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ダイヤモンドシンポジウム講演プログラム（第３４回）

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　第３４回　ダイヤモンドシンポジウム講演プログラム

日　時：2021年1月12日(火)～14日(木)

会　場：オンライン開催

第１日目（１月１２日）
オーラルセッション１

	９：２０～１０：２０　座長　寺地徳之（物材機構）
△101	熱フィラメントCVD法によるリンドープn型ダイヤモンド薄膜の成長と評価・・・2 （九工大１，物材機構２，産総研３）○片宗優貴１，森大地１，和泉亮１，嶋岡毅紘２,３，市川公善２，小泉聡２
△102	Si基板上ダイヤモンドデバイスに向けた孤立単結晶ダイヤモンドのヘテロ成長・・・4 （電通大）○萩原大智，上岡弘弥，一色秀夫
△103	高配向核形成とαパラメータ変調を用いたSi基板上コアレッセントエピタキシャルダイヤモンド薄膜の合成と評価・・・6 （電通大）○上岡弘弥，萩原大智，一色秀夫
	１０：２０～１０：４０　休憩

オ－ラルセッション２

	１０：４０～１２：００　座長　片宗優貴（九工大）
△ 104	マイクロ波液中プラズマ法を利用したダイヤモンドへの異元素ドーピング・・・8 （東理大院理工１，東理大総合研究院光触媒国際研究センター２，旭ダイヤモンド工業３）○内田晃弘１,２，富永悠介１,２，辻内愛３，上塚洋２,３，鈴木孝宗２，近藤剛史１,２，渡辺日香里１，四反田功１,２，板垣昌幸１，藤嶋昭２，寺島千晶２
△ 105	マイクロ波液中プラズマCVDを用いた大面積ダイヤモンド薄膜の製造技術の開発・・・10 （東理大院理工１，東理大光触媒国際研究センター２，旭ダイヤモンド工業３）○富永悠介１,２，内田晃弘１,２，寺島千晶２，辻内愛３，上塚洋２,３，鈴木孝宗２，近藤剛史１,２，湯浅真１,２，藤嶋昭２
△ 106	爆轟法を用いたSiV中心含有ナノダイヤモンドの合成・・・12 （ダイセル１，阪大２，長町サイエンスラボ３，熊本大４，京大５）○牧野有都１,２，間彦智明１，劉明１，鶴井明彦１，吉川太朗１，長町信治３，田中茂４，外本和幸４，芦田昌明２，藤原正規５，水落憲和５，西川正浩１
△ 107	Bイオン注入によるCVDダイヤモンド薄膜中への低補償率p型伝導層の形成・・・14 （神奈川大理）○関裕平，川崎壮，星野靖，中田穣治
	１２：００～１３：００　昼　休　み

オ－ラルセッション３

	１３：００～１４：００　座長　宮本良之（産総研）
△ 108	透過型電子顕微鏡での空孔形成を用いた2次元高密度NVアンサンブルの作製・・・16 （早大１，量研２，メルボルン大３，筑波大４，材研５）○早坂京祐１，金久京太郎１，立石哲也１，齋藤悠太１，中村洸介１，川勝一斗１，畑雄貴１，谷井孝至１，小野田忍２，Alastair Stacey３，磯谷順一４，河野省三５，川原田洋１,５
△ 109	置換窒素（P1）と電子線照射によるNVセンター荷電状態の制御・・・18 （物材機構１，量研２）○真栄力１，宮川仁１，石井秀弥２，佐伯誠一２，谷口尚１，小野田忍２，大島武２，寺地徳之１
110	高感度を維持した高ダイナミックレンジ量子計測・・・20 （京大化学研１，産総研２）○ヘルブスレブデイビットエルンスト１，加藤宙光２，牧野俊晴２，山崎聡２，水落憲和１
	１４：００～１４：２０　休憩

オ－ラルセッション４

	１４：２０～１５：２０　座長　牧野俊晴（産総研）
△ 111	生体内リアルタイム蛍光ナノダイヤモンド温度計測・・・22 （大阪市立大１，ベルリンフンボルト大２，蘇州大３，京大４，慶大５，チャップマン大６）○藤原正澄１，Sun Simo１，Alexander Dohms２，西村勇姿１，首藤健１，竹澤有華１，押味佳裕１，Li Zhao３，Nikola Sadzak２，梅原有美１，手木芳男１，小松直樹４，Oliver Benson２，鹿野豊５,６，中台（鹿毛）枝里子１
△ 112	ナノスケール量子計測を用いたラベルフリー脂質二重層相転移計測・・・24 （さきがけ１，東工大２，慶大量子コンピューティングセンター３，阪大４）○石綿整１,２，渡邉宙志１,３，花島慎弥４，岩崎孝之２，波多野睦子２
113	ダイヤモンド薄膜中に埋め込まれたFeナノ粒子の超常磁性ブロッキング・・・26 （NTT物性研）○河野慎，平間一行，熊倉一英

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第２日目（１月１３日）
オ－ラルセッション５

	１０：００～１１：００　座長　梅沢仁（産総研）
201	水素終端ダイヤモンド電界効果トランジスタの移動度の解析・・・30 （物材機構MANA１，物材機構２，筑波大数理３）○笹間陽介１，蔭浦泰資１，小松克伊１，森山悟士１，井上純一１，井村将隆２，渡邊賢司２，谷口尚１，内橋隆１，山口尚秀1,３
△ 202	トレンチゲート構造を持つ縦型2DHGダイヤモンドMOSFETの大電流密度（20.2kA/cm2）及び低オン抵抗化（2.5mΩ・cm2）の達成・・・32 （早大理工１，早大材研２）○太田康介１，角田隼１，岩瀧雅幸１，堀川清貴１，天野勝太郎１，新倉直弥１，平岩篤１，川原田洋１,２
△ 203	耐放射線性を強化した水素終端ダイヤモンドMOSFET（RADDFET）の1MGy照射後特性・・・34 （北大１，産総研２）○山口卓宏１，梅沢仁２，大曲新矢２，小泉均１，金子純一１
	１１：００～１１：２０休憩

オ－ラルセッション６

	１１：２０～１２：００　座長　梅沢仁（産総研）
△ 204	高濃度ボロンドープ層を有するダイヤモンドMOSFETs：ゲート幅WG最大1mmの高周波特性評価・・・36 （早大１，早大材研２）○浅井風雅１，荒井雅一１，今西祥一朗１，久樂顕１，鈴木優紀子１，平岩篤１，川原田洋１,２
△ 205	ダイヤモンド電解質溶液ゲートFETを用いた海中無線通信の出力特性に対する溶液断面積依存性・・・38 （早大１，早大材研２）○佐藤弘隆１，寳田晃翠１，蓼沼佳斗１，張育豪１，川口柊斗１，川原田洋１,２
	１２：００～１３：００　昼　休　み

オ－ラルセッション７

	１３：００～１４：００　座長　近藤剛史（東理大）
206	ホウ素ドープSiC薄膜の作製と電気化学特性の評価・・・40 （慶大理工）○内山和樹，山本崇史，栄長泰明
△ 207	中性子反射率測定による細胞親和性窒素含有DLCの構造評価・・・42 （東京電機大院１，CROSS中性子科学センター２，順天堂大３，理化学研究所４）○ファウズィアカマリナ１，宮田登２，福原武志３,４，平栗健二１，大越康晴１
208	Cu含有DLCの作製と抗菌性評価および滅菌処理に対する膜耐久性評価・・・44 （東京電機大１，ナノテック２，慈恵医大３）○加賀洋行１，平塚傑工２，大越康晴１，馬目佳信３，平栗健二１
	１４：００～１４：２０　休憩

オ－ラルセッション８

	１４：２０～１５：００　座長　近藤剛史（東理大）
△ 209	ダイヤモンドナノ粒子による細胞の熱伝導計測・・・46 （阪大蛋白質研究所）○外間進悟，仲崇霞，鈴木団，原田慶恵
210	ダイヤモンド電極による硫化水素ガス計測・・・48 （慶大院理工）○トゥリアナユニタ，栄長泰明

第３日目（１月１４日）
オ－ラルセッション９

	９：００～１０：２０　座長　矢野雅大（三菱マテリアル）
301	軟質金属材料へのDLCコーティングを用いた高機能摺動表面の提案・・・52 （東工大工学院機械系１，小松製作所２，東工大科学技術創成研究院３）○山城崇徳１，松尾誠１，田村幸雄２，山本浩２，平田祐樹３，赤坂大樹１，田中真二３，菊池雅男３，大竹尚登３
302	FCVA法による三次元構造物へのta-C極薄膜コーティング・・・54 （東工大工学院機械系１，東工大科学技術創成研究院２）○川合功太郎１，平田祐樹２，赤坂大樹１，大竹尚登２
303	ポストアニールが窒素添加水素化DLC膜の機械的・光学的・電気的特性に及ぼす影響・・・56 （弘前大院理工）○長内公哉，室野優太，佐藤聖能，小林康之，遠田義晴，鈴木裕史，中澤日出樹
△ 304	CVD法で合成したホモエピタキシャルダイヤモンドの機械的特性評価・・・58 （日工大院１，住友電工２，物材機構３，日工大４）○堀川翔平１，阿部航大１，角谷均２，神田久生３，福長脩４，竹内貞雄４
	１０：２０～１０：４０　休憩

オ－ラルセッション１０

	１０：４０～１２：００　座長　山田貴壽（産総研）
△ 305	ダイヤモンドpn接合による超高変換効率ベータボルタ電池・・・60 （物材機構１，産総研２，Univ. Grenoble Alps３）○嶋岡毅紘１,２，梅沢仁２,３，市川公善１，Julien Pernot３，小泉聡１
△ 306	単結晶ダイヤモンドを用いた１ポートSAW共振子・・・62 （沖縄高専１，堀場エステック２，横河ソリューションサービス３，TCK４）○前田拓哉１，小渡祐樹１，藤井知1，堀田将也２，西里洋２，遠江栄希３，柴育成３，大江隆４，小坂光二４
307	ダイヤモンド微粒子を電界整列させた伝熱シートの熱伝導率評価・・・64 （九大システム情報科学研究院1,九大システム情報科学府２）○稲葉優文1，李赫男２，神村尊２，中野道彦1，末廣純也1
308	ダイヤモンドデバイスのためのプロセス技術開発・・・66 （産総研1,ミニマルファブ推進機構２）○渡邊幸志１，根本一正１，谷島孝１，野田周一１，居村史人１，Mickael Lozach２，梅澤仁1，クンプアンソマワン１，２，原史朗１，２
	１２：００～１３：００　昼　休　み

オ－ラルセッション１１

	１３：００～１４：２０　座長　町田友樹（東大）
△ 309	CVDグラフェン/HPHTh-BN構造における電気特性の温度依存性評価・・・68 （産総研１，物材機構２）○沖川侑揮１，山田貴壽１，渡邊賢司２，谷口尚２
310	水酸化カリウム水溶液を用いて作製したカリウム添加多層グラフェンの評価・・・70 （産総研１，熊本大２，静岡大３，東北大４）○山田貴壽１，畠山一翔２，増澤智昭３，沖川侑揮１，高桑雄二４，小川修一４
311	高空間分解SEM-EDSによるナノ炭素材料の表面状態に関する元素組成分析・・・72 （産総研）○中島秀朗，森本崇宏，周英，小橋和文，山田健郎，岡崎俊也
312	ダイナミックアニーリングプロセスによるh-BNナノシート合成手法の開発・・・74 （東工大工学院機械系１，東工大科学技術創成研究院２）○吉里樹人１，平田祐樹２，赤坂大樹１，大竹尚登２

■ 優秀講演賞について

優秀講演賞の選考対象となる発表には講演番号の前に△印が付記されています。

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