ダイヤモンドシンポジウム講演プログラム（第３０回）
|
第３０回 ダイヤモンドシンポジウム講演プログラム |
|
日 時：平成28年11月16日（水）～18日（金） 会 場：東京大学 駒場リサーチキャンパス 第1日（１１月１６日）
|
 |
９：４０～１０：４０ 座長 寺地徳之（物材機構） |
| △ 101 | 格子状核発生領域を用いたヘテロエピタキシャルダイヤモンドの転位低減・・・・・・・・・・4 （青学大理工，ﾄｳﾌﾟﾗｽｴﾝｼﾞﾆｱﾘﾝｸﾞ＊）○市川公善，児玉英之，鈴木一博＊，澤邊厚仁 |
| △ 102 | パルスバイアス核形成および選択的エッチング効果を用いた3C-SiC/Si上への（111）高配向ダイヤモンドの合成・・・・・・・・・・6 （東工大院）○須藤建瑠，矢板潤也，岩崎孝之，波多野睦子 |
| 103 | ソリッドステート方式マイクロ波源を用いたマイクロ波プラズマCVD法によるホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜の合成・・・・・・・・・・8 （産総研，慶大＊）○渡邊幸志，石川豊史，伊藤公平＊ |
１０：４０～１１：００ 休憩 |
オ－ラルセッション２ |
| |
１１：００～１２：４０ 座長 水落憲和（京大）､岩崎孝之（東工大） |
| △ 104 | ミリ秒を超えるコヒーレンス時間を実現するための熱処理条件の最適化・・・・・・・・・・10 （量研機構，群馬大/量研機構＊，物材機構＊＊，筑波大＊＊＊，早大＊＊＊＊，群馬大＊＊＊＊＊）○小野田 忍，立見和雅＊，春山盛善＊，寺地徳之＊＊，磯谷順一＊＊＊，山野 楓＊＊＊＊，川原田 洋＊＊＊＊，加田 渉＊＊＊＊＊，花泉 修＊＊＊＊＊，大島 武 |
| △ 105 | 量子センシングのための浅い単一NVセンターの規則配列形成：イマージョンオイル中の水素核スピン計測・・・・・・・・・・12 （早大理工，物材機構＊，量研機構＊＊，量研機構/群馬大＊＊＊，ｳﾙﾑ大＊＊＊＊，東北大＊＊＊＊＊，群馬大＊＊＊＊＊＊，筑波大＊＊＊＊＊＊＊）○東又 格，岡田拓真,加賀美 理沙,寺地徳之＊，小野田 忍＊＊，春山盛善＊＊＊,山田圭介＊＊,稲葉優文，山野 楓,P.Balasubramanian＊＊＊＊,F.Stuener＊＊＊＊,S.Schmitt＊＊＊＊,L.McGuinnessov＊＊＊＊,F.Jelezko＊＊＊＊，大島 武＊＊，品田高宏＊＊＊＊＊，川原田 洋，加田 渉＊＊＊＊＊＊,花泉 修＊＊＊＊＊＊,磯谷順一＊＊＊＊＊＊＊，谷井孝至 |
| 106 | 酸素雰囲気中の熱処理による浅いNVセンターのスピン特性改善・・・・・・・・・・14 （早大理工，量研機構/群馬大＊，量研機構＊＊，群馬大＊＊＊，物材機構＊＊＊＊，筑波大＊＊＊＊＊）○河合 空，山野 楓，梶家美貴，加藤かなみ，蔭浦泰資，稲葉優文，岡田拓真,東又 格,春山盛善＊＊＊,谷井孝至，山田圭介＊＊,小野田 忍＊＊，加田 渉＊＊＊，花泉 修＊＊＊,寺地徳之＊＊＊＊,磯谷順一＊＊＊＊＊，川原田 洋 |
| 107 | nin接合によるダイヤモンドNV中心の電荷状態制御・・・・・・・・・・16 （阪大，産総研/CREST＊，CREST/東工大＊＊，CREST/東理大＊＊＊，CREST/京大＊＊＊＊）○村井拓哉，牧野俊晴＊，加藤宙光＊，土井悠生，鈴木義茂，波多野睦子＊＊，山崎 聡＊，清水麻希＊＊＊，森下弘樹＊＊＊＊，藤原正規＊＊＊＊，水落憲和＊＊＊＊ |
| △ 108 | パルスODMR測定法を用いたNVセンター近傍の常磁性欠陥の評価・・・・・・・・・・18 （群馬大/量研機構，量研機構＊，物材機構＊＊，早大＊＊＊，群馬大＊＊＊＊，筑波大＊＊＊＊＊）○春山盛善，小野田 忍＊，寺地徳之＊＊，山野 楓＊＊＊，川原田 洋＊＊＊，加田 渉＊＊＊＊，大島 武＊，磯谷順一＊＊＊＊＊，花泉 修＊＊＊＊ |
１２：４０～１３：４０ 昼 休 み |
オ－ラルセッション３ |
| |
１３：４０～１５：００ 座長 加藤宙光（産総研） |
| 109 | 高濃度リンドープn型ダイヤモンド薄膜の作製と電気特性評価・・・・・・・・・・20 （物材機構）○小泉 聡，嶋岡毅紘 |
| 110 | ホウ素ドープダイヤモンドのエピタキシャル成長・・・・・・・・・・22 （イーディーピー）○古橋匡幸，藤森直治 |
| △ 111 | 超伝導ボロンドープダイヤモンド中の格子歪みと格子緩和・・・・・・・・・・24 （早大理工，物材機構＊，）○蔭浦泰資，柴田将暢，山口尚秀＊，高野義彦＊，川原田 洋 |
| 112 | Si基板上に選択エピタキシャル成長したダイヤモンド・マイクロキューブからのSi-V中心発光・・・・・・・・・・26 （電通大）○一色英夫，齋藤裕紀，猪野圭介，渡邊裕太，山田遼大 |
１５：００～１５：２０ 休 憩 |
オ－ラルセッション４ |
| |
１５：２０～１７：００ 座長 岡﨑俊也（産総研） |
| 113 | 炭素/スズの高圧ガス中連続発振レーザー蒸発法によるナノ構造形成・・・・・・・・・・28 （三重大院）○小海文夫，冨田裕誉，下垣光明，小塩 明 |
| △ 114 | ダイヤモンドへのイオン注入・高温アニールによる表面形成物・・・・・・・・・・30 （早大，トヨタ自＊）○稲葉優文，関 章憲＊，佐藤和明＊，櫛田知義＊，平岩 篤，川原田 洋 |
| △ 115 | 計算化学を適用した炭素材料のX線光電子分光分析・・・・・・・・・・32 （千葉大，鹿児島大＊，熊本大＊＊）○山田泰弘，藤本彩花，Jungpil Kim，仙田貴滉，佐藤智司，久保臣悟＊，鯉沼陸央＊＊ |
| 116 | CL発光波長の異なるh-BNドメインが与えるTMD光学特性への影響・・・・・・・・・・34 （東大生研，物材機構＊，東大生研/東大ﾅﾉ量子/CREST＊＊）○諌山都子，荒井美穂，星 祐介，渡邊賢司＊，谷口 尚＊，町田友樹＊＊ |
| △ 117 | グラフェン櫛形npn接合を用いたDirac Fermion波の制御・・・・・・・・・・36 （東大生研，CNRS Paris＊，物材機構＊＊，東大生研/東大ﾅﾉ量子/CREST＊＊＊）○森川 生，Q.Wilmart＊，増渕 覚，渡邊賢司＊＊，谷口 尚＊＊，B.Placais＊，町田友樹＊＊＊ |
ポスターセッション |
| |
１７：１０～１８：４０ |
| P1-01 | フッ素を添加した水素フリー非晶質炭素薄膜：補助人工心臓への実用応用・・・・・・・・・・42 （慶大院理工，慶大院理工/東海大医＊，東海大医＊＊）○前川駿人，長谷部光泉＊，尾藤健太，大和裕哉，林 敏彦＊＊，嶺 貴彦＊＊，松本知博＊，堀田 篤，鈴木哲也 |
| P1-02 | 骨形成効果を持つZn含有DLCの膜構造評価・・・・・・・・・・44 （東京電機大，慈恵医科大＊，ナノテック＊＊，ニチオン＊＊＊）○上遠野惇市，馬渕康史，藤岡宏樹＊，大越康晴，佐藤慶介，平塚傑工＊＊，中森秀樹＊＊，益田秀樹＊＊＊，本田宏志＊＊＊，馬目佳信＊，平栗健二 |
| P1-03 | 高周波プラズマCVD法による粉体状炭素の基礎物性評価・・・・・・・・・・46 （東京電機大，茨城大＊）○寺井恭一，佐藤慶介，大越康晴，尾関和秀＊，平栗健二 |
| P1-04 | DLC膜と基材との硬度差による密着性への影響・・・・・・・・・・48 （東大院，東大生研＊）○千原卓人，神子公男＊，光田好孝＊ |
| P1-05 | 大気圧プラズマを用いたDLC膜の表面改質による接着力の評価・・・・・・・・・・50 （日工大院，日工大＊）○土屋晃海，渡部 慧，竹内貞雄＊ |
| P1-06 | 磁場を重畳したPBII法による窒化炭素膜の形成・・・・・・・・・・52 （日工大院，日工大＊）○長南誠宏，陳 本栄，渡部修一＊ |
| P1-07 | pin接合型DLC太陽電池のi層の内部構造が光吸収・導電性及び変換効率に与える効果・・・・・・・・・・54 （慶大理工，ナノテック＊）○柴田悠介，山内捺生弥，平塚傑工＊，鈴木哲也 |
| P1-08 | 表面微細孔の形成によるナノカーボン固体潤滑層の安定化・・・・・・・・・・56 （東工大）○西村優汰，水田翔太，青野祐子，平田 敦 |
| P1-09 | 大気圧プラズマCVD法を用いて合成した非晶質炭素薄膜の耐候性・・・・・・・・・・58 （慶大理工）○稲葉怜子，岸本英一，白倉 昌，鈴木哲也 |
| P1-10 | セルスタック構造による微生物燃料電池の高出力化・・・・・・・・・・60 （東工大院，東工大＊，名大＊＊）○河越雅雄，山中康平＊，稗田純子＊＊，赤坂大樹＊，大竹尚登 |
| P1-11 | 垂直配向グラフェンの光学特性評価・・・・・・・・・・62 （単層CNT，産総研＊）○比佐 允，山田貴壽＊，長谷川雅考＊ |
| P1-12 | 熱CVD法で作製したCNTの製糸化における金属触媒形成の最適化・・・・・・・・・・64 （東海大院，東海大工＊）○中村健太，葛巻 徹＊，斉藤一輝＊，白石 大＊ |
| P1-13 | C６０を固体炭素源とする透明導電膜の形成・・・・・・・・・・66 （東海大院，東海大工＊，産総研＊＊）○石井一樹，葛巻 徹＊，岩村真歩，東野浩昴＊，臼井美記＊，山田貴壽＊＊ |
| P1-14 | 通電加熱によるCNT紡績糸の高強度化に関する研究・・・・・・・・・・68 （東海大工，東海大院＊，岡山大院＊＊）○村山拓哉，佐藤 匡＊，葛巻 徹＊，森 典生，飴矢尚文，飯島 徹＊＊，林 拓磨＊＊，林 靖彦＊＊ |
| P1-15 | カーボンナノファイバー含有金属厚膜のコールドスプレー法による作製・・・・・・・・・・70 （東工大）○赤坂大樹，阿多誠久，大竹尚登 |
| P1-16 | コバルトシリサイドを担持材としたコバルト触媒からのSWCNTの低温高密度成長・・・・・・・・・・72 （日工大）○金 時蒼，佐藤知彦，石川 豊 |
| P1-17 | 垂直配向グラフェンからの電界電子放出・・・・・・・・・・74 （産総研）○山田貴壽，長谷川雅考 |
| P1-18 | CNTを負極とする全固体型リチウムイオン電池の拡散接合による形成・・・・・・・・・・76 （東海大院，東海大工＊）○赤堀直紀，葛巻 徹＊，小形昌也，鶴岡 実＊，芳澤 茜＊ |
| P1-19 | 陽極酸化と陰極還元処理を施したダイヤモンド電極の電気化学特性・・・・・・・・・・78 （慶大理工，理研＊）○笠原誠司，夏井敬介，横田泰之＊，金 有洙＊，栄長泰明 |
| P1-20 | オゾン水の機能化を目指したダイヤモンド電極デバイスの開発・・・・・・・・・・80 （東理大理工，東理大総合院/光触媒セ＊，東理大理工/東理大総合院光触媒セ＊＊）○原 愛我，寺島千晶＊，鈴木孝宗＊，中田一弥＊＊，勝又健一＊，近藤剛史＊＊，湯浅 真＊＊，藤嶋 昭＊ |
| P1-21 | ホウ素ドープダイヤモンド電極によるin vivo測定を指向したオキシトシンの電気化学測定・・・・・・・・・・82 （慶大理工）○浅井 開，栄長泰明 |
| P1-22 | ＳＦ６プラズマ処理によるダイヤモンド電極の表面改質・・・・・・・・・・84 （東理大理工）○川村優実，近藤剛史，早瀬仁則，相川達男，湯浅 真 |
| P1-23 | 分散性改善するための気相処理によるナノダイヤモンドの表面修飾・・・・・・・・・・86 （ダイセル）○劉 明，西川正浩，伊藤久義 |
| P1-24 | CFRP材の切削時におけるダイヤモンド被覆工具およびCFRP材の解析・・・・・・・・・・88 （三菱マテリアル）○赤星祐樹，高島英彰，高岡秀充，藤原和崇 |
| P1-25 | ダイヤモンドコーティングした超硬合金基板の平面曲げにおける疲労限度・・・・・・・・・・90 （日工大院，日工大＊）○倉林佑輔，淺場知紀，竹内貞雄＊ |
| P1-26 | 中和滴定によるダイヤモンド粒子の表面酸性官能基の定量評価・・・・・・・・・・92 （山形大院，山形工技ｾﾝﾀｰ＊，アダマス＊）○浅井隆秀，後藤晃哉，高橋辰宏，大津加慎教＊，鈴木庸久＊，川内哲也＊＊，神田修一＊＊，山瀬雅男＊＊ |
| P1-27 | アークイオンプレーティング法による切削工具へのDLCの成膜・・・・・・・・・・94 （ユニオンツール）○諏訪浩司，広瀬景太，川村和浩，小林 透，渡辺英人，渡辺裕二 |
| P1-28 | パルスマイクロ波プラズマCVDにより合成した窒化炭素の電界電子放出・・・・・・・・・・96 （千葉工大，岐阜大＊）○鎗田滉大，田中一平＊，坂本幸弘 |
| P1-29 | モード変換型マイクロ波プラズマCVDによる窒化炭素合成における基板材質の影響・・・・・・・・・・98 （千葉工大，岐阜大＊）○丸子拓也，田中一平＊，坂本幸弘 |
| P1-30 | 熱CVDによるg-C３N４の合成における圧力の影響・・・・・・・・・・100 （千葉工大，岐阜大＊）○中田朋貴，田中一平＊，坂本幸弘 |
| P1-31 | カーボン系材料の光化学修飾法を利用した海洋構造物係留用複合化高機能繊維ロープの開発・・・・・・・・・・102 （産総研，香川産技ｾﾝﾀｰ＊，髙木綱業＊＊）○中村挙子，矢野哲夫，土屋哲男，白川 寛＊，寺田英城＊＊，藤岡茂正＊＊，檀原秀誠＊＊，髙木敏光＊＊ |
| P1-32 | フッ素添加DLCの抗血栓性メカニズムの解明：血漿タンパク質吸着量および吸着形態の評価・・・・・・・・・・104 （慶大院理工，東海大医/慶大院理工＊，東海大医＊＊）○中山正光，長谷部光泉＊，前川駿人，尾藤健太，大和裕哉，中野裕揮，田中美夏，白幡智史，林 敏彦＊＊，嶺 貴彦＊＊，松本知博＊，堀田 篤，鈴木哲也 |
|
|
第２日目（１１月１７日）
|
| |
９：４０～１０：４０ 座長 宮本良之（産総研） |
| 201 | パルスプラズマCVDによるＢＮ膜のコーティング・・・・・・・・・・110 （愛知教育大/ﾊﾟﾙｽﾌﾟﾗｽﾞﾏ技研）○野田三喜男 |
| 202 | ホウ素添加ナノ多結晶ダイヤモンドの特徴と切削性能・・・・・・・・・・112 （住友電工）○角谷 均，池田和寛，有元桂子，原野佳津子 |
| 203 | レーザ局所改質した単結晶SiCの摩擦摩耗特性・・・・・・・・・・114 （東工大）○小川光希，青野祐子，平田 敦 |
１０：４０～１１：００ 休 憩 |
オ－ラルセッション６ |
| |
１１：００～１２：００ 座長 大越康晴（東京電機大） |
| 204 | 大気圧フィラメント状誘電体バリア放電による硬質非晶質炭素薄膜の作製・・・・・・・・・・116 （ｵｰﾙﾃｯｸ，慶大理工＊）○白倉 昌，岸本英一＊，鈴木哲也＊ |
| △ 205 | 大気圧プラズマCVD法におけるa-C:H/SiO:CH交互積層薄膜のガスバリア特性・・・・・・・・・・118 （慶大院）○澤 穂尊，白倉 昌，鈴木哲也 |
| 206 | 希釈ガスに水素ガスを用いたプラズマCVD法によるN添加およびSi/N共添加DLC膜の特性比較・・・・・・・・・・120 （弘前大，東北大電通研＊）○中村和樹，大橋 遼，横山 大＊，田島圭一郎＊，遠藤則史＊，末光眞希＊＊，遠藤義晴，中澤日出樹 |
１２：００～１３：００ 昼 休 み |
オ－ラル 特別セッション「顕微観察・評価」 |
| |
１３：００～１４：１０ 座長 葛巻 徹（東海大）､町田友樹（東大生研） |
| 207 | 【基調講演】ナノカーボン材料の原子レベル構造観察・・・・・・・・・・126 （産総研）○末永和知 |
| 208 | 集束イオンビーム照射により形成された単結晶ダイヤモンド変質層の可視・深紫外顕微ラマン散乱による構造評価・・・・・・・・・・128 （秋田大院，富山工技ｾﾝﾀｰ＊，千葉大＊＊，工学院大＊＊＊）○近野祐太，山口 誠，川堰宣隆＊，神津知己，森田 昇＊＊，西村一仁＊＊＊ |
| 209 | 加工によって生じるダイヤモンド基板の内部ひずみ観察・・・・・・・・・・130 （産総研）○加藤有香子，茶谷原昭義 |
１４：１０～１４：３０ 休憩 |
| |
１４：３０～１５：３０ 座長 葛巻 徹（東海大）､町田友樹（東大生研） |
| △ 210 | カソードルミネッセンス法によるダイヤモンドのキラー欠陥評価・・・・・・・・・・132 （物材機構）○嶋岡毅紘，寺地徳之，渡邊賢司，小泉 聡 |
| 211 | 酸素添加条件で成長したホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜の欠陥評価・・・・・・・・・・134 （物材機構）○寺地徳之，渡邊賢司 |
| 212 | ta-C薄膜の深紫外光損傷の雰囲気依存性について・・・・・・・・・・136 （秋田大院，都立産技ｾﾝﾀｰ＊，イノコ＊＊）○神津知己，山口 誠，川口雅弘＊，源 泰寛＊＊ |
ポスターセッション |
| |
１５：４０～１７：１０ |
| P2-01 | 無潤滑軸受のための曲面研磨CVDダイヤモンドの開発・・・・・・・・・・142 （東北大ﾌﾛﾝﾃｨｱ研，東北大＊，東北大流体＊＊）○三木寛之，小林飛翔＊，小助川博之＊＊，高木敏行＊＊ |
| P2-02 | マイクロ波液中プラズマ法を用いたボロンドープダイヤモンドの合成及び電気化学特性の評価・・・・・・・・・・144 （東理大理工，旭ﾀﾞｲﾔ/東理大理工＊，東理大総合院光触媒セ＊＊，旭ﾀﾞｲﾔ/東理大総合院光触媒セ＊＊＊，東理大理工/東理大総合院光触媒セ＊＊＊＊）○櫻井悠生，原田洋平＊，宮坂和弥，寺島千晶＊＊，上塚 洋＊＊＊，鈴木孝宗＊＊，中田一弥＊＊＊＊，勝又健一＊＊，近藤剛史＊＊＊＊，湯浅 真＊＊＊＊，藤嶋 昭＊＊ |
| P2-03 | マイクロ波液中プラズマ法を用いたダイヤモンド合成における溶媒種の影響・・・・・・・・・・146 （東理大理工，旭ﾀﾞｲﾔ/東理大理工＊，東理大総合院光触媒セ＊＊，旭ﾀﾞｲﾔ/東理大総合院光触媒セ＊＊＊，東理大理工/東理大総合院光触媒セ＊＊＊＊）○宮坂和弥，櫻井悠生，原田洋平＊，寺島千晶＊＊，上塚 洋＊＊＊，鈴木孝宗＊＊，中田一弥＊＊＊＊，勝又健一＊＊，近藤剛史＊＊＊＊，湯浅 真＊＊＊＊，藤嶋 昭＊＊ |
| P2-04 | モード変換型マイクロ波プラズマCVDによるBドープダイヤモンド合成における反応ガスの影響・・・・・・・・・・148 （千葉工大院，千葉工大院/ｵｸﾞﾗ宝石＊，千葉工大＊＊）○鈴木飛鳥，佐久間友也＊，坂本幸弘＊＊ |
| P2-05 | ダイヤモンド選択成長：フィラメントCVD法とメタルマスク併用による微細パターニング・・・・・・・・・・150 （産総研）○大曲新矢，松本 猛，梅沢 仁，杢野由明 |
| P2-06 | MPCVDを用いた低抵抗p型ダイヤモンド（100）自立基板の作製・・・・・・・・・・152 （金沢大院自然，アリオス＊，産総研＊＊）○山本貴大，松本 翼，有屋田 修＊，加藤宙光＊＊，小倉政彦＊＊，徳田規夫，猪熊孝夫 |
| P2-07 | MPCVD法によるアンドープダイヤモンド（100）膜成長の高速化・・・・・・・・・・154 （金沢大院自然，アリオス＊）○井東浩一，松本 翼，有屋田 修＊，徳田規夫，猪熊孝夫 |
| P2-08 | 自然剥離を用いたドーム状ダイヤモンド自立膜の作製・・・・・・・・・・156 （金沢大院自然）○伊藤槙哉，叶田翔平，松本 翼，徳田規夫，猪熊孝夫 |
| P2-09 | HFCVD法による単結晶ダイヤモンド膜の成長速度に関する研究・・・・・・・・・・158 （金沢大院自然，アリオス＊）○叶田翔平，伊藤槙哉，有屋田 修＊，松本 翼，徳田規夫，猪熊孝夫 |
| P2-10 | 微小放電素子を用いたダイヤモンド核発生処理装置の開発・・・・・・・・・・160 （青学理工，並木精密＊，ﾄｳﾌﾟﾗｽｴﾝｼﾞﾆｱﾘﾝｸﾞ＊＊）○村山博亮，児玉英之，藤居大毅＊，金 聖祐，會田英雄，鈴木一博＊＊，澤邊厚仁 |
| P2-11 | マイクロ波プラズマトーチを用いたナノダイヤモンド気相合成における圧力依存性・・・・・・・・・・162 （電通大院）○山田遼大，村田悠馬，齋藤裕紀，一色秀夫，田中勝己 |
| P2-12 | Si基板上ダイヤモンド単結晶膜の成長時における窒素流量変調効果・・・164 （電通大院）○齋藤裕紀，山田遼大，一色秀夫 |
| P2-13 | 通電加熱型陰極を用いた直流プラズマCVD法による高品質ヘテロエピタキシャルダイヤモンド成長・・・・・・・・・・166 （青学理工，ﾄｳﾌﾟﾗｽｴﾝｼﾞﾆｱﾘﾝｸﾞ＊）○東口昌人，児玉英之，鈴木一博，澤邊厚仁 |
| P2-14 | 直径1インチでのエピタキシャルダイヤモンド核の高密度化・・・・・・・・・・168 （青学理工，ﾄｳﾌﾟﾗｽｴﾝｼﾞﾆｱﾘﾝｸﾞ＊）○大西将太，児玉英之，鈴木一博，澤邊厚仁 |
| P2-15 | ダイヤモンドNV量子センシングによる単一核スピン検出器の設計・・・170 （産総研）○石川豊史，吉澤明男，粕谷 聡，馬渡康徳，渡邊幸志 |
| P2-16 | DNAのNMR検出に向けた部分NH２終端ダイヤモンド中の浅いNVセンター・・・・・・・・・・172 （早大理工，量研機構/群馬大＊，量研機構＊＊，物材機構＊＊＊，群馬大＊＊＊＊，筑波大＊＊＊＊＊）○梶家美貴，加藤かなみ，河合 空，山野 楓，S.Evi，蔭浦泰資，稲葉優文，東又 格，春山盛善＊，谷井孝至，山田圭介＊＊，小野田 忍＊＊，寺地徳之＊＊＊，加田 渉＊＊＊＊，花泉 修＊＊＊＊，磯谷順一＊＊＊＊＊，河野省三，川原田 洋 |
| P2-17 | 酸化物/ダイヤモンド界面電子状態の第一原理計算・・・・・・・・・・174 （物材機構）○Kongping Wu，廖 梅勇，小出康夫 |
| P2-18 | n型Ibダイヤモンド基板に対してオーミック特性を示す4層電極構造形成・・・・・・・・・・176 （神大院，神大理＊）○関 裕平，中田穣治 |
| P2-19 | 原子レベルで制御されたダイヤモンド（111）表面/金属ナノ接触における電流-電圧特性評価・・・・・・・・・・178 （金沢大院自然，金沢大院自然/産総研＊，産総研＊＊）○吉田 稜，松本 翼＊，小倉政彦＊＊，牧野俊晴＊＊，山崎 聡＊＊，徳田規夫＊，猪熊孝夫 |
| P2-20 | 水素終端ダイヤモンド（001）表面伝導層上の金オーミック電極直下のシート抵抗値・・・・・・・・・・180 （早大ﾅﾉﾗｲﾌ，早大理工＊）○河野省三，佐々木敏夫，稲葉優文＊，平岩 篤，川原田 洋 |
| P2-21 | マイクロ波プラズマトーチを用いたナノダイヤモンド粉末の気相合成及び表面化学状態の評価・・・・・・・・・・182 （電通大）○村田悠馬，一色秀夫，山田遼大，田中勝己 |
| P2-22 | ダイヤモンド格子定数の精密測定・・・・・・・・・・184 （関学大理工，東北大電通研＊，東北大院＊＊）○鹿田真一，山口浩司，亀井栄一，土田有記，丹野健徳＊，櫛引淳一＊＊ |
| P2-23 | 高温高圧合成ホウ素添加バインダレスナノ多結晶ダイヤの基礎物性・・・186 （住友電工）○池田和寛，有元桂子，原野佳津子，角谷 均 |
| P2-24 | 三層グラフェンにおけるランダウ準位交差・反交差の観測・・・・・・・・・・188 （東大生研，物材機構＊）○増渕 覚，浅川友太，井上尚子，森川 生，渡邊賢司＊，谷口 尚＊，町田友樹 |
| P2-25 | マイクロ波液中プラズマ法によるホウ素ドープダイヤモンドの高速合成・・・・・・・・・・190 （旭ﾀﾞｲﾔ/東理大理工/東理大総合院光触媒セ，東理大理工/東理大総合院光触媒セ＊，東理大総合院光触媒セ＊＊，旭ﾀﾞｲﾔ/東理大総合院光触媒セ＊＊＊）○原田洋平，櫻井悠生＊，宮坂和弥＊，寺島千晶＊＊，上塚 洋＊＊＊，鈴木孝宗＊＊，中田一弥＊，勝又健一＊＊，近藤剛史＊，湯浅 真＊，藤嶋 昭＊＊ |
| P2-26 | 基板温度の高温化によるMgO上Ir薄膜の高品質化・・・・・・・・・・192 （青学理工，並木精密＊，ﾄｳﾌﾟﾗｽｴﾝｼﾞﾆｱﾘﾝｸﾞ＊＊）○古場優樹，児玉英之，藤居大毅＊，金 聖祐＊，會田英雄＊，鈴木一博＊＊，澤邊厚仁 |
| P2-27 | 熱・プラズマ雰囲気における窒化炭素の安定性・・・・・・・・・・194 （岐阜大工，千葉工大院＊，千葉工大＊＊）○田中一平，中田朋貴＊，丸子拓也＊＊，上坂裕之，坂本幸弘＊＊ |
| P2-28 | 六方晶窒化ホウ素ホモエピタキシャル膜のラマン散乱マッピング・・・・・・・・・・196 （物材機構）○渡邊賢司，谷口 尚 |
| P2-29 | ラマン分光法によるダイヤモンドp＋種結晶の評価・・・・・・・・・・198 （関学大理工）○土田有記，山口浩司，亀井栄一，福永大輔，大谷 昇，鹿田真一 |
| P2-30 | DLC成膜時のプラズマ発光（RGB値）観察・・・・・・・・・・200 （東京電機大）○浅野公佑，本間章彦，平栗健二，大越康晴 |
| P2-31 | Floating Zone法により合成した単結晶酸化ガリウムのカソードルミネッセンス（II）・・・・・・・・・・202 （産総研）○渡邊幸志，尾崎康子，伊藤利充 |
| P2-32 | 高温高圧合成（111）ダイヤモンド単結晶のシンクロトロンX線トポグラフィーによる積層欠陥観察・・・・・・・・・・204 （佐賀大，住友電工＊）○桝谷聡士，森林朋也，角谷 均＊，嘉数 誠 |
| P2-33 | 高温アニールによるダイヤモンド単結晶の結晶欠陥の運動・・・・・・・・・・206 （佐賀大，住友電工＊）○桝谷聡士，森林朋也，角谷 均＊，嘉数 誠 |
特別講演１７：２０～１８：２０ 座長 平田 敦（東工大） 「ナノカーボン（ＮＣ）の科学と応用」・・・・・・・・・・211 講演者 信州大学 カーボン科学研究所 特別特任教授 遠藤 守信 氏 |
懇親会レストラン アーペ（東京大学 生研An棟１Ｆ）１８：３０～ |
|
|
第３日目（１１月１８日）
|
| |
９：４０～１０：４０ 座長 近藤剛史（東京理科大） |
| 301 | ヘテロエピタキシャルダイヤモンド下地を用いたホウ素添加ダイヤモンド（111）成長および電気化学測定・・・・・・・・・・216 （青学大理工，慶大理工＊，ﾄｳﾌﾟﾗｽｴﾝｼﾞﾆｱﾘﾝｸﾞ＊＊）○伊藤誠人，児玉英之，渡辺剛志＊，栄長泰明＊，鈴木一博＊＊，澤邊厚仁 |
| △ 302 | ホウ素ドープダイヤモンド電極における高活性種生成と電気化学発光への応用・・・・・・・・・・218 （慶大理工，ﾎﾞﾛｰﾆｬ大＊）○渡辺剛志，Irkham，A.Fiorani＊，G.Valenti＊，F.Paolucci＊，栄長泰明 |
| △ 303 | ホウ素ドープダイヤモンドを用いたアンモニア水溶液中におけるCO2の電気化学還元・・・・・・・・・・220 （慶大理工，東理大理工＊）○Prastika Krisma Jiwanti，夏井敬介，中田一弥＊，栄長泰明 |
１０：４０～１１：００ 休 憩 |
オ－ラルセッション８ |
| |
１１：００～１２：２０ 座長 渡辺剛志（慶應大） |
| △ 304 | 銀担持ダイヤモンド光電極を用いた二酸化炭素の光電気化学的還元・・・・・・・・・・222 （東理大理工，東理大総合院光触媒セ＊，ｵｰｸ製作所＊＊，東理大理工/東理大総合院光触媒セ＊＊＊）○平野裕衣里，N.Roy＊，栗山晴男＊＊，寺島千晶＊，鈴木孝宗＊，中田一弥＊＊＊，勝又健一＊，近藤剛史＊＊＊，湯浅 真＊＊＊，藤嶋 昭＊ |
| 305 | 導電性ダイヤモンドパウダーの電気化学分析への応用・・・・・・・・・・224 （東理大理工，リコー＊）○中嶋啓人，近藤剛史，大佐々崇宏＊，小番昭宏＊，相川達男，湯浅 真 |
| 306 | 抗血栓性非晶質炭素の医療デバイスへの応用：応用先の違いによる求められるニーズの違い・・・・・・・・・・226 （東海大医，慶大院理工/東海大医＊，慶大院理工＊＊）○長谷部光泉，松本知博＊，前川駿人＊＊，尾藤健太＊＊，大和裕哉＊＊，林 敏彦，嶺 貴彦，堀田 篤＊＊，鈴木哲也＊＊ |
| △ 307 | 水素含有DLCの住宅空間への応用・・・・・・・・・・228 （TOTO総研）○寺本篤史，石川和宏，鳩野広典，兼国伸彦 |
１２：２０～１３：２０ 昼 休 み |
オ－ラルセッション９ |
| |
１３：２０～１４：２０ 座長 梅沢 仁（産総研） |
| △ 308 | 反転層pチャネルを用いたダイヤモンドMOSFETの動作実証・・・・・・・・・・234 （金沢大/産総研，産総研＊，デンソー＊＊，金沢大＊＊＊）○松本 翼，加藤宙光＊，小山和博＊＊，牧野俊晴＊，小倉政彦＊，竹内大輔＊，猪熊孝夫＊＊＊，徳田規夫，山崎 聡＊ |
| △ 309 | 水素終端ダイヤモンドMOSFETロジックサーキットの作製・・・・・・・・・・236 （物材機構）○劉 江偉，廖 梅勇，井村将隆，R.G.Banal，小出康夫 |
| △ 310 | 高温ALD Al2O3ゲート絶縁膜を持つC-HダイヤモンドMOSFETの温度特性・・・・・・・・・・238 （早大理工）○大井信教，工藤拓也，牟田 翼，松村大輔，大久保 智，稲葉優文，平岩 篤，川原田 洋 |
１４：２０～１４：４０ 休 憩 |
オ－ラルセッション１０ |
| |
１４：４０～１５：４０ 座長 牧野俊晴（産総研） |
| 311 | 水素終端ダイヤモンド表面の特異な磁気抵抗・・・・・・・・・・240 （物材機構，早大＊）○山口尚秀，笹間陽介，田中将嗣，竹屋浩幸，高野義彦，蔭浦泰資＊，川原田 洋＊ |
| △ 312 | ボロンドープダイヤモンド超伝導量子干渉計の特性評価・・・・・・・・・・242 （早大理工，物材機構＊）○露崎活人，蔭浦泰資，日出幸昌邦，笹間陽介＊，山口尚秀＊，高野義彦＊，立木 実＊，大井修一＊，平田和人＊，有沢俊一＊，川原田 洋 |
| 313 | 高品質係数ダイヤモンド機械共振子の作製・・・・・・・・・・244 （物材機構）○廖 梅勇，戸田雅也，L.Sang，寺地徳之，井村将隆，小出康夫 |
■ 優秀講演賞について優秀講演賞の選考対象となる発表には講演番号の前に△印が付記されています。 |
|
|