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ダイヤモンドシンポジウム講演プログラム（第２９回）

 

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　第２９回　ダイヤモンドシンポジウム講演プログラム

 

日　時：平成27年11月17日（火）～19日（木）

会　場：東京理科大学　葛飾キャンパス

第1日（１１月１７日）
オーラルセッション１
　スペース ０９：４０～１１：２０ 座長　大曲新矢（産総研）
101 高温高圧合成ダイヤモンド単結晶の積層欠陥の放射光Ｘ線トポグラフィ観察・・・・・・・・・・4
（佐賀大院，住友電工＊）○桝谷聡士，花田賢志，植松卓巳，森林朋也，角谷　均＊，嘉数　誠
102 格子状核発生領域からの10mm角ヘテロエピタキシャルダイヤモンド作製・・・・・・・・・・6
（青学大理工，ﾄｳﾌﾟﾗｽｴﾝｼﾞﾆｱﾘﾝｸﾞ＊）○黒根健吾，児玉英之，鈴木一博＊，澤邊厚仁
103 ダイレクトウェハ化技術を用いた無色単結晶ダイヤモンドの作製・・・・・・・・・・8
（イーディーピー）○古橋匡幸，藤森直治
△ 104 マイクロ波液中プラズマ装置を用いたダイヤモンド合成法の開発・・・・・・・・・・10
（東理大理工，旭ﾀﾞｲﾔ＊，東理大光触媒セ＊＊，東理大光触媒セ/旭ﾀﾞｲﾔ＊＊＊，東理大理工/東理大光触媒セ＊＊＊＊）○菱沼良太，原田洋平＊，寺島千晶＊＊，上塚　洋＊＊＊，中田一弥＊＊＊＊，近藤剛史＊＊＊＊，湯浅　真＊＊＊＊，藤嶋　昭＊＊
△ 105 パルスバイアス核形成による3C-SiC（111）/Si（111）上へのダイヤモンドヘテロエピタキシャル成長・・・・・・・12
（東工大院）○須藤建瑠，矢板潤也，岩崎孝之，波多野睦子
　
１１：２０～１１：４０　休憩

オ－ラルセッション２
　スペース １１：４０～１２：４０　座長　寺地徳之（物材機構）
△ 106 ダイヤモンドNV中心における電界によるスピンコヒーレンス時間の増大・・・・・・・・・・14
（阪大基礎工/JST-CREST，阪大基礎工＊，NTT物性＊＊）○小林悟士，森下弘樹＊，松崎雄一郎＊＊，三輪真嗣＊，鈴木義茂＊，水落憲和
△ 107 [111]へ選択配向したアンサンブルNVセンターを含むダイヤモンド薄膜合成・・・・・・・・・・16
（東工大/JST-CREST）○小澤勇斗，田原康佐，岩崎孝之，波多野睦子
△ 108 表面終端と空乏層厚の変化による浅いNVセンターの電荷状態制御・・・・・・・・・・18
（早大，筑波大＊，原子力機構＊＊，物材機構＊＊＊）○加藤かなみ，山野　楓，蔭浦泰資，柴田将暢，稲葉優文，小池悟大，谷井孝至，磯谷順一＊，小野田　忍＊＊，寺地徳之＊＊＊，川原田　洋
　
１２：４０～１３：４０　昼 休 み

オ－ラルセッション３
　スペース １３：４０～１５：００　座長　水落憲和（阪大）
△ 109 keVからサブGeVのイオン注入を用いて形成したNVセンターの特性評価・・・・・・・・・・20
（原子力機構，原子力機構/群馬大＊，物材機構＊＊，筑波大＊＊＊，ｳﾙﾑ大＊＊＊＊，早大＊＊＊＊＊）○小野田忍，春山盛善＊，寺地徳之＊＊，磯谷順一＊＊＊，C.Müller＊＊＊＊,L.McGuinness＊＊＊＊,P.Balasubramanian＊＊＊＊,B.Naydenov＊＊＊＊,F.Jelezko＊＊＊＊，小池悟大＊＊＊＊＊，東又　格＊＊＊＊＊，稲葉優文＊＊＊＊＊，大島　武，加田　渉＊＊，花泉　修＊＊，谷井孝至＊＊＊＊＊，川原田　洋＊＊＊＊＊
110 ナノホールレジストマスクを用いたNVセンタ配列の作製・・・・・・・・・・22
（早大理工，物材機構＊，原子力機構＊＊，ｳﾙﾑ大＊＊＊，東北大＊＊＊＊，筑波大＊＊＊＊＊）○小池悟大，東又格，寺地徳之＊，小野田　忍＊＊，稲葉優文，P.Balasubramanian＊＊＊,B.Naydenov＊＊＊,F.Jelezko＊＊＊，大島　武＊＊，品田高宏＊＊＊＊，川原田　洋，磯谷順一＊＊＊＊＊，谷井孝至
111 ダイヤモンドp-i-n接合におけるNVセンタの電荷状態の変化・・・・・・・・・・24
（東理大/JST-CREST，産総研/JST-CREST＊，東工大＊＊，産総研＊＊＊）○清水麻希，牧野俊晴＊，岩崎孝之，長谷川淳一＊＊，田原康佐＊＊，成木　航＊＊，加藤宙光＊＊＊，山崎　聡＊＊，波多野睦子
△ 112 表面水素終端化による浅いNVセンターへの影響・・・・・・・・・・26
（早大理工，原子力機構＊，物材機構＊＊，筑波大＊＊＊）○山野　颯，稲葉優文，蔭浦泰資，加藤かなみ，小池悟大，谷井孝至，小野田　忍，寺地徳之，磯谷順一，川原田　洋
　
１５：００～１５：２０　休　　憩

オ－ラルセッション４
　スペース １５：２０～１７：００　座長　岩崎孝之（東工大）
113 フィラメントCVD法による高濃度ホウ素ドープダイヤモンド（100）薄膜の擬似格子整合成長・・・・・・・・・・28
（産総研）○大曲新矢，山田英明，茶谷原昭義，鹿田真一，杢野由明
△ 114 高濃度リンドープn型ダイヤモンド薄膜のドナー準位評価・・・・・・・・・・30
（物材機構）○大谷亮太，山本　卓，小泉　聡
△ 115 ボロンドープダイヤモンド超伝導量子干渉計作成に向けたジョセフソン接合特性評価・・・・・・・・・・32
（早大，物材機構＊）○日出幸昌邦，蔭浦泰資，柴田将暢，北林祐哉，山口尚秀＊，高野義彦＊，川原田　洋
△ 116 超伝導ダイヤモンドにおける臨界電流密度の光制御・・・・・・・・・・34
（慶大理工）○夏井敬介，山本崇史，赤堀未来，栄長泰明
117 水素終端ダイヤモンド（001）表面の金オーミック電極の障壁高さ・・・・・・・・・・36
（早大理工，物材機構＊，産総研＊＊，青学理工＊＊＊）○河野省三，寺地徳之＊，竹内大輔＊＊，児玉英之＊＊＊，澤邊厚仁＊＊＊

ポスターセッション
　スペース １７：１０～１８：４０
P1-01 ホウ素ドープダイヤモンド電極を用いた電気化学測定用マイクロ流体デバイスの作製・・・・・・・・・・42
（慶大理工，慶大理工/JST-ACCEL＊）○柴野修平，前田英人，渡辺剛志，松本佳宣，栄長泰明＊
P1-02 有機物存在下におけるホウ素ドープダイヤモンド電極の電解腐食・・・・・・・・・・44
（慶大理工，慶大理工/JST-ACCEL＊）○柏田　健，渡辺剛志，栄長泰明＊
P1-03 Co３O４/ナノダイヤモンド光触媒の作製とCO２還元反応の高活性化の検討・・・・・・・・・・46
（東理大理工，東理大理工/東理大総合院/JST ACT-C＊，ｵｰｸ製作所＊＊，東理大総合院＊＊＊，東理大総合院/JST ACT-C＊＊＊＊，東理大理工/東理大総合院＊＊＊＊＊）○岡田成美，近藤剛史＊，栗山晴男＊＊，P.Sudhagar＊＊＊，中田一弥＊，寺島千晶＊＊＊＊，藤嶋　昭＊＊＊＊，相川達男＊＊＊＊＊，湯浅　真＊
P1-04 白金担持導電性ダイヤモンドパウダーをカソード触媒に用いた固体高分子型燃料電池の発電性能評価・・・・・・・・・・48
（東理大理工，東理大理工/東理大総合院/JST ACT-C＊，東理大理工/東理大総合院＊＊，東理大理工/東理大総合院/JST ACT-CJST ACT-C＊＊＊）○勝俣文耶，菊池美穂子，近藤剛史＊，相川達男，湯浅　真＊＊＊
P1-05 高比表面積ダイヤモンド電極を用いた全固体スーパーキャパシタの作製・・・・・・・・・・50
（東理大理工，東理大理工/東理大総合院/JST ACT-C＊，東理大総合院/JST ACT-C＊＊，東理大理工/東理大総合院＊＊＊）○加藤　敢，近藤剛史＊，寺島千晶＊＊，相川達男＊＊＊，湯浅　真＊
P1-06 ボロンドープダイヤモンド電極を用いたCO2電解酸化による過炭酸化合物の合成・・・・・・・・・・52
（東理大理工，東理大光触媒セ＊，東理大理工/東理大光触媒セ＊＊）○原　愛我，寺島千晶＊，中田一弥＊＊，勝又健一＊，近藤剛史＊＊，湯浅　真＊＊，藤嶋　昭＊
P1-07 ボロンドープダイヤモンドパウダーを用いたマイクロ電極の作製と電気化学特性評価・・・・・・・・・・54
（東理大理工，東理大理工/東理大総合院/JST ACT-C＊，東理大理工/東理大総合院＊＊＊）○日下大樹，近藤剛史＊，相川達男＊＊，湯浅　真＊
P1-08 全固体ｐHセンサを指向した多結晶ボロンドープダイヤモンド溶液ゲート電界効果トランジスタの水素イオン感応性制御・・・・・・・・・・56
（横河電機/早大，早大＊）○新谷幸弘，小河晃太朗，楢村卓朗＊，ﾓﾌﾄﾞｽｸﾘ ｼｬｲﾘ＊，小林幹典＊，五十嵐圭為＊，川原田　洋＊
P1-09 白金ナノ粒子内包多孔質ダイヤモンド球状粒子の作製とシクロヘキサン脱水素反応に対する触媒活性評価・・・・・・・・58
（東理大理工，東理大理工/東理大総合院/JST ACT-C＊，東理大理工/東理大総合院＊＊＊）○辻本竜海，近藤剛史＊，相川達男＊＊，湯浅　真＊
P1-10 凹曲面上に製膜した気相合成ダイヤモンドの軸受け適用の検討・・・・・・・・・・60
（東北大ﾌﾛﾝﾃｨｱ研，東北大工＊，東北大流体＊＊）○三木寛之，佐伯直哉＊，小助川博之＊＊，高木敏行＊＊
P1-11 レーザ局所改質された炭化ケイ素表面のトライボロジー特性・・・・・・・・・・62
（東工大院）○小川光希，安藤翔太郎，青野祐子，平田　敦
P1-12 ホイール式摩擦試験機を用いたセラミックス膜の摩耗特性評価・・・・・・・・・・64
（日工大院，日工大＊）○宮田智史，塩野匠平＊，竹内貞雄＊
P1-13 DLC膜の表面改質を目的とした酸素プラズマ処理の検討・・・・・・・・・・66
（東京電機大）○河内佑太，小出卓也，山口亮弥，荒船龍彦，野口展士，平栗健二，本間章彦，大越康晴
P1-14 フジツボの船底付着防止を目的としたフッ素添加DLC膜の応用の検討・・・・・・・・・・68
（茨城大，北里大＊）○尾関和秀，小松勝男，小川友弥，小野篤広，但野ちなみ，三瓶一真，吉岡　孝，加戸隆介＊
P1-15 発表取消
P1-16 医療応用に向けたDLC膜へのアミノ基修飾の最適化・・・・・・・・・・70
（東京電機大，早大＊）○寺井恭一，村山雄太，馬渕康史，佐藤慶介，大越康晴，水野　潤＊，庄子習一＊，平栗健二
P1-17 生体適合性DLCの光学特性との相関性・・・・・・・・・・72
（東京電機大，ナノテック＊，茨城大＊＊，堀場製作所＊＊＊，長岡技科大＊＊＊＊）○村山雄太，馬渕康史，大越康晴，平塚傑工＊，尾関和秀＊＊，中森秀樹＊，森山　匠＊＊＊，ﾅﾀﾘｱ ﾅﾊﾞﾄﾊﾞ ｶﾞﾊﾞｲﾝ＊＊＊，桜井正行＊＊＊，和才容子＊＊＊，佐藤慶介，斎藤秀俊＊＊＊＊，平栗健二
P1-18 Zn徐放型DLC膜の骨形成促進効果の評価・・・・・・・・・・74
（東京電機大，慈恵医科大＊，ナノテック＊＊，ニチオン＊＊＊）○馬渕康史，上遠野惇市，大越康晴，藤岡宏樹＊，佐藤慶介，平塚傑工＊＊，坪井仁美＊＊，中森秀樹＊＊，益田秀樹＊＊＊，本田宏志＊＊＊，馬目佳信＊，平栗健二
P1-19 多層膜モデルによるアモルファス水素化炭素膜の解析・・・・・・・・・・76
（長岡技科大）○久保暢也，荒川　悟，ｻﾗﾕｯﾄ ﾄｩﾝﾐｰ，周　小龍，小松啓志，斎藤秀俊
P1-20 アモルファス炭素膜の光学定数と構造の関係・・・・・・・・・・78
（長岡技科大，兵庫県立大＊，ｼﾝｸﾛﾄﾛﾝ光研＊＊）○周　小龍，ｻﾗﾕｯﾄ ﾄｩﾝﾐｰ，鈴木常生，神田一浩＊，中島秀樹＊＊，小松啓志，斎藤秀俊
P1-21 X-Ray Photoemission Electron Microscopy Studies of Localized Corrosion on Diamond-Like Carbon Films・・・・・・・・・・80
（長岡技科大，SLRI＊，兵庫県立大＊）○ｻﾗﾕｯﾄ ﾄｩﾝﾐｰ，P.Photongkam＊，周　小龍，荒川　悟，伊藤治彦，神田一浩＊＊，小松啓志，斎藤秀俊
P1-22 大気圧プラズマを用いたDLC膜の表面改質・・・・・・・・・・82
（日工大院，日工大＊）○土屋晃海，白井里歩＊，志賀直斗＊，大崎忠篤＊，竹内貞雄＊
P1-23 ＨｉＰIＭＳ法によるＤＬＣ膜の機械的特性・・・・・・・・・・84
（広島県総技研）○井鷺洋介，縄稚典生，伊藤幸一，筒本隆博
P1-24 数値シミュレーションを用いた装置規模の異なるDLC成膜の挙動の検討・・・・・・・・・・86
（茨城大工，東京電機大工＊）○吉岡　孝，三瓶一真，尾関和秀，平栗健二＊，増澤　徹
P1-25 マイクロ波プラズマCVDによりCF4を炭素源とした窒化炭素の合成・・・・・・・・・・88
（千葉工大院，千葉工大工＊）○田中一平，坂本幸弘＊
P1-26 MWPCVDにより合成した窒化炭素の電界電子放出・・・・・・・・・・90
（千葉工大工，千葉工大院＊）○鎗田滉大，田中一平＊，坂本幸弘
P1-27 マルテンサイト変態によるウルツ鉱型窒化ホウ素の偏光ラマン散乱測定・・・・・・・・・・92
（物材機構）○渡邊賢司，谷口　尚
P1-28 Floating Zone法により合成した単結晶酸化ガリウムのカソードルミネッセンス・・・・・・・・・・94
（産総研）○渡邊幸志，尾崎康子，伊藤利充
P1-29 カーボンオニオンによる石英ガラスへの超平滑面形成・・・・・・・・・・96
（東工大院）○齋藤雄介，青野祐子，平田　敦
P1-30 アモルファス炭素膜の形成したリニアガイドレールの摺動特性評価・・・・・・・・・・98
（東工大院）○河越奈沙，稗田純子，大竹尚登，赤坂大樹
P1-31 鉄鋼材料円管内壁へのＤＬＣコーティング・・・・・・・・・・100
（東工大院）○高村瞭太，稗田純子，赤坂大樹，大竹尚登
P1-32 準大気圧下での大面積ＤＬＣ合成法の開発・・・・・・・・・・102
（東工大院）○舩橋　輝，高村瞭太，長澤　峻，稗田純子，赤坂大樹，大竹尚登

 

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第２日目（１１月１８日）
オ－ラルセッション５
　スペース ９：４０～１０：４０　座長　大橋忠一（三菱ﾏﾃﾘｱﾙ）
201 ダイヤモンドの化学研磨中の発光メカニズム・・・・・・・・・・108
（住友電工）○辰巳夏生，原野佳津子，角谷　均
202 ボロンドープダイヤモンド膜の摩擦・摩耗特性に関する研究・・・・・・・・・・110
（東理大理工，都立産技研セ）○伊藤慧竜，長坂浩志，田所千治，佐々木信也
203 ナノインデンテーション装置のカーボンオニオン粒子圧縮試験への適用・・・・・・・・・・112
（東工大院）○室伏梨穂，樋野悠人，青野祐子，平田　敦
　
１０：４０～１１：００　休　憩

オ－ラルセッション６
　スペース １１：００～１２：００　座長　岡﨑俊也（産総研）
204 低温プラズマ技術により合成したグラフェンの電気特性・・・・・・・・・・114
（産総研）○山田貴壽，沖川侑揮，加藤宙光，石原正統，長谷川雅考
△ 205 貴金属-絶縁基板界面へのグラフェン析出・・・・・・・・・・116
（東大院工，東大生研）○大田祐太朗，神子公男，光田好孝
206 高移動度Twisted二層グラフェンにおける整数量子ホール効果・・・・・・・・・・118
（東大生産研，物材機構＊）○増渕　覚，柏木麗奈，井上尚子，高野佑磨，森川　生，渡邊賢司＊，谷口　尚＊，町田友樹
　
１２：００～１３：００　昼　休　み

オ－ラル　特別セッション「ナノダイヤモンド」
　スペース １３：００～１４：１０ 座長　近藤剛史（東京理科大）､中村挙子（産総研）
207 【基調講演】ナノダイヤモンドの機能化と有機化学・・・・・・・・・・124
（京大院）○小松直樹
208 ナノダイヤモンドの化学気相合成・・・・・・・・・・126
（電通大）○一色秀夫，瀧川修平，小島隆平，小宮一輝，池田鯉雄
△ 209 樹脂の種々の機能向上に対する爆ごう法ナノダイヤモンドの添加効果・・・・・・・・・・128
（ダイセル）○久米篤史，梅本浩一，西川正浩，織田博史，伊藤久義
　
１４：１０～１４：３０　　休憩
　スペース １４：３０～１５：５０　座長　近藤剛史（東京理科大）､中村挙子（産総研）
210 有機溶媒への分散を目指したアルキル鎖修飾ナノダイヤモンドの作製・・・・・・・・・・130
（東理大理工，東理大理工/東理大総合院/JST ACT-C＊，東理大理工/東理大総合院＊＊）○伊藤彩香，近藤剛史＊，相川達男＊＊，湯浅　真＊
211 均一な化学修飾のための爆発法ナノダイヤモンドの機械的な表面処理・・・・・・・・・・132
（名城大理工）○尾関峻輔，小澤理樹
△ 212 パラジウムナノ粒子内包多孔質ダイヤモンド球状粒子を用いた鈴木カップリング反応における触媒活性評価・・・・・・・・・・134
（東理大理工，東理大理工/東理大総合院/JST ACT-C＊，東理大理工/東理大総合院＊＊）○甲斐恵理子，近藤剛史＊，相川達男＊＊，湯浅　真＊
△ 213 白金担持ボロンドープダイヤモンドパウダーを用いたPEFCカソード触媒の耐久性評価・・・・・・・・・・136
（東理大理工，東理大理工/東理大総合院/JST ACT-C＊，東理大理工/東理大総合院＊＊）○菊池美穂子，近藤剛史＊，相川達男＊＊，湯浅　真＊

ポスターセッション
　スペース １６：００～１７：３０
P2-01 パターン加工したサファイアへのエピタキシャルダイヤモンド膜の作製・・・・・・・・・・142
（青学大理工，ﾄｳﾌﾟﾗｽｴﾝｼﾞ＊）○篠崎一輝，児玉英之，鈴木一博＊，澤邊厚仁
P2-02 液中プラズマCVD法によるダイヤモンド合成と物性評価・・・・・・・・・・144
（旭ﾀﾞｲﾔ，東理大理工/東理大光触媒セ＊，東理大光触媒セ＊＊，旭ﾀﾞｲﾔ/東理大光触媒セ＊＊＊）○原田洋平，菱沼良太＊，寺島千晶＊＊，上塚　洋＊＊＊，中田一弥＊，近藤剛史＊，湯浅　真＊，藤嶋　昭＊＊
P2-03 パルスDCプラズマCVDによるダイヤモンドの核発生と成長・・・・・・・・・・146
（阪府大，阪府大院＊，産総研＊）○湯川　光，根崎基信＊，中田洸樹＊，岡本直樹，齊藤丈靖，近藤和夫，山崎　聡＊＊，大串秀世＊＊
P2-04 MPCVD法を用いたNi上での自立多結晶ダイヤモンド膜の成長・・・・・・・・・・148
（金沢大院自然）○伊藤槙哉，渡邊俊介，金田大輝，徳田規夫，猪熊孝夫
P2-05 Niへの炭素の固溶反応を用いたダイヤモンドエッチングプロセスの提案・・・・・・・・・・150
（金沢大院自然）○中西一浩，黒島裕貴，宮田大輔，徳田規夫，猪熊孝夫
P2-06 球型共振器構造MPCVDによるダイヤモンド（111）膜の高速成長・・・・・・・・・・152
（金沢大院自然）○馬場一気，金田大輝，渡邊俊介，徳田規夫，猪熊孝夫
P2-07 HPHT製ｐ＋ダイヤモンド（100）基板の共焦点ラマンマッピング評価・・・・・・・・・・154
（産総研，Khon Kaen大＊，関学大＊＊）○大曲新矢，K.Srimongkon＊，V.Amornkitbamrung＊，加藤有香子，鹿田真一＊＊
P2-08 ダイヤモンド基板の内部ひずみ観察・・・・・・・・・・156
（産総研）○加藤有香子，茶谷原昭義
P2-09 ナノ多結晶ダイヤモンドにおけるヌープ圧痕近傍の応力分布・・・・・・・・・・158
（住友電工）○池田和寛，角谷　均
P2-10 モード変換型マイクロ波プラズマCVDによる高品質ダイヤモンド膜の作製・・・・・・・・・・160
（大亜真空，千葉工大院＊，千葉工大＊＊）○渡邊一永，服部貴大＊，坂本幸弘＊＊
P2-11 WC-Co基板へのダイヤモンド合成における密着性に及ぼす前処理の影響・・・・・・・・・・162
（千葉工大院，千葉工大工＊）○服部貴大，千葉俊之＊，菊池佑介，坂本幸弘＊
P2-12 熱フィラメントCVDによるCH４-NH３-H２系反応ガスを用いた窒素含有ダイヤモンドの合成・・・・・・・・・・164
（千葉工大院，千葉工大工＊）○中田朋貴，田中一平，藤井健人，坂本幸弘＊
P2-13 Si基板上に堆積させたダイヤモンドの単一光子源への応用・・・・・・・・・・166
（電通大院，電通大＊）○小島隆平，小宮一輝，齋藤裕紀＊，山田遼大＊，一色秀夫
P2-14 ボロンドープダイヤモンド膜の平面曲げ疲労特性評価・・・・・・・・・・168
（日工大院，日工大＊）○倉林佑輔，嶋田悠樹＊，関口昴平＊，竹内貞雄＊
P2-15 AlN/ダイヤモンド及びダイヤモンド/AlN/サファイア上のヘテロエピタキシャル成長・・・・・・・・・・170
（物材機構）○井村将隆，Ryan Banal，Jiangwei Liu，小出康夫
P2-16 １１Bエンリッチドープダイヤモンドの合成・・・・・・・・・・172
（北大，産総研＊，関学大＊＊，物材機構＊＊）○坪田雅功，金子純一，坪内信輝＊，鹿田真一，梅沢　仁＊，小泉　聡＊＊，大谷亮太＊＊
P2-17 ダイヤモンドに対するX線耐性評価・・・・・・・・・・174
（北大，産総研＊）○坪田雅功，金子純一，嶋岡毅紘，新名宏章，小泉　均，茶谷原昭義＊，加藤有香子＊，梅沢　仁＊
P2-18 単結晶CVDダイヤモンドにおける電子電荷キャリア輸送特性改善と電子正孔対生成平均エネルギー・ファノ因子の評価・・・・・・・・・・176
（北大，産総研＊）○嶋岡毅紘，金子純一，坪田雅功，新名宏章，茶谷原昭義＊，渡邊幸志＊，梅澤　仁＊，杢野由明＊
P2-19 超硬工具へのダイヤモンドの高速成膜の検討・・・・・・・・・・178
（三菱ﾏﾃﾘｱﾙ，三菱ﾏﾃﾘｱﾙ/JAXA＊）○高島英彰，大島秀夫，高岡秀充＊
P2-20 電子線誘起電流（EBIC）法によるダイヤモンドの欠陥位置の視覚化・・・・・・・・・・180
（早大理工，物材機構＊，青学大理工＊＊）○河野省三，寺地徳之＊，児玉英之＊＊，澤邊厚仁＊＊
P2-21 p型ダイヤモンド上にEB蒸着法で作成したTi化合物/Pt/Au電極のCTLM評価・・・・・・・・・・182
（阪府大院，阪府大＊，産総研＊）○鈴木聡一郎，根崎基信＊，岡本尚樹＊，齊藤丈靖＊，近藤和夫＊，松本　翼＊＊，牧野俊晴＊＊，小倉政彦＊＊，加藤宙光＊＊，竹内大輔＊＊，山崎　聡＊＊，大串秀世＊＊
P2-22 強誘電体VDF/TrFEをゲートとした水素終端ダイヤモンドFETの形成・・184
（金沢大院，東理大＊，金沢大院/産総研/JST,CREST＊＊）○古市浩幹，柄谷涼太，森　陽介，中西一浩，中嶋宇史＊，徳田規夫＊＊，川江　健
P2-23 同位体超格子ダイヤモンドにおける格子振動・・・・・・・・・・186
（東工大院）○坂東優樹，斎藤　晋
P2-24 グラフェンナノリボンのプラズモン共鳴・・・・・・・・・・188
（産総研）○生田美植，森本崇宏，岡﨑俊也
P2-25 熱CVD法で合成したCNTの形態に及ぼす金属触媒の影響・・・・・・・・・・190
（東海大院，東海大＊，東海大院/東海大＊＊）○大熊真之介，赤堀直紀，中村健太＊，青木孝史＊，葛巻　徹＊＊
P2-26 C６０薄膜を利用したCu、Ni薄膜触媒を用いた透明導電膜の形成・・・・・・・・・・192
（東海大院，東海大工＊，産総研＊＊）○岩村真歩，石井一樹＊，山田貴壽＊＊，葛巻　徹
P2-27 通電加熱によるCNT紡績糸の引張強度の向上・・・・・・・・・・194
（東海大院，岡山大院＊）○佐藤　匡，中込和輝，村山拓哉，飯島　徹＊，稲垣裕大＊，林　靖彦＊，葛巻　徹
P2-28 ポリマー焼成法による炭素の準安定相合成を目指して：Z-carbon合成の可能性・・・・・・・・・・196
（北大工院，北大総院＊，北大工＊＊）○柳瀬　隆，長谷川幸樹＊，上部宏晃＊＊，長浜太郎，島田敏宏
P2-29 グラファイトとケイ素の混合ターゲットの高圧ガス中レーザー蒸発法による形状の異なったナノ構造の形成・・・・・・・・・・198
（三重大）○小海文夫，内山邦宏，野口絵里子，澤田直樹，小柳津章太，小塩　明
P2-30 カーボン系材料の光化学修飾法を利用した各種形状フッ素官能基化ポリマー材料の作製・・・・・・・・・・200
（産総研）○中村挙子，大花継頼，土屋哲男
P2-31 nin構造を用いたダイヤモンドNV中心の電荷状態制御・・・・・・・・・・202
（阪大基礎工，産総研/CREST＊，東工大/CREST＊＊，東理大/CREST＊＊＊，阪大基礎工/CREST＊＊＊）○村井拓哉，牧野俊晴＊，加藤宙光＊，土井悠生，鈴木義茂，波多野睦子＊＊，清水麻希＊＊＊，山崎　聡＊，水落憲和＊＊＊＊

特別講演

１７：４０～１８：４０　座長　小出康夫（物材機構）

「研究と出逢った方々」・・・・・・・・・・207

講演者

神鋼リサーチ株式会社　小橋　宏司　氏

懇親会

（於：東京理科大学）１８：５０～

 

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第３日目（１１月１９日）
オ－ラルセッション７
　スペース ９：２０～１０：４０　座長　赤坂大樹（東工大）
301 カーボンオニオン添加による電気二重層キャパシタの大容量化とその基礎特性の評価・・・・・・・・・・212
（東工大院）○早稲田大輝，石井湧太，青野祐子，平田　敦
302 アモルファス水素化炭素膜の有効媒質理論を用いた構造評価・・・・・・・・・・214
（長岡技科大）○荒川　悟，周　小龍，ｻﾗﾕｯﾄ ﾄｩﾝﾐｰ，小松啓志，斎藤秀俊
303 アモルファス窒化炭素薄膜の構造・電気特性に及ぼす雰囲気圧力の影響・・・・・・・・・・216
（防衛大，東北大＊）○田村尚之，青野祐美，北沢信章，渡邉芳久，石井信伍＊，佐藤庸平＊，寺内正己＊
304 アモルファス窒化炭素薄膜におよぼす成膜圧力の影響とその光誘起変形・・・・・・・・・・218
（防衛大）○原田人萌，青野祐美，北沢信章，渡邉芳久
　
１０：４０～１１：００　休　憩

オ－ラルセッション８
　スペース １１：００～１２：２０　座長　加藤有香子（産総研）
305 レーザーアブレーション法を用いたAlN/Si（110）基板上のSiCヘテロエピタキシャル成長・・・・・・・・・・220
（弘前大）○成田舜基，目黒一煕，中澤日出樹
306 選択成長法によるIr（001）/α-Al２O３（1120）へのエピタキシャルダイヤモンド膜の作製と評価・・・・・・・・・・222
（青学大理工，ﾄｳﾌﾟﾗｽｴﾝｼﾞ＊）○日比谷　篤，児玉英之，鈴木一博＊，澤邊厚仁
307 マイクロ波プラズマCVDを用いたSi基板上への高配向ダイヤモンドの選択成長・・・・・・・・・・224
（電通大）○小宮一輝，小島隆平，山田遼大，齋藤裕紀，一色秀夫
308 ｛111｝リンドープダイヤモンド成長の基板オフ角依存性・・・・・・・・・・226
（物材機構）○小泉　聡，山本　卓，大谷亮太，S.Janssens
　
１２：２０～１３：２０　　昼　休　み

オ－ラルセッション９
　スペース １３：２０～１４：２０　座長　金子純一（北大）
309 窒素添加ダイヤモンドを用いた平板型電子源の開発・・・・・・・・・・232
（国際基督教大，静岡大＊，産総研＊＊）○胡谷大志，増澤智昭＊，山田貴壽＊＊，落合　潤，斎藤市太郎，岡野　健
310 ダイヤモンドPINダイオード型NEA電子源を利用した真空スイッチ（IV）・・・・・・・・・・234
（産総研/ALCA/CREST，物材機構＊，産総研/ALCA/CREST＊＊）○竹内大輔，小泉　聡＊，牧野俊晴，加藤宙光，小倉政彦，川島宏幸＊＊，桑原大輔＊＊，大串秀世，大橋弘通，山崎　聡
311 デバイス特性評価に向けたダイヤモンドp-n接合デバイスへの発光センター形成・・・・・・・・・・236
（東工大院/CREST，東工大院＊，産総研/CREST＊＊）○岩崎孝之，成木　航＊，田原康佐＊，清水麻希，加藤宙光＊＊，牧野俊晴＊＊，小倉政彦＊＊，竹内大輔＊＊，山崎　聡＊＊，波多野睦子
　
１４：２０～１４：４０　休　憩

オ－ラルセッション１０
　スペース １４：４０～１５：４０　座長　竹内大輔（産総研）
312 NO2によるホールドーピングを用いて作製した水素終端ダイヤモンド電界効果トランジスタの電気特性・・・・・・・238
（佐賀大院）○花田賢志，古賀優太，原田和也，大石敏之，嘉数　誠
△ 313 水素終端ダイヤモンドMISFETノーマリーオン/オフの制御・・・・・・・・・・240
（物材機構）○劉　江偉，廖　梅勇，井村将隆，小出康夫
△ 314 高耐圧・高電流密度を有するノーマリオフC-HダイヤモンドMOSFET・・・・・・・・・・242
（早大）○工藤拓也，北林祐哉，山田哲也，許　徳琛，斉藤俊輝，松村大輔，林　佑哉，平岩　篤，川原田　洋

■ 優秀講演賞について

優秀講演賞の選考対象となる発表には講演番号の前に△印が付記されています。

 

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