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日 時：平成６年１１月２４日（木），２５日（金）
会 場：東京工業大学百周年記念館
第１日目（１１月２４日）（東京工業大学 百周年記念館）
◇座長 川原田洋（早大・理工）９：００～１０：２０
101 金属／ダイヤモンド／半導体構造の誘電特性（２）～Ｓｂ添加ＣＶＤダイヤモンド膜～
（東海大・工，東工大・工*）○鈴木 敬，中間俊英，水嶋 徹，鯉沼秀臣，犬島 喬，白石 正 ・・・・・・・・・・・・・・・・ 4
102 ｐ形ＣＶＤダイヤモンド膜の電気的特性
（松下電器，阪大・工*）○出口正洋，北畠 真，平尾 孝，森 勇介*，八田章光*，伊藤利道*，平木昭夫* ・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 6
103 ホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜の電気的特性評価
（電総研）○林 和志，三好比呂喜，原 史朗，大串秀世 ・・・・・・・・・・・・・・・・・8
104 ＣＶＤダイヤモンドにおける光伝導スイッチ動作のグレインサイズ依存性
（日本電気，電通大・レーザー*）○相川由実，馬場和宏，正畑伸明，米田仁紀*，植田憲一* ・・・・・・・・・・・・・・・・ 10
◇コーヒーブレーク １０：２０～１０：４０
◇座長 岡野 健（東海大・工） １０：４０～１２：００
105 表面伝導層を用いたダイヤモンドＭＥＳＦＥＴの相互コンダクタンスの向上
（早大・理工）○伊藤正宏，中村直文，神 信孝，野田英行，外園 明，永井紀行，川原田洋 ・・・・・・・・・・・・・・・・ 12
106 β一ＳｉＣ（００１）基板上に作製された平坦なヘテロエピタキシャルダイヤモンド膜の電気的特性
（早大・理工）○中村直文，伊藤正宏，神 信孝，永井紀行，外園 明，末定 剛，川原田洋 ・・・・・・・・・・・・・・・・ 14
107 刃付加工したＣＶＤダイヤモンド膜の切削性能
（東工大・工）○奥住文徳，吉川昌範 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・16
108 イオン注入ダイヤモンド膜のマイクロトライボロジー特性
（日本工大・システム，ＮＴＴ境界研*）○三宅正二郎，宮本孝典*，金子礼三* ・・・・・・18
◇昼食 １２：００～１３：００
◇座長 築野 孝（住友電工） １３：００～１４：００
109 水素終端ホモエピタキシャルダイヤモンド表面のＳＴＭ／ＳＴＳ観察
（早大・理工，東京ガス*）○佐藤敦祥，今井敏行，山下 敏*，川原田洋 ・・・・・・・・・24
110 β一ＳｉＣ（００１）上に方位整合したダイヤモンド膜のカソードルミネッセンス
（早大・理工，日本工大*）○今村純一，堤 隆裕，末定 剛，海老原丈明，村上忠正，鈴木 学*，
竹内貞雄*，村川正夫*，川原田洋 ・・・・・・・・・・・・・・・・ 26
111 高純度ダイヤモンドの強い励起子発光
（早大・理工，日本工大*）○堤 隆裕，今村純一，海老原丈明，村上忠正，鈴木 学*，竹内貞雄*，
村川正夫*，川原田洋 ・・・・・・・・・・・・・・・・ 28
◇座長 神田久生（無機材研）１４：００～１５：００
112 ダイヤモンド薄膜の微細構造とラマン散乱に及ぼす影響
（三菱マテリアル）○菊池則文，大沢雄三，吉川博道 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・30
113 異なった歪み及び不純物のダイヤモンド単結晶のラマン分光の半値幅
（住友電工・伊丹）○西林良樹，塩見 弘，鹿田真一 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・32
114 ダイヤモンド表面とハロゲンとの反応
（無機材研・住友シチックス*，凸版印刷**）Ｏ安藤寿浩，下崎新二*，西谷美香**，山本一雄，
加茂睦和，佐藤洋一郎 ・・・・・・・・・・・・・・・・ 34
◇コーヒーブレイク １５：００～１５：２０
◇特別講演 座長 湯郷成美（電通大） １５：２０～１６：２０
Ｔhermodynamics and Kinetics of Activated Chemical Crystallization of Diamond Boris V. Spitsyn Institute of
Physical Chemistry Russian Academy of Sciences
◇ポスターセッション （１６：２０～１８：００）
P01 ダイヤモンド成長における紫外線の照射効果
（九州大・工）○大屋信貴，前田英明，草壁克己，諸岡成治 ・・・・・・・・・・・・・・・・40
P02 ドープ源にトリメチルホウ素を用いたダイヤモンド薄膜
（九州大・工）○大坪 京，前田英明，草壁克己，諸岡成治
P03 常圧チャンバーフレーム法による透明ダイヤモンド膜の合成
（日本工大・早大・理工*）○竹内貞雄，堤 隆裕*，川原田洋，村川正夫 ・・・・・・・・・42
P04 ダイヤモンド核発生における超音波振動効果
（電機大・理工・工*，富士電波**）○吉井 誠，平栗靖子，峯村 実，平栗健二，木下 彬，六倉信喜*，
町 好雄*住友紘秦** ・・・・・・・・・・・・・・・・ 46
P05 種付け処理を用いたダイヤモンド低温合成
（阪大・工）○屋良卓也，牧田 寛，八田章光，森 勇介，伊藤利道，平木昭夫 ・・・・・・・48
P06 多結晶ニッケル基板へのＣＶＤダイヤモンド核生成機構の検討
（東工大・工，オグラ宝石*）○喬 辛，鶴見敬章，大橋直樹，馬 躍飛，福長 脩，篠田知顕，油井広一* ・・・・・・・・・・・・・・・・ 50
P07 マイクロ波ＣＶＤダイヤモンドの核発生密度に及ぼすバイアス核形成処理条件の影響
（東工大・工，オグラ宝石*）○馬 躍飛，鶴見敬章，大橋直樹，喬 辛，福長 脩，篠田知顕* ・・・・・・・・・・・・・・・・ 52
P08 過剰圧法による単結晶ダイヤモンドの成長
（筑波大・物質）○王 裕昌，高鍋隆一，鍵 裕之，高野 薫，若槻雅男 ・・・・・・・・・・54
P09 熱分解炭素を原料としたダイヤモンド高圧合成
（東京ガス，東洋炭素*，東京ガスケミカル**）○中村和郎，山下 敏，密石雅行*，長沢 健*，片岡加寿弘** ・・・・・・・・・・・・・・・・ 56
P11 衝撃誘起ダイヤモンド転換に寄与する主要なパラメータ
（東工大・工材研，住友電工*）○平井寿子，近藤建一，久木野暁* ・・・・・・・・・・・・58
P12 ダイヤモンド－ＳｉＣ－Ａｌ２Ｏ３－ＴｉＮ複合材のマイルドな超高圧下での作製
（名工研，融合研*，日清製粉**）○粂 正市，鈴木一孝，吉田晴男，山田幸良**，冬木 正**，外ノ池直人** ・・・・・・・・・・・・・60
P13 マイルドな超高圧下でのＡ１２Ｏ３被覆ｃＢＮ及びＡｌ２Ｏ３－ＴｉＮ混合物の結晶
（融合研，名工研*，日清製粉**）○吉田晴男，粂 正市*，鈴木一孝*，山田幸良**，冬木 正**，外ノ池直人** ・・・・・・・・・・・・・62
P14 ダイヤモンドの酸化反応速度論
（無機材研，九州東海大・工*）○安藤寿浩，清田英夫*，サイモン・ローソン，山本一雄，加茂睦和，佐藤洋一郎 ・・・・・・・・・・・・・64
P15 ＣＶＤダイヤモンド薄膜のＥＳＲ法による評価
（東海大・工，松下電器*，阪大・工**）○庄 喜之，中村吉伸，和泉富雄，出口正洋*，北畠 真*，平尾 孝*，
森 勇介**，八田章光**，伊藤利道**，平木昭夫** ・・・・・・・・・66
P16 断面組織から見たＣＶＤダイヤモンドの光透過性
（東工大・工）○平田 敦，吉川昌範 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・68
P17 ダイヤモンドの重イオン照射効果～Ｘ線的特性
（玉川大・工，日本原研*，岡山大・理**）○早乙女隆雄，岩下州仁，斎藤祐次郎，春名勝次，大橋一利，前田裕司，
小野文久**，松本徳真** ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・70
P18 第一原理分子動力学法によるＢＣＮの構造安定性の計算
（無機材研）○小林一昭 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・72
P19 金属／ダイヤモンド／半導体構造の誘電特性（Ⅰ）
（東海大・工，東工大・工*）○中間俊英，鈴木 敬，小笠原厚志，犬島 喬，鯉沼秀臣，白石 正 ・・・・・・・・・・・・74
P20 燐ドープしたダイヤモンドの作製評価
（阪大・工）○別宮和仁，栄森信広，牧田 寛，八田章光，森 勇介，伊藤利道，平木昭夫 ・・76
P21 Ｂ－ドープダイヤモンド単結晶膜の電気伝導特性
（九州東海大・工・東海大・工*，電総研**，無機材研***）○清田英夫，松島栄一*，佐藤啓介*，大串秀世**，安藤寿浩***，
田中順三***，加茂睦和***，佐藤洋一郎***，飯田昌盛* ・・・・・・・・・・・・・ 78
P22 ダイヤモンドの重イオン照射効果電気特性
（玉川大・工・日本原研*，岡山大・理**）○岩下洲仁，斎藤祐次郎，春名勝次，大橋一利，前田裕司*，小野文久**，
松本徳真** ・・・・・・・・・・・・・ 80
P24 ダイヤモンド膜およびフッ素化ダイヤモンド膜のマイクロ摩擦
（日本工大・システム○Ｏ津嶋尚武，三宅正二郎 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・82
P25 単結晶ダイヤモンドの仕上面性状
（東工大・工）○戸倉 和，董 ?，吉川昌範 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 84
P26 ダイヤモンド単結晶粒子上におけるエピタキシャル成長
（九州大・工）○前田英明，大坪 京，草壁克己，諸岡成治 ・・・・・・・・・・・・・・・・86
P27 ダイヤモンド（００１）オフ基板上のエピタキシャル成長
（住友電工・伊丹）○築野 孝，太田進啓，鹿田真一，藤森直治 ・・・・・・・・・・・・・・88
P28 立方晶窒化ホウ素表面に形成されたダイヤモンド初期成長層の評価
（青学大・理工）○伊藤太郎，小泉 聡，犬塚直夫 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・90
P29 ダイヤモンド関連物質のＸ線スペクトルの理論計算
（兵庫工技センター，同・機械金属工業指導所*）○元山宗之，兼吉高宏，上月秀徳* ・・・・92
P30 フラーレンローストの作製とＣＶＤプラズマ処理
（第一燃料，兵庫工技センター*）○柴田 浩，西田勝美，後藤繁雄，石間健市*，奥野泰生*，元山宗之* ・・・・・・・・・・・・・ 94
P31 ＢＮ及びＢ－Ｃ－Ｎ系物質のＸ線スペクＭと理論計算
（兵庫工技センター，同・機械金属工業指導所*）○上月秀徳*，兼吉高宏，元山宗之 ・・・・96
P32 オージェ電子分光法によるａ－Ｃ：Ｎ膜中の窒素の検出
（長岡技大）○井上 亨，大塩茂夫，斎藤秀俊，鎌田喜一郎 ・・・・・・・・・・・・・・・・98
◇懇親会 １８：００～２０：００
第２日（１１月２５日）
◇座長 山下敏（東京ガス）９：００～１０：２０
201 炭化したシリコン下地へのダイヤモンド成長
（青学大・理工，トウ・ブラス*）○横長徳之，町田宅広，小泉 聡*，鈴木一博*，犬塚直夫 ・・・・・・・・・・・・・ 104
202 バイアス処理による異種基板上でのダイヤモンドの核生成
（九州大・工）○前田英明，草壁克巳，諸岡成治 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・106
203 電子顕微鏡によるダイヤモンド核成長過程の観察
（電通大）○瀬本清彦，保科公彦，坂東昭典，松木征志，中井日佐司，邸 宏，橋本 満，湯郷成美 ・・・・・・・・・・・・・ 108
204 ＤＣプラズマジェットＣＶＤ法によるダイヤモンド自立体の作成
（富士通研，富士通オートメーション）○井谷 司，佐々木謙一，栗原和明，小平晃文 ・・・・110
◇コーヒーブレイク １０：２０～１０：４０
◇座長 平井寿子（東工大・工材研） １０：４０～１２：００
205 数値シュミレーションによる単結晶成長過程の解析
（筑波大・物質）李 偉，○若槻雅男 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・112
206 銅触媒で合成したダイヤモンドの評価
（無機材研，インド物理研*）○神田久生，Ｓ．ｋ．シンガル* ・・・・・・・・・・・・・・114
207 有限要素法による圧力媒体の塑性変形解析
（住友電工・伊丹・情シ*）○川手克之，中島 猛，佐藤周一，櫛谷元紀，加櫨 武* ・・・・116
208 高圧合成ダイヤモンド単結晶の結晶性
（住友電工・伊丹）○戸田直大，角谷均，佐藤周一 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・118
◇昼食 １２：００～１３：００
◇座長 鍵 裕之（筑波大・物質）１３：００～１４：００
209 磁界励起形イオンプレーティングにより作成したｃ－ＢＮ膜の高分解能電子顕微鏡観察
（日本工大，東芝タンガロイ*，ファインセラミックスセンター**）○渡部修一，三宅正二郎，鈴木哲也*，周 維列**，
幾原雄一**，村川正夫 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 124
210 アークプラズマを用いた窒化炭素の作製
（青学大・理工，トウプラス*，東芝タンガロイ**）○大貫正昌，小泉 聡，鈴木一博*，八木 優**，鈴木哲也**，
犬塚直夫 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 126
211 黒鉛状ＢＣ２Ｎの立方晶への直接転換及び添加剤を用いた相転移
（無機材研）○中野智志，赤石 實，佐々木高義，山岡信夫 ・・・・・・・・・・・・・・・・126
◇コーヒーブレイク １４：００～１４：２０
◇特別セッション 「ヘテロエピを考える」 １４：２０～１７：００
◇座長 小泉 聡(青学大・理工) １４：２０～１６：００
212 ダイヤモンドの配向析出におよぼすバイアス処理の影響
（九州大・工）○入江美紀，前田英明，草壁克己，諸岡成治 ・・・・・・・・・・・・・・・・134
213 銅基板上における配向ダイヤモンド粒子の合成
（東京ガス，東京ガスケミカル*）○石倉威文，山下 敏，男鹿伸一* ・・・・・・・・・・・136
214 β－ＳｉＣ（００１）上でのダイヤモンドヘテロエピタキシャル核形成及び成長
（早大・理工）○末定 剛，水落祐二，佐藤敦祥，川原田洋 ・・・・・・・・・・・・・・・・138
215 高配向性ダイヤモンド薄膜の材料特性
（神戸製鋼）○橘 武史，林 和志，小橋宏司 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・140
総合討論 座長 光田好孝(東大・生産研) １６：００～１７：００ |