ダイヤモンドシンポジウム講演プログラム（第３３回）
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第３３回 ダイヤモンドシンポジウム講演プログラム |
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日 時：2019年11月13日(水)～15日(金) 会 場：東工大蔵前会館 第1日（１１月１３日）
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１０：４０～１２：００ 座長 町田友樹(東大生研) |
| 101 | 超高圧合成法による窒化ホウ素単結晶の残留不純物制御・・・4 （物材機構）○谷口 尚，宮川 仁，渡邊賢司 |
| 102 | 密度汎関数理論に基づく不純物状態の新たな高精度計算手法とダイヤモンドおよび立方晶窒化ホウ素に対する応用・・・6 （東工大理）○山下寛樹，芳賀太史，藤本義隆，斎藤 晋 |
| 103 | グラフェン/n型ダイヤモンドヘテロ構造の電界放出電子分光による評価・・・8 （産総研１，静岡大２，国際基督教大３）○山田貴壽１，増澤智昭２，三村秀典２，岡野 健３ |
| △ 104 | ラマン分光法を用いたCVDグラフェンの移動度散乱機構の解明・・・10 （産総研１，物材機構２）○沖川侑揮１，谷口 尚２，渡邊賢司２，長谷川雅考１，山田貴壽１ |
１２：００～１３：００ 昼 休 み |
オ－ラルセッション２ |
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１３：００～１５：００ 座長 山田英明(産総研)、宮本良之(産総研) |
| △ 105 | ダイヤモンド{111}基板表面での高品質ホモエピタキシャル成長・・・12 （物材機構）○市川公善，寺地徳之，嶋岡毅紘，小泉 聡 |
| △ 106 | ｛111｝ホウ素ドープダイヤモンド薄膜成長の基板オフ角依存性評価・・・14 （物材機構）○嶋岡毅紘，市川公善，小泉 聡 |
| 107 | CVD装置改良によるダイヤモンドの高濃度リンドーピング・・・16 （物材機構）○小泉 聡，嶋岡毅紘，市川公善 |
| 108 | 熱フィラメントCVD法により成長したリンドープn型ダイヤモンド膜の電気的特性・・・18 （九州工業大１，物材機構２）○片宗優貴１，森 大地１，和泉 亮１，嶋岡毅紘２，市川公善２，小泉 聡２ |
| △ 109 | 室温11B+イオン注入及び1150°C,1300°Cアニール処理によるIIa型ダイヤモンド基板への高効率p型Bドーピング・・・20 （神奈川大）○関 裕平，星野 靖，中田穣治 |
| 110 | リンドープn型ダイヤモンドへのホウ素イオン注入によるp型伝導層の形成 (産総研１，法政大２）○小倉政彦１，西村智朗２，加藤宙光１，山崎 聡１，牧野俊晴１・・・22 |
１５：００～１５：２０ 休憩 |
ポスターセッション |
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１５：２０～１６：５０ |
| P1-01 | デカップリングパルス列における15N窒素核スピンからの超微細相互作用によって変調されたNVスピンコヒーレンス・・・28 （産総研）○石川豊史，吉澤明男，馬渡康徳，渡邊幸志 |
| P1-02 | オニオンライクDLCコーティングの開発・・・30 (東工大工学院１，東工大科学技術創成院２)○榎本 隼１，平田祐樹１，赤坂大樹１，大竹尚登２ |
| P1-03 | MVP法を用いたカーボン膜の作製における圧力の影響・・・32 (兵庫県立大院）○大久保拓志，田中一平，原田泰典 |
| P1-04 | アーク蒸着とマグネトロンスパッタリングを重畳した気相成長法により作製したa-BCN膜の評価・・・34 (東工大院１，東工大工学院２，東工大科学創成研究院３）○竹内亮大郎１，岩本喜直１，河越雅雄１，谷口紘章１，平田祐樹３，赤坂大樹２，大竹尚登３ |
| P1-05 | 軟質金属材料へのDLCコーティングの応用・・・36 (東工大工学院１，東工大科学技術創成研究院２，小松製作所３）○大澤卓也１，松尾 誠１，江山雄哉１，山本 浩３，田中真二２，菊池雅男２，平田祐樹２，赤坂大樹１，大竹尚登２ |
| P1-06 | RFプラズマCVDおよびマグネトロンスパッタリング法を用いて形成された多層DLCの組成評価・・・38 （東京電機大）○鈴木貴大，大越康晴，小畑修二，平栗健二，本間章彦 |
| P1-07 | PECVD法により作製したDLC膜の光学定数の基板パルスバイアス周波数、Duty比、及び電力依存性・・・40 (大阪産業技術研究所１，大阪府立大２）○近藤裕佑１，筧 芳治１，佐藤和郎１，松村直巳１，沈 用球２ |
| P1-08 | 水素化アモルファス炭素膜の水素量と電気伝導特性の相関・・・42 （東工大１，タイ・シンクロトロン光研究所２）○冨所優志１，Tunmee Sarayut２，Nakajima Hideki２，Rittihong Ukit２，Supruangnet Ratchadaporn２，平田祐樹１，大竹尚登１，赤坂大樹１ |
| P1-09 | ボールオンディスク試験後のDLC表面の構造評価・・・44 （東工大１，タイ放射光研究所２）○法月奏太１，Tunmee Sarayut２，Euaruksakun Chanan２，Rittihong Ukit２，鈴木啓介１， 冨所優志１，平田祐樹２，大竹尚登１，赤坂大樹１ |
| P1-10 | 酸に対する2層DLCコーティングの耐食性向上効果・・・46 （東京電機大１，ナノテック２）○永井智靖１，竹田秀也１，中森秀樹２，平塚傑工２，平栗健二１ |
| P1-11 | 各種高分子材料における非晶質炭素膜の電気特性評価・・・48 （東京電機大）○髙田 歩，大越康晴，鈴木貴大，小畑修二，平栗健二，本間章彦 |
| P1-12 | プラズマ処理したDLC膜の高分子材料に対する摩擦特性の評価・・・50 （日工大院１，物材機構２，日工大３）○黒澤徳弘１，井上友希１，神田久生２，福長 脩３，竹内貞雄３ |
| P1-13 | DLCを金属中に包埋した複合材料厚膜の作製・・・52 （東工大）○沖村奈南，崔 鐘範，中山 亘，阿多誠久，平田祐樹，大竹 尚登，赤坂大樹 |
| P1-14 | 各種材料の抗菌性向上に向けたダイヤモンド状炭素膜・・・54 （東京電機大１，日本アイ・ティ・エフ２）○小野寺修１，藤井慎也２，森口秀樹２，内海慶春２，平栗健二１ |
| P1-15 | DLCを活用した医療機器の表面改質・・・56 （東京電機大１，ナミキ・メディカルインストゥルメンツ２，ナノテック３）○金子眞生１，並木和茂２，中森秀樹３，平塚傑工３，平栗健二１ |
| P1-16 | 骨折治療に有効な生体材料であるZn-DLC・・・58 （東京電機大１，東京慈恵会医科大２，ナノテック３，ニチオン４）○齋藤一拓１，馬目佳信２，平塚傑工３，本田宏志４，大越康晴１，平栗健二１ |
| P1-17 | Characterization of adsorbed protein on post wear test of ta-C and a-C:H contact surfaces・・・60 （マレーシア工科大１，東工大２）○Liza Binti Kamis Shahira１，赤坂大樹２，大竹尚登２ |
| P1-18 | 異なる分子形状を有するカーボンオニオンの研磨性能の比較・・・62 （東工大）○村井祥祐，佐野龍樹，青野祐子，平田 敦 |
| P1-19 | 再利用Ir(111)/α-Al2O3(0001)基板を用いた一様な単層グラフェンのCVD成長・・・64 (青学大院理工）○櫻井 篤，仁木雅也，渡辺剛志，澤邊厚仁，黄 晋二 |
| P1-20 | 熱CVD法によるCNT合成におけるAl触媒の影響・・・66 (東海大院１，東海大工２）○小久保良亮１，加藤裕一２，葛巻 徹１, ２ |
| P1-21 | コールドスプレー法によるCNT含有鉄複合材料膜の高速合成・・・68 (東工大）○中山 亘，沖村奈南，崔 鐘範，發知卓也，平田祐樹，大竹尚登，赤坂大樹 |
| P1-22 | エンジニアリングプラスチック基カーボンナノチューブ複合材料膜のコールドスプレー法による作製・・・70 (東工大）○發知卓也，Choi Jongbeom，沖村奈南，中山 亘，平田祐樹，大竹尚登，赤坂大樹 |
| P1-23 | 透明導電膜形成におけるC60とNi触媒の膜厚の最適化・・・72 (東海大院工１，東海大工２，産総研３）○和田有里１，宮本かおり２，山田貴壽３，葛巻 徹１, ２ |
| P1-24 | フラーレン由来のグラフェンによる配線材料形成の検討・・・74 (東海大院１，東海大工２，産総研３）○永田兆嗣１，嶋谷拓真２，山田貴壽３，沖川侑揮３，葛巻 徹１,２ |
| P1-25 | C60由来の炭素導電薄膜を負極とする全固体型リチウムイオン電池の形成・・・76 (東海大院１，東海大工２）○田村亮太１，永田兆嗣１，葛巻 徹１,２ |
| P1-26 | チタン被覆したCNT紡績糸の機械的性質に及ぼす通電加熱の影響・・・78 (東海大院１，東海大工２，岡山大院自然科学３）○手塚貴也１，佐野巧馬２，森 光生３，中條大樹３，林 靖彦３，葛巻 徹１,２ |
| P1-27 | 光電子顕微鏡によるグラフェン/h-BN界面の評価・・・80 (東北大１，産総研２，物材機構３）小川修一１，○山田貴壽２，門脇 良１，虻川匡司１，谷口 尚３，高桑雄二１ |
| P1-28 | 分子動力学法によるカーボンオニオンナノ粒子の面間圧縮変形の解析・・・82 (東工大）○野口悠暉，太田立志，青野祐子，平田 敦 |
| P1-29 | RFスパッタリング法により作製した非晶質窒化ホウ素膜の熱的安定性・・・84 (千葉工大院１，千葉工大２）○丸子拓也１，坂本幸弘２ |
| P1-30 | h-BN膜におけるドナーとアクセプターのイオン化エネルギーの高精度推定・・・86 (東工大理）○芳賀太史，藤本義隆，斎藤 晋 |
| P1-31 | 物理気相成長法による銅基板上への六方晶窒化ホウ素薄膜の合成・・・88 (東工大工学院１，東工大科学技術創成研究院２）○吉里樹人１，平田祐樹２，赤坂大樹１，大竹尚登２ |
| P1-32 | Floating Zone法により合成したβ型酸化ガリウム結晶表面に対するAr+イオンミリングと空気雰囲気中熱処理の効果・・・90 (産総研１，物材機構２）○渡邊幸志１，立木 実２，田中孝治１，高野美和子２，尾崎康子１，伊藤利充１ |
| P1-33 | 高温高圧法により成長した六方晶窒化ホウ素単結晶の発光像観察・・・92 (物材機構）○渡邊賢司，谷口 尚 |
| P1-34 | C6H6-N2混合気体のマイクロ波プラズマCVDで生成するa-CNx:H薄膜の結合状態解析・・・94 (長岡技科大）○金田敦司，伊藤治彦 |
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第２日目（１１月１４日）
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１０：００～１０：４０ 座長 宮下庸介（三菱マテリアル） |
| 201 | CMPによるダイヤモンド基板における機械研磨変質層の除去・・・100 （アダマンド並木精密宝石，東工大２）○小山浩司，藤田直樹，川又友喜，金 聖祐，吉本 護２ |
| 202 | ナノダイヤモンド膜の硬質被膜への応用・・・102 （九大１，カフルアッシャイフ大２，オーエスジー３，アル＝アズハル大４）○吉武 剛１，エギザ モハメド1,２，村澤功基1,３，アリ モハメド アリ1,４， 杉田博昭３，福井康雄３，権田英修３，櫻井正俊３ |
オ－ラル特別セッション「DLC」 |
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１０：４０～１２：００ 座長 大花継頼（産総研）、平田 敦（東工大） |
| △ 203 | アルミ合金切削時におけるDLC膜上への凝着発生メカニズムの解明・・・108 （三菱マテリアル１，東工大２）○龍田 誠１，藤原和崇１，大竹尚登２ |
| 204 | フィルタードアーク蒸着法で作製した水素フリーおよび水素化DLC膜の特性と分類・・・110 （豊橋技科大１，神奈川県立産業技術総合研究所２，岡山県工業技術センター３，兵庫県立大４，伊藤光学工業５，オンワード技研６）○針谷 達１，今井貴大１，戸谷陽文１，滝川浩史１，金子 智２，國次真輔３，新部正人４，神田一浩４，神谷雅男５，瀧 真６ |
| 205 | SRV試験機を用いたDLC膜のはく離特性評価・・・112 （産総研）○間野大樹，大花継頼 |
| 206 | マイクロスクラッチ試験機によるDLC基準片の密着性評価・・・114 （レスカ１，ナノテック２）○新井大輔１，平塚傑工２， 竹内光明１ |
１２：００～１３：００ 昼 休 み |
オ－ラルセッション４ |
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１３：００～１４：４０ 座長 渡辺剛志(青学大)、近藤剛史（東理大） |
| △ 207 | ホウ素ドープダイヤモンドを用いたCO2の電解還元における生成物選択性の制御・・・120 （慶大院理工１，慶大理工２）○冨﨑真衣１，笠原誠司１，夏井敬介１，池宮範人１，栄長泰明２ |
| 208 | ホウ素ドープダイヤモンド電極を用いた電気化学発光・・・122 （慶大１，慶大/JST-ACCEL２）○イルハム イルハム１，フィオラニ アンドレア１，坂ノ上航平１，栄長泰明２ |
| △ 209 | 各種DLCの光学定数とsp3/sp2構造の違いに依存した細胞接着特性の評価・・・124 （東京電機大１，順天堂大２，ナノテック３，シンクロトロン光研究所４）○鬼頭大海１，大越康晴１，福原武志２，平塚傑工３， Tunmee Sarayut４， Rittihong Ukit４，Euaruksakul Chanan４，Nakajima Hideki４，中森秀樹３，矢口俊之１，本間章彦１，平栗 健二１ |
| △ 210 | スクリーン印刷ダイヤモンド電極の高感度化と薬剤濃度測定・・・126 （東理大理工）○松永智広，近藤剛史，東條敏史，湯浅 真 |
| 211 | 導電性ダイヤモンドナノ粒子を用いた高エネルギー・高出力密度水系EDLCデバイスの作製・・・128 （東理大理工１，ダイセル２）○須貝聖也１，宮下健丈１，近藤剛史１，西川正浩２，鄭 貴寛２，東條敏史１，湯浅 真１ |
１４：４０～１５：００ 休 憩 |
ポスターセッション |
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１５：００～１６：３０ |
| P2-01 | ダイヤモンドマイクロ電極を用いた神経作用薬の生体内リアルタイム測定・・・134 （慶大理工１，新潟大医２，慶大理工/JST-ACCEL３）○花輪 藍１，緒方元気２，浅井 開１，日比野浩２，栄長泰明３ |
| P2-02 | 光表面化学修飾法を利用した窒素官能基化カーボンおよびポリマー材料の作製・・・136 （産総研）○中村挙子，大花継頼，土屋哲男 |
| P2-03 | 多層グラフェン電極の電気化学発光イメージング解析・・・138 （青学大院理工）○岩﨑貴充，渡辺剛志，原 菜摘，黄 晋二 |
| P2-04 | KrFエキシマレーザーを用いた超硬合金上の多結晶ダイヤモンド膜の表面研磨・・・140 （九州工業大１，オーエスジーコーティングサービス２，九大３）○片宗優貴１，村澤功基２，吉武 剛３，菊地俊文３，池上 浩３ |
| P2-05 | 熱フィラメントCVD装置を用いた超硬合金の脱炭処理・・・142 （日工大院１，物材機構２，日工大３）○木村駿吾１，稲田大雅１，神田久生２，福長 脩２，竹内貞雄３ |
| P2-06 | 超硬合金基板のCo除去効果・・・144 （日工大院１，物材機構２，日工大３）○海老優季１，飯塚拓也１，神田久生２，福長 脩３，竹内貞雄３ |
| P2-07 | 金属被覆ダイヤモンドからの金属基複合材料膜の作製・・・146 （東工大１，旭ダイヤモンド工業２）○崔 鐘範１，中山 亘１，沖村奈南１，上塚 洋２，大谷亮太２，發知卓也１，平田祐樹１，大竹尚登１，赤坂大樹１ |
| P2-08 | ボロンドープした多結晶ダイヤモンド膜の化学摩耗の評価・・・148 （日工大院１，物材機構２，日工大３）○宋 翰聞１，神田久生２，福長 脩３，竹内貞雄３ |
| P2-09 | 窒素濃度の異なる単結晶ダイヤモンドの摩耗特性評価・・・150 （日工大院１，住友電工２，物材機構３，日工大４）○堀川翔平１，大澤聖也１，角谷 均２， 神田久生３，福長 脩４，竹内貞雄４ |
| P2-10 | 単結晶ダイヤモンドのヘルツ破壊強度におよぼす圧子表面粗さの影響・・・152 (日工大院１，住友電工２，物材機構３，日工大４）○阿部航大１，角谷 均２，神田久生３，福長 脩４，竹内貞雄４ |
| P2-11 | 3C-SiC/Si(111)基板上へのダイヤモンド核形成プロセスのIn-situ観測・・・154 （東工大）○梶山健一，奥田真一郎，岩崎孝之，波多野睦子 |
| P2-12 | 金属援用終端法によるヘテロエピタキシャルダイヤモンド基板の結晶性改善・・・156 （産総研１，大阪府立大院工２）○小林篤史１，大曲新矢１，梅沢 仁１，齊藤丈靖２，竹内大輔１ |
| P2-13 | マイクロ波プラズマCVDによるSi基板上ダイヤモンド薄膜の合成・・・158 （電通大院情報理工）○上岡弘弥，森 敏弘，坂井玲央，一色秀夫 |
| P2-14 | Si基板上ダイヤモンドデバイスへの応用に向けたボロンチップを用いたp型ダイヤモンド薄膜成長・・・160 （電通大院情報理工）○坂井玲央，一色秀夫，上岡弘弥，森 敏洋 |
| P2-15 | マイクロ波液中プラズマ法を利用したダイヤモンドへのリンドーピング・・・162 （東理大院理工１，東理大総合研究院２，旭ダイヤモンド工業３）○内田晃弘１,２，富永悠介１,２，寺島千晶２，軽部瑶美３，上塚 洋２,３，鈴木孝宗２，近藤剛史１,２，星 芳直１，四反田功１,２，板垣昌幸１，藤嶋 昭２ |
| P2-16 | Ar/TiPSマイクロ波プラズマを用いたナノ結晶ダイヤモンドの化学気相合成に向けた作製と評価・・・164 （電通大院情報理工）○森 敏洋，一色秀夫，坂井玲央，上岡弘弥 |
| P2-17 | 直接照射型慣性核融合用ダイヤモンドカプセルの形態と表面粗さの合成条件への依存性・・・166 (大阪大レーザー科学研１，産総研２）○岩崎稔広１，山田英明２，大曲新矢２，茶谷原昭義２，竹内大輔２，杢野由明２，弘中陽一郎１，重森啓介１ |
| P2-18 | Ｘ線トポグラフィによる転位ベクトル解析手法・・・168 （関学大）○鹿田真一，明石直也 |
| P2-19 | 発表取消 |
| P2-20 | 発表取消 |
| P2-21 | ダイヤモンドエピタキシャル膜起因のCL発光欠陥の同定・・・170 （関学大理工１，物材機構２）○宮嶋孝輔１，寺地徳之２，鹿田真一１ |
| P2-22 | ダイヤモンド(111)基板上のMBE成長AlGaN薄膜の質とバンドオフセット・・・172 （早大ナノ・ライフ１，早大理工２）○河野省三１，堀川清貴２，立石哲也２，矢部太一２，川原田洋２ |
| P2-23 | ラマン分光法によるn型リンドープダイヤモンドに水素が与える影響評価・・・174 （関学大１，産総研２，物材機構３）○松岡実李１，土田有記１，大谷 昇１，山田貴壽２，小泉 聡３，鹿田真一１ |
| P2-24 | Snイオン注入した高温高圧処理ダイヤモンドのフォトルミネッセンス・・・176 （愛媛大院理工１，愛媛大GRC２）○福田 玲１，村上洋平１，石川史太郎１,２，松下正史１,２，大藤弘明２，新名 亨２，入舩徹男２ |
| P2-25 | ダイヤモンド微粒子の誘電泳動による電気的特性調査・・・178 （九大院システム情報科学府１，九大院システム情報科学研究院２）○林 将平１，李 赫男１，稲葉優文２，中野道彦２，末廣純也２ |
| P2-26 | 高分解能EBSD測定とFIB/STEM観察によるβ-Ga2O3とモザイク・ダイヤモンドの評価・・・180 （産総研１，物材機構２）○田中孝治１，大曲新矢１，梅沢 仁１，渡邊幸志１，立木 実２，高野美和子２ |
| P2-27 | 低温におけるダイヤモンドショットキーpnダイオードの電気特性・・・182 （筑波大１，産総研２)○唐澤歩睦１，牧野俊晴２，加藤宙光２，小倉政彦２，加藤有香子２，竹内大輔２，山崎 聡２，櫻井岳暁１ |
| P2-28 | ホウ素ドープダイヤモンド金属 - 半導体電界効果トランジスタの開発・・・184 （物材機構)○劉 江偉，寺地徳之，達 博，小出康夫 |
| P2-29 | ダイヤモンド電解質溶液ゲートFETを用いた海中無線通信の通信距離の評価・・・186 （早大理工)○寳田晃翠，蓼沼佳斗，井山裕太郎，張 育豪，新谷幸弘，川原田洋 |
| P2-30 | 超伝導ボロンドープダイヤモンド(111)成長層を用いた液体ヘリウム温度以上で動作可能な超伝導量子干渉計の作製・・・188 （早大理工１，物材機構２)○高橋泰裕１，天野勝太郎１，森下 葵１，蔭浦泰資２，高野義彦２，立木 実２，大井修一２，有沢俊一２，川原田洋１ |
| P2-31 | ALD-Al2O3ダイヤモンドMOSFETにおける高周波出力密度の向上に向けたオーバーラップ構造の採用・・・190 （早大理工)○荒井雅一，久樂 顕，今西祥一朗，堀川清貴，平岩 篤，川原田洋 |
特別講演１６：４０～１７：４０ 座長 平田 敦（東工大） 「固体にレーザー光をあて続けて３０年余り」・・・194 講演者 三重大学大学院工学研究科 教授 小海 文夫 氏 |
懇親会東京工業大学 蔵前会館 ロイアルブルーホール １８：００～１９：３０ |
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第３日目（１１月１５日）
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１０：００～１２：２０ 座長 波多野睦子（東工大）、岩﨑孝之（東工大）、寺地徳之（物材機構） |
| △ 301 | [111]に高配向な2次元NVアンサンブルの収率向上・・・200 （早大１，高崎量子応用研２，メルボルン大３，筑波大４，各務記念材料技術研５）○金久京太郎１，立石哲也１，薗田隆弘１，川勝一斗１，畑 雄貴１，永岡希朗１，石井 邑１，谷井孝至１，小野田忍２，Alastair Stacey３，磯谷順一４，河野省三５，川原田洋１,５ |
| 302 | ダイヤモンドCVD成長における窒素ドーピング制御・・・202 （物材機構）○寺地徳之，渡邊賢司，小泉 聡，宮川 仁，谷口 尚 |
| 303 | 異方的高温高圧処理によるNVセンター形成・・・204 （量研１，群馬大２，愛媛大３）○小野田忍１，樋口泰成２，齋藤寛之１，西原 遊３，加田 渉２，花泉 修２，大島 武１ |
| △ 304 | 量子中継システム実験に向けたダイヤモンド量子NV素子の光学的構造最適化・・・206 （横浜国立大１，セイコーインスツル２，産総研３）○倉見谷航洋１，関口雄平１，鈴木智也２，新荻正隆２，加藤宙光３，牧野俊晴３，小坂英男１ |
| 305 | ダイヤモンドNVセンターの電気的読み出しに向けたpin構造による光電流の検出・・・208 （東工大１，産総研２）○室岡拓也１，楊 棒１，椎貝雅文１，牧野俊晴２，加藤宙光２，小倉政彦２，山崎 聡２，波多野睦子１，岩崎孝之１ |
| △ 306 | n型ダイヤモンド中のNV中心による長いコヒーレンス時間と超高感度化の実現・・・210 （京大化学研1，産総研２）○ヘルブシュレブ デイビッド エルンスト1，加藤宙光２，丸山祐一1，檀上拓哉1，牧野俊晴２，山崎 聡２，大木 出1，林 寛1，森下弘樹1，藤原正規1，水落憲和1 |
| △ 307 | 核スピンイメージングを用いた生体分子解析・・・212 （JST さきがけ１，東工大２）○石綿 整１，波多野睦子２ |
１２：２０～１３：２０ 昼 休 み |
オ－ラルセッション５ |
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１３：２０～１４：４０ 座長 廖 梅勇（物材機構） |
| △ 308 | (111)面を用いた六角形トレンチ構造を持つ縦型2DHGダイヤモンドMOSFETの大電流動作の確認・・・218 （早大理工）○新倉直弥，西村 隼，岩瀧雅幸，大井信敬，森下 葵，川原田洋，平岩 篤 |
| △ 309 | 厚膜Al2O3絶縁膜を有する2DHGダイヤモンドMOSFETsの大信号特性解析@1GHz・・・220 （早大理工）○鈴木優紀子，久樂 顕，今西祥一朗，堀川清貴，平岩 篤，川原田洋 |
| △ 310 | 金属援用終端法によるダイヤモンド高濃度ホウ素ドープ基板のキラー欠陥低減・・・222 （産総研１，大阪府立大院工２）○小林篤史１，大曲新矢１，梅沢 仁１，齊藤丈靖２，竹内大輔１ |
| △ 311 | ミニマルファブを活用したダイヤモンドSBDの作製と歩留まり率の評価・・・224 （北大１，産総研２）○花田尊徳１，梅沢 仁２，大曲新矢２，竹内大輔２，金子純一１ |
１４：４０～１５：００ 休 憩 |
オ－ラルセッション６ |
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１５：００～１６：００ 座長 寺地徳之（物材機構） |
| 312 | 単結晶ダイヤモンドMEMSセンサチップ・・・226 （物材機構）○廖 梅勇，Sang Liwen，小泉 聡，井村将隆，小出康夫 |
| △ 313 | ダイヤモンド電解質溶液ゲートFETを用いたVessel Gate本体のpH Sensitivity・・・228 （早大）○川口柊斗，井山裕太郎，張 育豪，蓼沼佳斗，新谷幸弘，川原田洋 |
| 314 | 自動車電池モニタに向けたダイヤモンド量子センサの開発・・・230 （矢崎総業１，東工大２，量研３）○申 在原１，波多野雄治２，増山雄太３，杉山洋貴１，石居 真１，岩崎孝之２， 波多野睦子２ |
■ 優秀講演賞について優秀講演賞の選考対象となる発表には講演番号の前に△印が付記されています。 |
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