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日 時：昭和６１年１１月２５日（火），２６日（水）
会 場：機械振興会館
第１日［11月25日（火）］
◇９：００〜１０：００ 座長 加茂睦和
2501 気相合成ダイヤモンド薄膜の熱的性質
（セイコー電子・計量研*）○船本宏幸，西川 明，小野 晃，馬場哲也* ・・・・・・・・・1
2502 ＣＶＤダイヤモンド膜の特性
（三菱金属中研）○菊池則文，小松哲郎，山下博明 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・3
2503 ダイヤモンドエピタキシャル層の特性
（住友電工伊丹研）○今井貴浩，藤森直治 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・5
◇１０：００〜１１：００ 座長 藤森直治
2504 直流グロー・放電プラズマＣＶＤ法によるダイヤモンド状炭素膜の性質
（日本電気基礎研）正畑伸明，藤井和隆，横田シャーリ，米沢正智 ・・・・・・・・・・・・7
2505 反応性スパッタ法によるａ−Ｃ：Ｈ薄膜の作製とその特性
（明電舎）○羽場方紀，渡辺三鈴，林 正夫 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・9
2506 反応性スパッタ法によるａ−Ｃ：Ｈ膜の電気的，光学的性質
（芝浦工大）○大石 司，長友隆男，大本 修 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・11
◇１１：００〜１２：００ 座長 細見 暁
2507 弱い衝撃圧縮によるダイヤモンドヘの変換
（無機材研・東工大*）○関根利守，赤石 實，瀬高信雄，近藤建一* ・・・・・・・・・・13
2508 静的高圧下アモルファス炭素からのダイヤモンド生成
（阪大基礎工・（現住友化学*））○小野寺昭史，東 浩二*，入江康志 ・・・・・・・・・・15
2509 Ni系溶媒・触媒を用いるダイヤモンドの焼結反応挙動
（名大工）中 重治，伊藤秀章，○田島 伸 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・17
◇昼休み
◇１３：００〜１４：００ 座長 菊池則文
2510 直流プラズマＣＶＤ法によるダイヤモンドの合成
（青学大理工・協栄プラスチック*）○鈴木一博，安田浩明，澤辺厚仁，鍋田庸一*，犬塚直夫 ・・・・・・・・・・・・・ 19
2511 有機化合物を用いた熱ＣＶＤ法によるダイヤモンド薄膜の合成
（日本工大）○広瀬洋一，寺沢雄貴，岩崎一也，高橋勝巳，手塚和男 ・・・・・・・・・・・21
2512 熱フィラメント法によるダイヤモンド膜の気相合成−基板の冷却効果−
（東芝タンガロイ）堀江則俊，○八木 優，渋木邦夫 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・23
◇１４：００〜１５：００ 座長 澤邊厚仁
2513 光ＣＶＤによるカーボン膜の形成
（豊橋技科大）金岡竜範，英 貢 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・25
2514 レーザ励起ＣＶＤ法によるダイヤモンド薄膜の合成
（阪大産研・住友電工伊丹研*）○北浜克熙，平田和彦，河合七雄，藤森直治*，今井貴浩* ・・・・・・・・・・・・・・27
2515 ＣＯ２レーザによる硬質ＢＮ膜の形成
（東芝タンガロイ*，電総研，昭和電工**）木幡 護*，峰田進栄，池田正幸，古田雄司** ・・・・・・・・・・・・・29
［休 憩］
◇１５：１０〜１６：１０ 座長 山岡信夫
2516 ダイヤモンドの低負荷研磨方法
（昭和電工・東工大*）○大王 宏，小畑龍夫，森本信吾，佐藤純一，吉川昌範* ・・・・・・・・・・・・・・・31
2517 円錐ダイヤモンドの引掻きによるセラミックス表面の亀裂生成
（東工大工）○張 璧，戸倉 和，吉川昌範 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 33
2518 ボラゾン*ＣＢＮホィールによる研削の表面品位に及ぼす影響
（ゼネラル・エレクトリック）G. A. Johnson，○星野 公 ・・・・・・・・・・・・・・・35
◇１６：１０〜１６：５０ 座長 稲崎一郎
2519 ビトリファイドダイヤモンド砥石の強度及び組織と成形条件との関係
（東工大工）○戸倉 和，鈴木 聡，吉川昌範 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 37
2520 超砥粒砥石をもちいた総形研削技術における最近の進歩
（大阪ダイヤモンド）大下秀男 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 39
第２日［１１月２６日（水）］
◇９：００〜１０：００ 座長 六倉信喜
2601 ＩＶＤ法によるＣ−ＢＮ膜の形成
（日新電機）○安東靖典，緒方 潔，上條栄治 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・41
2602 イオンビームスパッッタ法によるダイヤモンド膜の形成
（松下電器 中研）北畠 真，広地久美子，山崎 攻，和佐清孝 ・・・・・・・・・・・・・43
2603 質量分離した炭素負イオンビームによる炭素膜作成
（京大工）○石川順三，小河 潔，辻 博司，高木俊宜 ・・・・・・・・・・・・・・・・ 45
◇１０：００〜１１：００ 座長 北畠 真
2604 グロー放電プラズマによる硬質炭素膜の製膜
（電機大工）○小林健二，六倉信喜，町 好雄 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 47
2605 ダブルプラズマ法による硬質カーボン薄膜の形成
（名大工）○菅井秀郎，加古英徳，奥田孝美 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 49
2606 ｐ−ＣＶＤによるｉ−Ｃ膜の構造
（リコー中研）○谷 克彦，太田英一，木村裕治，堀口浩幸 ・・・・・・・・・・・・・・・51
◇１１：００〜１２：００ 座長 矢津修示
2607 ダイヤモンドおよびｃＢＮ焼結体の研削加工
（無機材研）○山岡信夫，赤石 實，増田安次，小倉好次，福長 脩 ・・・・・・・・・・ 53
2608 溶媒・触媒法によるダイヤモンドの結晶化におよぼす雰囲気効果
（名大工）○伊藤秀章，中 重治，筒井寿也 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 55
2609 ｃＢＮ単結晶の育成
（無機材研）〇三島 修，山岡信夫，福長 脩 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 57
［昼休み］
◇１３：００〜１４：００ 座長 伊藤秀章
2610 低金属分有ダイヤモンド焼結体の合成
（無機材研）赤石 實，山岡信夫，田中順三，大沢俊一，福長 脩・・・・・・・・・・・・ 59
2611 タンタル仕切板を用いた焼結ダイヤモンド複合体
（東名ダイヤモンド）細見 暁 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 61
2612 ダイヤモンド焼結体工具の切削性能
（東芝タンガロイ）山家 菱，○木曽弘隆，上原一仁 ・・・・・・・・・・・・・・・・・ 63
◇座長 佐藤 洋一郎
2613 プラズマＣＶＤ法による硬質炭素膜形成における酸素添加の効果
（名大工）佐藤孝雄，森田慎三，服部秀三 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・65
2614 プラズマＣＶＤ法によるＨ２−ＣＨ４−Ｈ２Ｏ系からのダイヤモンド合成
（日立製作所日立研）○斉藤幸雄，佐藤康司，田中秀明，藤田一紀 ・・・・・・・・・・・ 67
2615 マイクロ波放電による炭素膜析出における添加気体の効果
（青学大理工）○松本 修，大代 操 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 69
［休 憩］
◇１５：１０〜１６：３０ 座長 戸倉 和
2616 プラズマＣＶＤ法によるダイヤモンド膜成長時の初期所見
（電通大）○湯郷成美，金井久幸，木村忠正 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 71
2617 ダイヤモンド薄膜のモルフォロジーと結晶成長
（神戸製鋼所浅田研）○小橋宏司，西村耕造，川手剛雄，堀内健文 ・・・・・・・・・・・ 73
2618 マイクロ波プラズマ法による低ガス圧域におけるダイヤモンド合成
（無機材研・セイコー研*・神戸製鋼**）○佐藤洋一郎，加茂睦和，瀬高信雄，三本木法光*，小橋宏司** ・・・・・・・・・・75
2619 炭化タングステン単結晶上でのダイヤモンドの成長
（無機材・日本合成ゴム*）加茂睦和，○茶碗谷仁*，田中高穂，佐藤洋一郎，瀬高信雄 ・・・・・・・・・・ 77 |