ダイヤモンドシンポジウム講演プログラム（第３５回）
|
第３５回 ダイヤモンドシンポジウム講演プログラム |
|
日 時：2021年11月17日(水)～19日(金) 会 場：オンライン開催 第１日目（１１月１７日）
|
| １０：２０～１２：００ 座長 山田英明（産総研） | |
| 101 | リンドープn型ダイヤモンドへのホウ素イオン注入によるpn接合の形成・・・2 （産総研１，法政大２，中央大３，筑波大４）○小倉政彦１，西村智朗２，加藤宙光１，横田貴恒１,３，竹内大輔１,３，庄司一郎３，山崎聡１，牧野俊晴１,４ |
| 102 | 高濃度ホウ素ドープダイヤモンド膜のラテラル成長・・・4 （金沢大１，Diamond and Carbon Applications２）○小林和樹１，張旭芳１，松本翼１，猪熊孝夫１，山崎聡１，Christoph E Nebel１,２，徳田規夫１ |
| △103 | 先端放電型MPCVD法によるRu（0001）基板上のダイヤモンド（111）粒子のヘテロエピタキシャル成長・・・6 （早大理工１，西安交通大２，アダマンド並木精密宝石３，早大材研４）○太田康介１，Fei Wenxi１，Wei Kongting２，森下葵１，Wang Hongxing２，Kim Seongwoo３，小山浩司３，川原田洋１,４ |
| △ 104 | Si基板上ボロンドープ孤立単結晶ダイヤモンドの作製と評価・・・8 （電通大）○萩原大智，有路颯樹，一色秀夫 |
| △ 105 | 静電相互作用を用いたナノダイヤモンド粒子の基板上ナノパターン配列・・・10 （ダイセル１,阪大２）○吉川太朗１，劉明１，三宅弘人１，家城良典１，小嶋良太１，牧野有都１,２，鶴井明彦１，間彦智明１，西川正浩１ |
１２：００～１３：００ 昼 休 み |
ポスターセッション |
| １３：００～１４：２０ | |
| P1-01 | 非凝集ナノダイヤモンドコロイド分散液の作製と低温電子顕微鏡法による分散状態評価・・・12 （ダイセル１，University of New South Wales２，阪大３）○吉川太朗１，劉明１，Shery L.Y.Chang２，Inga C.Kuschnerus２，牧野有都１,３，鶴井明彦１，間彦智明１，西川正浩１ |
| P1-02 | マイクロ波液中プラズマCVDによるボロンドープダイヤモンドの合成条件の最適化・・・14 （東理大院理工１，東理大スペースシステム創造研究センター２，旭ダイヤモンド工業３）○富永悠介１,２，上塚洋２,３，石田直哉２，近藤剛史１,２，湯浅真１,２，藤島昭２，寺島千晶１,２ |
| P1-03 | X線トポグラフィを用いたダイヤモンドHPHT基板の結晶転位解析・・・16 （関西学院大院）○佐藤雄哉，宮嶋孝輔，明石直也，鹿田真一 |
| P1-04 | FCVA法を用いた金属基板上へのグラフェン合成方法の開発・・・18 （東工大工学院１，東工大科学技術創成研究院２）○堤香澄１，平田祐樹２，赤坂大樹１，大竹尚登２ |
| P1-05 | ゲート幅30mmを超える耐高温・耐放射線ダイヤモンドMESFETの作製と性能評価・・・20 （産総研）○川島宏幸，梅沢仁，大曲新矢，牧野俊晴，小倉政彦，山田英明 |
| P1-06 | 電気化学イムノセンサーの作製を目指した導電性ダイヤモンドパウダーの表面修飾・・・22 （東理大）○大島夏乃，近藤剛史，東條敏史，湯浅真 |
| P1-07 | 電解水処理への実用化に向けた塗布型ダイヤモンド電極の作製・・・24 （東理大１，エーワンテクニカ２）○中嶋遥１，近藤剛史１，金田英一２，東條敏史１，湯浅真１ |
| P1-08 | 低周波プラズマCVD法により成膜した窒素含有DLCの電気化学特性評価・・・26 （東京電機大）○松崎充晃，河上瑛彦，長谷部伸一，木川啓太，久保美希，向山義治，平栗健二，大越康晴 |
| P1-09 | カーボン系材料の光表面化学修飾法を利用した高強度異種材料接合技術・・・28 （産総研１，新技術研究所２）○中村挙子１，土屋哲男１，秋山勇２，平井勤二２ |
１４：２０～１４：４０ 休 憩 |
オ－ラルセッション２ |
| １４：４０～１６：４０ 座長 徳田規夫（金沢大） | |
| △ 106 | プラズマを援用した大面積モザイク単結晶ダイヤモンド基板の高能率ダメージフリー研磨・・・・30 （阪大１，ティ・ディ・シー２，産総研３）○吉鷹直也１，劉念１，杉本健太郎１，菅原宏輝２，山田英明３，赤羽優子２，川合健太郎１，有馬健太１，山村和也１ |
| △ 107 | ダイヤモンドホモエピタキシャル成長における転位の伝播・・・32 （物材機構１，産総研２）○市川公善１，加藤有香子２，小泉聡１，寺地徳之１ |
| 108 | 多光子励起PL法によるヘテロエピダイヤモンド基板のBand-A三次元イメージング・・・34 （産総研）○大曲新矢，坪内信輝，田中孝治，竹内大輔，山田英明 |
| 109 | HPHTダイヤモンド結晶のESRイメージング・・・36 （筑波大１，ブルカージャパン２，物材機構３，住友電工４，量研５，産総研６）○磯谷順一１，原英之２，渡邊賢司３，角谷均４，小野田忍５，寺地徳之３，渡邊幸志６，梅田享英１，上殿明良１ |
| 110 | カリウム添加多層グラフェンにおけるＥＢＡＣ評価・・・38 （産総研）○沖川侑揮，中島秀朗，岡崎俊也，山田貴壽 |
| 111 | 高空間分解SEM-EDSによるカーボンナノホーン表面修飾に関するメカニズム考察・・・40 （産総研１，ギリシャ国立研究財団２）○中島秀朗１，森本崇宏1，小橋和文１，張民芳１，Ioanna K.Sideri２，Nikos Tagmatarchis２，岡崎俊也１ |
|
|
第２日目（１１月１８日）
|
| １０：２０～１２：００ 座長 渡辺剛志（青学大）、近藤剛史（東理大） | |
| △ 201 | 高周波プラズマCVD法により成膜した窒素含有DLCの電気化学的特性・・・44 （東京電機大）○長谷部伸一，河上瑛彦，松崎充晃，木川啓太，久保美希，向山義治，平栗健二，大越康晴 |
| △ 202 | 生体適合性N-DLC成膜のための機械学習を用いたプラズマ発光観察・・・46 （東京電機大１，神奈川大２）○ヌルルシャキラビンティジャメル１，若山明莉１，中村聡２，小松隆２，平栗健二１，大越康晴１ |
| 203 | ナノダイヤモンドの表面修飾によるホウ素中性子捕捉療法薬剤・・・48 （京大院人間・環境学１，ダイセル２，京大複合原子力科学研３）○西川正浩１，２，鈴木実３，小松直樹１ |
| △ 204 | ダイヤモンド電解質溶液ゲートFETとステンレス容器による高温（80℃）でのpHセンシング・・・50 （早大理工１，早大材研２）○野本玲於奈１，川口柊斗１，佐藤弘隆１，寳田晃翠１，張育豪１，川原田洋１,２ |
| △ 205 | ダイヤモンド電極を用いた緑内障点眼薬の電気化学測定・・・52 （慶大理工１，東大医２）○米田真央１，緒方元気１，花輪藍１，浅井開１，山岸麗子２，本庄恵２，相原一２，栄長泰明１ |
１２：００～１３：００ 昼 休 み |
ポスターセッション |
| １３：００～１４：２０ | |
| P2-01 | 選択成長を用いた大面積シリコン基板上単結晶ヘテロエピタキシャルダイヤモンドの作製と評価・・・54 （電通大院情報理工）○有路颯樹，萩原大智，一色秀夫 |
| P2-02 | TiPS/Ar/H2を用いたナノ結晶ダイヤモンドの気相合成・・・56 （電通大院情報理工）○森田豪，森敏洋，一色秀夫 |
| P2-03 | 爆轟法を用いたSiV中心含有ナノダイヤモンドの光学特性・・・58 （阪大院基礎工学１，ダイセル２）○齋藤良樹１，牧野有都１,２，蓑輪陽介１，芦田昌明１ |
| P2-04 | 臭素添加によるグラフェン導電性制御・・・60 （静岡大１，産総研２，ANSeeN３）○増澤智昭１，沖川侑揮２，三宅拓１，中川央也１，青木徹１,３，三村秀典１，山田貴壽２ |
| P2-05 | 超伝導転移端センサを用いた光子検出器によるダイヤモンドNV中心の蛍光測定・・・62 （産総研１，産総研・東大オペランド計測OIL２，筑波大３）○堀江千紘１,３，吉澤明男１，渡邊幸志１，野村暢彦３，福田大治１,２ |
| P2-06 | 四角状アルミ線へのDLCコーティングの評価・・・64 （東京電機大１，仲代金属２，ピーエス特機３）○三原伊織１，桒原大樹２，安中茂２，林俊郎３，春山哲也３，平栗健二１ |
| P2-07 | ダイヤモンド電極を用いたCO２還元における一酸化炭素の選択的生成・・・66 （慶大理工）○小沢太雅，山本崇史，栄長泰明 |
| P2-08 | 電気化学遊離塩素センサ応用に向けたグラフェンインク印刷電極の作製及び機械学習の利用・・・68 （青学大１，柴田科学２）○季暁波１，土肥正和１，渡辺剛志１，左成信之２，檜山功２，高澤康之２，榎本孝紀２，黄晋二１ |
| P2-09 | 窒素含有DLC薄膜の細胞接着性評価・・・70 （東京電機大１，理研２，順天堂大３）○北洞涼雅１，池ノ谷祥平１，福原武志２,３，平栗健二１，大越康晴１ |
| P2-10 | 白金修飾ダイヤモンド電極を用いた水素水センサーの開発・・・72 （慶大理工）○風間一穂，イルハム，栄長泰明 |
１４：２０～１４：４０ 休 憩 |
オ－ラルセッション４ |
| １４：４０～１６：２０ 座長 赤坂大樹（東工大）、大越康晴（東京電機大） | |
| 206 | 炭素イオン流を用いた水素フリー浸炭技術の開発・・・74 （東工大工学院１，日立Astemo２，東工大科学技術創成研究院３）○金野雄志１，２，加藤豊大１，稲葉宏２，平田祐樹３，赤坂大樹１，大竹尚登３ |
| △ 207 | 圧力負荷における中性子反射率法を用いたダイヤモンド状炭素薄膜の構造評価・・・76 （東京電機大１，CROSS中性子科学センター２）○ムハマドアズミアリフ１，高田歩１，平渡琉斗１，安野直樹１，小畑修二１，宮田登２，宮崎司２，平栗健二１，大越康晴１ |
| △ 208 | 医療デバイスの応用に向けたDLC膜の摺動性評価・・・78 （東京電機大１，ナミキ・メディカルインストゥルメンツ２，ナノテック３）○中村優翔１，並木和茂２，平塚傑工３，平栗健二１ |
| 209 | 圧縮下における非晶質炭素膜の基板依存性評価・・・80 （東京電機大１，CROSS中性子センター２）○高田歩１，小畑修二１，宮田登２，山田悟史２，宮崎司２，平栗健二１，大越康晴１ |
| 210 | C6H6-N2混合気体のマイクロ波プラズマを用いたa-CNx:Hの成膜と構造解析･･82 （長岡技科大）○神田匠，伊藤治彦 |
第３日目（１１月１９日）
|
| ９：２０～１０：４０ 座長 宮本良之（産総研） | |
| 301 | フタロシアニンイオン注入によるNVセンターの形成・・・86 （群馬大１，量研２，物材機構３，筑波大４）○木村晃介１,２，小野田忍２，山田圭介２，加田渉１，寺地徳之３，磯谷順一４，花泉修１，大島武２ |
| △ 302 | 高濃度窒素ドープCVDダイヤモンドの作製と結晶格子伸長の調査・・・88 （早大理工１，物材機構２，早大材研３）○上田真由１，早坂京祐１，金久京太郎１，高橋泰裕１，若林千幸１，蔭浦泰資１,２，川原田洋１,３ |
| △ 303 | NVセンターの負電荷割合-平衡状態方程式による解釈・・・90 （物材機構１，量研２）○真栄力１，宮川仁１，石井秀弥２，佐伯誠一２，谷口尚１，小野田忍２，大島武２，寺地徳之１ |
| △ 304 | グラフェン・オン・ダイヤモンドを用いた表面近傍のNVセンターの電荷状態安定化・・・92 （産総研）○春山盛善，沖川侑揮，加藤宙光，牧野俊晴，山田貴壽 |
１０：４０～１１：００ 休 憩 |
オ－ラルセッション６ |
| １１：００～１２：２０ 座長 宮本良之（産総研） | |
| △ 305 | ダイヤモンド量子センサの高性能化と次世代応用の開拓・・・94 （JSTさきがけ１，東工大２）○荒井慧悟１,２，石綿整１,２，藤崎伊久哉２，松木亮磨２，梶山健一２，佐藤直人２，岩﨑孝之２，波多野睦子２ |
| 306 | ダイヤモンドマイクロウェル形状に沿って作製したNV量子センサー・・・96 （産総研１，慶大理工２）○石川豊史１，吉澤明男１，馬渡康徳1，早瀬潤子２，伊藤公平２，渡邊幸志１ |
| 307 | ダイヤモンド量子センサの小型・高感度化に向けた電子スピン制御方法の研究・・・・98 （東工大１，産総研２，量研３）○富岡寛凱１，波多野雄治１，関口武治１，荒井慧悟１，加藤宙光２，小野田忍３，大島武３，岩﨑孝之１，波多野睦子１ |
| △ 308 | SiVセンタを含む爆轟法ナノダイヤモンドを用いた温度センシング・・・100 （京大1,ダイセル２）○藤原正規１，内田岳１，大木出１，劉明２，鶴井明彦２，吉川太朗２，西川正浩２，水落憲和1 |
１２：２０～１３：２０ 昼 休 み |
オ－ラルセッション７ |
| １３：２０～１４：４０ 座長 牧野俊晴（産総研） | |
| 309 | ダイヤモンドMEMS磁気センサ・・・102 （物材機構）○廖梅勇，張子竜，サン リウエン，小出康夫，小泉聡 |
| △ 310 | ダイヤモンドMOSFETsの高周波ハイパワー化に向けた超高濃度（1.0×1022cm-3）ボロンドープ層を有する接触抵抗の低減・・・104 （早大１，早大材研２）○高橋輝１，久樂顕１，浅井風雅１，荒井雅一１，平岩篤１，川原田洋１,２ |
| △ 311 | RADDFETの耐放射線性の分析・・・106 （北大１，産総研２）○桝村匡史１，梅沢仁２，山口卓宏１，出口祐靖１,２，川島宏幸２，牧野俊晴２，星川尚久1，大曲新矢２，小倉政彦２，小泉均１，金子純一１ |
| △ 312 | 耐放射線性水素終端ダイヤモンドMOSFET（RADDFET）を用いた差動増幅回路の開発・・・108 （北大１，産総研２）○出口祐靖１,２，梅沢仁２，桝村匡史１，川島宏幸２，牧野俊晴２，星川尚久1，大曲新矢２，小倉政彦２，小泉均１，金子純一１ |
１４：４０～１５：００ 休 憩 |
オ－ラルセッション８ |
| １５：００～１６：２０ 座長 牧野俊晴（産総研） | |
| △ 313 | 縦型2DHGダイヤモンドトレンチMOSFET:高濃度ボロンドープ層導入による大電流密度化・・・110 （早大理工１，早大材研２）○長澤太河１，太田康介１，新倉直弥１，行木佑太１，角田隼１，平岩篤１，川原田洋１,２ |
| △ 314 | ダイヤモンドの110面に基づいたトレンチ側壁面方位の違いによるダイポール密度変化の理論計算・・・112 （早大理工１，早大材研２）○張潤銘１，太田康介１，平岩篤１，川原田洋１,２ |
| △ 315 | ダイヤモンドSQUID磁気センサの感度向上に向けたジョセフソン接合の微細化・・・114 （早大理工１，物材機構２，早大材研３）○若林千幸１，高橋泰裕1，蔭浦泰資１,２，高野義彦２，立木実２，大井修一２，有沢俊一２，川原田洋１,３ |
| △ 316 | 誘電泳動集積法により作製したカーボンナノチューブ／SnO２ハイブリッドガスセンサのNO２応答・・・116 （九大）○稲葉優文，中野道彦，末廣純也 |
■ 優秀講演賞について優秀講演賞の選考対象となる発表には講演番号の前に△印が付記されています。 |
|
|