ダイヤモンドシンポジウム講演プログラム（第２６回）
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第２６回 ダイヤモンドシンポジウム講演プログラム |
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日 時：２０１２年１１月１９日（月）～２１日（水） 会 場：青山学院大学青山キャンパス 総研ビル １２階 大会議室 第1日（１１月１９日）
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９：４０～１０：４０ 座長 岡﨑俊也（産総研） |
| 101 | カーボン/ゲルマニウムの一次元ナノ構造の自己触媒的成長 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・4 (三重大)○小海文夫，浅野悠希，小塩 明 |
| 102 | エタノールへのパルス放電によるナノグラフェン微粒子の生成 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・6 （中部大）○野田三喜男，松島真央 |
| △ 103 | エタノールへのパルス放電により生成したナノグラフェン微粒子から作製した電気二重層キャパシタ用ナノカーボン電極 ・・8 （中部大）○松島真央，野田三喜男 |
１０：４０～１１：００ 休 憩 |
オ－ラルセッション2 |
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１１：００～１２：００ 座長 岡﨑俊也（産総研） |
| 104 | スロットアンテナ型マイクロ波プラズマCVD法を用いた594mm幅グラフェンのロール・トゥ・ロール合成 ・・・・・・・10 （産総研/TASC，TASC＊）○山田貴壽，石原正統，嶋田那由太＊，長谷川雅考 |
| △ 105 | プラズマCVDグラフェンで試作したタッチパネルの性能評価 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・12 （TASC/尾池工業，産総研/TASC＊）○嶋田那由太，石原正統＊，山田貴壽＊，長谷川雅考＊ |
| △ 106 | 高移動度グラフェンにおけるバリスティック伝導と磁気整合効果 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・14 （東大･生産技研，物材機構＊）○増渕 覚，井口和之，山口健洋，大貫雅広，荒井美穂，森川 生，渡邊賢司＊，谷口 尚＊ |
１２：００～１３：００ 昼 休 み |
オ－ラル 特別セッション「エピタキシャル成長」 |
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１３：００～１４：１０座長小泉 聡（物材機構） |
| 107 | 【基調講演】ヘテロエピタキシャル成長技術 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・16 （青学大）○澤邊厚仁 |
| △ 108 | 大面積ダイヤモンドウェハの作製 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・18 （産総研）○山田英明，茶谷原昭義，杢野由明，坪内信輝，鹿田真一 |
| 109 | 成長条件適正化による高速横方向成長ダイヤモンド膜の異常成長粒子の抑制 ・・・・・・・・・・・・・・・・・20 （青学大，ﾄｳﾌﾟﾗｽｴﾝｼﾞﾆｱﾘﾝｸﾞ＊）○木村清貴，鈴木一博＊，河野省三，澤邊厚仁 |
１４：１０～１４：３０ 休 憩 |
オ－ラルセッション３ |
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１４：３０～１５：５０座長 山田英明（産総研） |
| △ 110 | MPCVD法によるMMS微量添加を用いた異種基板上ダイヤモンド高配向核形成 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・22 （電通大）○松島賢史郎，一色秀夫，田村貴司，重枝徹哉 |
| 111 | 高濃度ボロンドープダイヤモンド(111)薄膜における結晶性評価 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・24 （早大，物材機構＊）○栗原槙一郎，古閑三靖，鹿又龍介，坪井秀俊，平岩 篤， 川原田 洋，高野義彦＊，山口尚秀＊ |
| △ 112 | エッチピット法によるヘテロエピタキシャルダイヤモンドの欠陥評価 ～断面TEM観察によるエッチピットの詳細評価～ ・・26 （青学大，ﾄｳﾌﾟﾗｽｴﾝｼﾞﾆｱﾘﾝｸﾞ＊）○市川公善，児玉英之，鈴木一博＊， 河野省三，澤邊厚仁 |
| 113 | オフ角制御高圧高温合成Ⅱa基板上へのCVD単結晶ダイヤモンドの合成と評価3 ～CH4濃度・RFパワーの電荷キャリア輸送特性への影響～ ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・28 （北大，産総研＊，核融合研＊＊）○佐竹良太，金子純一，宮崎大二郎，渡邊幸志＊，茶谷原昭義＊，梅澤 仁＊，坪内信輝＊，鹿田真一＊，磯辺光孝＊＊ |
ポスターセッション |
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１６：００～１８：００ |
| P1-01 | Arのマイクロ波放電フローによるC2H2の解離励起反応 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・34 (長岡技科大)○津留紘樹，甲把理恵，伊藤治彦 |
| P1-02 | Arのマイクロ波放電フロー中でのテトラメチルシランの解離励起反応解析 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・36 （長岡技科大）○甲把理恵，伊藤治彦 |
| P1-03 | 白金ナノ粒子内包多孔質ダイヤモンド球状粒子の作製 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・38 （東京理科大）○森村卓司，近藤剛史，湯浅 真 |
| P1-04 | MPCVD法を用いたダイヤモンドパウダー作製 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・40 （電通大）○瀧川修平，一色秀夫，松島賢史郎，田村貴司 |
| P1-05 | Si基板上への高配向ダイヤモンド膜の作製に向けた成長条件の検討 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・42 （電通大）○重枝徹哉，一色秀夫，松島賢史郎，田村貴司 |
| P1-06 | 窒素添加を用いた多段成長によるSi上ダイヤモンドヘテロ成長 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・44 （電通大）○田村貴司，松島賢史郎，重枝徹哉，一色秀夫 |
| P1-07 | 熱フィラメントCVD法によるダイヤモンド膜の低温合成 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・46 （東工大）○前田英俊，浅野禎介，望月佳彦，大竹尚登 |
| P1-08 | モード変換型915MHzマイクロ波プラズマCVDによるダイヤモンド合成 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・48 （千葉工大）○亀島 匠，田中秀顕，坂本幸弘 |
| P1-09 | CVDによる(111)面ダイヤモンドの選択成長 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・50 （東北大）○発地 暁，大倉佑介，遊佐 剛 |
| P1-10 | 選択成長ヘテロエピタキシャルダイヤモンドの内部応力評価 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・52 （青学大，ﾄｳﾌﾟﾗｽｴﾝｼﾞﾆｱﾘﾝｸﾞ＊）○吉川太朗，児玉英之，鈴木一博＊， 河野省三，澤邊厚仁 |
| P1-11 | 微小ヘテロエピタキシャルダイヤモンドドットアレイへの窒素添加による NV形成 ・・・・・・・・・・・・・・・・・54 （青学大，ﾄｳﾌﾟﾗｽｴﾝｼﾞﾆｱﾘﾝｸﾞ＊，阪大＊＊）○菊地啓翔，児玉英之，鈴木一博＊，河野省三，水落憲和＊＊，澤邊厚仁 |
| P1-12 | 選択成長によるヘテロエピタキシャルダイヤモンド放射線検出器の特性向上 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・56 （青学大，ﾄｳﾌﾟﾗｽｴﾝｼﾞﾆｱﾘﾝｸﾞ＊）○永井克将，児玉英之，鈴木一博＊，河野省三，澤邊厚仁 |
| P1-13 | ラテラル成長を用いたホウ素δドープ(111)ダイヤモンド構造 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・58 （金沢大，産総研＊）○南山拓真，徳田規夫，小倉政彦＊，山崎 聡＊，猪熊孝夫 |
| P1-14 | マイクロ波プラズマにより成長したホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜中の表面近傍窒素-空孔中心の形成 ・・・・・60 （産総研，慶應大＊）○渡邊幸志，梅澤 仁，鹿田真一，冨澤周平＊，大橋康平＊，石川豊史＊， 早瀬潤子＊，伊藤公平＊ |
| P1-15 | p型ホモ・エピタキシャル・ダイヤモンド(001)基板のショットキー 障壁高さの電子分光研究 ・・・・・・・・・・・62 （青学大）○河野省三，市川公善，吉川太朗，児玉英之，澤邊厚仁 |
| P1-16 | DLC膜の合成条件がバルク欠陥に及ぼす影響 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・64 （東工大，iMott＊）○櫻田悠一，高島 舞，赤坂大樹，岩本喜直＊，松尾 誠＊，大竹尚登 |
| P1-17 | 再生医療応用へ向けたDLC膜の生体適合性評価 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・66 （東京電機大，物材機構＊，ｷﾝｸﾞｻｳﾄﾞ大＊＊）○新井健司，大越康晴，平栗健二，舟久保昭夫，福井康裕，深田直樹＊，Ali S. Alanazi＊＊ |
| P1-18 | 各種DLCの表面特性と細胞増殖性の相関性 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・68 （東京電機大，ﾏﾚｰｼｱ工科大＊，三共S/S＊＊，ﾅﾉﾃｯｸ＊＊＊，茨城大＊＊＊＊，長岡技科大＊＊＊＊＊）○日比野麻衣，木村洋裕，大越康晴，ｱｽﾞﾗﾝ ｱｽﾞﾋﾑ＊，増子貞光＊＊，平塚傑工＊＊＊，尾関和秀＊＊＊＊，中森秀樹＊＊＊，斎藤秀俊＊＊＊＊，平栗健二，福井康裕 |
| P1-19 | PTFEコロイド溶液を用いたDLC薄膜の成膜 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・70 （日本工大，日本ｺｰﾃｨﾝｸﾞｾﾝﾀｰ＊）○田村孝志，斉藤邦夫＊，川名淳雄＊，伴雅人 |
| P1-20 | マイクロ流路を有するバイオチップへのDLC膜コーティング ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・72 （東京電機大，早大＊，物材機構＊＊）○村田智史，吉野真平，堀内敏行，伊藤 慎＊，水野 潤＊，大越康晴，平栗健二，佐藤慶介＊＊，深田直樹＊＊，庄子習一＊ |
| P1-21 | 非晶質炭素膜の応力・熱誘起変態組織と機械的性質の評価 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・74 （東海大，東工大＊）○小原佑記，田中和成，葛巻 徹，櫻田悠一＊，高島 舞＊，大竹尚登＊ |
| P1-22 | マイクロ波プラズマCVDにより合成した窒化炭素のトライボロジー特性に及ぼす相手材料の影響 ・・・・・・・・・・76 （千葉工大）○田中一平，坂本幸弘 |
| P1-23 | 軟X線照射による水素化DLC膜の表面・物性変化 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・78 （兵庫県立大，東工大＊，長岡技科大＊＊）○今井 亮，福田和弘，神田一浩，岡田 真，松井真二，横川貴啓，三浦永理，山崎 徹，赤坂大樹＊，鈴木常生＊＊，小松啓志＊＊，斎藤秀俊＊＊ |
| P1-24 | c-C4F8凝縮層の低速電子線照射によるa-C:F薄膜の極低温合成 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・80 （山梨大）○和光賢司，曽我遥華，山田竜太郎，佐藤哲也，中川清和 |
| P1-25 | テトラメチルシラン凝縮層の低速電子線照射により極低温合成した a-SiC:Hの特性評価 ・・・・・・・・・・・・・・82 （山梨大）○山田竜太郎，小林直樹，佐藤哲也，中川清和 |
| P1-26 | ダイヤモンド／WC-Co焼結体の界面組織制御 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・84 （三菱ﾏﾃﾘｱﾙ）○松尾俊彦，ｱﾌﾏﾃﾞｨ ｴｺ，赤石 實 |
| P1-27 | 高周波プラズマCVDによる高窒素含有a-CNx:H 薄膜の形成 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・86 （長岡技科大）○津田哲平，櫻井一貴，岡田亘太郎，斎藤秀俊，伊藤治彦 |
| P1-28 | C6H6の放電分解によるa-CNx薄膜の形成 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・88 （長岡技科大）○岡田亘太郎，斎藤秀俊，伊藤治彦 |
| P1-29 | cBN-Al系複合焼結体の超高圧合成とその微細組織と摩耗特性 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・90 （日工大）○古川 亮，佐藤典史，福長 脩，竹内貞雄 |
| P1-30 | 立方晶窒化ホウ素中のSiの局所環境解析と機能探索 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・92 （物材機構，早大＊，京大＊＊）○村田秀信，谷口 尚，山本知之＊，大場史康＊＊，田中 功＊＊ |
| P1-31 | 全固体型リチウムイオン電池用カーボンナノチューブ負極の作製 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・94 （東海大）○太田尭之，松井健人，葛巻 徹 |
| P1-32 | フラーレン薄膜からの透明導電膜の作製 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・96 （東海大）○古川雄一，新井龍一，森島雅人，葛巻 徹 |
| P1-33 | カーボンナノチューブ紡績糸の形成と物性評価 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・98 （東海大）○秋田悠太，葛巻 徹，竹内健人，森本達也 |
| P1-34 | カーボンナノチューブ紡績長繊維の機械的性質と電気伝導性の評価 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・100 （東海大，名工大＊）○竹内健人，秋田悠太，森本達也，佐藤亮太，飯島 徹＊，林 靖彦＊，葛巻 徹 |
| P1-35 | 酸処理によるプラズマＣＶＤグラフェンの導電性向上 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・102 （産総研/TASC，TASC＊）○石原正統，嶋田那由太＊，山田貴壽，長谷川雅考 |
| P1-36 | グラフェン懸濁液を利用したPDMS製細胞足場の作製 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・104 （日工大）○小林光太郎，伴 雅人 |
| P1-37 | CNT/SiC界面における電流挙動 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・106 （早大，名大＊）○渋谷 恵，稲葉優文，大原一慶，落合拓海，増田佳穂＊，平岩 篤，楠 美智子＊，川原田 洋 |
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第２日目（１１月２０日）
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９：００～１０：２０ 座長 梅澤 仁（産総研） |
| △ 201 | 単一欠陥をプローブにしたダイヤモンド結晶の共焦点蛍光顕微鏡評価 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・112 （日本原研，物材機構＊，筑波大＊＊，住友電工＊＊＊， ｼｭﾂｯﾄｶﾞﾙﾄ大＊＊＊＊） ○小野田忍，阿部浩之，山本 卓，大島 武，谷口 尚＊，寺地徳之＊，磯谷順一＊＊，角谷 均＊＊＊，F.Jelezko＊＊＊＊，J.Wrachtrup＊＊＊＊＊， P. Siyushev＊＊＊＊，Thai Hien Tran＊＊＊＊，S. Yang＊＊＊＊，H. Fedder＊＊＊＊，C. Muller＊＊＊＊，L.McGuinness＊＊＊＊，B. Naydenov＊＊＊＊ |
| △ 202 | イオン照射生成による同位体濃縮ダイヤモンド結晶中窒素-空孔発光中心の単一スピン光検出磁気共鳴評価 ・・・114 （日本原研，ｳﾙﾑ大＊，ｼｭﾂｯﾄｶﾞﾙﾄ大＊＊，物材機構＊＊＊，ｴﾚﾒﾝﾄｼｯｸｽ＊＊＊＊，筑波大＊＊＊＊＊）○山本 卓，小野田忍，大島 武，L.McGuinness＊，C.Muller＊，K.Jahnke＊，P.Heller＊，A.Gerstmayr＊，A.HauBler＊， B.Naydenov＊，F.Jelezko＊，F.Dolde＊＊，H.Fedder＊＊，J.Honert＊＊， J.Wrachtrup＊＊，寺地徳之＊＊＊，渡邊賢司＊＊＊，小泉 聡＊＊＊， 谷口 尚＊＊＊，M.L.Markham＊＊＊＊，D.J.Twitchen＊＊＊＊，梅田享英＊＊＊＊＊，磯谷順一＊＊＊＊＊ |
| △ 203 | pinダイヤモンド半導体への電流注入による単一NV中心の電荷制御 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・116 （阪大，産総研＊，ｼｭﾂｯﾄｶﾞﾙﾄ大＊＊）○土井悠生，牧野俊晴＊，加藤宙光＊，小倉政彦＊，竹内大輔＊，大串秀世＊，山崎 聡＊，J.Wrachtrup＊＊，三輪真嗣，鈴木義茂，水落憲和 |
| △ 204 | n+選択成長を利用したダイヤモンド接合型電界効果トランジスタの試作とデバイス特性の解析 ・・・・・・・・・118 （東工大，産総研＊）○星野雄斗，都筑康平，加藤宙光＊，牧野俊晴＊，小倉政彦＊，岩崎孝之，竹内大輔＊，大串秀世＊，山崎 聡＊，波多野睦子 |
１０：２０～１０：４０ 休 憩 |
オ－ラルセッション５ |
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１０：４０～１２：００ 座長 竹内大輔（産総研） |
| △ 205 | 高電流動作縦型ダイヤモンドショットキーダイオードの開発 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・120 （産総研）○梅澤 仁 |
| △ 206 | 水素終端ダイヤモンドp型表面伝導層の高温熱安定性評価 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・122 （早大）○袴田知宏，横山悠樹，鹿又龍介，宇都宮大起，小野和子，平岩 篤， 川原田 洋 |
| △ 207 | Al2O3パッシベーションにより熱的安定化したNO2吸着・水素終端ダイヤモンドFET ・・・・・・・・・・・・・・124 （NTT･物性研，佐賀大＊）○平間一行，佐藤寿志，原田裕一，山本秀樹，嘉数 誠＊ |
| △ 208 | 分子線エピタキシー(MBE)法によるAlN膜を用いたダイヤモンド表面の電気特性 ・・・・・・・・・・・・・・・・126 （早大）○小野和子，横山悠樹，鹿又龍介，宇都宮大起，袴田知宏，平岩 篤， 川原田 洋 |
１２：００～１３：００ 昼 休 み |
オ－ラル 特別セッション「電気化学」 |
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１３：００～１４：１０ 座長 近藤 剛史（東京理科大） |
| 209 | 【基調講演】ダイヤモンド電極の最近の展開 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・132 （慶應大）○栄長泰明 |
| 210 | ボロンドープヘテロエピタキシャルダイヤモンドの作製と電気化学特性評価 ・・・・・・・・・・・・・・・・・134 （青学大，ﾄｳﾌﾟﾗｽｴﾝｼﾞﾆｱﾘﾝｸﾞ＊）○児玉英之，鈴木一博＊，河野省三，澤邊厚仁 |
| △ 211 | ホウ素濃度とsp2不純物炭素に基づくダイヤモンド電極の電気化学特性デザイン ・・・・・・・・・・・・・・・136 （慶應大）○渡辺剛志，栄長泰明 |
１４：１０～１４：３０ 休憩 |
オ－ラルセッション６ |
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１４：３０～１５：３０ 座長 児玉英之（青学大） |
| 212 | ダイヤモンド印刷電極の電気化学分析応用 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・138 （東京理科大）○近藤剛史，坂本博紀，堀谷 勝，四反田 功，星 芳直，板垣昌幸，湯浅 真 |
| 213 | ダイヤモンド電極による電気化学的酸素要求量測定 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・140 （東京理科大，慶應大＊）○田村勇介，近藤剛史，渡辺剛志＊，栄長泰明＊，湯浅 真 |
| △ 214 | 窒素添加a-C:H被膜の生体適合性評価 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・142 （東京電機大，東北大･加齢医研＊）○大越康晴，和田知明，白石泰之＊，三浦英和＊，平栗健二，舟久保昭夫，山家智之＊，福井康裕 |
ポスターセッション |
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１５：３０～１７：１０ |
| P2-01 | ボロンドープダイヤモンド電極を用いた４電極系によるカドミウムの電気化学検出 ・・・・・・・・・・・・・・・148 （慶應大）○杉谷 藍，渡辺剛志，井口達雄，栄長泰明 |
| P2-02 | BDD電極を用いたオゾン濃度の電気化学的測定 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・150 （慶應大，日科ﾐｸﾛﾝ＊）○石井雄也，T. A. Ivandini，渡辺剛志，村田和隆＊，栄長泰明 |
| P2-03 | H2Oプラズマによるボロンドープダイヤモンドの表面改質 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・152 （千葉工大）○玉村秀司，下村 光，坂本幸弘 |
| P2-04 | 導電性ダイヤモンド電極におけるオゾン発生の効率化 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・154 （慶應大，日科ﾐｸﾛﾝ＊）○本田有紀，渡辺剛志，村田和隆＊，栄長泰明 |
| P2-05 | 金属の電解採取における非金属電極材料の効果 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・156 （佐賀大）○池田 進，田尾晋太郎，村上竜一，千北哲聖，嘉数 誠 |
| P2-06 | BDD電極を用いた二酸化炭素の電解還元 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・158 （慶應大/KAST，KAST/東京理科大＊，東京理科大＊＊，KAST＊＊＊，慶應大/JST-CREAST＊＊＊＊）○尾崎拓也，中田一弥＊，寺島千晶＊＊，落合 剛＊＊＊，村上武利＊＊＊，藤嶋 昭＊，栄長泰明＊＊＊＊ |
| P2-07 | イオン液体修飾BDD電極を用いたCO2の電解還元 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・160 （慶應大/KAST，KAST/東京理科大＊，東京理科大＊＊，KAST＊＊＊，慶應大/JST-CREAST＊＊＊＊）○安達大雅，中田一弥＊，寺島千晶＊＊，落合 剛＊＊＊，村上武利＊＊＊，藤嶋 昭＊，栄長泰明＊＊＊＊ |
| P2-08 | カーボンナノファイバー利用による微生物燃料電池高性能化の検討 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・162 （東工大）○荻久保英俊，松元彰大，大竹尚登 |
| P2-09 | 導電性ダイヤモンドパウダーの固体高分子形燃料電池カソード触媒担体への応用 ・・・・・・・・・・・・・・・・164 （東京理科大）○増田秀剛，近藤剛史，湯浅 真 |
| P2-10 | カーボンオニオン電極による電気二重層キャパシタの高容量化 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・166 （東工大）○青野祐子，渡部 純，平田 敦 |
| P2-11 | ダイヤモンド電極のマイクロスーパーキャパシタへの応用 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・168 （東京理科大）○谷島啓太，近藤剛史，岡野弘聖，早瀬仁則，湯浅 真 |
| P2-12 | カルボキシル基終端ナノダイヤモンドを用いた生体分子の検出 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・170 （早大，産総研＊）○明道三穂，小林拓磨，井堀翔志，王 憲芬，津川和夫＊，長谷川雅考＊，川原田 洋 |
| P2-13 | カーボンナノチューブと抗体の反応制御 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・172 （産総研）○飯泉陽子，岡﨑俊也，池原 譲，小倉睦郎，湯田坂雅子 |
| P2-14 | アダマント薄膜の合成と太陽光発電素子としての評価 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・174 （東工大）○齋藤 啓，奥山紘章，赤坂大樹，大竹尚登 |
| P2-15 | DLC膜表面のグラフェン化による導電性の付与 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・176 （東工大）○丸田裕典，大竹尚登 |
| P2-16 | ボロン添加DLC膜の機械的特性評価 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・178 （日工大）○町田成康，岡島悠介，門倉慎太郎，竹内貞雄 |
| P2-17 | Ti中間層を用いた鋼材曲面上への多結晶ダイヤモンド膜の成膜 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・180 （東北大）○内藤恭平，三木寛之，竹野貴法，高木敏行 |
| P2-18 | 集束イオンビームにより薄片化したカーボンオニオン潤滑層の断面TEM観察 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・182 （東工大）○平田 敦，西頭和希 |
| P2-19 | Low friction properties of conductive Mg-doped amorphous carbonfilms deposited in electron beam excitcd plasma ・・・・・・・・・184 （東工大）○Hamed V Taghavi，平田 敦 |
| P2-20 | DLC膜の耐熱性改善 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・186 （日工大）○李 祥暉，遠藤壮人，渡部修一 |
| P2-21 | PBII法によるフッ素DLCの光電子分光スペクトル ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・188 （和歌山工技ｾﾝﾀｰ，保田鉄工＊）○重本明彦，時枝健太郎，保田将亨＊，田辺芳和＊，小藪 健＊ |
| P2-22 | Arのマイクロ波放電フロー中でのヘキサメチルジシランの分解を用いたa-SiCx:H 膜の形成 ・・・・・・・・・・・・190 （長岡技科大）○熊倉基起，伊藤治彦，斎藤秀俊，櫻井一貴 |
| P2-23 | 重水素化DLC膜の物性評価に関する研究 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・192 （茨城大，筑波大＊，東京電機大＊＊）○尾関和秀，藤嵜裕之，関場大一郎＊，竹本直嗣＊，平栗健二＊＊，増澤 徹 |
| P2-24 | メタン及びアルゴンガスによる高分子上へのDLC成膜と物性評価 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・194 （茨城大，東京電機大＊）○尾関和秀，鈴木哲平，平栗健二＊，増澤 徹 |
| P2-25 | 気相合成法によるダイヤモンドの転位・歪み評価 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・196 （産総研）○加藤有香子，梅澤 仁，鹿田 真一 |
| P2-26 | カーボンネットワークポリマーの高温処理によるsp3とsp2の両方を含むバルク炭素材料の合成 ・・・・・・・・・・・198 （北大，東大＊）○柳瀬 隆，村谷直紀，長浜太郎，長谷川哲也＊，島田敏宏 |
| P2-27 | ｛111｝リンドープダイヤモンド薄膜のドーピング効率 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・200 （物材機構，産総研＊）○小泉 聡，牧野俊晴＊，山崎 聡＊ |
| P2-28 | 単結晶(100) 水素終端ダイヤモンドにおけるAl2O3膜のパッシベーション効果 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・202 （早大）○齊藤達也，大長 央，平岩 篤，川原田 洋 |
| P2-29 | ダイヤモンドショットキーダイオードの２５０℃動作特性 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・204 （産総研，阪大＊）○鹿田真一，梅澤 仁，平野真希子＊，舟木 剛＊ |
| P2-30 | ScAlN/単結晶ダイヤモンド構造SAWデバイス ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・206 （産総研，千葉大＊，ﾃﾞﾝｿｰ＊＊）○鹿田真一，藤井隆将＊，佐藤修平＊，大森達也＊，安 昌俊＊，橋本研也＊，梅澤 仁，勅使河原明彦＊＊，加納一彦＊＊ |
| P2-31 | 原子層堆積法により成膜したアルミナゲート表面チャネルダイヤモンドFETの特性評価 ・・・・・・・・・・・・・・・208 （物材機構，名大＊，筑波大/産総研＊）○井村将隆，早川竜馬，大里啓孝，渡辺英一郎，津谷大樹，廖 梅勇，小出康夫，天野 浩＊，松本 翼＊＊，山崎 聡＊＊ |
| P2-32 | ダイヤモンド冷陰極を用いたアモルファスセレン光検出器の特性評価 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・210 （産総研，National Univ.of Singapore＊，国際基督教大＊＊）○山田貴壽，増澤智昭＊＊，国吉真吾，大西正徳，斎藤市太郎，A.T.T.Koh＊，D.H.C.Chua＊，下澤達雄，岡野 健＊＊ |
| P2-33 | ボロンドープダイヤモンド膜の摩擦摩耗特性評価 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・212 （日工大）○一ノ瀬 修，竹内貞雄 |
| P2-34 | 窒素添加ダイヤモンド中におけるミューオニウム生成測定 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・214 （国際基督教大，産総研＊，理化学研＊＊）○加藤理親，岡野 健，久保謙哉，増澤智昭，山田貴壽＊，友野 大＊＊，岡田信二＊＊，上野一樹＊＊，藤原裕也＊＊，石田勝彦＊＊，岩崎雅彦＊＊ |
| P2-35 | ダイヤモンドへの高濃度イオン注入による構造変化 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・216 (産総研)○坪内信輝，鹿田真一 |
| P2-36 | 単結晶ダイヤモンドのイオン注入リフトオフ表面のAFM観察 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・218 (産総研)○杢野由明，茶谷原昭義，坪内信輝，山田英明，鹿田真一 |
| P2-37 | 超高純度ナノ多結晶ダイヤモンドの特性 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・220 (住友電工)○池田和寛，角谷 均 |
| P2-38 | 金属を含む非晶質炭素膜の疲労センサとしての機能性評価 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・222 （東北大）○高橋真美，三木寛之，竹野貴法，高木敏行 |
特別講演１７：１０～１８：００ 座長 小出 康夫(物材機構) 「カラーセンターからみたダイヤモンドの特殊性」 ・・・・・・・・・・・228 講演者 筑波大学 名誉教授 磯谷 順一 氏 |
懇親会（於：青学会館）１８：３０～ |
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第３日目（１１月２１日）
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９：２０～１０：４０ 座長 野瀬 健二（東大･生産技研） |
| 301 | 高濃度NO2ガスを用いた水素終端ダイヤモンド表面の正孔生成の面方位依存性 ・・・・・・・・・・・・・・・・・234 （佐賀大，NTT･物性研＊）○嘉数 誠，佐藤寿志＊ |
| 302 | ダイヤモンドPINダイオード型NEA電子源を利用した真空スイッチ(I) ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・236 （産総研エネルギー/ALCA(JST)/CREST(JST)，物材機構/ALCA(JST)/CREST(JST)＊）○竹内大輔，小泉 聡＊，加藤宙光，牧野俊晴，小倉政彦，大串秀世，大橋弘通，山崎 聡 |
| 303 | 単結晶ダイヤモンド・マイクロ/ナノマシン: 表面加工とデバイス ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・238 （物材機構）○廖 梅勇，菱田俊一，Sang Liwen，池田直樹，井村将隆，小泉 聡，小出康夫 |
| 304 | 単結晶ダイヤモンドのUVアシスト研磨メカニズムの実験的検討 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・240 （熊本大）○峠 睦，田川智彦，坂本武司，久保田 章亀，横井裕之 |
１０：４０～１１：００ 休 憩 |
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１１：００～１２：００ 座長 平田 敦（東工大） |
| 305 | アセチレン凝縮層の低速電子線照射により極低温合成したＤＬＣ薄膜の物性評価 ・・・・・・・・・・・・・・・242 （山梨大）○小林直樹，山田竜太郎，佐藤哲也，中川清和 |
| 306 | 高繰返し周波数の両極パルスを用いたPBII法による透明なSi含有DLC膜の金属上への形成 ・・・・・・・・・・・244 （産総研）○池山雅美，園田 勉 |
| 307 | 溶液を用いた化学ドーピング法によるa-C:H薄膜へのヨウ素ドーピング ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・246 （琉球大）○幸地一樹，山里将朗，比嘉 晃 |
１２：００～１３：００ 昼 休 み |
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１３：００～１４：００ 座長 大橋 忠一（三菱マテリアル） |
| 308 | 反応性スパッタリングによるCNx膜の作製－膜構造および機械的特性に及ぼすスパッタガスの影響－ ・・・・・・・・252 （千葉工大）○城谷友保，坂本幸弘，田中一平 |
| 309 | 酸素プラズマエッチングによるダイヤモンドナノウィスカーの作製 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・254 （高知工科大）○陰山和臣，角田拓也，中村有希，小路紘史，針谷 達，古田 寛，八田章光 |
| 310 | ナノ多結晶cBNの高圧合成と特性 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・256 （住友電工）○角谷 均，石田 雄，原野佳津子 |
１４：００～１４：２０ 休 憩 |
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１４：２０～１５：２０ 座長 渡辺剛志（慶應大） |
| 311 | 蛍光ナノダイヤモンドによるがんの生体イメージング ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・258 （滋賀医科大）○小松直樹，Zhao Li，茶野徳宏，木村隆英 |
| 312 | 光化学反応による硫黄官能基修飾DLC膜の作製および金ナノ粒子固定 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・260 （産総研）○中村挙子，大花継頼 |
| 313 | カラム充填材への応用を目指した多孔質ダイヤモンド球状粒子の作製 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・262 （東京理科大，資生堂医理化ﾃｸﾉ＊）○小林茉莉，近藤剛史，門田靖彦，湯浅 真 |
■ 優秀講演賞について優秀講演賞の選考対象となる発表には講演番号の前に△印が付記されています。 |
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