ダイヤモンドシンポジウム講演プログラム（第２５回） |
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第２５回 ダイヤモンドシンポジウム講演プログラム |
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日 時：平成２３年１２月７日（水）～９日（金） 会 場：産業技術総合研究所 つくば共用講堂
第1日（１２月７日）
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9:35～10:35 座長 寺地徳之(物材機構) |
| 101 | 円筒共振型マイクロ波プラズマによるナノ結晶ダイヤモンドの低温成長 ………………………………………………………………… 4 (電通大，サンユー電子*)○一色秀夫，飛田龍太郎，嶺井浩大，瀧川修平，田村貴司，土岐和之* |
| 102 | ヘテロエピタキシャルダイヤモンドの選択成長法を用いたナノスケールドットアレイ形成におけるダイヤモンド核密度の影響 ………… 6 (青学大，ﾄｳﾌﾟﾗｽｴﾝｼﾞﾆｱﾘﾝｸﾞ*，阪大**)○菊地啓翔，児玉英之，河野省三，鈴木一博*，水落憲和**，澤邊厚仁 |
| △ 103 | インチサイズの単結晶ダイヤモンド接合ウェハの作製と大面積化に向けての取組み …………………………………………………… 8 (産総研)○山田英明，茶谷原昭義，杢野由明，坪内信輝，梅澤 仁，加藤有香子，鹿田真一 |
10:35～10:45 休 憩 |
オ－ラルセッション2 |
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10:45～12:05 座長 嘉数 誠(NTT・物性研) |
| 104 | ダイヤモンドにおけるバンドギャップ温度依存性の第一原理計算 ……………………………………………………………………… 10 (東工大)○是常 隆，斎藤 晋 |
| 105 | ダイヤモンドp-i-n接合ダイオードからの電子放出(III) …………………………………………………………………………………… 12 (産総研)○竹内大輔，牧野俊晴，加藤宙光，大串秀世，山崎 聡 |
| △ 106 | 窒素ラジカルビームを用いたダイヤモンド表面のAINヘテロエピタキシャル成長 ……………………………………………………… 14 (早大)○宇都宮大起，鹿又龍介，川原田 洋 |
| △ 107 | イオンゲルを用いたダイヤモンドFETの電気容量測定 …………………………………………………………………………………… 16 (早大)○横山悠樹，田辺恭介，新井裕史，小野 拓，井堀翔志，ﾙｽﾘﾝﾀﾞ ｱﾌﾞﾄﾞﾙ ﾗﾋﾑ，平岩 篤，川原田 洋 |
12:05～13:00 昼 休 み |
オ－ラル 特別セッション「パワーデバイス」 |
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13:00～14:30 座長 野瀬 健二(東大・生産技研) |
| 108 | 【基調講演】ワイドギャップ半導体パワーデバイスへの期待と展開 …………………………………………………………………… 18 (産総研)○梅澤 仁 |
| △ 109 | ダイヤモンド・ナノマシンスイッチの創製 ………………………………………………………………………………………………… 20 (物材機構)○廖 梅勇，菱田俊一，小泉 聡，小出康夫 |
| △ 110 | AlN/Diamondヘテロ接合型ダイヤモンド電界効果トランジスタの開発 ………………………………………………………………… 22 (物材機構，名大*)○井村将隆，早川竜馬，大里啓孝，渡辺英一郎，津谷大樹，廖 梅勇，小出康夫，天野 浩* |
| △ 111 | 単結晶ダイヤモンドにエピタキシャル成長したAlGaN/GaN HEMTの高周波高出力動作 ……………………………………………… 24 (NTT･物性研)○平間一行，谷保芳孝，嘉数 誠 |
14:30～14:40 休 憩 |
オ－ラルセッション３ |
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14:40～16:20 座長 梅澤 仁(産総研) |
| 112 | 高濃度NO2吸着による水素終端ダイヤモンドの正孔濃度の増加とFET特性の改善 …………………………………………………… 26 (NTT･物性研)○嘉数 誠，佐藤寿志，平間一行 |
| 113 | 金属/ダイヤモンド界面の不完全性とショットキーダイオード特性 ……………………………………………………………………… 28 (物材機構，CNRS*，九州大**)○寺地徳之，A.Fiori*，大曲新矢**，小出康夫 |
| 114 | ダイヤモンド半導体を用いたバイポーラトランジスタの開発 ……………………………………………………………………………… 30 (産総研)加藤宙光，小山和博，牧野俊晴，竹内大輔，小倉政彦 ，○山崎 聡 |
| 115 | 高濃度不純物をドープしたダイヤモンド薄膜における電荷輸送機構 …………………………………………………………………… 32 (筑波大，産総研*)○松本 翼，小倉政彦*，加藤宙光*，大串秀世*，山崎 聡* |
| 116 | ダイヤモンドpn接合陰極の動作条件と安定性 …………………………………………………………………………………………… 34 (物材機構)○小泉 聡 |
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16:20～18:20 |
| P1-01 | ダイヤモンド半導体電気測定のための電極構造の検討 ………………………………………………………………………………… 40 (神奈川大)○本杉太郎，星野 靖，斎藤保直，中田穣治 |
| P1-02 | ダイヤモンドオーミック電極とショットキー電極の電位の光電子分光的検証 ……………………………………………………………42 (青学大，ﾄｳﾌﾟﾗｽｴﾝｼﾞﾆｱﾘﾝｸﾞ*)○小黒一希，河野省三，鈴木琢也，知野大仁，市川公善，鈴木一博*，児玉英之，澤邊厚仁 |
| P1-03 | テンプレート層高品質化によるボロンドープヘテロエピタキシャルダイヤモンドの電気特性の向上 …………………………………… 44 (青学大，ﾄｳﾌﾟﾗｽｴﾝｼﾞﾆｱﾘﾝｸﾞ*，物材機構**)○知野大仁，児玉英之，鈴木一博*，寺地徳之**， 澤邊厚仁 |
| P1-04 | ダイヤモンド中の電子・正孔対の捕獲・再結合過程 ……………………………………………………………………………………… 46 (産総研)○牧野俊晴，菅野正吉，大串秀世，加藤宙光，竹内大輔，山崎 聡 |
| P1-05 | 同位体ダイヤモンド超格子からのラマン散乱 ……………………………………………………………………………………………… 48 (産総研，徳島大*)○渡邊幸志，富田卓朗*，中島信一，加藤有香子，鹿田真一 |
| P1-06 | 種々ダイヤモンド膜厚を持つダイヤモンド紫外線センサーの光応答特性 ……………………………………………………………… 50 (物材機構)○廖 梅勇，M.Allouche，寺地徳之，井村将隆，小出康夫 |
| P1-07 | 単結晶ダイヤモンドを用いた高周波SAW共振子 ……………………………………………………………… 52 (千葉大，MES*，産総研**)○山田晴也，藤井 知，小田原達矢，大森達也，橋本研也，鳥居博典*，梅澤 仁**，鹿田真一** |
| P1-08 | 単結晶(100)ダイヤモンドにおけるコンダクタンス法を用いた界面準位評価 ……………………………………………………………… 54 (早大)○大長 央，佐藤隼介，小林拓磨，今橋大樹，平岩 篤，川原田 洋 |
| P1-09 | ボロンデルタドープチャネルを用いたダイヤモンド電解質溶液ゲートFETの開発 ………………………………………………………… 56 (早大)○成尾智也，小野 拓，田辺恭介，井堀翔志，新井裕史，ﾙｽﾘﾝﾀﾞ ｱﾌﾞﾄﾞﾙ ﾗﾋﾑ，平岩 篤，川原田 洋 |
| P1-10 | p型アルミニウムドープダイヤモンドの成長及び特性評価 ………………………………………………………………………………… 58 (早大)○坪井秀俊，栗原槙一郎，野村 亮，鹿又龍介，宇都宮大起，平岩 篤，川原田 洋 |
| P1-11 | マイクロ波プラズマCVDによるBドープダイヤモンドの作製に及ぼすキャリアガスの影響 ……………………………………………… 60 (千葉工大)○下村 光，坂本幸弘 |
| P1-12 | マイクロ波プラズマCVDを用いたダイヤモンド選択成長 ………………………………………………………………………………… 62 (産総研)○永瀬成範，梅澤 仁，鹿田真一 |
| P1-13 | CIP-CSLR法と多重格子法の併用によるダイヤモンド成長時基板温度分布の精密解析 ……………………………………………… 64 (青学大)○森竹利行，児玉英之，河野省三，澤邊厚仁 |
| P1-14 | 大型自立単結晶CVDダイヤモンド板の作製とその結晶性及び放射線応答 …………………………………………………………… 66 (産総研，北大*)○坪内信輝，杢野由明，垣本明憲*，藤田文行*，金子純一*，山田英明，茶谷原昭義，鹿田真一 |
| P1-15 | 側面成長を利用した単結晶CVDダイヤモンド自立板の高品質化 ……………………………………………………………………… 68 (産総研)○杢野由明，茶谷原昭義，山田英明，坪内信輝 |
| P1-16 | 多段成長を用いたSi基板上での単結晶ダイヤモンド作製 ……………………………………………………………………………… 70 (電通大)○田村貴司，一色秀夫，松島賢史郎 |
| P1-17 | イオンビーム処理α-Al2O3(11-20)へのダイヤモンド(001)/イリジウム(001)エピタキシャル成長 ……………………………………… 72 (青学大，ﾄｳﾌﾟﾗｽｴﾝｼﾞﾆｱﾘﾝｸﾞ*，並木精密**)○舘 厚樹，児玉英之，鈴木一博*，古滝敏郎，澤邊厚仁 |
| P1-18 | MMSi添加によるGaN上ダイヤモンド核発生と薄膜堆積 ………………………………………………………………………………… 74 (電通大)○松島賢史郎，田村貴司，一色秀夫 |
| P1-19 | 窒化炭素へのダイヤモンド合成 …………………………………………………………………………………………………………… 76 (千葉工大)○亀島 匠，田中一平，坂本幸弘 |
| P1-20 | 表面スルホ化多孔質ダイヤモンド球状粒子の作製と固体酸触媒への応用 …………………………………………………………… 78 (東京理科大)○森村卓司，小林茉莉，近藤剛史，湯浅 真 |
| P1-21 | ダイヤモンドマイクロ電極を用いたドーパミン検出 …………………………………………………………………………………………80 (慶應大，順大*)○加藤太亮，吉見建二*，神園知亜，渡辺剛志，北澤 茂*，栄長泰明 |
| P1-22 | アモルファス水素化炭素膜表面へのγ-グロブリン吸着形態の評価 …………………………………………………………………… 82 (長岡技科大)○竹田 葵，大塩茂夫，赤坂大樹，斎藤秀俊 |
| P1-23 | 酵素/コバルトフタロシアニン修飾ダイヤモンド印刷電極の作製と高感度グルコースセンサーへの応用 ……………………………… 84 (東京理科大)○堀谷 勝，坂本博紀，近藤剛史，湯浅 真 |
| P1-24 | 金属錯体ポルフィリン修飾ダイヤモンド電極によるO2-・の電気化学的検出 …………………………………………………………… 86 (東京理科大)○制野博太朗，近藤剛史，湯浅 真 |
| P1-25 | 炭素系薄膜の抗菌性評価 ………………………………………………………………………………………………………………… 88 (東京電機大，ｷﾝｸﾞｻｳﾄﾞ大*，ﾎﾞﾛｰﾆｬ大**，物材機構***，三共S/S****)○岩月正人，大越康晴，ｱﾘ ｱﾙｱﾅｼﾞｰ*，佐藤慶介**，深田直樹***，増子貞光****，平栗健二，福井康裕 |
| P1-26 | 医療応用へ向けた不純物添加a-C:H膜のコーティング …………………………………………………………………………………… 90 (東京電機大，ｷﾝｸﾞｻｳﾄﾞ大*)○世良穂高，大越康晴，ｱﾘ ｱﾙｱﾅｼﾞｰ*，平栗健二，福井康裕 |
| P1-27 | フッ素添加ダイヤモンドライクカーボン上における血管内皮細胞の適合性評価 ………………………………………………………… 92 (慶應大，東邦大･医療ｾﾝﾀｰ/慶應大*)○北川智也，長谷部光泉*，吉本幸洋，永島 壮，薮野 元，堀越 拓，鈴木哲也 |
| P1-28 | 微量センシングを指向したスクリーン印刷ダイヤモンド電極の作製 ……………………………………………………………………… 94 (東京理科大)○坂本博紀，加藤孝佳，近藤剛史，四反田 功，板垣昌幸，湯浅 真 |
| P1-29 | 導電性ダイヤモンドペーパーの作製と評価 ……………………………………………………………………………………………… 96 (東京理科大)○谷島啓太，児玉泰孝，近藤剛史，湯浅 真 |
| P1-30 | ダイヤモンドナノ粒子の表面制御と電気化学特性評価 ………………………………………………………………………………… 98 (東京理科大)○浦井純一，近藤剛史，湯浅 真 |
| P1-31 | 多孔質ダイヤモンド球状粒子のカラム充填材への応用 ………………………………………………………………………………… 100 (東京理科大，資生堂医理化ﾃｸﾉ*)○小林茉莉，近藤剛史，門田靖彦，湯浅 真 |
| P1-32 | 導電性ダイヤモンドパウダーの燃料電池触媒担体への応用 ……………………………………………………………………………102 (東京理科大)○増田秀剛，池尻貴宏，近藤剛史，湯浅 真 |
| P1-33 | 熱処理による多孔質導電性ダイヤモンドの作製と電気化学的評価 …………………………………………………………………… 104 (東京理科大)○児玉泰孝，近藤剛史，湯浅 真 |
| P1-34 | ダイヤモンド電極による有機物の高電位電解検出 ……………………………………………………………………………………… 106 (東京理科大，慶應大*)○田村勇介，近藤剛史，渡辺剛*，栄長泰明*，湯浅 真 |
| P1-35 |
マイクロ流路を有するダイヤモンド電極の試作と特性評価 ……………………………………………………………………………… 108 |
| P1-36 |
BDD電極を用いたCO2の電解還元におけるホウ素ドープ量の影響 …………………………………………………………………… 110 |
| P1-37 | 表面修飾ダイヤモンド電極を用いたCO2の電気化学的還元 …………………………………………………………………………… 112 (慶應大，KAST*，東京理科大**)○安達大雅，中田一弥*，落合 剛*，村上武利*，藤嶋 昭**，栄長泰明 |
| P1-38 |
ウェット酸化によるダイヤモンド(111)表面の酸素終端 …………………………………………………………………………………… 114 |
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第２日目（１２月８日）
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9:00～10:40 座長 平田 敦(東工大) |
| 201 | 光化学修飾法による酸素終端DLC膜の作製および表面化学構造制御 ……………………………………………………………… 120 (産総研)○中村挙子，大花継頼 |
| △ 202 | 細胞挙動に及ぼす炭素系被膜の影響に関する検討 …………………………………………………………………………………… 122 (東京電機大)○大越康晴，和田知明，野中一洋，平栗健二，舟久保昭夫，福井康裕 |
| △ 203 | DLC膜の耐荷重特性 ……………………………………………………………………………………………………………………… 124 (ジェイテクト)○鈴木雅裕，山川和芳，齊藤利幸 |
| 204 | SiおよびN同時添加DLC膜の機械的特性およびトライボロジー特性 …………………………………………………………………… 126 (弘前大)○中澤日出樹，奥野さおり，三浦創史，鎌田亮輔 |
| 205 | ナノインデンテーション法を用いたアルミ合金上DLC薄膜の破壊試験 ………………………………………………………………… 128 (東大･生産技研)○野瀬健二，佐々木勇斗，神子公男，光田好孝 |
10:40～10:50 休 憩 |
オ－ラルセッション５ |
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10:50～11:30 座長 竹内 大輔(産総研) |
| △ 206 | ダイヤモンド半導体を用いた量子情報素子 …………………………………………………………………………………………… 130 (阪大，産総研*，ｼｭﾄｩｯﾄｶﾞﾙﾄ大**，ﾌﾞﾀﾍﾟｽﾄ大***，ｳﾙﾑ大****)○水落憲和，土井悠生，森 周太，牧野俊晴*，加藤宙光*，小倉政彦*，竹内大輔*，大串秀世*，M. Nothaft**，P. Neumann**，A. Gali***，F. Jelezko****，J. Wrachtrup**，山崎 聡* |
| △ 207 | 双極子双極子相互作用を制御したNVセンターの作成エンジニアリング ……………………………………………………………… 132 (日本原研，物材機構*，筑波大**，住友電工***，ｳﾙﾑ大****，ｼｭﾂｯﾄｶﾞﾙﾄ大*****)○小野田忍，山本 卓，阿部浩之，花屋博明，大島 武，谷口 尚*，寺地徳之*，渡邊賢司*，小泉 聡*，神田久生*，磯谷順一**，梅田享英**，角谷 均***，F.Jelezko****，J.Wrachtrup***** |
11:30～12:20 昼 休 み |
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12:20～14:20 |
| P2-01 | 原子的平坦ダイヤモンド(111)表面のグラファイト化によるグラフェン・オン・ダイヤモンド形成 ………………………………………… 138 (金沢大，MST*，産総研**)○福井 真，徳田規夫，小島健太郎*，小松佳奈子*，船津国博*，牧野俊晴**，竹内大輔**，山崎 聡**，猪熊孝夫 |
| P2-02 | フラーレン薄膜を利用した導電性薄膜の形成 …………………………………………………………………………………………… 140 (東海大)○古川雄一，新井龍一，葛巻 徹 |
| P2-03 | 垂直配向CNTsにおけるコンタクトモードAFMを用いた接触抵抗の評価 ………………………………………………………………… 142 (早大)○稲葉優文，大原一慶，落合拓海，平岩 篤，川原田 洋 |
| P2-04 | 原子間力顕微鏡を用いたカーボンナノチューブの機械的性質の評価 ………………………………………………………………… 144 (東海大)○宮内 創，太田尭之，秋田悠太，竹内健人，葛巻 徹 |
| P2-05 | CNT紡績糸形成時の荷重計測 …………………………………………………………………………………………………………… 146 (東海大)○秋田悠太，竹内健人，葛巻 徹 |
| P2-06 | カーボンナノチューブ薄膜を負極とする全固体型リチウムイオン電池の作製 ………………………………………………………… 148 (東海大)○川原靖孝，太田尭之，和地隼人，葛巻 徹 |
| P2-07 | SWCNTsをキャリアとしたがん細胞イメージングプローブの開発 ……………………………………………………………………… 150 (筑波大，産総研*)○飯泉陽子，岡﨑俊也*，田原善夫*，湯田坂雅子*，飯島澄男* |
| P2-08 | X線トポグラフィによるIIa型HPHTダイヤモンド単結晶の転位解析 ……………………………………………………………………… 152 (産総研)○加藤有香子，梅澤 仁，山口隆博，鹿田真一 |
| P2-09 | 酸素終端ダイヤモンド表面の結合開裂反応と熱的特性評価 ………………………………………………………………………… 154 (山形工技ｾﾝﾀｰ)○佐竹康史，鈴木庸久，加藤睦人，斎藤寛史 |
| P2-10 | 各種ガスを用いたプラズマCVD法による高分子材料へのDLCコーティングとその物性評価 ………………………………………… 156 (茨城大，東京電機大*)○宮澤真吾，尾関和秀，平栗健二*，増澤 徹 |
| P2-11 | 円筒状構造物内壁面への炭素系薄膜形成 ……………………………………………………………………………………………… 158 (東京電機大，ｷﾝｸﾞｻｳﾄﾞ大*，ﾎﾞﾛｰﾆｬ大**，物材機構***)○武田直幸，大越康晴，ｱﾘ ｱﾙｱﾅｼﾞｰ*，佐藤慶介**，深田直樹***，平栗健二，福井康裕 |
| P2-12 | Deposition of Mg-doped amorphous carbon films by co-evaporation of C60 fullcrene and magnesium in electron beam excited plasma ………………………………………………………………………………………………………………………………………………… 160 (東工大)○Hamed V Taghavi，平田 敦 |
| P2-13 | 磁場援用プラズマCVDによる炭素膜の合成 ……………………………………………………………………………………………… 162 (日本工大)○岸部一機，渡部修一 |
| P2-14 | 各種原料ガスで成膜したDLC膜の水素量とシミュレーションによる検討 ………………………………………………………………… 164 (茨城大，長岡技科大*，東京電機大**)○尾関和秀，佐藤元気，鈴木常生*，平栗健二**，増澤 徹 |
| P2-15 | 水素化アモルファス炭素膜の重水素化添加による効果 ………………………………………………………………………………… 166 (長岡技科大)○赤坂大樹，鈴木常生，大塩茂夫，斎藤秀俊 |
| P2-16 | ナノ材料試験システムによるDLC薄膜の引張強度評価 ………………………………………………………………………………… 168 (東海大，東工大*)○石山義行，小原佑記，佐藤亮太，高島 舞*，櫻田悠一*，葛巻 徹，大竹尚登* |
| P2-17 | Ti中間層を設けた研磨ダイヤモンド膜とステンレス鋼材間の摩擦特性 ………………………………………………………………… 170 (東北大)○中山遥佑，三木寛之，竹野貴法，高木敏行 |
| P2-18 | ダイヤモンドおよびDLC膜の疲労特性評価 ……………………………………………………………………………………………… 172 (日工大)○町田成康，齊藤圭右，廣田 亮，竹内貞雄 |
| P2-19 | 生物電子顕微鏡のためのDLC膜の機械的特性評価 …………………………………………………………………………………… 174 (広島県総合技研･西部工技ｾﾝﾀｰ，広島国際大*)○縄稚典生，伊藤幸一，山本 晃， 上月具挙 |
| P2-20 | DLCコーティングおよび表面処理を施したポリプロピレン材料のガスバリア性向上 …………………………………………………… 176 (慶應大)○田代裕樹，堀田 篤 |
| P2-21 | DLCコーティングによるマグネシウム合金の耐食性の向上 ……………………………………………………………………………… 178 (産総研)○池山雅美，園田 勉 |
| P2-22 | 色差によるダイヤモンド状炭素膜の評価 ………………………………………………………………………………………………… 180 (長岡技科大，堀場S/S*，兵庫県大**)○水口和也，桜井正行*，神田一浩**，赤坂大樹，大塩茂夫，斎藤秀俊 |
| P2-23 | 金属含有アモルファスカーボン薄膜の合成と電気的特性評価 ………………………………………………………………………… 182 (東工大)○奥山紘章，大竹尚登 |
| P2-24 | RFプラズマCVDで合成したボロンドープDLC膜の電気抵抗率の評価 ………………………………………………………………… 184 (日工大)○町田成康，古谷泰一，竹内貞雄 |
| P2-25 | DLC膜の軟X線照射効果 ………………………………………………………………………………………………………………… 186 (兵庫県大，神戸大*)○藤本昌宏，神田一浩，横田久美子*，田川雅人* |
| P2-26 | DLCコーテッド金型による亜鉛めっき鋼管のドライ加工 ………………………………………………………………………………… 188 (日本工大，ﾖｼﾓﾄﾎﾟｰﾙ*，神港精機**)○古谷泰一，町田成康，塩原秀夫*，佐藤直紀*，寺山暢之**，竹内貞雄 |
| P2-27 | ナノクラスタ金属を含む非晶質炭素膜を利用した歪みセンサ …………………………………………………………………………… 190 (東北大)○竹野貴法，大野 威，三木寛之，高木敏行 |
| P2-28 | アクリロニトリル中で堆積した窒化炭素膜の電気的特性 ………………………………………………………………………………… 192 (東海大)○東 幹晃，清田英夫，黒須楯生，千葉雅史 |
| P2-29 | 異なるCH4流量でマイクロ波プラズマCVDにより合成した窒化炭素のトライボロジー特性 …………………………………………… 194 (千葉工大)○田中一平， 坂本幸弘 |
| P2-30 | CFRPの放電切削加工の試み ……………………………………………………………………………………………………………………………………………… 196 (東工大)○平間俊晴，安原鋭幸，大竹尚登 |
| P2-31 | {炭化タングステン粉末の通電焼結におけるカーボンオニオンの潤滑作用 ……………………………………………………………… 198 (東工大)○平田 敦，中川一平 |
| P2-32 | 気相合成ダイヤモンド単結晶の品質 ……………………………………………………………………………………………………… 200 (ｲｰﾃﾞｨｰﾋﾟｰ)○藤森直治 |
| P2-33 | 同位体濃度を高めた高純度高温高圧合成ダイヤモンドの特性 ………………………………………………………………………… 202 (住友電工，筑波大*)○池田和寛，角谷 均，磯谷順一* |
| P2-34 | ダイヤモンド薄膜の同位体濃縮 …………………………………………………………………………………………………………… 204 (物材機構，筑波大*，日本原研**，Ulm大***，Stuttgart大****)○寺地徳之，小野田 忍**，小泉 聡，廖 梅勇，谷口 尚，大島 武，F. Jelezko***，J. Wrachtrup****，磯谷順一* |
| P2-35 |
炭素同位体組成を制御した高純度ダイヤモンド単結晶の高圧合成 …………………………………………………………………… 206 |
| P2-36 |
海水淡水化施設の廃水中から有用資源物のダイヤモンド電極による電解回収 ……………………………………………………… 208 |
オ－ラル 特別セッション「ｸﾞﾗﾌｪﾝ」 |
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14:20～15:50 座長 葛巻 徹(東海大) |
| 208 | 【基調講演】グラフェンの光電子デバイス応用:研究動向と将来展望…………………………………………………………………… 214 (東北大)○尾辻泰一 |
| 209 | マイクロ波プラズマCVD法によるグラフェンのロール・トゥ・ロール成膜 ……………………………………………………………… 216 (産総研)○山田貴壽，石原正統，金 載浩，長谷川雅考，飯島澄男 |
| △ 210 |
プラズマCVDによるグラフェンの大面積成膜と太陽電池への応用 …………………………………………………………………… 218 |
| △ 211 | ヘテロエピタキシャルNi薄膜上での単層・二層グラフェンの制御合成 ………………………………………………………………… 220 (東工大/ﾏｯｸｽﾌﾟﾗﾝｸ研究所，ﾏｯｸｽﾌﾟﾗﾝｸ研究所*，ﾙﾝﾄﾞ大**，ﾊﾝﾌﾞﾙｸﾞ大***)○岩崎孝之， Hye Jin Park*，小沼光春*，Dong Su Lee*，Alexei Zakharov**，Marta Wasniowska***，Roland Wiesendanger***，Jurgen H. Smet*，Ulrich Starke* |
15:50～16:00 休憩 |
オ－ラルセッション６ |
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16:00～17:00 座長 岡﨑 俊也(産総研) |
| 212 | グラフェン・アンチドット系の半導体特性 ……………………………………………………………………………………………… 222 (東工大)○斎藤 晋，櫻井誠大 |
| △ 213 | 原子間力顕微鏡によるグラフェンの局所陽極酸化 ……………………………………………………………………………………… 224 (東大･生産技研)○増渕 覚，荒井美穂，野瀬健二，光田好孝，町田友樹 |
| 214 | グラフェンフレークを用いた高性能リチウムイオン二次電池負極 ……………………………………………………………………… 226 (三重大，産総研*)○小海文夫，千種 甫，宗林里佳，花井一真，小塩 明，石原正統*，古賀義紀*，長谷川雅考*，今西誠之，武田保雄 |
17:00～17:10 休 憩 |
特別講演17:10～18:00 座長 小出 康夫(物材機構) 「ダイヤモンドを材料として使うことを目指して」 ……………………………………………………………………………………………… 228 講演者 （株）イーディーピー 代表取締役社長 藤森 直治 氏 |
懇親会（於：ホテルグランド東雲) 18:30～ |
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第３日目（１２月９日）
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9:40～11:20 座長 中村 挙子(産総研) |
| 301 | 生体環境下で高い溶解性を示すナノダイヤモンドの創製とクロマトグラフィーによるサイズ分離 …………………………………… 234 (滋賀医科大)○小松直樹，Zhao Li，瀧本竜哉，木村隆英 |
| 302 | インクジェット法にて形成したフラーレン結晶微粒子による細胞毒性 ………………………………………………………………… 236 (日工大)○伴 雅人，佐々木扶紗子，古城裕矢 |
| 303 | 単層カーボンナノチューブの安全性試験における電子顕微鏡観察 …………………………………………………………………… 238 (産総研，産業医科大*)○山本和弘，吉田智子，後藤理恵，大神 明*，森本泰夫* |
| 304 | カーボンオニオンの砥粒性能とその生成原料との関係 ………………………………………………………………………………… 240 (東工大)○平田 敦，向後博康 |
| 305 | カーボンナノチューブをテンプレートとしたナノ構造体合成 ……………………………………………………………………………… 242 (産総研，筑波大*)○岡﨑俊也，丹下将克，飯泉陽子*，劉 崢，末永和知，岡田 晋*，飯島澄男 |
11:20～12:20 昼 休 み |
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12:20～13:40 座長 谷口 尚（物材機構） |
| 306 | 高周波加熱炉と金属溶媒によるhBN結晶合成と評価 ………………………………………………………………………………… 244 (北大，物材機構*)○佐竹良太，金子純一，坪田陽一，谷口 尚*，渡邊賢司*，樋口幹雄，藤田文行 |
| 307 | アモルファス窒化炭素薄膜の電気伝導度の窒素含有率依存性 ……………………………………………………………………… 246 (防衛大)○田村尚之，青野祐美，若菜庸央，岩﨑千尋，北沢信章，渡邉芳久 |
| 308 | アモルファスカーボンナイトライド形成におけるCNラジカルの寄与について ………………………………………………………… 248 (長岡技科大)○伊藤治彦，山元愛弓，斎藤秀俊 |
| 309 | RF反応性スパッタリングによるCNx膜形成におけるスパッタガスの影響 ……………………………………………………………… 250 (千葉工大)○城谷友保，坂本幸弘 |
13:40～13:50 休 憩 |
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13:50～15:30 座長 高岡 秀充（三菱マテリアル） |
| 310 | 紫外光支援加工による単結晶ダイヤモンド基板の超精密研磨技術 …………………………………………………………………… 252 (熊本大，産総研*)○峠 睦，久保田章亀，坂本武司，長野拓義，横井裕之，鹿田真一*，梅澤 仁*，加藤有香子*，茶谷原昭義* |
| 311 | モザイク状CVDダイヤモンド単結晶自立板の作製 ……………………………………………………………………………………… 254 (住友電工)○植田暁彦，西林良樹，角谷 均 |
| 312 | 選択成長によるヘテロエピタキシャルダイヤモンド放射線検出器の特性向上 ………………………………………………………… 256 (青学大，物材機構*，ﾄｳﾌﾟﾗｽｴﾝｼﾞﾆｱﾘﾝｸﾞ**)○永井克将，児玉英之，寺地徳之*，鈴木一博**，河野省三，澤邊 厚仁 |
| 313 | オフ角制御高圧高温合成Ⅱa基板上へのCVD単結晶ダイヤモンドの合成と評価2～CH4濃度による特性変化～ ………………… 258 (北大，AIST*，NIFS**)○金子純一，佐竹良太，藤田文行，今野雄太，西 紀彦，後藤拓人，渡邊幸志*，茶谷原昭義*，梅澤 仁*，坪内信輝*，鹿田真一*，磯辺光孝** |
| 314 | 低欠陥高品質大型単結晶ダイヤモンドの高圧合成と特徴 …………………………………………………………………………… 260 (住友電工)○角谷 均，原野佳津子 |
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