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日 時：平成７年１１月２１日（火），２２日（水）
会 場：青山学院大学渋谷キャンパス総合研究所ビル
第１日（１１月２１日） （青山学院大学渋谷キャンパス）
◇オーラルセッション ９０：００～１２：００ （総研ビル １２階大会議室）
◇座長 湯郷成美（電通大） ９：００～１０：２０
101 β－ＳｉＣ下地へのダイヤモンドのエピタキシャル成長
（青学大・理工，トウ・プラス*）○横長徳之，杉森俊哉，鈴木一博*，犬塚直夫 ・・・・・・4
102 白金基板上でのダイヤモンドのヘテロエピタキシャル成長
（徳島大・工）○新谷義廣，直井美貴，稲岡 武 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・6
103 新谷法によるダイヤモンド薄膜ヘテロエピタキシー
（神戸製鋼・電技研，徳島大・工*）○横田嘉宏，橘 武史，西村耕造，宮田浩一，小橋宏司，新谷義廣* ・・・・・・・・・・・・・・・・・ 8
104 エンドランチ型ＣＶＤ装置によるホモエピタキシルダイヤモンド薄膜の合成
（電総研）○林 和志，山中貞則，渡辺幸志，原 史朗，大串秀世，梶村皓二 ・・・・・・・・・・10
◇コーヒーブレイク １０：２０～１０：４０
◇座長 前田英明（九州大）１０：４０～１２：００
105 パルス放電プラズマＣＶＤにより作成したダイヤモンド膜の構造の放電波形による変化
（愛知教育大・総合理学，岩谷産業*）○野田三喜男，青木一成，五島大治，荒木那善*・・・・12
106 ダイヤモンド単結晶上へのＧａＡｓ層の貼り合わせ
（阪大・工）○板垣鉄平，杉野 隆，白藤純嗣 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・14
107 窒化炭素膜作製プロセスにおけるイオン加速電圧と成長速度
（長岡技大・化学）○井上 亨，大塩茂夫，斉藤秀俊，鎌田喜一郎 ・・・・・・・・・・・・・16
108 地球環境とダィヤモンド合成
（住友電工・伊丹）○鹿田真一，塩見 弘，西林良樹 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・18
◇昼休み１２：００～１３：００
◇オーラルセッション １３００～１６：００ （総研ビル １２階大会議室）
◇座長 澤邊厚仁（青学大）１３：００～１４：４０
109 ダイヤモンド結晶中の燐による電子スピン共鳴シグナルの探索
（図書情報大，無機材研*，原研高崎**）○磯谷順一，神田久生*，赤石 實*，森田洋右**，大島武一** ・・・・・・・・・・・・ 24
110 熱フィラメントＣＶＤ法によって作製された多結晶ダイヤモンド薄膜のＸＰＳによる評価
（阪大・工）○岩崎行緒，杉野 隆，白藤純嗣 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・26
111 放射光励起によるダイヤモンドのエッチング
（分子科学研・琉球大・教育*，大阪市大・工**，名大・工***）○大橋治彦，石黒英司一，笹埜智彦**，
小栗貴裕***，正畠宏祐一*** ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・28
112 ０２／Ｎ２０系ＲＩＢＥによるダイヤモンドエッチング
（富士電機総研）○渡辺泰正，江戸雅晴，米澤栄一 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・30
113 高周波プラズマＣＶＤで成膜したＤＬＣの内部応力
（日本電気・基礎研）○志村健一，馬場和宏，正畑伸明 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・32
◇コーヒーブレイク １４：４０～１５：００
◇座長 神田久生（無援材研） １５：００～１６：００
114 ダイヤモンドアンビルにおける圧力媒体の圧力分布測定と有限要素法解析
（住友亀工・伊丹，三重大・工*）○中島 猛，川手克之，佐藤周一，中村裕一* ・・・・・・34
115 低欠陥ダイヤモンド単結晶の高圧合成
（住友電工・伊丹）○戸田直大，角谷 均，佐藤周一 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・36
116 高圧下黒鉛安定領域でのダイヤモンド合成
（阪大・基礎工，住友電工・伊丹*）○小野寺昭史，寺嶋克知，水渡嘉一，角谷 均*，佐藤周一* ・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 38
◇ポスターセッション １６：００～１７：３０ （総研ビル１１階第１９会議室）
P01 磁場援用アーク放電プラズマジェット装置によるダイヤモンド合成
（東工大・工）○平田 敦，吉川昌範 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・44
P02 単結晶ダイヤモンドによるナノスケールシリコン細線アレイの被覆
（無機材研，スタンフォード大学・材料研*）○P. A. Dennig，,H.ｌ.Liu*，D. A. Stevenson*，R. F. W. Pease* ・・・・・・・・・・・・・・・・・ 46
P03 高配向核発生に対する基板バイアス印加効果
（凸版印刷，無機材研*）○西谷美香，安藤寿浩*，加茂睦和*，佐藤洋一郎* ・・・・・・・48
P04 バイアス処理による高配向（III）ダイヤモンド膜の合成
（九州大・工）○伊福俊博，前田英明，齋藤丈靖，草壁克己，諸岡成治，加藤昭夫 ・・・・・・50
P05 立方晶窒化ホウ素表面に形成されたダイヤモンド初期成長層の評価Ⅱ
（青学大・理工・無機材研*，トウプラス**）○伊藤太郎，小泉 聡*，鈴木一博**，犬塚直夫 ・・・・・・・・・・・・・・・・ 52
P06 バイアス処理による配同性ダイヤモンドの初期析出過程
（九州大・工）○前田英明，齊籐丈靖，草壁克己，諸岡成治，加藤昭夫 ・・・・・・・・・・・54
P07 ダイヤモンド粒子の配列・配向成長
（電通大・工・共同研究センター*）○関 忠景，中村伸之，瀬本清彦，木村忠正，湯郷成美* ・・・・・・・・・・・・・・56
P08 針状基材へのダイヤモンド成長の問題点
（電通大・工，共同研究センター*）○中村伸之，関 忠景，瀬本清彦，木村忠正，湯郷成美* ・・・・・・・・・・・・・・58
P09 ダイヤモンド（００１）基板上のホモエピタキシャル膜の成長と評価Ⅱ
（住友電工・伊丹）○築野 孝，太田進啓，熊澤佳明 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 60
P10 ダイヤモンド表面の不対電子を有する欠陥からの電子放出の可能性
（東海大・工）○秋葉幸男，広瀬洋一，庄 善之，和泉富雄，黒須循生，飯田昌盛 ・・・・・・ 62
P11 ハロゲンによるダイヤモンド表面吸着水素の引き抜き
（無機材研，凸版印刷*，ライス大学**）○安藤寿浩，山本一雄，西谷美香*，加茂睦和，佐藤洋一郎，
ロビン・ローズ**・・・・・・・・・・・・・・・・・ 64
P12 Ｎ２ＯおよびＮＯによるダイヤモンド表面の酸化
（無機材研，ウィーン工科大*）○安藤寿浩，山本一雄，加茂睦和，佐藤洋一郎，ローランド・ハブナー* ・・・・・・・・・・・・・・・・・ 66
P13 常圧熱ＣＶＤ法による窒化炭素の合成
（青学大・理工，トウプラス*）○田辺和仁，椎貝広史，鈴木一博*，犬塚直夫 ・・・・・・・ 68
P14 プラズマインビーダンスによるダイヤ成膜用μ波プラズマＣＶＤの診断
（阪大・基礎工）○三宅 仁，菅原健一，牧 哲朗，小林 猛 ・・・・・・・・・・・・・・・ 70
P15 ＥＣＲプラズマＣＶＤによるダイヤモンド核発生
（仁荷大学・工，阪大・工*）○全 炯敏，李 鍾武，鈴木秀利*，八田章光*，伊藤利道*，平木昭夫* ・・・・・・・・・・・・・・・・・ 72
P16 ＥＲＤＡによるＣＶＤダイヤモンド中水素及び重水素の定量
（阪大・工）○八木弘雅，谷田和郎，八田章光，伊藤利道，平木昭夫 ・・・・・・・・・・・・ 74
P17 パルス放電によるダイヤモンド成膜
（阪大・工）○鈴木秀利，門多健一，八田章光，伊藤利道，平木昭夫 ・・・・・・・・・・・・ 76
P18 紫外線照射によるＣＶＤダイヤモンドの電子親和力の変化
（阪大・工）○栄森信広，森 勇介，八田章光，伊藤利道，平木昭夫 ・・・・・・・・・・・・ 78
P19 衝撃圧縮によるｈ－ＢＮからｗ－ＢＮおよびｃ－ＢＮへの転換機構
（東工大・工材研，物質研*，三井鉱山**）○平井寿子，近藤建一，吉田正典*，藤原修三*，藤原茂**，
辰巳克充**・・・・・・・・・・・・・・80
P20 ９－１０万気圧領域での黒鉛－ＭｇＣＯ３及び黒鉛－Ｋ２Ｍｇ（ＣＯ３）２系からのダイヤモンド合成
（無機材研，ロンドン大学・地質*）○谷口 尚，D. Dobson*，R. Rabe*，A. p .Jones*，H. J. Milledge* ・・・・・・・・・・・・・・・・・ 82
P21 ｃＢＮ含有ＳｉＣウィスカー複合体のマイルド超高圧焼結
（融合研，名工研*，日清製粉**，超高材研・山口研***）○吉田晴男，粂 正市*，鈴木一孝*，冬木 正**，外ノ池直人**，
山本雅章***，中川浜三*** ・・・・・・・・・・・・・・・・84
P22 ダイヤモンド－ＰＳＺ－ＳｉＣウィスカー系の超高圧ＨＩＰ焼結
（名工研，融合研*，日清製粉**，超高材研・山口研***）○粂 正市，鈴木一孝，吉田晴男*，冬木 正**，外ノ池直人**，
山本雅章***，中川浜三*** ・・・・・・・・・・・・・・・・・・86
P23 人工・天然ダイヤモンドのＸ線散漫散乱による結晶性評価
（原研，玉川大・工*）○前田裕司，松本徳真，早乙女隆雄*，春名勝次*，大塚英男，加藤輝雄，大橋一利* ・・・・・・・・・・・・・・・・・ 88
P24 ダイヤモンド薄膜のＥＳＲ
（東海大・工）○庄 善之，岩瀬満雄，和泉富雄 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 90
P25 光音響分光法によるダイヤモンドの研究
（モスクワ州立大，東海大・工*，電総研**）○A. N. Obraztov，渡辺幸志*，大串秀世一・・ 92
P26 顕微ラマン分光法によるヘテロエピタキシャルダイヤモンド薄膜の評価
（無機材研）○小泉 聡，渡邊賢司，加茂睦和，佐藤洋一郎 ・・・・・・・・・・・・・・・・ 94
P27 高圧合成ダイヤモンド結晶の残光特性
（無機材研，D. T. C. Research Center*，図書情報大**）○渡邊賢司，S. C. Lawson*，磯谷順一**，
神田久生，佐藤洋一郎 ・・・・・・・・・・・・・・・・・ 96
P28 熱処理したダイヤモンドの発光分布
（無機材研）○神田久生，渡邊賢司，サイモン・ローソン ・・・・・・・・・・・・・・・・・ 98
P29 エキシマレーザーを用いたフォトルミネッセンス法によるダイヤモンドの評価
（長岡技大・化学）○山下理恵，大塩茂夫，斉藤秀俊，鎌田喜一郎 ・・・・・・・・・・・・・ 100
P30 ボロンをドープしたＣＶＤダイヤモンド薄膜の結晶性評価
（阪大・工）○元 済亨，八田章光，柳生博之，平木昭夫，江 南，森 勇介，伊藤利道 ・・・・・・・・・・・・ 102
P31 燐ドープダイヤモンド粒子のモルフォルロジー観察
（青学大・理工，無機材研*）○尾崎裕之，小泉 聡*，加茂睦和*，佐藤洋一郎*，犬塚直夫 ・・・・・・・・・・・・ 104
P32 重イオン照射したボロンドープダイヤモンドの電気伝導度
（玉川大・工，原研*，岡山大・理**）○佐藤俊麿，大附孝行，岩下州仁，斉藤裕次郎，春名勝次，大橋一利，
前田祐司*，須貝宏行*，松本徳真*，大塚英雄*，小野文久** ・・・・・・・・・・106
P33 Multiple Delta Doped（ＭＤＤ）ダイヤモンド薄膜
（阪大・基礎）○按田義治，牧 哲朗，小林 猛 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・108
P34 ＴＥＭによるイオン注入されたＣＶＤダイヤモンド表面の観察
（阪大・工，松下電器・中研*，松下テクノリサーチ**）○江 南，柳生博之，出口正洋*，元 済亨，森 勇介，八田章光，
北畠 真*，伊藤利道，平尾 孝**，佐々木孝友，平木昭夫 ・・・・・110
P35 ＣＶＤダイヤモンドの仕上面性状
（東工大・工）○奥住文徳，董 ?，平田 敦，戸倉 和，吉川昌範 ・・・・・・・・・・・・ 112
P36 ダイヤモンド膜の各種水溶液による潤滑特性
（日工大，機械技研*）○石井正紀，三宅正二郎，渡部修一，竹内貞雄，村川正夫，榎本祐嗣* ・・・・・・・・・・114
P37 研磨したダイヤモンドコーテッドインサートの性能評価
（日工大）○竹内貞雄，アラヘリステン・アルト，春日井雅登・村川正夫 ・・・・・・・・・・116
P38 ｐ形ＣＶＤダイヤモンド膜のピエゾ抵抗効果特性
（松下電器・中研）○出口正洋，北畠 真，榊間 博 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・118
◇懇親会 １８：００～２０：００ （青学会館）
第２日（１１月２２日）
◇オーラルセッション ９：００～１２：００（総研ビル １２階大会議室）
◇座長 鹿田真一（住友電工） ９：００～１０：２０
201 気相成長ダイヤモンドからの電子放出
（東海大・工）○山田貴寿，浅井光春，石原弘嗣，大山 真，岡野 健 ・・・・・・・・・・・124
202 "Tip-structure"ダイヤモンド粒子からの電界電子放出特性
（東京ガス，九州工大*）○石倉威文，山下 敏，丸田哲也*，浅野種正* ・・・・・・・・・126
203 ダイヤモンド－金属接合における内部電界電子放出の数値計算
（阪大・工）○服部励治，白藤純嗣，杉野 隆 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・128
204 水素化ホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜の電荷輸送特性
（電総研，無機材研*）○山中貞則，林 和志，渡辺幸志，原 史朗，田中順三*，大串秀世，梶村皓二 ・・・・・・・・・・130
◇コーヒーブレイク １０：２０～１０：４０
◇座長 杉野 隆（阪大） １０：４０～１２：００
205 トリメチルホウ素をドープ源とした半導体ダイヤモンド膜の電気物性
（九州大・工，九州東海大・工*）○大坪 京，斉藤丈靖，前田英明，草壁克己，諸岡成治，清田英夫* ・・・・・・・・・・132
206 ＭＥＳ，Ｐ＋－ｉ－Ｐ＋、δドープ構造ダイヤモンドＦＥＴと６Ｈ－ＳｉＣ ＭＥＳＦＥＴのデバイスシュミレーションによる特性比較
（神戸製鋼・電技研）○宮田浩一，西村耕造，古保里隆，小橋宏司 ・・・・・・・・・・・・ 134
207 素子分離されたデブレッションモードダイヤモンドＭＥＳＦＥＴの作製と評価
（早大・理工，東京ガス*）○外園 明，伊藤正宏，野田英行，神 信孝，中村健一*，石倉威文*，山下 敏*，川原田洋 ・・・・・・・・・・136
208 表面伝導層ダイヤモンドＭＥＳＦＥＴを用いたフリップフロップＩＣメモリーの作製
（早大・理工，東京ガス*）○伊藤正宏，外園 明，神 信孝，野田英行，中村健一*，石倉威文*，山下 敏*，川原田洋 ・・・・・・・・・・138
◇昼休み １２：００～１３：００
◇オーラルセッション １３：００～１７：００（総研ビルル １２階大会議室）
◇座長 横田嘉宏（神戸製鋼） １３：００～１５：００
209 ダイヤモンド配向核形成のためのＥＣＲ装置を用いたバイアス処理
（東京ガス）○マルシャル・ナディン，石倉威文，山下 敏 ・・・・・・・・・・・・・・・ 144
210 バイアス処理によるＮｉ基板上でのダイヤモンド核発生
（九州大・工）○大屋信貴，齋藤丈靖，前田英明，草壁克己，諸岡成治 ・・・・・・・・・・ 146
211 ２段階バイアス処理によるシリコン基板上でのダイヤモンド高配向膜製膜初期過程の制御
（九州大・工）○香藤丈靖，鶴我薫典，前田英明，草壁克己，諸岡成治 ・・・・・・・・・・ 148
212 直流バイアス印加によるダイヤモンド成長
（九州大・工）○齊籐丈靖，亀田正順，前田英明，草壁克己，諸岡成治 ・・・・・・・・・・ 150
213 マイクロ波ＣＶＤによるダイヤモンドの核発生密度におけるバイアスの効果
（東工大・工，オグラ宝石*）○馬 躍飛，鶴見敬章，篠田知顕*，福長 脩 ・・・・・・・ 152
◇コーヒーブレイク １５：００～１５：２０
◇座長 鈴木哲也（東芝タンガロイ） １５：２０～１６００
214 ＣＶＤダイヤモンド膜の膜質と摩耗の関係
（不二越・技開）○高野茂人，米島弘栄，吉田昇一，荒井憲孝，渡辺良一，神田一隆 ・・・・ 154
215 表面改質ダイヤモンドＤＬＣ膜の水潤滑特性
（日工大，シュルンベルジェ*）○三宅正二郎，石井正紀，渡部修一，陣崎義信* ・・・・・ 156
216 炭素イオン注入後処理によるｃ－ＢＨ膜の摩擦耐久性の向上
（日工大）○渡部修一，三宅正二郎，村川正夫 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 158
◇座長 広瀬洋一（東海大） １６：００～１７００
217 光交流法によるダイヤモンド自立膜の熱伝導性評価
（豊田中研）○樋口和夫，伊藤明生，内田 清，野田正治 ・・・・・・・・・・・・・・・・ 160
218 ダイヤモンド薄膜の表面伝導層の形成メカニズム
（東海大・工）○李 成奇，勝木信幸，秋葉幸男，黒須楯生，飯田昌盛 ・・・・・・・・・・ 162
219 新構造ダイヤモンドＳＡＷフィルター
（住友電工・伊丹）○鹿田真一，中幡英章，槍垣賢次郎，藤井 知，北林弘之，関祐一郎，田辺敬一郎 ・・・・・・・・ 164
Ｌａｔｅ Ｎｅｗｓ １７：００～１７：３０ （総研ビル １２Ｆ大会議室） |