………………………………………………………………………………………62 P10 マイクロ波プラズマCVDを用いたダイヤモンド結晶合成における装置形状依存性 (産総研)○山田英明,茶谷原昭義,杢野由明,鹿田真一…………………………………………………………………………64 P11 六方晶窒化ホウ素の薄膜堆積と紫外発光特性 (物材機構)○津田 統,渡邊賢司,谷口 尚…………………………………………………………………………………………66 P12 マイクロ波プラズマCVDを用いた硬質窒化炭素膜の形成 (長岡技科大)○篠原章郎,齋藤秀俊,伊藤治彦………………………………………………………………………………………68 P13 希ガスのECR放電を用いたBrCNの解離励起反応 (長岡技科大)○林 宏樹,渡部勇介,伊藤治彦………………………………………………………………………………………70 P14 CNラジカルの堆積によるa-CN膜の形成 -CN(X)状態のLIF計測- (長岡技科大)○和田 晃,齋藤秀俊,伊藤治彦…………………………………………………………………………………72 P15 パルス放電プラズマCVDによるDLC膜のコーティング (中部大)○野田三喜男,梅野正義……………………………………………………………………………………74 P16 パルス放電プラズマCVDで作製したDLC膜の光学的特性と微細構造 (中部大)○吉田拓矢,野田三喜男,梅野正義……………………………………………………………………………………76 P17 パルス放電プラズマCVDにより作製した多孔質カーボン膜の微細構造と電気的特性 (中部大)○祐川博至,野田三喜男,梅野正義……………………………………………………………………………………78 P18 スパッタ法で作製したa-C:H薄膜へのヨウ素ドーピングの効果 (琉球大)○斉田幸宗,遠江栄希,山里将朗,比嘉 晃……………………………………………………………………………80 P19 コロイド溶液を原料としたDLC薄膜の成膜 (日工大)○佐藤 勤,伴 雅人………………………………………………………………………………………………82 P20 発光性ナノシリコン粒子への表面保護としてのDLC膜 (東京電機大)○奥 隆裕,佐藤慶介,平栗健二………………………………………………………………………………………………84 P21 長寿命触媒微粒子による長尺カーボンナノチューブ成長 (早大)○加藤良吾,岩崎孝之,真木 翼,横山大輔,川原田 洋……………………………………………………………………86 P22 通電加熱による液相からのTi基板へのCNTの作製 (千葉工大)○有馬慎一郎,坂本幸弘,高谷松文………………………………………………………………………………88 P23 集束イオンビームにより打ち込まれたNi触媒からのCNT成長 (早大)○中山 智,森金亮太,岩崎孝之,小出 敬,中山英樹,品田賢宏,大泊 巌,川原田 洋………………………………90 P24 カーボンナノホーンとナノカプセルの複合体の形成機構 (三重大)○小海文夫,舘 直樹,小林慶太,小塩 明…………………………………………………………………………………92 P25 X線トポグラフィーとエッチングによるホモエピタキシャルダイヤモンドの欠陥分析 (住友電工,産総研*)○辰巳夏生,加藤智久*,梅沢 仁*,池田和寛*, R.Kumaresan*,西林良樹,今井貴浩,鹿田真一*…………………………………………………………………………………94 P26 ダイヤモンドにおけるキャリア伝導とキャリア移動度 (玉川大)○月岡邦夫………………………………………………………………………………………………………96 P27 加熱処理を施したダイヤモンドパウダの結合状態分析 (日工大)○古川祐司,玉田敬蔵,大島龍司,飯塚完司………………………………………………………………………98 P28 ボロンドープダイヤモンド超薄膜の超伝導特性評価 (早大,物材機構*)○岡田竜介,平間一行,石綿 整,入山慎吾,高野義彦*,川原田 洋………………………………………100 P29 金ナノ粒子のダイヤモンド表面への結晶面選択的吸着 (東京理科大,KAST*)○平田孝輔,近藤剛史,青島信介,藤嶋 昭*,河合武司…………………………………………………102 P30 N-クロロこはく酸イミド(NCS)を利用した水素化ダイヤモンド表面と芳香族カルボン酸の反応性 (九州工大)○萩原佑太,金城祐毅,坪田敏樹,横野照尚…………………………………………………………………104 P31 ダイヤモンド電極表面へのフェロセン誘導体の固定化およびその電気化学的特性の評価 (東京理科大,慶應大*,KAST**)○保志 光,近藤剛史,栄長泰明*,藤嶋 昭**,河合武司……………………………………106 P32 ピリジン終端表面への配位結合を介したコバルトフタロシアニン錯体修飾ダイヤモンド電極の作製 (東京理科大,KAST*)○田村 暁,近藤剛史,藤嶋 昭*,河合武司…………………………………………………………108 P33 アモルファス炭素膜から得られた可視ラマン散乱スペクトルの波形分離 (長岡技科大)○小野友紀,蒲沢直紀,鈴木常生,大塩茂夫,齋藤秀俊……………………………………………………110 P34 アモルファス炭素膜から得られた紫外ラマン散乱スペクトルの波形分離 (長岡技科大)○蒲沢直紀,小野友紀,鈴木常生,大塩茂夫,齋藤秀俊………………………………………………………112 P35 PBII法により成膜したフッ素含有ダイヤモンドライクカーボン薄膜の表面評価 (兵庫県立大,プラズマイオンアシスト*)○山田倫子,中松健一郎,神田一浩, 春山雄一,新部正人,日比野 豊*,鈴木泰雄*,松井真二………………………………………………………………………114 P36 ニュースバルBL-5における産業専用材料分析ビームラインの建設 (兵庫県立大・高度産業科技研,兵庫県立大*,KEK-PF**,NIMS***, 立命館大****,ニュースバル*****)○神田一浩,雨宮健太**,福島 整***, 太田俊明****,鶴井孝文*****,射延三嘉*****,深田 昇*****, 横井信生*****,清水政義*****,山本良三*****,上村雅治*****, 橋本秀樹*****,辻 淳一*****,元山宗之*,松井真二*…………………………………………………………………116 P37 DLCの耐熱性に関する検討 (広島県総合技研・西部工技センター)○山本 晃,筒本隆博,本多正英………………………………………………………118 P38 DLC薄膜を成膜したPMMA基板の耐薬品性 その2 (日工大)○湯原 拓,伴 雅人…………………………………………………………………………………………………120 P39 発表取消 P40 アモルファス炭素膜の合成と光学的特性及び酸素透過率の評価 (東工大,名古屋大*)○大曽根祐樹,西 英隆,村上碩哉,大竹尚登*…………………………………………………………122 P41 ポリオレフィン材料とダイヤモンドライクカーボン(DLC)の密着性 (慶應大,慶應大/立川病院*,東大・医**)○中村佑真,坪根 大, 長谷部光泉*,上條亜紀**,児玉英之,高橋孝喜**,鈴木哲也,堀田 篤………………………………………………………124 P42 高分子材料の表面改質によるDLC膜の形成と密着性 (東京電機大,茨城大*)松本良平,○北原直樹,村井一平,尾関和秀*,平栗健二…………………………………………126 P43 RFプラズマCVD法にて合成した厚膜DLCの機械的特性評価 (日工大)○町田成康,竹内貞雄………………………………………………………………………………………………128 P44 ステンレス基板上へのセグメント構造DLCコーティング (名古屋大)○黒田剛史,高島 舞,大竹尚登,高井 治………………………………………………………………………130 P45 表面改質CVDダイヤモンドの摩擦特性 (千葉工大)○坂本幸弘,高谷松文……………………………………………………………………………………………132 P46 部分的に研磨した気相合成ダイヤモンド薄膜と金属間の摩擦特性に表面微細構造が及ぼす影響の評価 (東北大,東北大・流体科研*,東北大・国際融合領域研**)○阪東広太郎,三木寛之*,竹野貴法**, 阿部利彦*,高木敏行*,佐藤武志*………………………………………………………………………………………………134 P47 単結晶ダイヤモンドの破壊特性評価 (日工大)○村石貴志,竹内貞雄…………………………………………………………………………………………………136 P48 金属を含む非晶質炭素膜の高分子基板への成膜とセンサ特性評価 (東北大,東北大・流体科研*,東北大・国際融合領域研**)○菅原敏文, 三木寛之*,竹野貴法**,高木敏行*,佐藤武志*………………………………………………………………………………138 P49 微細同心溝を形成したシリコン基板上におけるカーボンオニオンの潤滑特性 (東工大)○稲葉武信,平田 敦……………………………………………………………………………………………………140 P50 高温真空中におけるカーボンオニオンの高潤滑特性 (東工大)○齋藤真司,平田 敦…………………………………………………………………………………………………142 P51 カーボンナノチューブの構造と機械的性質の評価 (東海大,名古屋大*,東大・生産技研**)○葛巻 徹,大竹尚登*,光田好孝**………………………………………………144 P52 樹脂基CNT複合材料の表面導電性に及ぼす射出成形条件の影響 ‐第2報‐フロー・フロントにおけるフィラー濃度低下現象 (東工大,名古屋大*)○河瀬 暁,林 芳広,荒木康之,安原鋭幸,村上碩哉,大竹尚登*……………………………………146 P53 ナノパルスプラズマCVD法によるBN系薄膜の合成と機械的特性評価 (東工大,日本ガイシ*,名古屋大**)○齊籐雅典,齊籐隆雄*,近藤好正*,今枝美能留*, 村上碩哉,大竹尚登**…………………………………………………………………………………………………148 P54 三次元C60ポリマーの構造と電子物性 (東工大)○斎藤 晋,山上雄一郎…………………………………………………………………………………………………150 P55 フラーレンC86:16、C86:12の統計的成長機構(理論) (産総研)○吉田晴男…………………………………………………………………………………………………152 P56 ナノダイヤモンドFELを用いた植物育成 (高知県産業振興センター)○大岡昌洋,西村一仁…………………………………………………………………………………154 P57 ダイヤモンド電子源からの電界放出した電子ビームの評価 (住友電工)○植田暁彦,山本喜之,西林良樹,今井貴浩………………………………………………………………………156 P58 金属基板上に成長したBN、BCN薄膜のフィールドエミッション特性 (阪大)○川井 悟,木村千春,青木秀充,杉野 隆………………………………………………………………………………158 P59 単結晶ダイヤモンド縦型ショットキーバリアダイオードの電気特性 (日産自動車,物材機構*)○桐谷範彦,谷本 智,寺地徳之*,小泉 聡*,小出康夫*………………………………………160 P60 擬似縦型構造厚膜ドリフト層ショットキーダイオードの試作 (産総研,住友電工*)○R.Kumaresan,池田和寛,辰巳夏生,梅沢 仁,鹿田真一………………………………………………162 P61 ダイヤモンドショットキーダイオードにおける耐圧構造の試作 (産総研,住友電工*)○池田和寛,梅沢 仁,辰巳夏生*,R.Kumaresan,鹿田真一…………………………………………164 P62 高濃度Bドープダイヤモンドの選択エピタキシャル成長とその電気特性評価 (早大)○市川 大,神宮宜克,入山慎吾,岡田竜介,平間一行,川原田 洋…………………………………………………166 P63 表面終端により異なった電位障壁高を持つリン添加ダイヤモンドからの電界電子放出特性 (国際基督教大,産総研**)○工藤唯義,増澤智昭,山口尚登, 斎藤市太郎,C.E.Nebel**,鹿田真一**,山田貴壽**,岡野 健…………………………………………………………………168 P64 数値計算による金属-ダイヤモンド接触モデルの構築 (国際基督教大,産総研**)○増澤智昭,白木善史,山口尚登,工藤唯義,斎藤市太郎, 山田貴壽**,岡野 健…………………………………………………………………………………………………170 P65 BCN膜のドライエッチング特性評価 (阪大)○青木秀充,徳山慎司,原 誠,渡邊大祐,M.Kマズンデル,木村千春,杉野 隆……………………………………172 P66 Si上でのBドープダイヤモンドを用いた深紫外発光素子に向けて (電通大)○神保幸宏,向山進也,一色秀夫,木村忠正………………………………………………………………174 P67 可視光で動作する炭素材料系回折光学素子の作製 (住友電工)○赤羽良啓,松浦 尚,藤田聖児,後 利彦,織田一彦,西林良樹, 目黒貴一,今井貴浩…………………………………………………………………………………………………176 P68 炭素系材料積層素子の光起電力特性 (東工大,住友電工*,名古屋大**)○赤坂大樹,今井貴浩*,村上碩哉,大竹尚登**………………………………………178 P69 金修飾ダイヤモンド電極を用いたアルシンガスの電気化学的検出 (慶應大,理研計器*,KAST**)○山田大介,松浦宏昭*,中野信夫*, lvandini T.A,藤嶋 昭**,栄長泰明………………………………………………………………………………………180 P70 液中AFMカンチレバー用導電性ダイヤモンドナノ針の開発 (産総研)○上塚 洋,茶谷原昭義,山田貴壽,C. E. Nebel,鹿田真一……………………………………………………182 P71 ダイヤモンド表面上への生体分子吸着挙動 (産総研,フランス原子力庁*)○上塚 洋,M.Bonnauron*,楊 年俊, 渡邊幸志,F.Bergonzo*,C. E. Nebel,N.Yang…………………………………………………………………………184 P72 LNAを用いたSGFETによるDNA検出 (早大)○吉村幸恵,高橋宏徳,梁 正勲,久我翔馬,田島慎也,川原田 洋…………………………………………………186 P73 Miniaturization of diamond bio-sensors for multi-array application (産総研)○Jiuhong Yu,N.Yang,H.Uetsuka,C. E. Nebel…………………………………………………………………188 P74 ダイヤモンド電極を用いたキャピラリー電気泳動法によるアミノ酸の選択的検出 (慶應大,KAST*)○飯島淳平,知久昌信,lvandini T.A,藤嶋 昭*,栄長泰明………………………………………………190 P75 蓮の葉を模擬したナノパターニング-DLC複合化超撥水性表面の医用応用 (慶應大,慶應大/立川病院*,東大**,KIST*** )○柏木洋介, 長谷部光泉*,堀田 篤,上條亜紀**,高橋孝喜**,K.R.Lee***,鈴木哲也…………………………………………………192 P76 バイオマテリアル血栓付着コントロールのためのDLC被覆マイクロパターニング表面 (慶應大,慶應大/立川病院*,東大**,KIST***)○上田芳人, 長谷部光泉*,上條亜紀**,堀田 篤,高橋孝喜**,K.R.Lee***,鈴木哲也…………………………………………………194 P77 人工血管へのa-C:H膜形成 (東京電機大)○松尾晴貴,金杉和弥,大越康晴,平栗健二,舟久保昭夫,福井康裕…………………………………………196 P78 人工心臓用血液ポンプ上へコーティングしたa-C:H膜の細胞親和性評価 (東京電機大)○金杉和弥,福井達也,大越康晴,平栗健二,舟久保昭夫,福井康裕………………………………………198 P79 非晶質炭素膜を用いた手術器械の表面処理の検討 (東京電機大,ニチオン*)○出雲洋助,大越康晴,本田宏志*,岩城武年*, 西尾康洋*,舟久保昭夫,福井康裕………………………………………………………………………………………200 P80 パルス放電プラズマCVDによるアクリル樹脂へのDLC膜コーティング (山八歯材,中部大*)○渡辺哲也,桂 成基,野田三喜男*…………………………………………………………………202 P81 医療用高分子材料へのDLCコーティング (名古屋大)○中川 拓,大石竜輔,大竹尚登,高井 治……………………………………………………………………204 ◇懇 親 会(長岡技術科学大学 セコム記念ホール)17:45~ 第2日目(11月22日)◇座長 川原田 洋(早稲田大学)9:45~11:00 201 単結晶ダイヤモンド薄膜を用いた深紫外線フォトディテクター (物材機構,CNRS*)○寥 梅勇,ホセアルバレッツ*,井村将隆,小出康夫……………………………………………………………210 202 励起光型ダイヤモンド薄膜X線ビーム位置モニタの開発 (JASRI,理研*,神戸製鋼**)工藤統吾,高橋 直,成山展照,広野等子,後藤俊治, 大橋治彦,矢橋牧名*,横田嘉宏**,川上信之**,○橘 武史**……………………………………………………………212 203 低濃度p型ホモエピタキシャルダイヤモンドのショットキーダイオード (物材機構,阪大*)○寺地徳之,小泉 聡,小出康夫,伊藤利道*……………………………………………………………214 204 ダイヤモンドSBDの高温度下動作特性評価 (産総研,産総研・住友電工*)○梅沢 仁,池田和寛,R.Kumaresan,辰巳夏生*,鹿田真一……………………………216 205 ヘテロエピダイヤモンド上に形成したp+-π-p+ 型MISFETの高周波特性改善 (神戸製鋼,早大*)○川上信之,横田嘉宏,橘 武史,平間一行*,川原田 洋*……………………………………………218
◇11:00~11:15 コ-ヒ-ブレイク
◇座長 橘 武史(神戸製鋼)11:15~12:45 206 ダイヤモンドpn接合型エミッターからの高効率電子放出 (物材機構)○小泉 聡……………………………………………………………………220 207 ダイヤモンドpn接合ダイオードからの放出電子像とエネルギー分布 (東北大・多元研,物材機構*)○河野省三,小泉 聡*……………………………………………………………………222 208 真空熱処理リン添加ダイヤモンド表面からの電子放出特性 (産総研)○山田貴壽,K.Somu,C. E. Nebel,鹿田真一…………………………………………………………………………224 209 窒素ドープダイヤモンドの熱電子放出特性 (東芝研究開発センター)○鈴木真理子,小野富男,斉藤信美,佐久間尚志,酒井忠司…………………………………………226 210 配線応用に向けた低温成長CNTビアの電気特性評価 (早大,MIRAI-Selete*)○石丸研太郎,横山大輔,岩崎孝之, 百島 孝*,佐藤信太郎*,二瓶瑞久*,粟野祐二*,川原田 洋…………………………………………………………………228 211 LowK配線用のメチル化BN膜の特性評価 (阪大)○徳山慎司,M.Kマズンデル,木村千春,青木秀充,杉野 隆…………………………………………………………230
◇12:45~14:00 昼休み
◇座長 竹内貞雄(日本工業大学)14:00~15:00 212 非晶質炭素系薄膜の熱伝導率に及ぼすミクロ構造の影響 (東大,理化学研*)○宮井清一,寺井隆幸,小林知宏*…………………………………………………………………236 213 有機シラン、メタンおよびアルゴンを用いた高周波プラズマCVD法によるSi-DLC膜の膜特性評価 (弘前大)○中澤日出樹,貝森勇太,真下正夫………………………………………………………………………………238 214 DLC-Siのトライボロジー特性 (ジェイテクト)○鈴木雅裕,安藤淳二,齊籐利幸………………………………………………………………………………240 215 S-DLC膜の弾性表面波アクチュエータ摩擦駆動面への応用 (埼玉大,名古屋大*,東工大**)○高崎正也,小谷浩之,藤井洋介,水野 毅,足立雄介**, 青木佑一**,大竹尚登*………………………………………………………………………………………………242
◇15:00~15:15 コ-ヒ-ブレイク
◇座長 大竹尚登(名古屋大学)15:15~16:45 216 Nano-structured bio-sensors from diamond (産総研)○N.Yang,H.Uetsuka H.Watanabe,Jiuhong.Yu,C. E. Nebel…………………………………………………244 217 ダイヤモンドマイクロ電極を用いたドーパミンのin vivo測定 (慶應大,順天堂大*,KAST**)○栄長泰明,鈴木あかね,lvandini T.A,吉見建二*, 北澤 茂*,藤嶋 昭**……………………………………………………………………246 218 表面分子修飾によるダイヤモンド電極の機能化 (東京理科大,KAST*)○近藤剛史,庭野 悠,田村 暁,今井順一,藤嶋 昭*,河合武司…………………………………248 219 表面修飾されたダイヤモンド表面上におけるRNAの検出 (早大)○田島慎也,久我翔馬,吉村幸恵,高橋宏徳,梁 正勲,川原田 洋………………………………………………250 220 蛍光ナノダイヤモンドの合成 (滋賀医科大)○瀧本竜哉,小松直樹,木村隆英,森田将史,犬伏俊郎…………………………………………………252 221 DLC被覆生体模倣(バイオミメティック)表面の血液接触性バイオマテリアルへの応用 (慶應大,慶應大/立川病院*,東大**,KIST***)○永島 壮, 長谷部光泉*,上條亜紀**,堀田 篤,高橋孝喜**,K.R.Lee***,鈴木哲也…………………………………………………254
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