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日 時：平成３年１月２２日（火），２３日（水）
会 場：ホテルニューオータニ長岡
第１日［１月２２日（火）］
◇９：００～１０：２０ 座長 川原田洋（早稲田大学）
101 粒子衝突によって処理したＳｉ基板上へのダイヤモンド気相合成
（群馬大・工）○宝田恭之，海老原福次，松崎秀明，加藤邦夫 ・・・・・・・・・・・・・・・3
102 シリコン基板の表面処理と核発生
（無機材研，大阪チタニウム製造㈱*）○下崎新二*，加茂睦和，安藤寿浩，佐藤洋一郎 ・・・・・・・・・・・・・・・・5
103 ダイヤモンドの核生成および結晶成長に及ぼすＴｉ基板の陽極酸化皮膜の影響
（日本アルミニウム工業㈱，京大・工*）○加藤周一郎，松本史朗，金気昭一，冨井洋一* ・・・・・・・・・・・・・・・・7
104 熱フィラメント法による各種セラミック基板上へのダイヤモンド薄膜合成
（広島県立西部工業技術センター，東大・院*，東大・先端研**）○筒本隆博，陳 康*，松原秀彰** ・・・・・・・・・・・・・・ 9
◇１０：２０～１０：４０ ［休憩］
◇１０：４０～１２：００ 座長 鈴木一博（協栄ブラスチック工芸社）
105 Ｆｅ／Ｓｉ基板上へのダイヤモンド合成
（東京電気大・理工，工*）○小林健二，六倉信喜*，町 好雄*・・・・・・・・・・・・・・11
106 気相法によるニッケル基板上へのダイヤモンドのエピタキシャル成長
（無機材研，小野田セメント(株)中研*）○藤田英樹*，安藤寿浩，加茂睦和，田中高穂，佐藤洋一郎 ・・・・・・・・・・・・・・・・13
107 高密度プラズマでのダイヤモンド薄膜の合成
（阪大・工，積水化学工業㈱*，早大・理工**，㈱島津製作所***）○湯浅基和*，魏 津，川原田洋**，
鈴木準一***，岡田繁信***，平木昭夫 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・15
108 前方淀み流平面火炎によるダイヤモンド膜生成
（㈱豊田中央研究所）○村山元英，小島晋爾，内田 清 ・・・・・・・・・・・・・・・・・17
◇１２：００～１３：００ ［昼休み］
◇１３：００～１４：００ 座長 小林健二（東京電気大）
109 多結晶ＢＮ基板を用いたＣＶＤダイヤモンド膜の特徴
（東工大・工，東工大・工材研*）○福長 脩，矢崎陽一，平井寿子* ・・・・・・・・・・19
110 熱フィラメントＣＶＤ法によるｃＢＮの合成
（長岡技科大・大学院*，）○松井信明，榎本重朗，石黒 孝*，一ノ瀬幸雄 ・・・・・・・ 21
111 直流プラズマＣＶＤ法による窒化ほう素薄膜の作製
（協栄プラスチック工芸社，青山学院大学・理工*）○鈴木一博，林 専一*，犬塚直夫* ・・・・・・・・・・・・・・・23
◇１４：００～１５：００ 座長 若槻雅男（筑波大）
112 Ｍｇ３ＢＮ３を原料としたｃＢＮの合成
（東工大・工，東工大・工材研*）○中野智志，平井寿子*，井川博行，福長 脩 ・・・・・・25
113 窒化ほう素各相間の反応生成圧カ－温度の関係
（無機材研，東大・物性研*，高エネ研**，）○谷口 尚，下村 理，佐藤忠夫，大沢俊一，山岡信夫，内海 渉*，亀卦川卓美** ・・・・・・27
114 非金属触媒から合成されたダイヤモンドの特徴
（無機材研）○神田久生，赤石 實，大沢俊一，山岡信夫 ・・・・・・・・・・・・・・・・ 29
◇１５：００～１５：２０ ［休 憩］
◇１５：２０～１６：２０ 座長 神田久生（無機材研）
115 ダイヤモンド焼結に及ぼす炭酸塩の添加効果
（無機材研）赤石 實，神田久生，大沢俊一，山岡信夫 ・・・・・・・・・・・・・・・・・ 31
116 ダイヤモンド－Ｃｏ系粉末の調整と超高圧焼結
（東工大・工）○飯塚 誠，井川博行，福長 脩 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 33
117 ＴｉＣコーティングダイヤモンドの超高圧焼結
（名古屋工業技術試験所）○粂 正市，吉田晴男 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 35
◇１６：２０～１７：３０ 座長 福長 脩（東工大）
118 ＴｉＮ－ＴｉＢ２系コーティングｃＢＮの超高圧焼結
（名古屋工業技術試験所）○吉田晴男，粂 正市 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 37
119 合成ダイヤモンド結晶中のNiのＥＳＲ
（図書館情報大，無機材研*）○磯谷順一，神田久生*，内田吉茂*・・・・・・・・・・・・ 39
120 放射光利用蛍光X線分析によるダイヤモンド中の不純物の検出
（筑波大，東大*，ＫＥＫ**）○若槻雅男，早川慎一郎*，青木貞雄，合志陽一郎*，飯田厚夫** ・・・・・・・・・・・・41
◇１７：３０～１９：００ ［ポスターセッション］
P1 高周波プラズマによるダイヤモンドの生成と分析（Ⅰ）
（東京電機大・工）○島田義人，小林健二，六倉信喜，町 好雄 ・・・・・・・・・・・・・ 47
P2 高周波プラズマによるダイヤモンドの生成と分析（Ⅱ）
（東京電機大・工）○島田義人，小林健二，六倉信喜，町 好雄 ・・・・・・・・・・・・・・49
P3 プラズマＣＶＤにおける電界によるダイヤモンド核発生の促進
（電気通信大）○金井 尚，山口一郎，湯郷成美，木村忠正 ・・・・・・・・・・・・・・・・ 51
P4 500℃以下でのダイヤモンドの成長
（無機材研，日亜化学工業㈱*）○板東完治*，加茂睦和，安藤寿浩，佐藤洋一郎 ・・・・・・53
P5 プラズマジェット法による多孔質ＳｉＣ基板上へのダイヤモンド膜の形成
（日本アルミニウム工業㈱，京大・工*）○松本史朗，加藤周一郎，金気昭一，冨井洋一*・・・・・・・・・ 49
P6 マイクロ波放電によるダイヤモンド膜の大面積化
（電気興業㈱）石堀宏一，○大平義和 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・57
P7 窒素ドープのＣＶＤダイヤモンドのカソードルミネッセンスにおける照射効果
（阪大・工，早大・理工*）○横田嘉宏，川原田洋*，平木昭夫 ・・・・・・・・・・・・・59
P8 イオンビーム照射によるダイヤモンド膜の平滑化
（東工大・工）○平田敦，戸倉 和，吉川昌範 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・61
P9 ダイヤモンドの表面処理
（住友電気工業㈱伊丹研究所）○西林良樹，築野 孝，木村 淳，塩見 弘，藤森直治 ・・・・63
P10 ダイヤモンド膜の摩擦摩耗特性
（㈱豊田中央研究所）○神崎昌郎，樋口和夫，野田正治，内田 清 ・・・・・・・・・・・・・65
P11 ダイヤモンドおよびｃＢＮ焼結体によるＴｉ合金の切削特性
（三菱マテリアル㈱中研，同岐阜製作所*）○植田文洋，谷下田雅之，田嶋逸郎，山本和男* ・・・・・・・・・・・67
P12 ダイヤモンド被覆工具の切削特性
（東芝タンガロイ㈱素材研究部）○西条浩介 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・69
P13 気相合成ダイヤモンド粒の研削砥石としての評価
（東工大・工）吉川昌範，○大竹尚登，真下康行 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・71
P14 レーザ誘起放電ＬＰＶＤ法によるＤＬＣ膜の切削工具への適用評価
（新日本製鐵㈱機械・プラント事業部，電総研*）○小椋茂樹，峰田進栄*，安永暢男，滝川 浩，柴田 肇* ・・・・・・・・・・・73
P15 気相合成ダイヤＴＡＢ用ボンディングツールの性能について
（住友電気工業㈱ダイヤ製品開発部，伊丹研究所*）○中村 勉，田中克享，矢敷哲男，熊澤佳明，
藤森直治*，中井哲男，中谷征司 ・・・・・・・・・・・75
P16 金属／ダイヤモンド界面の特性
（阪大・工，早大・理工*，）○森 勇介，馬 京昇，川原田洋*，平木昭夫 ・・・・・・・・ 77
P17 マイクロ波ＣＶＤ法で合成したBドープダイヤモンド薄膜の接触抵抗
（神戸製鋼・電子技術研究所，USA，Electronics Materials Center*）○西村耕造，Kumar Das*，Jaffrey T Glass*，小橋宏司 ・・・・・・・79
P18 プラズマジェットＣＶＤ法による回転基板上へのダイヤモンド膜合成
（日立工機㈱勝田研究所）○能登信博，森金太郎 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・81
P19 アルミナを助剤としたｃＢＮのＨＩＰ焼結（Ⅱ）
（名古屋工業技術試験所）○吉田晴男，粂 正市 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・83
P20 ＰＳＺを助剤としたダイヤモンドのＨｌＰ焼結
（名古屋工業技術試験所）○粂 正市，吉田晴男 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・85
P21 イオンビームアシスト蒸着法によるｃＢＮ膜の合成
（㈱ライムズ第4研究グルーブ，理化学研究所*）○田辺信夫，林 常昭，岩木正哉* ・・・・87
P22 超急冷した衝撃圧縮炭素の状態変化
（東工大・工材研）○平井寿子，近藤建一 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・89
P23 ダイヤモンドコーテッド工具の切削性能
（出光石油化学㈱開発部）○伊藤利通，坪川雅也，増田敦彦，二宗啓介，福本和之，磯崎敏夫，
長佐宗廣，杉本剛一，斉藤義昭 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・91
P24 ウイスカー分散強化型ダイシングブレード
（三菱マテリアル㈱）○及川尚登，高橋 務 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・93
P25 １cm級大型ダイヤモンド単結晶の合成
（住友電気工業㈱伊丹研究所）○角谷 均，佐藤周一，辻 一夫，矢津修示 ・・・・・・・・・95
◇１９：００～ ［懇観会］
第２日［１月２３日（水）］
◇９：００～１０：２０ 座長 西村耕造（神戸製鋼）
201 合成ダイヤモンドの熱ルミネッセンスの格子欠陥による増感
（阪大・基礎工，京大原子炉*，住友電気工業㈱**）○大野 裕，西田良男，岡田守民*，矢津修示**・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 99
202 ＣＶＤダイヤモンドの自由励起子および束縛励起子発光
（早大・理工，阪大・工*，富士電気総研*，*）○川原田洋，曽木忠幸*，松山秀昭**，横田嘉宏*，平木昭夫* ・・・・・・・・・・・・・・ 101
203 気相合成ダイヤモンドの光学特性
（住友電気工業㈱伊丹研究所）○今井貴浩，藤森直治 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・103
204 合成ダイヤモンドの光機能の開発
（阪大・基礎工，住友電気工業㈱*）西田良男，矢津修示* ・・・・・・・・・・・・・・・・105
◇１０：２０～１０：４０ ［休 憩］
◇１０：４０～１２：００ 座長 藤森直治（住友電気工業）
205 アーク放電プラズマジェットＣＶＤ法によるダイヤモンド膜の結晶成長
（東工大・工）○大竹尚登，吉川昌範 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・107
206 熱フィラメントＣＶＤ法によるダイヤモンド薄膜の内部応力
（日本電気㈱・基礎研究所）○相川由実，馬場和宏，正畑伸明 ・・・・・・・・・・・・・・・109
207 ダイヤモンド薄膜の電子ビームエッチング
（㈱神戸製鋼所・電子技術研究所）○宮内重明，熊谷和夫，西村耕造，小橋宏司 ・・・・・・・111
208 気相合成ダイヤモンドのＳｌＭＳ分析
（無機材研）○加茂睦和，安藤寿浩，佐藤洋一郎 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・113
◇１２：００～１３：００ ［昼休み］
◇１３：００～１７：００ ［特別セッション・生成機構］
◇１３：００～１５：００ 座長 加茂睦和（無機材研）
209 ダイヤモンドの超微粒子
（日本電気㈱・基礎研究所）○飯島澄男，相川由美，馬場和宏 ・・・・・・・・・・・・・・・ 115
210 ダイヤモンドＳＥＮＴＡＸＹを利用した粒子の成長の観察
（阪大・工，早大・理工*，キヤノン**）○柳生博之，馬 京昇，川原田洋*，米原隆夫**，平木昭夫 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・117
211 シリコン表面におけるダイヤモンド薄膜初期成長過程の観察
（青山学院大・理工，協栄プラスチック工芸社*，）○小泉 聡，鈴木一博*，犬塚直夫・・・・ 117
◇１５：００～１７：００ 座長 湯郷成美（電気通信大学）
212 原料に敏感な反応器によるダイヤモンド析出メカニズムの解明
（東大・工）○伊原 学，宮本一夫，安田哲二，小宮山宏 ・・・・・・・・・・・・・・・・・123
213 各種原料ガス中の供給時のマイクロ波プラズマ中のガス組成解析
（川崎製鉄㈱・ハイテク研）三友 享，○太田与洋，近藤英一，大塚研一 ・・・・・・・・・・127
214 プラズマプロセスによるｃＢＮの生成機構
（長岡技科大・工）○一ノ瀬幸雄，斉藤秀俊，石黒 孝 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・129 |