ダイヤモンドシンポジウム講演プログラム（第２８回）
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第２８回 ダイヤモンドシンポジウム講演プログラム |
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日 時：平成26年11月19日（水）～21日（金） 会 場：東京電機大学 東京千住ｷｬﾝﾊﾟｽ 第1日（１１月１９日）
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０９：４０～１１：００ 座長 寺地徳之（物材機構） |
| △ 101 | 格子状核発生領域を用いたヘテロエピタキシャルダイヤモンド作製・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・4 （青学大理工，ﾄｳﾌﾟﾗｽｴﾝｼﾞﾆｱﾘﾝｸﾞ＊）○黒根健吾，鈴木一博＊，河野省三，澤邊厚仁 |
| △ 102 | フィラメントCVD法によるダイヤモンド大面積ホモエピ成長・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・6 （産総研ﾀﾞｲﾔ，物材機構＊）○大曲新矢，山田英明，梅沢 仁，茶谷原昭義，寺地徳之＊，鹿田真一 |
| △ 103 | シンクロトロンX線トポグラフィー透過法によるHPHT単結晶ダイヤモンドの転位の観察・・・・・・・・・・・・・・・8 （佐賀大，住友電工＊）○桝谷聡士，村上竜一，植松卓巳，原田和也，角谷 均＊，嘉数 誠 |
| 104 | 先端放電型プラズマCVDを用いた3C-SiC/Si上へのダイヤモンドヘテロエピタキシャル成長・・・・・・・・・・・・・10 （東工大，南ﾌﾛﾘﾀﾞ大＊）○矢板潤也，岩崎孝之，M.Natal＊，S.E. Saddow＊，波多野睦子 |
１１：００～１１：２０ 休 憩 |
オ－ラルセッション２ |
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１１：２０～１２：２０ 座長 谷口 尚（物材機構） |
| 105 | (111)基板上への化学気相成長時に形成されるNVセンターの配向度と極性・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・12 （物材機構，Stuttgart大＊，ｵｰｽﾄﾗﾘｱ国立大＊＊，筑波大＊＊＊）○寺地徳之，J. Michl＊，S. Zaiser＊，I. Jakobi＊，G. Waldherr＊，F. Dolde＊，P. Neumann＊，M. W. Doherty＊＊，N. B. Manson＊＊，磯谷順一＊＊＊，J. Wrachtrup＊ |
| 106 | SiV-センター：単一光子源から量子ビットへ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・14 （筑波大，物材機構＊，ｳﾙﾑ大＊＊，ﾊｰﾊﾞｰﾄﾞ大＊＊＊）○磯谷順一，寺地徳之＊，K. D. Jahnke＊＊，L. J. Rogers＊＊，L. Marseglia＊＊，C. M?ller＊＊，B. Naydenov＊＊，H. Schauffert＊＊，C. Kranz ＊＊，L. P. McGuinness＊＊，F. Jelezko＊＊，A. Sipahigil＊＊＊，A. S. Zibrov＊＊＊， M. D. Lukin＊＊＊ |
| △ 107 | ダイヤモンド中NVセンターの選択的一軸方向への制御・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・16 （阪大院，産総研＊，産総研･CREST＊＊，金沢大＊＊＊，CREST･東工大＊＊＊＊，阪大･CREST＊＊＊＊＊）○福井貴大，土井悠生，宮崎剛英＊，宮本良之＊，加藤宙光＊＊，松本 翼＊＊，牧野俊晴＊＊，山崎 聡＊＊，森本隆介＊＊＊，徳田規夫＊＊＊，波多野睦子＊＊＊＊，坂川優希，森下弘樹＊＊＊＊＊，田蔦俊之＊＊＊＊＊，三輪真嗣＊＊＊＊＊，鈴木義茂＊＊＊＊＊，水落憲和＊＊＊＊＊ |
１２：２０～１３：３０ 昼 休 み |
オ－ラルセッション３ |
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１３：３０～１４：３０ 座長 梅沢 仁（産総研） |
| 108 | ダイヤモンドMOSFETの容量電圧測定によるMOS構造のエネルギー構造の解析・・・・・・・・・・・・・・・・・・・18 （佐賀大院，NTT物性研＊）○嘉数 誠，原田和也，古賀優太，平間一行＊，大石敏之 |
| △ 109 | 600Vを超えるALD-Al2O3 C-HダイヤモンドMOSFETの耐圧特性・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・20 （早大理工）○北林祐哉，山田哲也，許 徳琛，坪井秀俊，斉藤達也，松村大輔，平岩 篤，川原田 洋 |
| △ 110 | ALD-Al2O3膜の高温電気特性の安定化に向けた酸化剤の検討・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・22 （早大理工）○松村大輔，斉藤達也，平岩 篤，川原田 洋 |
１４：３０～１４：５０ 休 憩 |
オ－ラルセッション４ |
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１４：５０～１５：５０ 座長 竹内大輔（産総研） |
| △ 111 | WC/p型ダイヤモンドショットキーダイオードの1.1未満の理想係数・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・24 （物材機構）○FIORI Alexandre，寺地徳之，小出康夫 |
| △ 112 | 単結晶CVDダイヤモンド検出器の高温雰囲気における電荷キャリア輸送特性・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・26 （北大院工，日立製作所＊，産総研＊＊）○坪田雅功，金子純一，宮崎大二郎，嶋岡毅紘，新名宏章，上野克宣＊，田所孝広＊，茶谷原昭義＊＊，梅沢 仁＊＊，鹿田真一＊＊，桑原 均＊ |
| △ 113 | Tc (offset)=10K以上の超伝導転移温度を示すボロンドープダイヤモンド薄膜の結晶性・・・・・・・・・・・・・・・28 （早大理工，物材機構＊）○柴田将暢，蔭浦泰資，古閑三靖，山口尚秀＊，高野義彦＊，川原田 洋 |
ポスターセッション |
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１６：００～１７：３０ |
| P1-01 | 原料ガス総流量変化がナノクリスタルダイヤモンド薄膜の硬度と密着性に与える影響・・・・・・・・・・・・・・・・34 (慶大院理工)○竹澤浩太郎，西山祐太，森 貴則，鈴木哲也 |
| P1-02 | HFCVDによるダイヤモンド合成における窒素系ガス添加の影響・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・36 （千葉工大工，千葉工大院＊）○中田朋貴，田中一平＊，坂本幸弘 |
| P1-03 | 大気圧プラズマを用いたダイヤモンドのエッチング・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・38 （日工大院，日工大＊）○土屋晃海，竹内貞雄＊ |
| P1-04 | 異方性エッチングによる原子的平坦なダイヤモンド(111)表面の形成・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・40 (金沢大理工，金沢大院自然･産総研ｴﾈ･CREST(JST)＊，産総研ｴﾈ･CREST(JST)＊＊，金沢大院自然＊＊＊）○黒島裕貴，徳田規夫＊，牧野俊晴＊＊，山崎 聡＊＊，猪熊孝夫＊＊＊ |
| P1-05 | ホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜成長における欠陥抑制・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・42 （物材機構）○寺地徳之 |
| P1-06 | 球型共振器構造MPCVDによるホウ素ドープダイヤモンド膜の高速成長・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・44 （金沢大院自然，金沢大院自然･産総研ｴﾈ･CREST(JST)＊，産総研ｴﾈ･CREST(JST)＊＊，産総研ｴﾈ＊＊＊，アリオス＊＊＊＊）○金田大輝，渡辺俊介，徳田規夫＊，小倉政彦＊＊，加藤宙光＊＊，梅沢 仁＊＊＊，山崎 聡＊＊，有屋田 修＊＊＊＊，猪熊孝夫 |
| P1-07 | 選択成長法によるIr(001)/α-Al2O3(11-20)への高品質エピタキシャルダイヤモンド膜の作製・・・・・・・・・・・・・46 （青学大理工，ﾄｳﾌﾟﾗｽｴﾝｼﾞﾆｱﾘﾝｸﾞ＊）○日比谷 篤，澤邊厚仁，児玉英之，鈴木一博＊，河野省三 |
| P1-08 | モザイク成長によるダイヤモンド薄膜の評価・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・48 （電通大院）○相馬勇治，小宮一輝，小島隆平，瀧川修平，市川直斗，一色秀夫 |
| P1-09 | パターン加工したサファイア(0001)へのエピタキシャルダイヤモンド膜の作製・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・50 （青学大理工，ﾄｳﾌﾟﾗｽｴﾝｼﾞﾆｱﾘﾝｸﾞ＊，並木精密宝石＊＊）○瀬戸康二，児玉英之，鈴木一博＊，池尻憲次郎＊＊，川又友喜＊＊，河野省三，澤邊厚仁 |
| P1-10 | パワーデバイス集積化へ向けた高配向ダイヤモンドの選択成長・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・52 （電通大院）○小宮一輝，小島隆平，相馬勇治，市川直斗，瀧川修平，一色秀夫 |
| P1-11 | 異なる手法により表面改質を施したBドープダイヤモンドの表面状態・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・54 （千葉工大院，千葉工大工＊）○玉村秀司，坂本幸弘 |
| P1-12 | 部分安定化ジルコニアから脱離する酸素を利用したダイヤモンド薄膜の低温合成と密着性への影響・・・・・・・・・・・56 （慶大院理工，ナノフュエル＊）○西山祐太，森 貴則，松村健彦＊，廣瀬倫孝＊，鈴木哲也 |
| P1-13 | パルスDCプラズマCVD法によるダイヤモンド製膜速度比（[100]/[111])の制御・・・・・・・・・・・・・・・・・・・58 （阪府大院工，産総研＊）○根崎基信，中田洸樹，岡本尚樹，齊藤丈靖，近藤和夫，山崎 聡＊，大串秀世＊ |
| P1-14 | 核形成制御による３次元構造CVDダイヤモンドの作製・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・60 （千葉工大院，千葉工大工＊）○服部貴大，湯浅 良＊，坂本幸弘＊ |
| P1-15 | ウェットアニール処理によるダイヤモンドの表面形態と表面伝導層の評価・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・62 （金沢大院自然，金沢大院自然･産総研ｴﾈ･CREST(JST)＊，産総研ｴﾈ･CREST(JST)＊＊）○宮田大輔，南山拓真，徳田規夫＊，竹内大輔＊＊，山崎 聡＊＊，猪熊孝夫 |
| P1-16 | {111}リンドープダイヤモンド薄膜の取り込み効率III・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・64 （物材機構）○山本 卓，大谷亮太，小泉 聡 |
| P1-17 | 単一光子源に向けたSi基板上のダイヤモンド核発生・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・66 （電通大院）○小島隆平，小宮一輝，相馬勇治，瀧川修平，一色秀夫 |
| P1-18 | マイクロ波プラズマトーチCVD法を用いたダイヤモンドパウダー作製・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・68 （電通大院）○瀧川修平，一色秀夫 |
| P1-19 | 酸素終端ダイヤモンド(111)表面上ALD-Al2O3膜を用いたp型ダイヤモンドMOSキャパシタの電気的特性・・・・・・・・70 (金沢大院自然，金沢大院自然･産総研ｴﾈ･CREST(JST)＊，物材機構＊＊，産総研ｴﾈ･CREST(JST) ＊＊＊）○上田諒浩，宮田大輔，徳田規夫＊，井村将隆＊＊＊，小出康夫＊＊，松本 翼＊＊＊，小倉政彦＊＊＊，山崎 聡＊＊＊，猪熊孝夫 |
| P1-20 | ダイヤモンド上SiO2のゲート絶縁膜としての検討・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・72 （早大理工）○原 壮志，袴田知宏，小野和子，瀬下裕志，林 佑哉，平岩 篤，川原田 洋 |
| P1-21 | ウェットアニール処理によるダイヤモンドMESFETの作製・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・74 (金沢大院自然，金沢大理工＊，金沢大院自然･産総研ｴﾈ･CREST(JST)＊＊，産総研ｴﾈ･CREST(JST) ＊＊＊）○中西一浩，南山拓真，宮田大輔，辻 裕司＊，徳田規夫＊＊，小倉政彦＊＊＊，山崎 聡＊＊＊，森本章治，川江 健，猪熊孝夫 |
| P1-22 | 素子構造に依存したダイヤモンドの破壊電圧および破壊電界・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・76 （早大ナノ理工）○平岩 篤，川原田 洋 |
| P1-23 | ダイヤモンドPIN素子からの電子放出の光電子顕微鏡観察・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・78 （青学大理工，産総研＊，東北大多元＊＊）○河野省三，竹内大輔＊，門脇 良＊＊，虻川匡司＊＊ |
| P1-24 | ダイヤモンドのｐ／ｐ＋接合の特性・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・80 （産総研ｴﾈ･CREST(JST)）○小倉政彦，牧野俊晴，竹内大輔，大串秀世，山崎 聡 |
| P1-25 | ケルビンプローブフォース顕微鏡によるダイヤモンド半導体電位分布の評価・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・82 （筑波大院，産総研ｴﾈ＊）○白田和也，竹内大輔＊，加藤宙光＊，牧野俊晴＊，小倉政彦＊，山崎 聡＊ |
| P1-26 | ホウ素ドープCVDダイヤモンド薄膜における非輻射欠陥評価・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・84 （阪大院）○堀 敬憲，毎田 修，伊藤利道 |
| P1-27 | カソードルミネッセンス測定によるダイヤモンド放射線検出器における電荷捕獲準位の評価・・・・・・・・・・・・・・86 （北大，産総研＊）○嶋岡毅紘，金子純一，坪田雅功，新名宏章，茶谷原昭義＊，渡邊幸志＊，鹿田真一＊ |
| P1-28 | 部分酸素終端(111)ダイヤモンド表面の真空熱処理後における表面構造評価・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・88 （早大理工）○林 佑哉，原 壮志，瀬下裕志，袴田知宏，小野和子，平岩 篤，川原田 洋 |
| P1-29 | ポストウェットアニールによる酸素終端ダイヤモンド(111)表面上のオーミック接触の形成・・・・・・・・・・・・・・90 （金沢大院自然，金沢大院自然･産総研ｴﾈ･CREST(JST)＊，産総研ｴﾈ･CREST(JST)＊＊）○南山拓真，宮田大輔，長南幸直，徳田規夫＊，小倉政彦＊＊，竹内大輔＊＊，山崎 聡＊＊，猪熊孝夫 |
| P1-30 | 半絶縁性ダイヤモンド膜の電気的特性・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・92 (金沢大院自然，金沢大理工＊，金沢大院自然･産総研ｴﾈ･CREST(JST)＊＊，産総研ｴﾈ･CREST(JST) ＊＊＊）○向瀬貴樹，金田大輝，渡邊俊介，馬場一気＊，徳田規夫＊＊，山崎 聡＊＊＊，猪熊孝夫 |
| P1-31 | 同位体組成制御によるダイヤモンドのバンドギャップチューニング・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・94 （産総研，東工大＊）○渡邊幸志，是常 隆＊，中島信一，斎藤 晋＊，鹿田真一 |
| P1-32 | フラーレンC70を用いた透明導電膜の形成・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・96 （東海大工，東海大院＊）○岩村真歩，中込和輝＊，葛巻 徹 |
| P1-33 | 水溶性コラーゲンの自己組織化を利用したカーボンナノチューブの配列組織制御・・・・・・・・・・・・・・・・・・・98 （東海大院，東海大工＊）○宇都宮円香，松本忠史＊，葛巻 徹＊ |
| P1-34 | SiC表面分解法で作成したカーボンナノチューブフォレストからのクローニング成長・・・・・・・・・・・・・・・・・100 （早大理工，名大ｴｺﾄﾋﾟｱ＊）○平野 優，稲葉優文，渋谷 恵，鈴木和 真，李 智宇，明道三穂，平岩 篤，乗松 航＊，楠美智子＊，川原田 洋 |
| P1-35 | 通電加熱したカーボンナノチューブ紡績糸の組織と機械的性質の評価・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・102 （東海大院，岡山大院自然＊，東海大工＊＊）○中込和輝，佐藤 匡＊＊，飯島 徹＊，稲垣裕大＊，林 靖彦＊，葛巻 徹＊＊ |
| P1-36 | ダイヤモンド基板のラマンスペクトルを用いたグラフェン積層数の評価・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・104 （新潟大院自然，新潟大超域＊，新潟大理＊＊）○星野 豪，中山敦子＊，大村彩子＊，石川文洋＊＊，山田 裕＊＊ |
| P1-37 | 高移動度グラフェンnpn接合における量子干渉・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・106 (東大生産研，東大生産研･東大ﾅﾉ量子＊，物材機構＊＊）○森川 生，増渕 覚＊，守谷 頼，渡邊賢司＊＊，谷口 尚＊＊，町田友樹＊ |
| P1-38 | 六方晶窒化ホウ素上のグラフェンからの電界電子放出特性について・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・108 (ICU院ｱｰﾂｻｲｴﾝｽ，静岡大＊，物材機構＊＊，産総研 ＊＊＊）○胡谷大志，岡野 健，増澤智昭＊，谷口 尚＊＊，山田貴壽＊＊ |
| P1-39 | 高圧ガス中レーザー蒸発法による錫/炭素コアシェルナノワイヤー形成・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・110 （三重大院）○小海文夫，新矢彰弘，小塩 明 |
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第２日目（１１月２０日）
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９：４０～１０：４０ 座長 平田 敦（東工大） |
| 201 | 機械研磨と熱化学研磨によるダイヤモンド表面ダメージ評価・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・116 （住友電工）○辰巳夏生，原野佳津子，角谷 均 |
| 202 | プラズマCVD法によるSiおよびN共添加DLC膜特性への原料ガスによる影響・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・118 （弘前大院）○中澤日出樹，真柄晃平，土屋政人，徳田健吾 |
| 203 | 重水素化DLC膜構造中の欠陥評価に関する研究・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・120 （茨城大，東京電機大＊，筑波大＊＊）○尾関和秀，上殿明良＊＊，関場大一郎＊＊，平栗健二＊，増澤 徹 |
１０：４０～１１：００ 休 憩 |
オ－ラルセッション６ |
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１１：００～１２：００ 座長 岡﨑俊也（産総研） |
| 204 | フレキシブル基材へグラフェンのロールtoロール成膜・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・122 （産総研，TASC＊）○山田貴壽，嶋田那由太＊，植草和輝＊，長谷川雅考 |
| △ 205 | フッ化グラフェン中のスピン緩和・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・124 （東工大）○田原康佐，岩崎孝之，松谷晃宏，波多野睦子 |
| 206 | グラフェン／ｈ－ＢＮモアレ超格子におけるHofstadter's Butterflyの観測・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・126 （東大生産研，物材機構＊）○増渕 覚，柏木麗奈，森川 生，渡邊賢司＊，谷口 尚＊，町田友樹 |
１２：００～１３：００ 昼 休 み |
オ－ラル 特別セッション「バイオ応用」 |
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１３：００～１４：１０ 座長 平栗健二（東京電機大）､近藤剛史（東京理科大） |
| 207 | 【基調講演】炭素系材料が開く新世代医療器具の開発・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・132 （東海大医/慶大院理工，東海大医＊，慶大院理工＊＊）○長谷部光泉，松本知博＊，堀田 篤＊＊，鈴木哲也＊＊ |
| 208 | 生体適合性a-C:H被膜の応用・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・134 （東京電機大，ナノテック＊）○大越康晴，本間章彦，平塚傑工＊，平栗健二 |
| 209 | DLC薄膜局所成膜によるパターニング基板の作製と細胞培養評価・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・136 （日工大）○伴 雅人，太田隼斗，小原陽平 |
１４：１０～１４：２０ 休憩 |
オ－ラルセッション７ |
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１４：２０～１５：４０ 座長 平栗健二（東京電機大）､近藤剛史（東京理科大） |
| 210 | スクリーン印刷ダイヤモンド電極における電気化学検出の高感度化・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・138 （東京理科大）○宇田川郁篤，近藤剛史，相川達男，四反田 功，星 芳直，板垣昌幸，湯浅 真 |
| 211 | 化学修飾ナノダイヤモンド粒子MRI造影剤の作製・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・140 （産総研，東海大医＊，慶大院理工＊＊，東海大医･慶大院理工＊＊＊）○中村挙子，大花継頼，土屋哲男，松本知博＊，鈴木哲也＊＊，長谷部光泉＊＊＊ |
| △ 212 | ポリグリセロールで被覆したナノダイヤモンドをキャリアとするプラチナ製剤のがん細胞選択的送達・・・・・・・・・142 (滋賀医科大，北大＊）○Li Zhao，Xiao Chen＊，茶野徳宏，小松直樹 |
| 213 | ダイヤモンドナノ粒子を用いた光触媒効果によるCO2の資源化・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・144 （東京理科大光触媒）○寺島千晶，児玉泰孝，栗山晴男，近藤剛史，湯浅 真，P. Sudhagar，中田一弥，藤嶋 昭 |
ポスターセッション |
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１５：５０～１７：２０ |
| P2-01 | ダイヤモンド膜の平面曲げ疲労特性・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・150 （日工大院，日工大＊）○町田成紀，倉林祐輔，竹内貞雄＊ |
| P2-02 | FCVA法によるセグメント構造DLC膜の作製・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・152 （東工大院理工，iMott＊）○近藤翔太，岩本喜直＊，松尾 誠＊，赤坂大樹，大竹尚登 |
| P2-03 | ナノプラズマCVDによる円管内面へのDLCコーティング・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・154 （東工大）○高村瞭太，大竹尚登，赤坂大樹，井上雅貴 |
| P2-04 | RGB測定によるa-C:H成膜中のプラズマ発光状態の観察と成膜評価・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・156 （東京電機大）○若島克利，湯浅 衛，本間章彦，平栗健二，大越康晴 |
| P2-05 | 数値シミュレーションを用いた管内壁へのDLCコーティングの検討・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・158 （茨城大工，東京電機大工＊）○三瓶一真，尾関和秀，大越康晴＊，平栗健二＊，増澤 徹 |
| P2-06 | 筒型電極を用いた高周波プラズマCVD法によるDLC膜の密着性向上・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・160 （東京電機大工，東京電機大理工＊，ナノテック＊＊，茨城大工＊＊＊）○柴 圭祐，大越康晴＊，平塚傑工＊＊，尾関和秀＊＊＊，平栗健二，佐藤慶介 |
| P2-07 | 硝酸に対する耐食性を高めるダイヤモンド状炭素膜の構造特定・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・162 （東工大，兵庫県立大＊，長岡技科大＊＊）○赤坂大樹，寶田敦之，神田一浩＊，鈴木常生＊＊，大竹尚登 |
| P2-08 | Al合金基板上にスパッタ堆積した遷移金属元素添加DLC膜の摺動特性・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・164 （東大院，東大生産研＊）○福田浩太郎，光田好孝＊，神子公男 |
| P2-09 | 化学気相成長法によるダイヤモンド膜の表面微細形状と潤滑状態の関係性評価・・・・・・・・・・・・・・・・・・・166 （東北大ﾌﾛﾝﾃｨｱ研，東北大院＊，東北大流体＊＊）○三木寛之，内藤恭平＊，小助川博之＊＊，高木敏行＊＊ |
| P2-10 | 非晶質炭素膜-金属クラスタ複合材料の繰り返し歪みに伴う疲労特性評価・・・・168 （東北大ﾌﾛﾝﾃｨｱ研，東北大院＊，東北大流体＊＊）○三木寛之，高橋真美＊，小助川博之＊＊，竹野貴法＊，高木敏行＊＊ |
| P2-11 | DLC膜の平面曲げ疲労特性の評価・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・170 （日工大院，日工大＊）○横堀亮太，松峯淳平，町田成康，竹内貞雄＊ |
| P2-12 | マイクロセグメント構造DLC膜の作製及び光学・機械的特性の評価・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・172 （東工大理工，iMott＊）○吉田祐未，岩本喜直＊，松尾 誠＊，赤坂大樹，大竹尚登 |
| P2-13 | 希ガスによる原料ガス希釈がリン添加DLC膜の電気特性に与える効果・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・174 （慶大理工，ナノテック＊）○山内捺生弥，大塚 純，中西健人，平塚傑工＊，鈴木哲也 |
| P2-14 | アモルファス同位体炭素膜の電子欠陥密度・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・176 （東工大，長岡技科大＊，兵庫県立大＊）○鈴木裕太郎，鈴木常生＊，神田一浩＊＊，大竹尚登，赤坂大樹 |
| P2-15 | 歯科矯正用ブラケットへのDLCコーティングおよび静摩擦特性評価・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・178 （鶴見大，ナノテック＊，東工大＊＊）○赤池 駿，早川 徹，中村芳樹，平塚傑工＊，小林大志郎＊＊，青野祐子＊＊，平田 敦＊＊ |
| P2-16 | 下肢動脈硬化性病変治療用ステントの開発：フッ素添加DLCコーティング-Ni-Ti合金ステント・・・・・・・・・・・・180 （慶大院理工，東海大医/慶大院理工＊，東海大医＊＊）○田中美夏，長谷部光泉＊，前川駿人，金澤寛貴，大和裕哉，白幡智史，尾藤健太，松本知博＊＊，堀田篤，鈴木哲也 |
| P2-17 | 最先端Co-Cr製心臓冠動脈ステントへのフッ素添加DLCコーティングの応用：中間層膜質制御による密着性向上・・・・182 （慶大院理工，東海大医/慶大院理工＊，東海大医＊＊）○中野裕揮，長谷部光泉＊，前川駿人，金澤寛貴，大和裕哉，白幡智史，尾藤健太，松本知博＊＊，堀田 篤，鈴木哲也 |
| P2-18 | DLC膜の光学特性による細胞親和性評価・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・184 （東京電機大，ﾅﾉﾃｯｸ＊，茨城大＊＊，堀場製作所＊＊＊，ｷﾝｸﾞ･ｻｳﾄﾞ大＊＊＊＊，長岡技科大＊＊＊＊＊，物材機構＊＊＊＊＊＊）○多田晴菜，馬渕康史，日比野麻衣， 大越康晴，平塚傑工＊，尾関和秀＊＊，中森秀樹＊，森山 匠＊＊＊，ﾅﾀﾘｱ ﾅﾊﾞﾄﾊﾞ ｶﾞﾊﾞｲﾝ＊＊＊，桜井正行＊＊＊，佐藤慶介，Ali Alanazi＊＊＊＊，斎藤秀俊＊＊＊＊＊，平栗健二，深田直樹＊＊＊＊＊＊，福井康裕 |
| P2-19 | 酸素プラズマ処理によるa-C:H膜の表面改質・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・186 （東京電機大）○河内佑太，依田裕治，本間章彦，平栗健二，大越康晴 |
| P2-20 | アモルファス窒化炭素薄膜の光誘起体積変化に及ぼす光熱効果・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・188 （防衛大）○原田人萌，青野祐美，北沢信章，渡邉芳久 |
| P2-21 | マイクロ波プラズマCVDにより合成した窒化炭素のCVDダイヤモンドに対する摩擦摩耗特性・・・・・・・・・・・・190 （千葉工大院，千葉工大＊）○田中一平，坂本幸弘＊ |
| P2-22 | セラミックスコーティングを施したcBN粉を用いたcBN焼結体の基礎研究・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・192 （三菱マテリアル）○矢野雅大，宮下庸介，大橋忠一 |
| P2-23 | 超硬質材料のためのホイール式摩耗試験機の開発・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・194 （日工大院，日工大＊）○宮田智史，町田成康，福長 脩，竹内貞雄 |
| P2-24 | sp3ネットワークポリマー焼成による新規炭素材料の合成・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・196 （北大院，北大工＊）○大見浩輔，長谷川幸樹＊，柳瀬 隆，長浜太郎，島田敏宏 |
| P2-25 | ダイヤモンド基板を用いた酸化チタン光触媒反応の活性化メカニズム・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・198 （東京理科大院，東京理科大理工＊，東京理科大総合＊＊，東京理科大＊＊＊）○菱沼良太，杉山侑生＊，寺島千晶＊＊，中田一弥＊，近藤剛史＊，湯浅 真＊，藤嶋 昭＊＊＊ |
| P2-26 | リンドープダイヤモンドの電気化学特性・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・200 （慶大理工，住友電工＊，物材機構＊＊，慶大理工/CREST(JST)＊＊＊）○椋田 雄，渡辺剛志，植田暁彦＊，西林良樹＊，山本 卓＊＊，小泉 聡＊＊，栄長泰明＊＊＊ |
| P2-27 | ダイヤモンドナノ粒子の光触媒効果とその高活性化の検討・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・202 （東京理科大，オーク製作所＊）○岡田成美，近藤剛史，栗山晴男＊，児玉泰孝，P. Sudhagar，中田一弥，寺島千晶，藤嶋 昭，相川達男，湯浅 真 |
| P2-28 | ホウ素ドープダイヤモンド電極における電解腐食機構の考察・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・204 （慶大理工，慶大理工/CREST(JST)＊）○柏田 健，渡辺剛志，栄長泰明＊ |
| P2-29 | MnO2 修飾ダイヤモンド電極の作製と電気化学キャパシタへの応用・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・206 （東京理科大）○池添哲司，近藤剛史，相川達男，湯浅 真 |
| P2-30 | ホウ素ドープダイヤモンドの電気化学特性に対する面方位の影響・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・208 （慶大理工，慶大理工/CREST(JST)＊）○松井貴裕，渡辺剛志，栄長泰明＊ |
| P2-31 | ナノカプセル法によるボロンドープダイヤモンドパウダーへの白金担持と燃料電池カソード触媒への応用・・・・・・・210 （東京理科大）○菊池美穂子，近藤剛史，相川達男，湯浅 真 |
| P2-32 | ホウ素ドープダイヤモンドを用いた電気化学測定用マイクロデバイスの作製・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・212 （慶大理工，慶大理工/CREST(JST)＊）○柴野修平，前田英人，渡辺剛志，松本佳宣，栄長泰明＊ |
| P2-33 | ニードル型ダイヤモンドマイクロリング電極の作製と評価・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・214 （東京理科大）○日下大樹，近藤剛史，相川達男，湯浅 真 |
| P2-34 | ホウ素ドープダイヤモンド電極を用いたグルコースセンサーの開発・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・216 （慶大理工，慶大理工/CREST(JST)＊）○石井雄也，渡辺剛志，Tribidasari A. Ivandini，栄長泰明＊ |
| P2-35 | ナノダイヤモンド粒子を用いた新規多孔質材料の作製及びHPLC カラム担体への応用・・・・・・・・・・・・・・・・218 （東京理科大）○齋藤 徹，近藤剛史，相川達男，湯浅 真 |
| P2-36 | カルボキシル基終端ダイヤモンドによるATP検出・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・220 （早大理工）○楢村卓朗，明道三穂，稲葉優文，石山雄一郎，ﾑｽﾘﾝﾀﾞ ｱﾌﾞﾄﾞﾙ ﾗﾋﾑ，平岩 篤，川原田 洋 |
| P2-37 | アルケンを用いた熱反応によるダイヤモンドナノ粒子の表面化学修飾・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・222 （東京理科大）○伊藤彩香，近藤剛史，相川達男，湯浅 真 |
| P2-38 | パラジウムナノ粒子内包ダイヤモンド球状粒子の鈴木カップリング反応触媒への応用・・・・・・・・・・・・・・・・224 （東京理科大）○甲斐恵理子，近藤剛史，相川達男，湯浅 真 |
特別講演１７：３０～１８：３０ 座長 小出康夫（物材機構） 「PlasmaとDiamondとcBN」 講演者 物質・材料研究機構 フェロー 吉田 豊信 氏 |
懇親会（於：東京電機大学）１８：４０～ |
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第３日目（１１月２１日）
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９：４０～１１：００ 座長 町田友樹（東大･生産技研） |
| 301 | ダイヤモンドpin構造による高線量γ線検出・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・236 （物材機構，日立製作所＊，北大＊＊，物材機構･CREST/JST＊＊＊）○大谷亮太，山本 卓，上野克宜＊，佐々木敬介＊，田所孝広＊，桑原 均＊，坪田雅功＊＊，金子純一＊＊，小泉 聡＊＊＊ |
| 302 | 高電圧応用に向けたダイヤモンド縦型PiNダイオードの電気特性・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・238 （東芝研開，産総研･CREST(JST)＊）○鈴木真理子，酒井忠司，牧野俊晴＊，加藤宙光＊，竹内大輔＊，小倉政彦＊，大串秀世＊，山崎 聡＊ |
| 303 | (111)基板上の横型p-n接合ダイオードの作製と評価・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・240 （東工大，産総研＊，青学大＊＊）○佐藤一樹，岩崎孝之，清水麻希，加藤宙光＊，牧野俊晴＊，小倉政彦＊，竹内大輔＊，山崎 聡＊，中村新一＊＊，澤邊厚仁＊＊，波多野睦子 |
| 304 | ダイヤモンドPINダイオード型NEA電子源を利用した真空スイッチ(III)・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・242 （産総研ｴﾈ･ALCA(JST)･CREST(JST) ，物材機構･ALCA(JST)･CREST(JST)＊，産総研ｴﾈ･筑波大＊＊，産総研ｴﾈ･ALCA(JST)･CREST(JST)･筑波大＊＊＊）○竹内大輔，小泉 聡＊，牧野俊晴，加藤宙光，小倉政彦＊，川島宏幸＊＊，大串秀世，大橋弘通，山崎 聡＊＊＊ |
１１：００～１１：２０ 休 憩 |
オ－ラルセッション９ |
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１１：２０～１２：４０ 座長 小泉 聡（物材機構） |
| 305 | ダイヤモンドMESFETの高電圧ブレークダウン特性・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・244 （産総研）○梅沢 仁，松本 猛，鹿田真一 |
| 306 | ダイヤモンド(001)表面上のオーミック電極の障壁高さ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・246 （青学大，物材機構＊）○河野省三，寺地徳之＊，市川公善，児玉英之，澤邊厚仁 |
| 307 | EB蒸着法によりp型ダイヤモンド上に形成したTiCN/Pt/Au電極のTLM評価・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・248 （阪府大，産総研＊）○鈴木聡一郎，根崎基信，岡本尚樹，齊藤丈靖，近藤和夫，松本 翼＊，牧野俊晴＊，小倉政彦＊，加藤宙光＊，竹内大輔＊，山崎 聡＊，大串秀世＊ |
| 308 | アモルファス窒化炭素薄膜の抵抗率と雰囲気圧力依存性・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・250 （防衛大）○田村尚之，青野祐美，宮﨑 尚，北沢信章，渡邉芳久 |
１２：４０～１３：４０ 昼 休 み |
オ－ラルセッション１０ |
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１３：４０～１４：４０ 座長 波多野睦子（東工大） |
| 309 | Si基板上に形成したAlN層上へのSiCヘテロエピタキシャル成長・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・256 （弘前大）○目黒一熙，成田次理，上村駿洋，中澤日出樹 |
| 310 | CVDプラズマへの原料固体挿入によるダイヤモンドへのドーピング・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・258 （北大工院）○島田敏宏，田村貴大，柳瀬 隆，長浜太郎 |
| 311 | （１１１）面ダイヤモンド基板の製造とその特性・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・260 （イーディーピー）○古橋匡幸，藤森直治 |
１４：４０～１５：００ 休 憩 |
オ－ラルセッション１１ |
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１５：００～１５：４０ 座長 葛巻 徹（東海大） |
| 312 | ダイレクトウェハ化による低転位単結晶ダイヤモンド基板の作製・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・262 （産総研）○加藤有香子，杢野由明，坪内信輝，茶谷原昭義，山田英明，鹿田真一 |
| 313 | 複屈折像による簡便な転位解析の模索・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・264 （産総研）○加藤有香子，梅沢 仁，鹿田真一 |
■ 優秀講演賞について優秀講演賞の選考対象となる発表には講演番号の前に△印が付記されています。 |
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