日 時：平成４年１１月２６日（木），２７（金） （懇親会１１月２６日 １８：３０～２０：３０）
会 場：日本工業大学・学友会館 （埼玉県南埼玉郡宮代町学園台）
第１日（１１月２６日）（日本工業大学・学友会館）
◇９：００～１２：００ 座長 広瀬洋一（日本工大）
101 ニッケル表面でのダイヤモンドの核発生とエピタキシー
（青学大・理工）○梅内 伸，小泉 聡，鈴木一博，犬塚直夫 ・・・・・・・・・・・・・・・4
102 （III）ダイヤモンドのホモエピタキシャル成長
（川崎製鉄）近藤英一，田中顕治，太田与洋 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・6
103 ＣＯ－Ｈ２系によるホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜
（大阪ダイヤモンド*，阪大・工）○八木弘雅，西村一仁*，八田章光，平木昭夫 ・・・・・・8
◇座長 西村一仁（大阪ダイヤモンド）
104 ダイヤモンド表面でのエピタキシャルシリコン薄膜の作製
（青学大・理工）○小泉 聡，町田宅広，野中 剛，犬塚直夫 ・・・・・・・・・・・・・・・10
105 化学エッチング処理したＳｉ基板へのダイヤモンド核発生
（電通大）湯郷成美，山守邦彦，木村忠正 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・12
106 歪み基板上へのダイヤモンド合成
（電機大・理工，電機大・工*）○小林健二，六倉信喜*，町 好雄*，中野朝安 ・・・・・・14
◇座長 小林健二（電機大・理工）
107 流動層前処理による平滑なダイヤモンド薄膜の合成
（群馬大・工）○宝田恭之，田村康太郎，岡崎哲也，中川紳好，加藤邦夫 ・・・・・・・・・・16
108 ホウ素化合物基板上でのダイヤモンド合成
（九大・工）○前田英明，日野貴文，草壁克己，諸岡成治 ・・・・・・・・・・・・・・・・・18
109 高周波プラズマＣＶＤ法によるＦｅ／Ｓｉ基板へのダイヤモンドの合成
（電機大・工）○島田義人，六倉信喜，町 好雄 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・20
◇昼食 １２：００～１３：００
◇１３：００～１４：４０ 座長 湯郷成美（電通大）
110 低圧を利用したダイヤモンドの核形成と銅基板上での成長
（東京冷熱，東京ガス*）○男鹿伸一，片岡加寿弘，山下 敏*，石倉威文* ・・・・・・・・26
111 金属基板上へのダイヤモンド膜合成
（富士通研）○栗原和明，佐々木謙一，井谷 司，河原田元信 ・・・・・・・・・・・・・・・28
112 遷移金属基板上へのダイヤモンド合成
（千葉工大）○坂本幸弘，高谷松文 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・30
113 アダマンタンを用いたダイヤモンド成膜
（半導体エネルギー研）○角野真也，宮永昭治，山崎舜平 ・・・・・・・・・・・・・・・・・32
◇コーヒブレイク １４：２０～１４：４０
◇１４：４０～１６：４０ 座長 神田久夫（無振材研）
114 衝撃圧縮下のＣ６０からダイヤモンドヘの変化過程
（東工大・工材研）平井寿子，近藤建一，大和田毅，渡辺禎也 ・・・・・・・・・・・・・・・34
115 天然ダイヤモンドの成長形とその変化
（京大・理）北村雅夫，下林典正 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・36
116 脱ガス法による無色ダイヤモンドの高圧合成
（筑波大，図書舘情報大*）○鍵 裕之，小柳 圭，大崎 誠，若槻雅男，磯谷順一* ・・・・38
◇座長 近藤建一（東工大・工材研）
117 ＮａＣｌ圧力媒体中でのダイヤモンドの成長
（無機材研）神田久生，山岡信夫 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・40
118 ＭｇＣＯ３を焼結助剤とするダイヤモンド焼結体の合成
（無機材研）赤石 實，大沢俊一，山岡信夫 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・42
119 気相被覆法によりＳｉ単体物質被覆を施した微粒ダイヤモンドの超高圧固相反応焼結
（名工試，日清製粉*，リード**）○粂 正市，吉田晴男，山田幸良*，冬木 正，秋山 聡*，隅田幸雄**，木村健一** ・・・・・・・・・・・・・・44
◇ポスターセッション（１６：４０～１８：１５）
P01 １３Ｃ同位体を用いたエピタキシャルＣＶＤダイヤモンドの結晶成長とラマン分光による転位の評価
（神奈川工試，ＫＴＦ*，東理大**）○唐澤志郎，三橋雅彦，小林 賢，平井清人*，富樫富隆** ・・・・・・・・・・・・・・・ 50
P02 イオン注入によるダイヤモンド薄膜の選択成長
（神奈川工試・東理大*）○小林 賢，熊谷正夫，唐澤志郎，渡辺武司，富樫富隆* ・・・・・52
P03 フラーレン結晶粉末からのダイヤモンド衝撃合成
（無機材研）関根利守 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・54
P04 フッ素化ダイヤモンド表面のＸＰＳによる観察
（無機材研，大阪チタニウム*）○末原 茂，安藤寿浩，下崎新二*，加茂睦和，佐藤洋一郎 ・・・・・・ 56
P05 安定同位体を用いたダイヤモンド表面の化学反応性に関する研究
（無機材研）○安藤寿浩，相沢 俊，石井紀彦，加茂睦和，佐藤洋一郎 ・・・・・・・・・・・58
P06 ＳＴＭを用いたダイヤモンド（００１）面２×１再構成構造の観察
（早大・理工）○佐々木英博，津川和夫，末定 剛，蓮沼 隆，大泊 巌，川原田洋 ・・・・・60
P07 ダイヤモンド（００１）表面のクラスターモデルによる解析
（早大・理工）○津川和夫，真淵正吾，星野忠次，大泊 巌，川原田洋 ・・・・・・・・・・・62
P08 ダイヤモンドのＮＶセンターの１３Ｃによる超微細構造
（阪大・基礎工，東大・物性研*，無機材研**○足立 祐介，西田良男，近藤道雄*，神田久生** ・・・・・・・・・・・・・・・ 64
P09 ダイヤモンド結晶（III）面に見られるトライゴンの観察と機構解明
（日本工大）広瀬洋一，中村 弘，北沢隆一，盛口 裵 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・66
P10 ＥＣＲプラズマＣＶＤにおけるダイヤモンド核形成
（グンゼ*，阪大・工）○御宿和人*，栄森信宏，屋良卓也，八田章光，平木昭夫 ・・・・・・68
P11 ＣＦ４－Ｈ２混合ガスを用いたダイヤモンド成膜
（半導体エネルギー研）○角野真也，井上 亨，宮永昭治，山崎舜平 ・・・・・・・・・・・・70
P12 マイクロ波プラズマＣＶＤ法によるダイヤモンド膜の合成
（電気興業）○糸原 武，石堀宏一 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・72
P13 セラミック基板へのＣＶＤダイヤモンド膜の生成
（東工大・工，オグラ宝石*）○喬 辛，福長 脩，篠田知顕*，油井広一* ・・・・・・・・74
P14 回転ＤＣアーク法によるダイヤモンド合成
（日本工大）岡田恒雄，竹内貞雄，村川正夫 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・76
P15 金属／ダイヤモンド薄膜界面の特性
（阪大・工）栄森信広，森 勇介，八田章光，伊藤利通，平木昭夫 ・・・・・・・・・・・・・78
P16 イオン注入したダイヤモンドの損傷と電気特性
（阪大・工，松下電器*，大阪ダイヤモンド**）森 勇介，栄森信宏，八田章光，伊藤利道，平木昭夫，
出口正洋，北畠 真*，平尾 孝*，西村一仁** ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 80
P17 ２結晶法を用いたダイヤモンド単結晶の評価
（住友電工）西林良樹，富川唯司，鹿田真一，藤森直治 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・82
P18 ダイヤモンド薄膜の評価
（積水化学*，阪大・工）○湯浅基和*，屋良卓也，八田章光，伊藤利通，平木昭夫 ・・・・・84
P19 撚焼炎法により合成したダイヤモンド膜の光学特性評価
（日本工大）○竹内貞雄，村川正夫 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・86
P20 ダイヤモンドを用いた紫外線検出素子
（阪大・工，大阪ガス*，早大・理工**）○曽木忠幸*，川原田洋**，八田章光，平木昭夫 ・・・・・・・・・・・・ 88
P21 ＺｎＯ／多結晶ダイヤモンド構造の表面弾性波と高周波フィルターヘの応用
（住友電工）鹿田真一，中幡英章，八郷昭広，藤森直治 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・90
P22 ダイヤモンド高温・高圧合成環境の安定化
（筑波大）○賈 暁鵬，健 裕之，若槻雅男 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・92
P23 良質なダイヤモンド単結晶を育成する新しい成長法
（筑波大）○李 偉，鍵 裕之，若槻雅男 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・94
P24 気相被覆法による表面改質微粒ダイヤモンドのマイルドな超高圧下での固相焼結
（名工試，日清製粉*，リード**）粂 正市，吉田晴男，山田幸良**，冬木 正*，○秋山 聡*，隅田幸雄**，木村健一 ・・・・・・・・・・・・・ 96
P25 プラズマコート法によりＴｉ金属コーティングを施した微粒ｃＢＮの超高圧固相反応焼結
（名工試，日清製粉*，リード**）吉田晴男，粂 正市，山田幸良*，冬木 正*，秋山 聡*，隅田幸雄**，○木村健一** ・・・・・・・・・・・・ 98
◇懇親会１８：３０～２０：３０ （学内食堂）
第２日（１１月２７日）（日本工業大学・学友会館）
◇９：００～１２：００ 座長 栗原和明（富士通）
201 １陰極－３陽極アーク放電プラズマジェットＣＶＤ装置によるダイヤモンドの合成
（東工大・工）平田 敦，吉川昌範 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・104
202 内炎と外炎を分離した非プラズマ空間でのダイヤモンド合成
（日本工大，昭電*）広瀬洋一，中村 弘，吉沢正雄，盛口 裵，小巻邦雄* ・・・・・・・・106
203 ダイヤモンド（００１）上の表面反応の考察
（住友電工）○今井貴浩，上田武史，藤森直治 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・108
204 ダイヤモンドＣ（１００）表面での水素吸着・脱離反応
（三菱重工，東北大*，高エネ研**）○西森年彦，石田博之，坂本仁志，高桑雄二*，加藤博雄**，宮本信雄* ・・・・・・・・・・・・・・・・ 110
◇休憩（１０：２０～１０：４０）
◇座長 西村耕造（神戸製鋼）
205 Ｉｂ型ダイヤモンドにおける格子欠陥の新しい光感応赤外吸収とフォトクロミズム
（阪大・基礎工，無機材研*，京大**，住友電工***）Ｏ金原旭成，美田佳三，西田良男，神田久生*，
小林慎江**，中島 猛*** ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・112
206 励起子発光によるダイヤモンドの結晶評価
（早大・理工）○山口 亮，堤 隆裕，平山裕樹，川原田洋 ・・・・・・・・・・・・・・・・114
207 合成ダイヤモンド結晶の原子空孔のＥＳＲ
（図書館情報大，無犠材研*，原研高崎**）○磯谷順一，神田久生*，内田吉茂*，森田洋右**，伊藤久義** ・・・・・・・・・・・・・・・・ 116
208 ＣＶＤダイヤモンド薄膜の熱伝導特性に及ぼす結晶粒径の影響
（東京ガス，東京冷熱*，早大**）○山下 敏，新井進輔，石倉威文，男鹿伸一*，川原田洋** ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 118
◇１２：００～１３：００
◇１３：００～１７：００ 赤石 實（無機材研）
209 ｃＢＮ膜のダイヤモンドとの摩擦・摩耗挙動
（日本工大）○渡部修一，三宅正二郎，長谷川洸，村川正夫 ・・・・・・・・・・・・・・・・124
210 ｃＢＮのＨＣＩ－ＨＮＯ３－Ｈ２Ｏエッチングと絶対極性：ＮａＯＨとの比較
（無機材研，理化学研*）○三島 修，小林 峰*，大沢俊一，青野正和* ・・・・・・・・・126
211 高圧触媒法によるｃＢＮの合成領域
（東工大・工）○福長 脩，藤岡拡和，中野智志 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・128
◇座長 三宅正二郎（日本工大）
212 高圧焼結したＢｅ添加ｃＢＮ多結晶体のⅠ－Ｖ特性
（無機材研）○谷口 尚，田中順三，三島 修，大沢俊一，山岡信夫 ・・・・・・・・・・・・130
213 超高圧擬ＨＩＰ，ピストン・シリンダ及びＨＩＰによるｃＢＮの固相焼結－気相法ＴｉＮ被覆微粒ｃＢＮ－
（名工試，日清製粉*，リード**）吉田晴男，粂 正市，山田幸良*，○冬木 正*，秋山 聡*，隅田幸雄一**，木村健一** ・・・・・・・・132
◇コーヒブレーク １４：４０～１５：００
◇１５：００～１７：００
214 ダイヤモンド関連炭素のＸ線スペクトル
（兵庫工業技術センター）元山宗之 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・134
◇座長 川原田洋（早大・理工）
215 イオンビームミキシング法で形成したＤＬＣ膜のトライボロジー
（日本工大）三宅正二郎，渡部修一，宮沢 肇，村川正夫 ・・・・・・・・・・・・・・・・・136
216 Ｂドープした多結晶ダイヤモンド薄膜のホール効果
（神戸製鋼）加藤理枝，酉村耕造，小橋宏司 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・138
217 多結晶ダイヤモンド薄膜電界効果トランジスタ
（神戸製鋼）西村耕造，小山久，宮田浩一，小橋宏司 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・140
◇座長 鹿田真一（住友竃工・伊丹研）
218 多結晶ダイヤモンド薄膜の深い準位の評価
（電総研，東海大・工*）○清田英夫，大串秀世，岡野 健*，秋葉幸男*，黒須楯生*，飯田昌盛* ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・142
219 金属－ダイヤモンド接合における障壁の電気陰性度依存性
（早大・理工）○青木 誠，宍倉岳二，中村直文，佐々木英博，加茂昌宏，大泊 巌，川原田洋 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・144 |