ダイヤモンドシンポジウム講演プログラム（第２７回）
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第２７回 ダイヤモンドシンポジウム講演プログラム |
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日 時：平成25年11月20日（水）～22日（金） 会 場：日本工業大学 第1日（１１月２０日）
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９：４０～１０：４０ 座長 梅沢 仁（産総研） |
| △ 101 | ダイヤモンドスピン量子ビットの磁気的結合・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・4 （物材機構，ｳﾙﾑ大＊，日本原研＊＊，ｼｭﾂｯﾄｶﾞﾙﾄ大＊＊＊，筑波大＊＊＊＊）○山本 卓，C.Muller＊，L.McGuinness＊，寺地徳之，B.Naydenov＊，小野田忍＊＊，大島 武＊＊，小泉 聡，J.Wrachtrup＊＊＊，F.Jelezko＊，磯谷順一＊＊＊＊ |
| △ 102 | pinダイヤモンド半導体への電流注入による単一NV中心の電荷制御・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・6 （阪大，産総研＊，ｼｭﾂｯﾄｶﾞﾙﾄ大＊＊）○土井悠生，牧野俊晴＊，加藤宙光＊，小倉政彦＊，竹内大輔＊，大串秀世＊，山崎 聡＊，J.Wrachtrup＊＊，田蔦俊之，三輪真嗣，鈴木義茂，水落憲和 |
| △ 103 | ダイヤモンド接合型電界効果トランジスタの高温・高電圧特性・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・8 （東工大，産総研＊）○岩崎孝之，星野雄斗，都筑康平，加藤宙光＊，牧野俊晴＊，小倉政彦＊，竹内大輔＊，大串秀世＊，山崎 聡＊，波多野睦子 |
１０：４０～１１：００ 休 憩 |
オ－ラルセッション２ |
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１１：００～１２：００ 座長 小泉 聡（物材機構） |
| △ 104 | ALD-Al2O3による水素終端ダイヤモンドMOSFETの高温動作特性・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・10 （早大）○許 徳逅宦C坪井秀俊，成尾智也，山田哲也，大長 央，斉藤達也，車 一宏，平岩 篤，川原田 洋 |
| 105 | 電界制御した水素終端ダイヤモンド表面伝導の低温特性・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・12 （物材機構，物材機構/筑波大＊，早大＊＊，）○山口尚秀，岡崎宏之，出口啓太＊，竹屋浩幸，高野義彦＊，坪井秀俊＊＊，川原田 洋＊＊ |
| 106 | 炭化タングステン／p型ダイヤモンドショットキー界面の熱的安定性・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・14 （物材機構）○FIORI Alexandre，寺地徳之，小出康夫 |
１２：００～１３：００ 昼 休 み |
オ－ラルセッション３ |
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１３：３０～１４：１０ 座長 河野省三（青学大） |
| 107 | 低駆動電圧領域におけるダイヤモンドpn接合冷陰極の電子放出特性・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・16 （物材機構，産総研＊）○小泉 聡，山本 卓，竹内大輔＊ |
| 108 | ダイヤモンドPINダイオード型NEA電子源を利用した真空スイッチ(II)・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・18 （産総研ｴﾈﾙｷﾞｰ/ALCA(JST)/CREST(JST)，物材機構/ALCA(JST)/ CREST(JST)＊）○竹内大輔，小泉 聡＊，牧野俊晴，加藤宙光，小倉政彦，大串秀世，大橋弘通，山崎 聡 |
１４：１０～１４：３０ 休 憩 |
オ－ラルセッション４ |
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１４：３０～１５：５０ 座長 野瀬健二（東大･生産技研） |
| △ 109 | プラズマCVD法による超低濃度炭素源を用いた高品質グラフェン合成・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・20 （TASC，産総研/TASC＊）○加藤隆一，津川和夫，石原正統＊，沖川侑揮＊，山田貴壽＊，長谷川雅考＊ |
| △ 110 | 塩化金ドーピングによるグラフェンの導電性向上と耐候性試・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・22 （TASC，産総研/TASC＊）○川田和則，石原正統＊，沖川侑揮＊，長谷川雅考＊ |
| 111 | 高移動度グラフェン／ｈ－ＢＮ量子ホール系におけるサイクロトロン共鳴による光起電力効果・・・・・・・・・・24 （東大･生産技研，物材機構＊）○増渕 覚，大貫雅広，柏木麗奈，荒井美穂，渡邊賢司＊，谷口 尚＊，町田友樹 |
| 112 | グラフェンnpn接合におけるFabry-Perot干渉・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・26 （東大･生産技研，物材機構＊）○森川 生，増渕 覚，大貫雅広，渡邊賢司＊，谷口 尚＊，町田友樹 |
ポスターセッション |
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１６：００～１８：００ |
| P1-01 | マイクロ波プラズマCVD法におけるメタンパルス導入による多結晶ダイヤモンド成長速度の向上・・・・・・・・・・32 (高知工科大)○中村有希，角田拓也，針谷 達，古田 寛，八田章光 |
| P1-02 | P型透明電極の透過率の向上・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・34 （早大，産総研＊）○蔭浦泰資，古閑三靖，ｶｲﾙﾙ ｶﾚ ｲｽﾊｯｸ，新谷幸弘，長谷川雅考＊，平岩 篤，川原田 洋 |
| P1-03 | フッ化炭素堆積層を制御したフッ素終端化ダイヤモンドの特性解析・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・36 （早大，横河電機/早大＊）○小林幹典，新谷幸弘＊，明道三穂，川原田 洋 |
| P1-04 | 単結晶および多結晶ダイヤモンドの分光エリプソメトリー法による膜厚評価・・・・・・・・・・・・・・・・・・・38 （産総研）○梅沢 仁，加藤有香子，鹿田真一 |
| P1-05 | オフ角制御高圧高温合成Ⅱa型基板上に合成したCVD単結晶ダイヤモンドの高温環境での電荷キャリア輸送特性評価・・・40 （北大，日立製作所＊，産総研＊＊）○宮崎大二郎，金子純一，嶋岡毅紘，上野克宜＊，坪田雅巧，小泉 均，田所 孝＊，茶谷原昭義＊＊，梅沢 仁＊＊，桑原 均＊，鹿田真一＊＊ |
| P1-06 | ダイヤモンドNV中心の強電界下における電界効果・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・42 （阪大）○小林悟士，永尾剣一，三輪真嗣，鈴木義茂，水落憲和 |
| P1-07 | p型ダイヤモンド(001)基板上のAu, Agショットキー障壁高さとその空間分布の電子顕微分光研究・・・・・・・・・・・44 （青学大，東北大＊）○河野省三，児玉英之，市川公善，吉川太朗，虻川匡司＊，澤邊 厚仁 |
| P1-08 | 結晶面制御による高速横方向成長ダイヤモンド膜の接合領域の結晶性改善・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・46 （青学大，ﾄｳﾌﾟﾗｽｴﾝｼﾞﾆｱﾘﾝｸﾞ＊）○木村清貴，児玉英之，鈴木一博＊，河野省三，澤邊厚仁 |
| P1-09 | 水素アニールによる前処理がナノクリスタルダイヤモンド薄膜の密着性に及ぼす影響・・・・・・・・・・・・・・・・48 （慶大）○西山祐太，塩川一生，中 敦，森 貴則，鈴木哲也 |
| P1-10 | マイクロ波プラズマCVDによるダイヤモンドの合成速度の制御・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・50 （産総研）○山田英明，茶谷原昭義，杢野由明 |
| P1-11 | 熱フィラメントCVD法によるホモエピタキシャルダイヤモンド膜合成・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・52 （産総研）○大曲新矢，山田英明，茶谷原昭義，鹿田真一 |
| P1-12 | 高純度単結晶・ナノ多結晶ダイヤモンドの諸特性・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・54 （住友電工）○池田和寛，角谷 均 |
| P1-13 | 高温下における合成ＩＩａ単結晶ダイヤモンドの欠陥の挙動・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・56 （住友電工）○辰巳夏生，角谷 均 |
| P1-14 | H2OプラズマによるBドープダイヤモンドの表面改質・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・58 （千葉工大）○玉村秀司，坂本幸弘 |
| P1-15 | Si基板上へのMMSを用いたヘテロエピ成長によるダイヤモンド膜の作製における検討・・・・・・・・・・・・・・・・60 （電通大）○重枝徹哉，一色秀夫，滝川修平 |
| P1-16 | 研磨ダイヤモンド膜の摺動特性に及ぼす表面微細形状と潤滑の影響・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・62 （東北大，E.C.Lyon＊）○内藤恭平，三木寛之，高木敏行，M.Belin＊ |
| P1-17 | ボロンドープ単結晶ダイヤモンド膜の機械的特性評価・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・64 （日工大）○檜山一博，竹内貞雄，横堀亮太 |
| P1-18 | 大気圧プラズマを用いた多結晶ダイヤモンド膜のエッチング・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・66 （日工大）○松永健志，竹内貞雄，阿部大輝 |
| P1-19 | 熱フィラメント法で合成したボロンドープダイヤモンド膜の付着力評価・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・68 （日工大）○町田成紀，竹内貞雄，大西克成 |
| P1-20 | ダイヤモンド前駆体ポリマーの精密合成とその評価・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・70 （北大）○柳瀬 隆，村谷直紀，大見浩輔，島田敏宏 |
| P1-21 | ダイヤモンド表面C-H結合の高熱安定性評価・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・72 （早大）○瀬下裕志，袴田知宏，小野和子，横山悠樹，宇都宮大起，平岩 篤，川原田 洋 |
| P1-22 | 原子層堆積(ALD)Al2O3膜の高温アニールによる絶縁破壊耐圧改善・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・74 （早大）○車 一宏，齊藤達也，大長 央，平岩 篤，川原田 洋 |
| P1-23 | ゲート絶縁膜にAl2O3を用いた水素終端ダイヤモンドMOSFETの耐電圧特性・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・76 （早大）○山田哲也，成尾智也，坪井秀俊，許 徳逅宦C大長 央，齊藤達也，車 一宏，平岩 篤，川原田 洋 |
| P1-24 | ホッピング伝導を用いたダイヤモンドp -i-n 接合のキャリア輸送特性・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・78 （産総研，筑波大＊，九大＊＊）○牧野俊晴，竹内大輔，加藤宙光，小倉政彦，桑原大輔＊，花田尊徳＊＊，吉武 剛＊＊，大串秀世，山崎 聡 |
| P1-25 | スクリーン印刷ダイヤモンド電極における微小電極アレイの作製・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・80 （東京理科大）○宇田川育篤，近藤剛史，相川達男，四反田 功，星 芳直，板垣昌幸，湯浅 真 |
| P1-26 | HfO2/diamond電界効果トランジスタの作成・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・82 （物材機構）○劉 江偉，廖 梅勇，井村将隆，小出康夫 |
| P1-27 | 超ナノ微結晶ダイヤモンド/水素化アモルファスカーボン混相膜の光キャリア伝導特性・・・・・・・・・・・・・・・・84 （産総研，九大＊）○大曲新矢，花田尊徳＊，片宗優貴＊，吉武 剛＊ |
| P1-28 | 反応性スパッタリングによるクロムオキシカーバイド含有DLC複合皮膜の作製・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・86 （産総研）○園田 勉，中尾節男，池山雅美 |
| P1-29 | RF反応性スパッタリングによるCNx膜の作製 －膜構造および機械的特性に及ぼすスパッタガスの影響－・・・・・・・・88 （千葉工大）○城谷友保，坂本幸弘 |
| P1-30 | 13Cターゲットからのアモルファス炭素膜の作製・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・90 （東工大）○鈴木裕太郎，藤井 瞭，斎藤 啓，大竹尚登，赤坂大樹 |
| P1-31 | DLC膜の構造が耐腐食性に与える影響・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・92 （東工大）○寶田敦之，大竹尚登，赤坂大樹 |
| P1-32 | マイクロ押出しを用いたマイクロテクスチャDLC膜作成法の開発・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・94 （東工大，iMott＊）○吉田祐未，岩田喜直＊，松尾 誠＊，赤坂大樹，大竹尚登 |
| P1-33 | FCVA法によるセグメント構造DLC膜の作製と機械的特性評価・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・96 （東工大，iMott＊）○近藤翔太，斎藤 啓，松尾 誠＊，岩田喜直＊，赤坂大樹，大竹尚登 |
| P1-34 | 金属を含む非晶質炭素膜の繰り返し歪みに伴う膜組織変化・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・98 （東北大）○高橋真美，三木寛之，竹野貴法，高木敏行 |
| P1-35 | HiPIMSを用いたDLC膜の特性・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・100 （広島県総技研，ﾄｰﾖｰｴｲﾃｯｸ＊）○縄稚典生，伊藤幸一，井鷺洋介，筒本隆博，中谷達行＊，岡本圭司＊ |
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第２日目（１１月２１日）
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９：２０～１０：４０ 座長 寺地徳之（物材機構） |
| 201 | ダイヤモンドの終端元素による表面格子緩和・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・106 （東大･生産技研）○野瀬健二，神子公男，光田好孝 |
| △ 202 | ショットキーバリアダイオードのp-層の欠陥評価・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・108 （産総研）○加藤有香子，梅沢 仁，鹿田真一 |
| △ 203 | エッチピット法によるヘテロエピタキシャルダイヤモンドの欠陥評価Ⅱ ～断面TEM観察によるエッチピットと格子欠陥との相関解明～・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・110 （青学大，ﾄｳﾌﾟﾗｽｴﾝｼﾞﾆｱﾘﾝｸﾞ＊）○市川公善，児玉英之，鈴木一博＊，河野省三，澤邊厚仁 |
| △ 204 | ビームハローモニタへの応用を目指したCVD単結晶ダイヤモンドの合成と評価・・・・・・・・・・・・・・・・・・・112 （北大，高輝度研＊，産総研＊＊）○嶋岡毅紘，佐竹良太，金子純一，青柳秀樹＊，宮崎大二郎，青木毅＊，深見健二＊，鈴木伸介＊，満田史織＊，茶谷原昭義＊＊，渡邊幸志＊＊，鹿田真一＊＊ |
１０：４０～１１：００ 休 憩 |
オ－ラルセッション６ |
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１１：００～１２：００ 座長 岡﨑俊也（産総研） |
| △ 205 | 生物医療応用に向けたナノダイヤモンドの表面化学修飾・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・114 （滋賀医科大，北大＊）○Li Zhao，Xiao Chen＊，茶野徳宏，小松直樹 |
| 206 | ポリグリセロール修飾によるグラフェンの水溶化・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・116 （滋賀医科大）○小松直樹，保田 徳，Li Zhao，木村隆英 |
| △ 207 | CVDグラフェン転写PDMS基板での細胞形態評価・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・118 （日工大，産総研＊）○伴 雅人，砂田浩紀，石原正統＊，長谷川雅考＊ |
１２：００～１３：００ 昼 休 み |
オ－ラルセッション７ |
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１３：００～１３：４０ 座長 増渕 覚（東大･生産技研） |
| 208 | カーボンナノチューブの赤外プラズモン・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・124 （産総研，TASC＊）○岡﨑俊也，森本崇宏＊ |
| △ 209 | 高濃度窒素ドープによるCNT/SiC界面の接触抵抗及びSchottky障壁高さの評価・・・・・・・・・・・・・・・・・・126 （早大，名大＊）○鈴木和真，稲葉優文，渋谷 恵，明道三穂，平岩 篤，増田佳穂＊，乗松 航＊，楠 美智子＊，川原田 洋 |
１３：４０～１４：００ 休憩 |
オ－ラル 特別セッション「トライボロジー」 |
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１４：００～１５：３０ 座長 平田 敦（東工大）､竹内貞雄(日工大) |
| 210 | 【基調講演】ＤＬＣ,ダイヤモンド膜のナノトライボロジー・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・128 （日工大）○三宅正二郎 |
| △ 211 | RFプラズマCVD法で合成したボロンドープDLC膜の機械的特性評価・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・130 （日工大）○横堀亮太，竹内貞雄，町田成康，小田竜太朗 |
| 212 | SiおよびN共添加DLC膜の熱的安定性・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・132 （弘前大）○中澤日出樹，奥野さおり，真柄晃平 |
| 213 | Study on adhesion and friction properties of R.F. sputtered amorphous carbon films on luminescent ZnS-based thin films・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・134 （東工大）○Atsawin SALEE，青野祐子，平田 敦 |
ポスターセッション |
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１５：３０～１７：３０ |
| P2-01 | ダイヤモンドナノ機械共振器のサイズ依存性・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・140 （物材機構）○廖 梅勇，井村将隆，Sang Liwen，菱田俊一，劉 江偉，小出康夫 |
| P2-02 | 超高圧合成cBN-Al系複合焼結体の微細組織と摩耗特性(Ⅱ)・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・142 （日工大）○古川 亮，福長 脩，竹内貞雄 |
| P2-03 | 部分安定化ジルコニア上に合成した窒素添加ナノクリスタルダイヤモンド薄膜の微粒化ディスクへの応用・・・・・・・144 （慶大，ﾅﾉﾏｲｻﾞｰ＊）○塩川一生，中 敦，森 貴則，松村健彦＊，鈴木哲也 |
| P2-04 | ダイヤモンド被覆切削工具の中間層の検討・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・146 （三菱ﾏﾃﾘｱﾙ）○高島英彰，高岡秀充 |
| P2-05 | 発表取消 |
| P2-06 | カーボンオニオンを助剤とした高硬度SiCの低温通電焼結・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・148 （東工大）○平田 敦，坂井祐太，青野祐子 |
| P2-07 | 炭化ケイ素薄膜表面への炭素潤滑層の形成・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・150 （東工大）○青野祐子，西尾龍哉，平田 敦 |
| P2-08 | Si-N-DLC膜の耐熱性評価・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・152 （日工大）○ﾒﾚｰ ｱﾅｽ ﾑﾊﾝﾏﾄﾞ，ﾁｬｳｲﾝ ｼﾞｮﾝﾜﾝﾅｼﾘ，渡部修一 |
| P2-09 | 極薄DLC膜の高温下のナノ・マクロトライボロジー特性・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・154 （日工大）○山崎翔平，三宅正二郎 |
| P2-10 | TiC/DLCナノコンポジット膜と積層膜の構造と境界潤滑特性・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・156 （日工大）○進藤貴徳，三宅正二郎 |
| P2-11 | 多孔質ダイヤモンド球状粒子の細孔特性および表面官能基の制御・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・158 （東京理科大）○齋藤 徹，近藤剛史，相川達男，湯浅 真 |
| P2-12 | ダイヤモンド電極を用いた高電位電解による有機物の定量分析・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・160 （東京理科大，慶大＊）○田村勇介，近藤剛史，相川達男，渡辺剛志＊，栄長泰明＊，湯浅 真 |
| P2-13 | 導電性ダイヤモンドパウダーのPEFCカソード触媒担体への応用・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・162 （東京理科大）○増田秀剛，近藤剛史，相川達男，湯浅 真 |
| P2-14 | 水素フリーDLC膜：抗菌性・抗血栓性を有した生体適合性膜としての可能性・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・164 （慶大，東海大＊）○金澤寛貴，長谷部光泉＊，鈴木哲也 |
| P2-15 | 細胞接着性制御可能なマイクロパターニングDLC－MPCポリマー複合材料： 薬剤徐放性血管内留置デバイスへの応用可能性・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・166 （慶大，東海大＊）○前川駿人，長谷部光泉＊，北川智也，鈴木哲也 |
| P2-16 | DLCの細胞増殖における光学的特性評価・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・168 （東京電機大，ﾅﾉﾃｯｸ＊，茨城大＊＊，堀場製作所＊＊＊，長岡技科大＊＊＊＊）○日比野麻衣，多田晴菜，大越康晴，平塚傑工＊，尾関和秀＊＊，中森秀樹＊，森山 匠＊＊＊，桜井正行＊＊＊，ﾅﾀﾘｱ ﾅﾊﾞﾄﾊﾞ ｶﾞﾊﾞｲﾝ＊＊＊，斎藤秀俊＊＊＊＊，平栗健二，福井康裕 |
| P2-17 | 異なる装置で作製したDLC膜の抗血栓性・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・170 （東京電機大，ナノテック＊，茨城大＊＊，堀場製作所＊＊＊，キング・サウド大＊＊＊＊，長岡技科大＊＊＊＊＊，物材機構＊＊＊＊＊＊）○多田晴菜，新井健司，日比野麻衣，大越康晴，平塚傑工＊，尾関和秀＊＊，中森秀樹＊，森山 匠＊＊＊，ナタリア ナバトバ ガバイン＊＊＊，桜井正行＊＊＊，Ali Alanazi＊＊＊＊，斎藤秀俊＊＊＊＊＊，平栗健二，深田直樹＊＊＊＊＊＊，福井康裕 |
| P2-18 | QCMセンサーへのa-C:H被膜の検討・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・172 （東京電機大，ﾅﾉﾃｯｸ＊，茨城大＊＊）○N.Sanin，M.Hibino，Y.Ohgoe，T.Abe，M.Hiratsuka＊，M.Yamana，H.Ozeki＊＊，K.Hirakuri，A.Honma，A.Funakubo，Y.Fukui |
| P2-19 | カーボンナノチューブ分散導電網による微生物燃料電池の高出力化・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・174 （東工大）○松元彰太，大竹尚登，赤坂大樹，山中康平 |
| P2-20 | カーボン系材料の光化学修飾法を利用したフッ素官能基化ポリマー材料の作製・・・・・・・・・・・・・・・・・・・176 （産総研）○中村挙子，土屋哲男，大花継頼 |
| P2-21 | ダイヤモンド前駆体ポリマーのグリニャール反応による合成・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・178 （北大）○大見浩輔，柳瀬 隆，村谷直紀，長浜太郎，島田敏宏 |
| P2-22 | 太陽電池デバイス用DLC半導体へのフッ素添加効果・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・180 （慶大，ﾅﾉﾃｯｸ＊）○大塚 純，豊田史生，坪井仁美，平塚傑工＊，中森秀樹＊，鈴木哲也 |
| P2-23 | アモルファス窒化炭素薄膜の光キャリア生成量と化学結合状態の関係・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・182 （防衛大）○田村尚之，青野祐美，原田人萌，北沢信章，渡邉芳久 |
| P2-24 | プラズマCVD法により合成したグラフェン膜の移動度と結晶品質の相関関係・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・184 （産総研，TASC＊）○沖川侑揮，加藤隆一＊，石原正統，山田貴壽，長谷川雅考 |
| P2-25 | ロールtoロール・プラズマCVD時の張力制御によるグラフェン結晶性の改善・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・186 （産総研，TASC＊）○山田貴壽，嶋田那由太＊，植草和輝＊，長谷川雅考 |
| P2-26 | フラーレン(C60,C70)薄膜からの透明導電膜の形成・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・188 （東海大）○新井龍一，皆川貴裕，葛巻 徹 |
| P2-27 | 通電加熱したカーボンナノチューブ紡績糸の機械的性質と電気伝導性の評価・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・190 （東海大，岡山大＊）○竹内健人，森本達也，飯島 徹＊，稲垣裕大＊，林 靖彦＊，葛巻 徹 |
| P2-28 | 繊維と母材の親和性向上による樹脂基CNT複合材料の高強度化・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・192 （東工大，日工大＊）○本田 豊，大竹尚登，赤坂大樹，安原鋭幸＊ |
| P2-29 | グラフェンの大面積形成に向けたAl203/Ni固相界面への炭素析出プロセス・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・194 （東大，東大･生産技研＊）○福原 智，光田好孝＊，野瀬健二＊ |
| P2-30 | 溶液フロー型超音波照射法による多層グラフェンフレークの形成・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・196 （三重大）○大鹿 悟，小塩 明，小海文夫 |
| P2-31 | 反応性スパッタ法で作製したアモルファス窒化炭素薄膜における可逆性光誘起体積変化の観察・・・・・・・・・・・・198 （防衛大）○原田人萌，青野祐美，田村尚之，北沢信章，渡邉芳久 |
| P2-32 | モード変換型マイクロ波プラズマCVDによる窒化炭素合成・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・200 （千葉工大）○田中一平，坂本幸弘 |
| P2-33 | マイクロ波プラズマCVDにより合成した窒化炭素のトライボロジー特性に及ぼす相手材料の影響・・・・・・・・・・・202 （千葉工大）○田中一平，坂本幸弘 |
| P2-34 | 高い窒素含有率を有するアモルファス窒化炭素薄膜の一般的合成法の確立・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・204 （長岡技科大）○伊藤治彦 |
| P2-35 | 高温高圧法により育成した六方晶窒化ホウ素単結晶劈開面のカソードルミネッセンス像観察・・・・・・・・・・・・・206 (物材機構)○渡邊賢司，谷口 尚 |
| P2-36 | FCVA法によるアモルファス炭化ボロン膜の合成と機械的・電気的特性の評価・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・208 (東工大，日立化成＊)○齋藤 啓，藤井 瞭，赤坂和之＊，石橋浩之＊，赤坂大樹，大竹尚登 |
特別講演１７：３０～１８：３０ 座長 小出康夫（物材機構） 「ダイヤモンド電極の特性と炭酸ガス還元への試み」・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・214 講演者 東京理科大学 学長 藤嶋 昭 氏 |
懇親会（於：スチューデントセンター）１８：４０～ |
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第３日目（１１月２２日）
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９：２０～１０：４０ 座長 小倉政彦（産総研） |
| 301 | パワーデバイス応用を目指したウェハ・デバイスの開発課題・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・220 （産総研）○鹿田真一，梅沢 仁，加藤有香子，大曲新矢，山田英明，坪内信輝，杢野由明，茶谷原昭義 |
| 302 | 低窒素濃度のダイヤモンドバルク単結晶の合成・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・222 （産総研）○杢野由明，山田英明，茶谷原昭義，鹿田真一 |
| 303 | 同位体濃縮ダイヤモンドの合成とその物性・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・224 （物材機構，筑波大＊）○寺地徳之，渡邊賢司，谷口 尚，磯谷順一＊ |
| 304 | 高圧高温合成ダイヤモンド単結晶のX線トポグラフィ評価・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・226 （佐賀大，住友電工＊）○村上竜一，嘉数 誠，桝谷 聡，原田和也，角谷 均＊ |
１０：４０～１１：００ 休 憩 |
オ－ラルセッション９ |
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１１：００～１２：００ 座長 竹内大輔（産総研） |
| 305 | CVDダイヤモンド中のSiV-センター単一欠陥の光特性・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・228 （筑波大，物材機構＊，ｳﾙﾑ大＊＊）○磯谷順一，寺地徳之＊，Liam. P. McGuinness＊＊, Lachlan J. Rogers＊＊, Luca Marseglia＊＊,Christoph Müller＊＊,Kay D. Jahnke＊＊, Andreas Dietrich＊＊,Fedor Jelezko＊＊ |
| 306 | 熱混酸処理ダイヤモンド(001)表面の酸素被覆量と構造：XPS, XPD研究・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・230 （青学大）○河野省三，児玉英之，澤邊厚仁 |
| 307 | NO2吸着・水素終端ダイヤモンド／ALD-Al2O3界面の電子状態の放射光XPS/UPS/XANESによる解明・・・・・・・232 （佐賀大，NTT物性研＊）○嘉数 誠，高橋和敏，今村真幸，平間一行＊ |
１２：００～１３：００ 昼 休 み |
オ－ラルセッション１０ |
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１３：００～１４：００ 座長 嘉数 誠（佐賀大） |
| 308 | ダイヤモンドのｐ／ｐ＋接合の特性・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・238 （産総研）○小倉政彦，牧野俊晴，竹内大輔，大串秀世，山崎 聡 |
| 309 | ｛111｝リンドープダイヤモンド薄膜のドーピング効率II・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・240 （物材機構，産総研＊）○大谷亮太，山本 卓，小泉 聡，山崎 聡＊ |
| 310 | ナノダイヤモンド分散薄膜の光散乱特性・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・242 （東工大，ﾋﾞｼﾞｮﾝ開発＊）○金子拓馬，坂尻浩一，山口浩一＊，藤村忠正＊，戸木田雅利，渡辺順次 |
１４：００～１４：２０ 休 憩 |
オ－ラルセッション１１ |
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１４：２０～１５：２０ 座長 小松直樹（滋賀医科大） |
| 311 | 反応性イオンエッチングによるホウ素ドープダイヤモンドへの構造付与と電極特性評価・・・・・・・・・・・・・・244 （東京理科大）○寺島千晶，中田一弥，近藤剛史，藤嶋 昭 |
| 312 | 多孔質ボロンドープダイヤモンドピラーアレイの作製と全固体スーパーキャパシタへの応用・・・・・・・・・・・・246 （東京理科大）○谷島啓太，近藤剛史，岡野弘聖，早瀬仁則，相川達男，湯浅 真 |
| 313 | 白金ナノ粒子内包多孔質ダイヤモンド球状粒子の触媒活性評価・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・248 （東京理科大）○近藤剛史，森村卓司，相川達男，湯浅 真 |
■ 優秀講演賞について優秀講演賞の選考対象となる発表には講演番号の前に△印が付記されています。 |
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