第３８回ダイヤモンドシンポジウム講演プログラム
第３８回 ダイヤモンドシンポジウム講演プログラム
2024年11月20日(水)～22日(金) 東京電機大学 東京千住キャンパス
■ 優秀講演賞について
優秀講演賞の選考対象となる発表には講演番号の前に△印が付記されています。
優秀講演賞の選考対象となる発表には講演番号の前に△印が付記されています。
第１日目（１１月２０日）
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| １０：００～１１：４０ 座長 河野 慎（NTT物性科学基礎研） | |
| 101 | 熱フィラメントCVD法を用いたホモエピタキシャルダイヤモンド(111)薄膜における成長モードと応力･･･3 （金沢大）○市川公善，小林和樹，松本翼，林寛，猪熊孝夫，山崎聡，徳田規夫 |
| 102 | マイクロ波プラズマCVD法により成長したホモエピタキシャルダイヤモンド断面のエッチピット観察･･･5 （産総研）○嶋岡毅紘，新田魁洲，山田英明，坪内信輝，茶谷原昭義，杢野由明 |
| 103 | 2.45 GHzマイクロ波を用いた高配向性４インチ多結晶ダイヤモンド成膜･･･7 （コーンズテクノロジー）〇ﾀｽﾔ ﾑﾊﾏﾄﾞ ﾔｯｻｰ，ﾌｨｵﾘ ｱﾚｷｻﾝﾀﾞｰ，津川和夫，池本 学 |
| 104 | リン添加による多結晶ダイヤモンド膜の表面形態と結晶方位の変化･･･9 （九州工大）○片宗優貴，山口一色，中野晃良，中村龍平，和泉亮 |
| 105 | 圧力勾配式スパッタ法を用いて作製したアモルファス窒化炭素薄膜の二次電子放出率における投入電力の影響･･･11 （鹿児島大１，高ｴﾈ加速器研２，兵庫県立粒子３，東北大･多元４)○青野祐美１，橋本義徳２，東明男３，佐藤庸平４，寺内正己４ |
１１：４０～１３：００ 昼 休 み |
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オ－ラルセッション２ |
| １３：００～１４：００ 座長 徳田規夫（金沢大） | |
| △106 | α-MoO3/水素終端ダイヤモンドヘテロ構造の転写法による作製･･･13 （物材機構１，筑波大院２）○日野晃貴１,２，笹間陽介１，ﾓﾊﾏﾄﾞ ﾓﾆｯｼｭ１，山口尚秀１,２ |
| △107 | 耐放射線性水素終端ダイヤモンドMOSFETによる計測用電子回路の開発 (2) ･･･15 （大熊ﾀﾞｲﾔﾓﾝﾄﾞﾃﾞﾊﾞｲｽ１，技術士事務所２，北大３）○伊藤洋輔１, ３，前川立行２，川島宏幸１，山口卓宏１, ３，金子純一１, ３，梅沢仁１ |
| 108 | キラー欠陥を除外したショットキー電極を持つ大面積ダイヤモンドSBD･･･17 （大熊ﾀﾞｲﾔﾓﾝﾄﾞﾃﾞﾊﾞｲｽ１，産総研２，北大３)○川島宏幸１，２，嶋岡毅紘２，織田堅吾３，伊藤洋輔１，櫻井翔太１，山口卓宏１，３，梅沢仁２，金子純一１，３，星川尚久１ |
| １４：４０～１５：００ 休 憩 |
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オ－ラル特別セッション |
| １４：２０～１５：４０ 座長 寺地徳之(物材機構)、梅沢 仁（産総研） | |
| 109 | DLCの研究開発動向･･･19 （東京電機大）○大越康晴 |
| 110 | NDF若手の会紹介･･･21 (産総研)〇大曲新矢 |
| 111 | ベンチャー起業動向･･･23 (産総研)〇梅沢 仁 |
| 112 | 国際会議動向･･･25 (物材機構)〇寺地徳之 |
| １５：４０～１５：５０ 休 憩 |
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ポスタ－セッション１ |
| １５：５０～１７：５０ | |
| P1-01 | 成長中断による孤立単結晶ダイヤモンド中のSiV発光強度の増強･･･27 （電通大）○山本翔太，塚本貴広，一色秀夫 |
| P1-02 | X線光電子分光法測定中のダイヤモンドの結合エネルギーの校正･･･29 （物材機構）○劉江偉，寺地徳之，達博，小出康夫 |
| P1-03 | Si基板上ダイヤモンドデバイス作製に向けたSiO２マスクを用いたダイヤモンド選択成長･･･31 （電通大）○上原陽空，谷屋勁治，山崎翔平，一色秀夫，塚本貴広 |
| P1-04 | ボロンを添加したCVD多結晶ダイヤモンド膜の酸素エッチング特性･･･33 （日工大院１，物材機構２，日工大３）○宋翰聞１，神田久生２，福長脩３，角谷均３，竹内貞雄３ |
| P1-05 | Si基板上ボロンドープ孤立ダイヤモンド単結晶の結晶性及び電気特性評価･･･35 （電通大）○山崎翔平，塚本貴広，一色秀夫 |
| P1-06 | 各種単結晶ダイヤモンドの破壊強度評価･･･37 （日工大院１，関学大２，物材機構３，日工大４）○荒若浩司１，鹿田真一２，神田久生３，福長脩４，角谷均４，竹内貞雄４ |
| P1-07 | 機械学習を用いたプラズマ判別によるDLCの電気化学特性評価･･･39 （東京電機大１，神大２）○當間宗一朗１，大久保尚哉１，武田悠利１，中村聡２，小松隆２，平栗健二１，大越康晴１ |
| P1-08 | Cu-DLC極薄厚の抗ウイルス特性･･･41 （東京電機大１，トッケン２，ナノテック３，コスモ技研４，埼玉産振公社５）○瀧澤健太郎１，平塚傑工２，中森秀樹３，前田克実３，吉川昌孝4，千草尚４，森田悠斗４，西村孝司５，金杉和弥１，平栗健二１ |
| P1-09 | 光学顕微鏡画像を用いたSiO2上グラフェンの被覆率評価･･･43 （静岡大１，産総研２）〇杉山哲１，増澤智昭１，沖川侑輝２，山田貴壽２ |
| P1-10 | DLC膜のオートクレーブ滅菌処理に対する安定性･･･45 （東京電機大１，トッケン２，ナノテック３）〇一條瑛巴１，金杉和弥１，平塚傑工２，中森秀樹３，平栗健二１ |
| P1-11 | ストライプ状にパターン成膜した水素化アモルファスカーボン薄膜の細胞凝集性評価･･･47 （東京電機大１，春日電機２）○森下直哉１，清水敬行１，鈴木輝夫２，田村豊２，小木曽智２，杉村智２，松浦慶２，平栗健二１，大越康晴１ |
| P1-12 | ダイヤモンド電極を用いた薄層リアクターにおける電気化学挙動･･･49 （慶大）〇浅井夏菜，大竹敦，栄長泰明 |
| P1-13 | 導電性ダイヤモンドパウダー塗布型電極の作製とCO2電解還元への応用･･･51 （東京理科大）〇島田大輝，近藤剛史 |
| P1-14 | 水素含有DLC膜の酸素還元反応活性と酸素吸着エネルギーの分子動力学解析･･･53 （東京電機大）〇萌出大道，池優輝，小川海斗，向山義治，平栗健二，大越康晴 |
| P1-15 | ダイヤモンド電極による高効率な次亜塩素酸水の生成･･･55 （慶大）〇辻ゆうり，ﾌｨｵﾗﾆ ｱﾝﾄﾞﾚｱ，栄長泰明 |
| P1-16 | 有機物電解における導電性ダイヤモンド材料の耐久性評価･･･57 （東京理科大１，JAXA２）○大野圭裕１，松本聡２，明石恵実２，近藤剛史１ |
| P1-17 | パターン成膜による水素化アモルファス炭素薄膜の細胞凝集形成機能の判別･･･59 （東京電機大１，春日電機２）○清水敬行１，鈴木輝夫２，田村豊２，小木曽智２，松浦慶２，平栗健二１，大越康晴１ |
| P1-18 | ダイヤモンド微小電極を用いた緑内障点眼薬ブリモニジンのin vivo測定･･･61 （慶大１，東大２）〇小川梨紗１，緒方元気１，山岸麗子２，本庄恵２，相原一２，栄長泰明１ |
| P1-19 | Ni(OH)2修飾ダイヤモンド電極を用いた尿素の検出･･･63 （東京理科大）〇井上凌真，近藤剛史 |
| P1-20 | ピコ秒レーザーとイオン注入法を利用したNVセンター形成の位置制御･･65 （産総研１，量研２）〇蔭浦泰資１，鈴木大地１，川口諒２，秋葉圭一郎２，小野田忍２ |
| P1-21 | 逆ピラミッド型{111}面基板上高配向ダイヤモンド中窒素空孔中心の生成と評価･･･67 （慶大理工１，慶大CSRN２，金沢大ﾅﾉﾏﾘ３）〇伊牟田航基１, ２，及川耀平１, ２，千地遼平１, ２，徳田規夫３，早瀬潤子１, ２ |
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第２日目（１１月２１日）
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| １０：００～１１：４０ 座長 加藤有香子（産総研） | |
| 201 | Ir/sapphire基板上(001)ヘテロエピタキシャルダイヤモンド結晶のIr/Diamond界面における結晶品質評価･･･71 （阪大１，Orbray２）○望月梧生１，毎田修１，金聖祐２，ﾌﾞﾝ ﾒﾝｱﾝ ｼﾞｪﾌﾘ２，佐田晃２，市川修平１，小島一信１ |
| 202 | ダイヤモンドとウルツ構造Al、Ga酸窒化物との界面バンド接合･･･73 （早大材研１，早大理工２，東北大･多元３，Power Diamond Systems４）○河野省三１，成田憲人２，浅野雄大２，太田康介２，嶋紘平３，秩父重英３，川原田洋１,２, ４ |
| 203 | ダイヤモンド中の負電荷を帯びた窒素空孔中心のカソードルミネッセンス研究･･･75 （物材機構１，量研２，筑波大３）○陳君１，眞榮力１, ３，井上純一１，阿部浩之２，大島武２，関口隆史３，寺地徳之１ |
| 204 | NVセンタを用いたダイヤモンド中の転位の応力テンソルのイメージング･･･77 （物材機構１，北陸先端科技大２，名大３）○辻赳行１，中嶋まい２，原田俊太３，寺地徳之１ |
| 205 | パーシステントホモロジーを用いたグラフェンの表面凹凸からの移動度予測･･･79 （産総研）沖川侑輝，〇山田貴壽 |
| １１：４０～１３：００ 昼 休 み |
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オ－ラルセッション４ |
| １３：００～１４：００ 座長 梅沢 仁（産総研） | |
| △206 | 単結晶ダイヤモンドMEMSによる酸素および水素終端表面吸着と脱着の解明･･･81 （物材機構１，上海大学２）○ｸﾞ ｹﾝﾕ１,２，張子龍１，陳果１，趙文１，黄健２，小泉聡１，小出康夫１，廖梅勇１ |
| 207 | 高次モードダイヤモンドMEMS共振センサーの周波数安定性研究･･･83 （物材機構）○趙文１，ｸﾞ ｹﾝﾕ１，陳果１，張子龍１，小泉聡１，小出康夫１，廖梅勇１ |
| △208 | DLC膜によるQCM型水素ガスセンサの開発･･･85 （東京電機大１，防衛大２）○植村皇介１，一條瑛巴１，石黒康志２，金杉和弥１，平栗健二１ |
| １４：００～１４：１０ 休 憩 |
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ポスタ－セッション２ |
| １４：１０～１６：１０ | |
| P2-01 | 高圧領域における炭素の層交換･･･87 （筑波大１，物材機構２）〇野沢公暉１，宮川仁２，谷口尚２，都甲薫１ |
| P2-02 | 低窒素濃度{111}ダイヤモンド基板の開発･･･89 （イーディーピー）山本透，桃谷桂子，〇古橋匡幸，林雅志，藤森直治 |
| P2-03 | ステップ・キンクを有するダイヤモンド(111)表面におけるCH3ラジカルの吸着・脱離の理論計算による反応エネルギー解析･･･91 （金沢大理工１，金沢大ﾅﾉﾏﾃ２）○楢本健二１，猪熊孝夫１，徳田規夫１,２，松本翼１,２，山崎聡１,２，林寛１,２，市川公善１,２，吉川太朗１,２ |
| P2-04 | 貫通穴上のEpitaxial Lateral Overgrowthを用いたダイヤモンド(111)膜の転位密度の低減･･･93 （金沢大･薄膜電子１，金沢大ﾅﾉﾏﾃ２，金沢大･理工３）〇森下広陵１，徳田規夫２，猪熊孝夫３，松本翼２，市川公善２，林寛２，吉川太朗２，小林和樹１ |
| P2-05 | リモートプラズマCVD法によるダイヤモンド成長におけるCO2ガス添加の影響評価･･･95 （産総研１，九大２）○桂健斗１，２，楢木野宏２，大曲新矢１，吉武剛２，陰浦泰資１ |
| P2-06 | SiO?マスク・リフトオフ法によるSi(100)基板上ダイヤモンド高配向核の選択形成･･･97 （電通大）○谷屋勁治，上原陽空，山崎翔平，一色秀夫，塚本貴広 |
| P2-07 | カーボン量子ドットを用いた蛍光性ナノダイヤモンドの標識化･･･99 （京工繊大院１，QST高崎研２，広島大院･統合生命３）○白矢昂汰１，阿部浩之２，大島武２，中根有梨奈３，杉拓磨３，吉田裕美１，前田耕治１，外間進悟１ |
| P2-08 | スパッタリング法によるダイヤモンド基板上への酸化ガリウム薄膜のエピタキシャル成長･･･101 （九大１，九工大２）〇王毅心１，Mylo Valappil Sreenath１，御園樹１，池上悠登１，Abdelrahman Zkria１，楢木野宏１，片宗優貴２，吉武剛１ |
| P2-09 | 大気圧プラズマを用いたDLC膜のエッチング･･･103 （日工大院１，物材機構２，日工大３）〇伊地知慧斗１，神田久生２，福長脩３，角谷均３，竹内貞雄３ |
| P2-10 | コンバーチブルスパッタリングによる炭素薄膜作製及び特性評価と機械学習を用いた最適成膜条件の探索･･･105 （東京電機大１，産総研２）〇廣瀬克来１，横山裕紀１，江塚幸敏２，金杉和弥１，平栗健二１，廣瀬伸吾１，２ |
| P2-11 | 局所接触加熱を受けたCNT紡績糸先端の構造解析･･･107 （東海大院１，東海大･材料科学２，岡山大･自然３，産総研４）〇後藤鴻熙１，葛巻徹２，林靖彦３，山田貴壽４ |
| P2-12 | 低周波Yパラメータ測定を用いた低濃度/高濃度ホウ素ドープダイヤモンドの界面準位評価･･･109 （産総研１，佐賀大２）〇津山慎樹１,２，西田大生１,２，陰浦泰資１，大曲新矢１ |
| P2-13 | 究極の低損失MOSFET創製に資するナノスケールで平坦な{111}側面を備えたダイヤモンドトレンチの熱化学的形成･･･111 （産総研１，金沢大２）〇長井雅嗣１，松本翼２，山崎聡２，徳田規夫２，春山盛善１，加藤有香子１，吉岡裕典１，梅沢仁１，加藤宙光１，小倉政彦１，竹内大輔１，宮本良之１，牧野俊晴１ |
| P2-14 | 酸素ガスによる圧力負荷がおよぼす非晶質炭素薄膜の電気抵抗変化･･･113 （東京電機大）○中川颯太，岡崎真之介，平栗健二，大越康晴，小畑修二 |
| P2-15 | 水素ガスセンサにおけるN-DLCの膜厚依存性 ･･･115 （東京電機大１，防衛大２）〇松田昂大１，一條瑛巴１，石原康志２，金杉和弥１，平栗健二１ |
| P2-16 | DLC薄膜の耐火山灰擦傷性評価･･･117 （鹿児島大１，東工大２）迫田虎之介１，〇青野祐美１，赤坂大樹２ |
| P2-17 | 単結晶ダイヤモンドの摩耗特性の評価･･･119 （日工大院１，物材機構２，日工大３）〇日比涼太１，神田久生２，福長脩３，角谷均３，竹内貞雄３ |
| P2-18 | 単結晶ダイヤモンドのKNO3エッチングとプラズマエッチングの比較･･･121 （日工大院１，物材機構２，日工大３）〇日比涼太１，荒若浩司１，神田久生２，福長脩３，角谷均３，竹内貞雄３ |
| P2-19 | ニッケル中への炭素固溶反応を利用した３段階アニールによるダイヤモンド（100）基板の表面平坦化･･･123 （金沢大院･自然１，金沢大ﾅﾉﾏﾃ２）○北山颯人１，松本翼１,２，市川公善２，林寛２，吉川太朗２，猪熊孝夫１,２，山崎聡２，徳田規夫１,２ |
| １６：１０～１６：２０ 休 憩 |
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特別講演 |
| １６：２０～１７：２０ 座長 寺地徳之（物材機構） |
| 「シリコン＆化合物半導体そしてダイヤモンド半導体とともに」･･･125 物質・材料研究機構 特命研究員/グループリーダー 小出 康夫 氏 |
学術交流会東京電機大学 東京千住キャンパス ３号館２F学生食堂 １７：３０～１９：３０ |
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第３日目（１１月２２日）
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| １０：００～１１：４０ 座長 緒方元気（慶應大） | |
| 301 | ダイヤモンド電極及びCO2吸収液を用いたCO2電解還元･･･129 （東京理科大１，慶應大２）○山﨑真依１，大竹敦２，栄長泰明２，近藤剛史１ |
| 302 | ニトロセルロースを用いたCVDグラフェンの転写と電気化学発光分析への応用･･･131 （青学大）○渡辺剛志，石塚冬亜，黄晋二 |
| 303 | 導電性ダイヤモンドパウダー充填電解フローセルの処理能力向上に関する研究･･･133 （東京理科大１，JAXA２）○西尾鴻志１，松本聡２，明石恵美２，近藤剛史１ |
| 304 | DLCの膜構分布と赤血球吸着パターンとの関係 ･･･135 （東京電機大）○笠松謙一，大越康晴，平栗健二 |
| 305 | スプレーコート法を用いた塗布型ダイヤモンド電極の作製と硫酸電解性能評価･･･137 （東京理科大１，旭化成２）○長谷川浩己１，岡田祐二２，近藤剛史１ |
| １１：４０～１３：００ 昼 休 み |
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オ－ラルセッション６ |
| １３：００～１４：２０ 座長 早瀬潤子（慶應大） | |
| △306 | ダイヤモンドバルク結晶を用いた量子センサーの量子特性の空間分布とセンサー感度の評価･･･139 （量研１，筑波大２，物材機構３）○増山雄太１，眞榮力２，石井秀弥１，阿部浩之１，谷口尚３，大島武１，寺地徳之３ |
| 307 | ダイヤモンド中Nと欠陥のレーザー照射ダイナミクス：第一原理計算によるアプローチ･･･141 （産総研）○宮本良之，加藤宙光，牧野俊晴 |
| 308 | 電子線過照射による NV-センタ濃度の減少･･･143 （筑波大１，物材機構２，量研３）○眞榮力１，増山雄太３，阿部浩之３，宮川仁２，谷口尚２，大島武３，寺地徳之２ |
| 309 | 爆轟ナノダイヤモンド中の単一スズ-空孔欠陥中心･･･145 （京大･化研１，量研２，ダイセル３，京大ｽﾋﾟﾝｾﾝﾀｰ,4）〇大堀真尚１，蘇梓傑１,２，藤原正規１，牧野有都３，鶴井明彦３，森岡直哉１,4，西川正浩３，水落憲和１,4 |
| １４：２０～１４：４０ 休 憩 |
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オ－ラルセッション７ |
| １４：４０～１６：００ 座長 龍田 誠（三菱マテリアル） | |
| △310 | 蛍光ナノダイヤモンドを用いた微小浮遊電位電極による均質誘電泳動集積の検証･･･147 （九大）〇浅野尚紀，潘文豪，稲葉優文，中野道彦，末廣純也 |
| △311 | ダイヤモンド粒子を用いた高充填伝熱シートの熱伝導率に電界整列が与える影響･･･149 （九大）〇久保田吉彦，市来宗一郎，稲葉優文，中野道彦，末廣純也 |
| △312 | 2インチ多結晶ダイヤモンド基板のプラズマ援用研磨における機械的作用が及ぼす影響･･･151 （阪大１，明星大･連携２）○杉原聡太１，董佳遠１，須賀唯知１,２，王俊沙２，藤原歌文１，大久保雄司１，孫栄硯１，山村和也１ |
| △313 | プラズマ援用研磨による2インチ多結晶ダイヤモンドの粒界段差フリー・超平滑表面仕上げ･･･153 （阪大１，明星大･連携２）○董佳遠１，杉原聡太１，藤原歌文１，孫栄硯１，大久保雄司１，王俊沙２，須賀唯知１,２，山村和也１ |
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