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ダイヤモンドシンポジウム講演プログラム(第22回)

 

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 第22回 ダイヤモンドシンポジウム講演プログラム

 

日 時:平成20年10月21日(火),22日(水)

会 場早稲田大学

第1日(10月21日)

◇オ-ラルセッション

◇座長 寺地徳之(物材機構)9:30~10:45

101  マイクロ波プラズマCVDによる単結晶ダイヤモンドの高速成長VI

    (産総研)○杢野由明,茶谷原昭義,山田英明,坪内信輝

102  大面積化に適した陰極を用いた直流プラズマCVD法によるヘテロエピタキシャルダイヤモンド膜の作製

    (青学大/AGDマテリアル,並木精密*,青学大**)○千明弘介,古滝敏郎*,三田清二**,澤邊厚仁

103  MMSiを用いたバイアス法ダイヤモンド核発生の検討

    (電通大)○吉田樹央,一色秀夫,木村忠正

104  ダイヤモンド合成のためのマイクロ波プラズマCVDの数値解析

    (産総研)○山田英明,茶谷原昭義,杢野由明,鹿田真一,藤森直治

105  Beドープ単結晶CVDダイヤモンド薄膜の作製とその光学特性

    (NTT・物性研)○植田研二,嘉数 誠

 

◇10:45~11:00  休 憩

 

◇オ-ラルセッション

◇座長 赤坂大樹(長岡技術科学大学)11:00~12:15

106  サファイア基板上MOVPE成長BNの透過特性

    (NTT・物性研)○小林康之,赤坂哲也

107  希土類金属添加アモルファス窒化ホウ素薄膜の特性評価

    (阪大)○曽田浩司,篠森直哉,木村千春,青木秀充,杉野 隆

108  ガスソースを用いた深紫外発光性六方晶窒化ホウ素の合成

    (物材機構)○津田 統,渡邊賢司,谷口 尚

109  低温における六方晶窒化ホウ素の励起子発光スペクトル

    (物材機構)○渡邊賢司,谷口 尚

110  立方晶窒化ホウ素への置換型不純物が形成するエネルギー準位の計算

    (東大・生産技研)○野瀬健二,光田好孝

 

◇12:15~13:15  昼 休 み

 

◇オ-ラルセッション

◇座長 澤邊厚仁(青山学院大学)13:15~14:45

111  表面波プラズマCVD法により作製したナノ結晶ダイヤモンド薄膜の熱物性評価

    (産総研)○石原正統,津川和夫,金 載浩,長谷川雅考,古賀義紀,阿子島めぐみ,S.H.Firoz,石川佳寿子,馬場哲也

112  プラスチック基板上への低温ナノダイヤモンド成膜

    (産総研)○津川和夫,石原正統,金 載浩,古賀義紀,長谷川雅考

113  カーボンナノチューブにおける圧力誘起構造相転移とダイヤモンド多形

    (東工大)○斎藤 晋,櫻井誠大

114  銅または炭化ケイ素ナノワイヤーを完全内包したカーボンナノチューブ形成

    (三重大)○小海文夫,島津智行,足立一磨,高橋 裕,小塩 明

115  グラファイトアンテナを用いた先端放電型リモートプラズマCVD法による垂直配向カーボンナノチューブの合成

    (早大,MIRAI-Selete*)○横山大輔,岩崎孝之,石丸研太郎,飯塚正知,佐藤信太郎*,二瓶瑞久*,粟野祐二*,川原田 洋

116 “低炭素社会”を“炭素材料”で実現しよう

    (NDF編集委員会)○鹿田真一,栄長泰明,大竹尚登,小泉 聡,齋藤秀俊,小海文夫,Tarun Sharda,中村挙子,西林良樹

 

◇14:45~15:00  休 憩

 

◇特別講演 座長 光田好孝(東京大学)15:00~15:45

「私の出会ったいろいろなダイヤモンド」

(独)物質・材料研究機構 センサ材料センター リサーチアドバイザー 神田 久生 氏

 

◇15:45~16:00  休 憩

 

◇ポスタ-セッション16:00~18:00

P01  窒素添加されたホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜の成長と評価

    (産総研)○渡邊幸志,中島信一,梅沢 仁,鹿田真一

P02  ヘテロエピタキシャルダイヤモンド薄膜における配向性の基板オフ角およびオフ軸方向依存性

    (青学大,トウプラスエンジ*)○岡田晋治,三田清二,鈴木一博*,澤邊厚仁

P03  直流プラズマCVD法によるボロンドープヘテロエピタキシャルダイヤモンド薄膜の作製と評価

    (青学大,トウプラスエンジ*,並木精密**)○山崎幸太,小山浩司**,三田清二,鈴木一博*,澤邊厚仁

P04  リンドープn形ヘテロエピタキシャルダイヤモンド薄膜の作製- ホモエピタキシャル成長を利用したリンドープ層の成長条件の適正化 -

    (青学大,トウプラスエンジ*,物材機構**)○阿部 諭,三田清二,鈴木一博*,小泉 聡**,澤邊厚仁

P05  各種サファイア基板へのイリジウムのエピタキシャル成長

    (青学大,トウプラスエンジ*,並木精密**)○熊木大介,熊谷 仁,三田清二,鈴木一博*,古滝敏郎**,澤邊厚仁

P06  ナノ結晶ダイヤモンド薄膜CVD用大電力および大面積表面波励起プラズマ装置の開発

    (産総研)○金 載浩,津川和夫,石原正統,長谷川雅考,古賀義紀

P07  大気開放プラズマプロセスによるダイヤモンド成膜およびエッチング特性と分光計測

    (愛媛大)○八木秀次,本村英樹,神野雅文,青山善行,小野和雄,後藤弘行,添野 宣

P08  低温条件下での導電性ダイヤモンドのCVD合成とその特性評価

    (東京理科大,KAST*)○川合敏光,近藤剛史,藤嶋 昭*,河合武司

P09  ナノパルスプラズマと熱フィラメントを併用したダイヤモンド膜の合成

    (東工大,名古屋大*)○望月佳彦,齋藤雅典,会田敏之,村上碩哉,大竹尚登*

P10  発表辞退

P11  ゾル‐ゲル法を利用した導電性ダイヤモンド粒子膜の作製

    (東京理科大,KAST*)○剱持博文,近藤剛史,藤嶋 昭*,河合武司

P12  誘電体バリア放電法による非晶質炭素膜の大面積合成

    (KAST,慶應大/ KAST*)○児玉英之,高野久美子,鈴木哲也*

P13  リモート式大気圧プラズマCVD法による非晶質炭素膜の合成

    (KAST,慶應大/ KAST*)○高野久美子,児玉英之,鈴木哲也*

P14  DLCの成膜に及ぼす電源周波数の影響

    (広島県総合技研・西部工技センター)○山本 晃,縄稚典生,本多正英,筒本隆博

P15  DLC膜形成におけるチャンバー内気体流れ場シミュレーション

    (日工大)○周 志功,ナッタン ムルスラドゥ,渡部修一

P16  導電性ダイヤモンド中空ファイバー膜の作製

    (東京理科大,KAST*)○李 相哲,近藤剛史,藤嶋 昭*,河合武司

P17  先端放電型リモートプラズマCVDによるサブミクロンサイズビアからの多層CNT低温成長

    (早大,MIRAI-Selete*)○飯塚正知,石丸研太郎,横山大輔,岩崎孝之,由比藤勇,竹内輝明,佐藤信太郎*,

    二瓶瑞久*,粟野祐二*,川原田 洋

P18  極性面および非極性面A1BN単結晶薄膜のエピタキシャル成長

    (NTT・物性研)○赤坂哲也,小林康之,嘉数 誠

P19  TMABで作製したメチル窒化ホウ素膜のRFパワー依存性

    (阪大)○増住拓朗,原 誠,渡邊大祐,木村千春,青木秀充,杉野 隆

P20  最小4nmサイズの高温高圧法ナノダイヤモンドの分離

    (滋賀医科大,大阪電通大*,トーメイダイヤ**)○小松直樹,森田陽一*,瀧本竜哉,山中 博**,粂川勝美**,

    森野静香**,青沼秀児*,木村隆英

P21  ダイヤモンドフォトディテクタの永続的光伝導のクエンチング

    (物材機構,CNRS*)○寥 梅勇,ホセ・アルバレッツ*,井村将隆,小出康夫

P22  CVDダイヤモンド表面伝導層のエネルギーバンドダイヤグラム

    (東北大・多元研)○齋藤 達,河田宏史,後藤忠彦,掛札洋平,米田忠弘,河野省三

P23  光化学修飾法を用いたダイヤモンド電極表面への共有結合混合単分子膜の作製

    (東京理科大,KAST*)○今井順一,保志 光,近藤剛史,藤嶋 昭*,河合武司

P24  分子修飾によるダイヤモンド電極へのポリ酸の固定化

    (東京理科大,KAST*)○谷口祐一,近藤剛史,藤嶋 昭*,河合武司

P25  多結晶ダイヤモンド表面への異種金属ナノ粒子の結晶面選択的吸着

    (東京理科大,KAST*)○平田孝輔,近藤剛史,藤嶋 昭*,河合武司

P26  ダイヤモンド表面へのスルホ基の導入による固体酸の作製

    (東京理科大)○亀島 貴,近藤剛史,河合武司

P27  金属錯体修飾ダイヤモンド電極の作製と電気化学センサーへの応用

    (東京理科大,KAST*)○田村 暁,近藤剛史,藤嶋 昭*,河合武司

P28  ダイヤモンドの転位欠陥の伝播とショットキーダイオード特性

    (住友電工,産総研*)○辰巳夏生,梅沢 仁*,加藤智久*,山口博隆*,池田和寛,R.Kumaresan*,西林良樹,

    今井貴浩,鹿田真一*

P29  ボロンドープダイヤモンドの欠陥構造評価

    (産総研,住友電工*)○クマラグルバラン ソム,梅沢 仁,辰巳夏生*,鹿田真一

P30  高速成長ホモエピタキシャルダイヤモンド自立膜の結晶性評価

    (産総研,住友電工*)○坪内信輝,杢野由明,茶谷原昭義,辰巳夏生*,山口隆博,鹿田真一

P31  全電子収量軟X線吸収分光法を用いた炭素材料表面酸素の状態・定量分析技術の開発

    (兵庫県立大)○村松康司,鎌本啓志

P32  ESRによるDLC膜の構造解析

    (日工大)○黄 碧榕,ナッタナン ムルスラドゥ,渡部修一

P33  水素化DLC膜の軟X線照射による改質効果

    (兵庫県立大,神戸大学*)○神田一浩,新部正人,田川雅人*,横田久美子*,松井真二

P34  紫外光劣化保護としてのDLC膜

    (東京電機大)○奥 隆裕,平栗健二,大越康晴

P35  鉄系材料へのDLC膜の形成および耐腐食性の評価

    (東京電機大)○佐藤智和,大越康晴,平栗健二

P36  水素化アモルファス炭素系膜の熱分解挙動

    (長岡技科大)○赤坂大樹,川口晋之介,大塩茂夫,齋藤秀俊

P37  Si添加アモルファス炭素膜の合成と光学的特性及びガスバリア性評価

    (東工大,名古屋大*)○鈴木勝基,大曽根祐樹,西 英隆,齊藤雅典,村上碩哉,大竹尚登*

P38  水への分散性改善を目指したカーボンナノチューブのマイクロ波処理

    (山形工技センター)○藤野知樹,鈴木庸久,加藤睦人,三井俊明,佐竹康史,齊藤寛史,小林誠也

P39  高濃度ボロンドープダイヤモンド超伝導への膜厚の影響

    (早大,物材機構*)○平井康隆,岡田竜介,入山慎吾,高野義彦*,平間一行,川原田 洋

P40  Si上でのダイヤモンド深紫外発光素子に向けて-エッチング加工したSOI基板上へのダイヤモンドの選択成長-

    (電通大)○神山浩輝,神保幸宏,一色秀夫,木村忠正,

P41  多結晶ダイヤモンド・コプレーナ三極構造における電界放出・衝突励起発光

    (電通大)○神保幸宏,神山浩輝,一色秀夫,木村忠正

P42  ダイヤモンド電子銃の電子ビーム性能評価

    (住友電工,エリオニクス*)○植田暁彦,池田和寛, 辰巳夏生, 西林良樹,今井貴浩,上柿順一*,布川 博*,土田智之*,

    小若裕則*,本目精吾 

P43  ダイヤモンドSBDのフォワード特性における計測パルスデューティ比の影響

    (産総研)○R.Kumaresan,梅沢 仁,池田和寛,鹿田真一

P44  ダイヤモンドとRuのショットキー接合安定性

    (産総研,住友電工*)○池田和寛,R.Kumaresan,梅沢 仁,辰巳夏生*,鹿田真一

P45  ダイヤモンドショットキーダイオードの界面輸送機構

    (物材機構,阪大*)○寺地徳之,GARINO Yiuri,小出康夫,伊藤利道*

P46  H終端ダイヤモンド(100)面のショットキー障壁高さの第一原理計算

    (NTT・物性研)○影島博之,嘉数 誠

P47  水素終端ダイヤモンドFETの高温特性と信頼性の向上

    (NTT・物性研)○Michal Kubovic,嘉数 誠

P48  接触抵抗低減による低温でのダイヤモンドFETの特性改善

    (早大)○津野哲也,石坂博明,平間一行,神宮宜克, 市川大, 柘植恭介, 井上洋輔,梅沢仁, 川原田 洋

P49  水素ラジカル照射による酸素終端ダイヤモンドFETsの伝導性発現

    (早大,産総研*)○井上洋輔,神宮宣克,柘植恭介,津野哲也,真木翼,横山大輔,平間一行,梅沢 仁*,川原田 洋

P50  単結晶ダイヤモンドの低エネルギーAr+イオンビーム加工におけるリプル形成

    (東京理科大)○長瀬貴司,加藤寛之,S.A.Pahlovy,宮本岩男

P51  放電加工による木工用ダイヤモンドコーティング工具の刃先加工

    (広島県総合技研・西部工技センター,広島大*)○本多正英,山本 晃,縄稚典生,山下弘之,番匠谷 薫*,筒本隆博

P52  部分的に研磨したCVDダイヤモンド薄膜と金属間の摩擦特性の湿度依存性

    (東北大,東北大・流体科研*,東北大・国際融合領域研**)○阪東広太郎,三木寛之*,竹野貴法**,阿部利彦*,高木敏行*

P53  熱フィラメント法で合成したボロンドープダイヤモンド膜の機械特性評価

    (日工大)○村石貴志,竹内貞雄

P54  両極性スパッタリングを用いた界面状態の制御によるDLC薄膜の付着力改善

    (東大・生産技研)○森久祐弥,野瀬健二,光田好孝

P55  大気プラズマ前処理による表面改質およびDLC膜の密着性向上

    (東京電機大,茨城大*)○北原直樹,大越康晴,尾関和秀*,平栗健二,福井康裕

P56  Si-DLC膜の高温環境下での機械的特性評価

    (日工大)○町田成康,竹内貞雄

P57  水素化アモルファス炭素極薄膜の高分解能機械特性評価

    (長岡技科大)○伊藤大樹,大塩茂夫,赤坂大樹,齋藤秀俊

P58  紙材料へのDLC膜の形成およびトライボロジー評価

    (東京電機大)○芝崎友則,田端勇也,大越康晴,平栗健二

P59  硫黄を含有したDLC膜のトライボロジー特性

    (日工大,JAXA*)○岡田英一,ナッタン ムルスラドゥ,渡部修一,岩木雅宣*

P60  S-DLCを駆動面に用いた超音波モータ

    (埼玉大,名古屋大*)○中村 満,藤井陽介,小谷浩之,高崎正也,水野 毅,黒田剛史*,大竹尚登*

P61  セグメント構造DLC膜を利用した高耐摩耗性シムの開発

    (名古屋大,東工大*,iMott**,神奈川産技センター***,神戸工試****,栗田製作所*****)○高島 舞,黒田剛史,

    齊藤雅典*,大竹尚登,松尾 誠**,岩本喜直**,熊谷正夫***,加納 眞***,木本 寛****,篠原 優*****

P62  CNT繊維長が複合材料特性に与える影響

    (東工大,名古屋大*)○安藤英俊,安原鋭幸,村上硯哉,大竹尚登

P63  カーボンナノチューブ/樹脂複合体の作製と評価

    (東海大)○白井太朗,閏間謙次,土田直弘,葛巻 徹

P64  高潤滑特性を有するカーボンオニオンの生成

    (東工大)○廣田 智,平田 敦

P65  ナノパルスプラズマCVDによるアモルファスBN膜の合成とトライボロジー特性評価

    (東工大,名古屋大*)○齊藤雅典,村上硯哉,大竹尚登

P66  フッ素終端化ダイヤモンド表面を用いた1塩基変異DNA検出

    (早大)○石山雄一郎,久我翔馬,新井裕史,田島慎也,梁 正勲,川原田 洋

P67  ダイヤモンド表面修飾のDNAセンシングへの影響評価

    (早大)○新井裕史,久我翔馬,石山雄一郎,田島慎也,梁 正勲,川原田 洋

P68  擬似体液中におけるフッ素添加DLC被覆医療材料からのフッ素溶出試験

    (慶應大,東邦大・医療センター/慶應大*,横浜市大病院**,東大病院***)○真下奈子,長谷部光泉*,堀田 篤,

    上條亜紀**,高橋孝喜***,鈴木哲也

P69  ダイヤモンドライクカーボン薄膜とポリマー複合化材料を用いた薬剤溶出システムの研究

    (慶應大,東邦大・医療センター/慶應大*,横浜市大病院**,東大病院***,クリニカル・サプライ****)○榎本圭佑,

    長谷部光泉*,上條亜紀**,吉本幸洋,高橋 健****,高橋孝喜***,鈴木哲也,堀田 篤

P70  Diamond-like carbonを用いた新規薬剤徐放システムの開発

    (慶應大,東邦大・医療センター/慶應大*,横浜市大病院**,東大病院***,クリニカル・サプライ****)○吉本幸洋,

    長谷部光泉*,上條亜紀**,榎本圭佑,高橋 健****,堀田 篤,鈴木哲也,高橋孝喜***

P71  人工血管へ形成したa-C:H膜の細胞親和性評価

    (東京電機大)○松尾晴貴,星野祐太,金杉和弥,大越康晴,平栗健二,舟久保昭夫,福井康裕

P72  セグメント構造DLCをコーティングしたポリマーカテーテルの特性評価

    (名古屋大)○中川 拓,大石竜輔,大竹尚登,高井 治

P73  ホットワイヤーCVDによる窒化炭素薄膜の成膜

    (岐阜工業高専)○亀山尊寛,羽渕仁恵

P74  イオンプレーティングによるB-C-N薄膜の形成

    (日工大)○毛 廟偉,渡部修一

P75  Arのマイクロ波放電フローによるBrCNの分解過程の解析

    (長岡技科大)○和田 晃,新木一志,伊藤治彦

P76  CNラジカルの付着確率

    (長岡技科大)○新木一志,和田 晃,齋藤秀俊,伊藤治彦

P77  BN, SiC, AlNポリタイプ(多形)の第一原理計算

    (物材機構)○小林一昭,小松正二郎

P78  窒化炭素のFE特性に及ぼす基板サイズの影響

    (千葉工大,千葉工大・院*)○坂本幸弘,小溝俊一郎*,高谷松文

P79  アモルファス窒化炭素水素吸蔵材の生成

    (長岡技科大)○諸橋 龍,戸田育民,高畑智一,小野弘樹,齋藤秀俊,伊藤治彦

 

◇懇 親 会(レストラン馬車道)18:00~

第2日目(10月22日)

◇オ-ラルセッション

◇座長 西林良樹(住友電工)9:00~10:15

201  高濃度ボロンドープダイヤモンド超伝導薄膜の選択エピタキシャル成長による微細構造作成

    (早大,物材機構*,産総研**)○渡邉 恵,入山慎吾,岡田竜介,河野明大,高野義彦*,梅沢 仁**,神宮宜克,

    平間一行,川原田 洋

202  高濃度ボロンドープダイヤモンド薄膜における超伝導絶縁体転移の臨界濃度と面方位依存性

    (早大,物材機構*,産総研**)○北郷伸弥,河野明大,入山慎吾,岡田竜介,高野義彦*,山口尚秀*,梅沢 仁**,

    平間一行,川原田 洋

203  水素終端ダイヤモンドとA1層との間に形成される二次元正孔チャンネル

    (NTT・物性研)○嘉数 誠,Michal Kubovic

204  水素終端(111)面を利用したダイヤモンドMOSFETの作製と評価

    (早大,産総研*)○柘植恭介,平間一行,津野哲也,井上洋輔,神宮宣克,梅沢 仁*,川原田 洋

205  水素終端(001),(110),(111)ダイヤモンド表面におけるホール蓄積層の伝導性評価

    (早大,産総研*)○平間一行,柘植恭介,神宮宣克,津野哲也,井上洋輔,梅沢 仁*,川原田 洋

 

◇10:15~10:30   休 憩

 

◇オ-ラルセッション

◇座長 横田嘉宏(神戸製鋼)10:30~11:45

206  縦型・擬似縦型高出力ダイヤモンドSBDにおける寄生抵抗の影響

    (産総研,住友電工*)○梅沢 仁,R.Kumaresan,池田和寛*,辰巳夏生*,鹿田真一

207  p型ホウ素ドープダイヤモンドへの室温オーミックコンタクトの形成

    (物材機構)○寺地徳之,小泉 聡,小出康夫

208  Charging behavior in reverse characteristics of diamond Schottky diodes

    (物材機構,阪大*)○GARINO Yiuri,寺地徳之,小泉 聡,小出康夫,伊藤利道*

209  ダイヤモンド基板によるショットキーフォトダイオード特性への影響

    (物材機構,CNRS*)○井村将隆,寥 梅勇,ホセ・アルバレッツ*,小出康夫

210  リン添加ダイヤモンドチップアレーからの電界電子放出

    (産総研)○山田貴壽,C. E. Nebel,鹿田真一

 

◇11:45~12:45  昼 休 み

 

◇オ-ラルセッション

◇座長 大竹尚登(名古屋大学)12:45~14:15

211  多結晶ダイヤモンドの微細形状形成技術の開発

    (トーメイダイヤ,協同インターナショナル*,栃木産技センター**,東工大***)○吉川博道,安藤豊,三田正弘*,

    竹澤信隆**,大和弘之,山ノ井翼,吉本 護***

212  レーザーアブレーション法によるSi添加DLC膜の原子状水素エッチング

    (弘前大,東北大・通研*,長岡技科大**,東北大・学際センター***,山形大****)○中澤日出樹,杉田寛臣,

    遠田義晴,末光眞希*,安井寛治**,伊藤 隆***,遠藤哲郎*,成田 克****,真下正夫

213  金属基板上に製膜された金属を含む導電性非晶質炭素膜の摩擦特性

    (東北大,LTDS.ECL.France*,東北大・流体科研**,東北大・国際融合領域研***)○菅原敏文,M.Ruet*,

    伊藤耕祐*,三木寛之*,*竹野貴法***,J.Fontaine*,M.Belin*,高木敏行**

214  CK端全電子収量軟X線吸収分光法によるsp2/sp3炭素比定量に関する考察

           ;sp2/sp3炭素混合試料を用いたsp2/sp3全電子収量比の計測と解析

    (兵庫県立大)○村松康司

215  超微粒立方晶窒化ホウ素焼結体の高圧合成とその切削特性評価

    (物材機構,北大*,理化学研**)○谷口 尚,藤崎和弘*,横田秀夫**

216  ラットの肺に気管注入したフラーレンナノ粒子の電子顕微鏡観察

    (産総研,産業医科大*)○山本和弘,牧野 雅,小林恵美子,大神 明*,森本泰夫*

 

◇14:15~14:30   休 憩

 

◇オ-ラルセッション

◇座長 長谷部光泉(東邦大学)14:30~15:30

217  単体硫黄を利用したダイヤモンド粉末の光化学修飾および金表面上における挙動

    (産総研,九州工大*)○中村挙子,大花継頼,熊谷俊弥,萩原佑太*,坪田敏樹*
218  ダイヤモンド電極の表面分子修飾と電気化学分析への応用

    (東京理科大,KAST*)○近藤剛史,保志 光,田村 暁,藤嶋 昭*,河合武司

219  ダイヤモンド表面の負電荷制御によるRNA/DNA二本鎖の1塩基変異検出
    (早大)○石井陽子,田島慎也,久我翔馬,梁 正勲,川原田 洋

220  ダイヤモンド微小電極アレーによるDNAセンシング
    (産総研)○上塚 洋,楊 年俊,C. E. Nebel,藤森直治

 

◇15:30~15:45   休 憩

 

◇オ-ラルセッション

◇座長 近藤剛史(東京理科大学)15:45~16:30

221  Vertically Aligned Diamond Nanowires for DNA Sensing

    (産総研,ナノ炭素研究所*)○Nianjun Yang,上塚 洋,大澤映二*,C. E. Nebel,藤森直治

222  表面プラズモン共鳴を用いたアモルファス水素化炭素膜へのタンパク質の吸着検出

    (長岡技科大)○蒲沢直紀,岸本真一,大塩茂夫,赤坂大樹,齋藤秀俊

223  長期留置インプラント治療器具への応用を目指したフッ素添加 Diamond-like carbon(F-DLC)の開発

    (東邦大・医療センター/慶應大,横浜市大病院*,東大病院**,自治医科大***,東邦大・医療センター****,慶應大*****)○長谷部光泉,

    上條亜紀*,石川 治**,田中 実**,今野兼次郎***,北村範子****,寺田一志****,堀田 篤*****,鈴木哲也*****,高橋孝喜**

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