|
日 時：平成８年１２月２日（月），３日（火）
会 場：電気通信大学講堂
第１日（１２月２日） （電気通信大学講堂）
◇オーラルセッション ９：００～１２：００
◇座長 澤邊厚仁（青学大） ９：００～１０：２０
101 窒素添加ダイヤモンド薄膜からの電子放出
（東海大・電子，無機材研*，Livcrpool**，Surry***）○山田貴寿，岡野 健，小泉 聡*，
G.A.J.Amaratunga**，S. R .P. Silva*** ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 4
102 高配向ダイヤモンド薄膜のフィールドエミッション特性
（九州大・工）○伊福俊博，前田英明，諸岡成治，加藤昭夫 ・・・・・・・・・・・・・・・・ 6
103 プラズマアシストＣＶＤ法によって合成したＢＮ薄膜の電子放出特性
（阪大・工）○谷岡和彦，川崎斉司，杉野 隆，白藤純嗣 ・・・・・・・・・・・・・・・・・ 8
104 金属／水素終端ダイヤモンド界面の電気的特性
（早大・理工、宇宙科研*）○野田英行，山口貴之，栗原 潔，外園 明，廣瀬和之*，川原田洋 ・・・・・・・・・・・ 10
◇コーヒーブレイク １０：２０～１０：４０
◇座長 光田好孝（東大生研） １０：４０～１２：００
105 斜入射電子線を用いた電子刺激脱離法によるダイヤモンド表面の水素被覆率の測定
（東北大・科研、三菱重工・基盤研*）○高桑雄二，森 優治，金 起先，河野省三，西森年彦*，坂本仁志* ・・・・・・・・・・・ 12
106 ラジカルビーム処理したダイヤモンド表面の高速イオンビームによる評価
（阪大・工）○八木弘雅，八田章光，伊藤利道，佐々木孝友，平木昭夫 ・・・・・・・・・・・ 14
107 金属／ホモエピタキシャルダイヤモンドの接合特性－表面形態依存性
（電総研）○山中貞則，林 和志，渡辺幸志，三好比呂喜，政井茂雄，原 史朗，大串秀世，梶村皓二 ・・・・・・・・・・・ 16
108 ＤＬＣ膜の作成と金属－半導体接触による熱起電力の測定
（茨城大・工）○亀石一伸，浦尾亮一，早津 蔵 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・18
◇昼休み １２：００～１３：００
◇オーラルセッション １３：００～１５：００
◇座長 斉藤秀俊（長岡技大） １３：００～１４：００
109 無人実験衛星（ＳＦＵ）を利用したプラズマＣＶＤによるダイヤモンド合成
（無機材研、住友電工*，三菱総研**，日本電気***，日電宇宙航空システム****，
リモートセンシグ技術センター*****，宇宙開発事業団******）○佐藤洋一郎，安藤寿浩，藤森直治*，太田進啓*，
石川正道**，亀井信一**，松井捷明***，平尾昭博****，小川秀樹****，町田恒雄*****，鈴木崇弘******，
村上敬司******，越川尚清****** ・・・・・24
110 レーザー加熱ダイヤモンドアンビルセルによる黒鉛－ダイヤモンドおよびｈＢＮ－ｃＢＮ直接変換
（無機材研）○遊佐 斉，竹村謙一，松井良夫，M. Eremets ・・・・・・・・・・・・・・・26
111 熱電子併用型高周波スパッタリング法による炭素系薄膜の作製
（青学大・理工，トウプラス*）○阿部 剛，鈴木一博*，澤邊厚仁 ・・・・・・・・・・・ 28
◇座長 前田英明（九州大） １４：００～１５：００
112 メタンのみを用いたガスソース分子線エピタキシー法によるダイヤモンド成長への電子及び原子状水素の照射効果
（三菱重工・基盤研，東北大・科研*）○西森年彦，坂本仁志，高桑雄二*，河野省三* ・・ 30
113 ダイヤモンド核発生モデルと再考とエピタキシャル成長
（電通大・電気）○湯郷成美，中村伸之，平原勝久，石垣哲孝，木村忠正
114 ナノ・ダイヤモンド分散液による種付け処理を用いたＣＶＤダイヤモンド膜の形成
（松下電産・中研、松下電産・デバイスエンジ*）○出□正洋，北川雅俊，黒川英雄*，白鳥哲也* ・・・・・・・・・・・・・・ 32
◇休憩 １５：００～１５：１０
◇特別講演 座長 加茂睦和（無機材研） １５：１０～１６：００
「ダイヤモンドの核発生－溶液と気相の接点－ 」 東京工業大学 工学部教授 福長 脩 ・ 40
◇ポスターセッション １６：００～１８：００ （電気通信大学講堂）
P01 ガスパフによるダイヤモンド成膜
（阪大・工）○今川和之，鈴木秀利，全 炯敏，八田章光，伊藤利道，佐々木孝友，平木昭夫 ・ 42
P02 超伝導マグネット援用プラズマＣＶＤ装置によるダイヤモンド合成
（東工大・工、東工大・大学院総理*）○平田 敦，吉川昌範* ・・・・・・・・・・・・・・ 44
P03 高配向パラジウム結晶上へのダイヤモンド合成
（佐賀大・理工）○池田 進，栃谷 元，芳尾真幸，藤田寛治 ・・・・・・・・・・・・・・・ 46
P04 Ｃｕ基板上のダイヤモンド粒子の配向方向制御
（東京ガス）○石倉威文，山下 敏 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 48
P05 Ｘｅ添加雰囲気中でのマイクロ波プラズマＣＶＤを用いたダイヤモンド薄膜成長
（阪大・基礎）○菅原健一，山本忠昭，牧 哲朗，小林 猛 ・・・・・・・・・・・・・・・・ 50
P06 原料ガス中の微量窒素のＣＶＤダイヤモンドの結晶性への影響
（東京ガスケミカル，東京ガス*）○片岡加寿弘，山下 敏*，堀内賢治* ・・・・・・・・・ 52
P07 トリエチルリンをドープ源にしたダイヤモンドのホモエピタキシャル成長
（九州大・工）○斉藤丈靖，亀田正順，前田英明，草壁克己，諸岡成治 ・・・・・・・・・・・ 54
P08 酸素添加プラズマ中のラジカルの挙動
（阪大・工）○鈴木秀利，今川和之，全 炯敏，八田章光，伊藤利道，佐々木孝友，平木昭夫 ・ 56
P09 ダイヤモンド核発生処理におけるＣＨ３ラジカル密度の測定
（阪大・工）○全 炯敏，八田章光，今川和之，鈴木秀利，伊藤利道，佐々木孝友，平木昭夫 ・ 58
P10 高周波プラズマＣＶＤ法による平滑なＤＬＣ膜の作製
（東京電機大・理工，ウイーン工科大*）○小松 靖，御法川匠，平栗健二，G. Friedbacher ，
M. Grasserbauer * ・・・・・・・・・・・・・・・・・60
P11 窒素含有炭素膜の窒素組成と微細構造
（長岡技大・化学）○山口幸治，田中大祐，大塩茂夫，西野純一，斎藤秀俊 ・・・・・・・・・ 62
P12 イオンビーム法及びレザーアブレーション法による窒化炭素の生成
（物質研）○古賀義紀，山本和弘，斉藤公続，藤原修三 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 64
P13 高圧温度差法によるダイヤモンド種結晶上へのｃＢＮ単結晶成長
（無機材研）○谷口 尚，山岡信夫 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 66
P14 ｃＢＮ含有ＳｉＣウィスカー複合体の超高圧ＨＩＰ焼結
（融合研，名工研*，日清製粉・生技研**，超高材研・山口研***）○吉田晴男，粂 正市*，鈴木一孝*，榊原俊作*，
冬木 正**，藤井隆司**，西村敬一**，山本雅章***，中川浜三*** ・・・・・・・・・・ 68
P15 ダイヤモンド－ＰＳＺ－Ｓｉウィスカー系複合体のマイルドな超高圧焼結
（名工研、融合研*，日清製粉，生技研**，超高材研，山口研***）○粂 正市，鈴木一孝，榊原俊作，吉田晴男*，
冬木 正**，藤井隆司**，西村敬一**，山本雅章***，中川浜三*** ・・・・・・・・・・ 70
P16 エピタキシャルダイヤモンドに形成される不純物バンドの測定
（東海大・工，神奈川産総研*，住友電工・伊丹**）○小笠原厚志，犬島 喬，白石 正，大屋誠志郎*，唐沢志郎*，
塩見 弘** ・・・・・・・・・・ 72
P17 エンドランチ型ＣＶＤ装置によるホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜のカソードルミネエッセンス法による評価
（電総研、東海大・工*，東北大・金研**）○渡辺幸志，林 和志，山中貞則，三好比呂喜，政井茂雄，原 史朗，
関口隆史**，黒須楯生*，大串秀世，梶村結二 ・・・・・・・・・・・・・・・・ 74
P18 ダイヤモンド核の断面ＴＥＭ観察
（電通大・電気）○中村伸之，平原勝久，石垣哲孝，木村忠正，湯郷成美 ・・・・・・・・・・ 76
P19 バイアス処理したシリコン基板のＲＢＳによる評価
（阪大・工）○保科公彦，八木弘雅，八田章光，伊藤利道，佐々木孝友，平木昭夫 ・・・・・・ 78
P20 白金（III）上のダイヤモンド結晶粒子の初期成長過程のＳＥＭ観察
（神戸製鋼、徳島大・工*）○橘 武史，横田嘉宏，宮田浩一，小橋宏司，新谷義廣* ・・・・ 80
P21 ＴＥＭによるＣＶＤダイヤモンドとＣｕ，Ｐｔ間の界面観察
（阪大・工）○江 南，王 春蕾，元 済亨，全 炯敏，森 勇介，八田章光，伊藤利道，佐々木孝友，
平木昭夫 ・・・・・・・・・・ 82
P22 ＣＶＤダイヤモンド中微量窒素の制御
（阪大・工）○園田彰三，元 済亨，八木弘雅，八田章光，伊藤利道，佐々木孝友，平木昭夫 ・・84
P23 基板回転方式チャンバフレーム法で合成したダイヤモンドのカソードルミネッセンス
（日工大，早大・理工*）○鈴木 学，竹内貞雄，村上忠正*，川原田洋*，村川正夫 ・・・・・86
P24 原子間力顕微鏡を用いた気相合成ダイヤモンドの成長面の傾斜角測定
（長岡技大・化学）○新保靖行，大塩茂夫，西野純一，斎藤秀俊 ・・・・・・・・・・・・・・・88
P25 顕微ラマン分光方法によるボロンドープＣＶＤダイヤモンドの評価
（阪大・工）○王 春蕾，八田章光，伊藤利道，佐々木孝友，平木昭夫 ・・・・・・・・・・・・90
P26 イオン注入したＣＶＤダイヤモンドのリモート水素プラズマ処理効果
（阪大・工，松下電産・中研*）○元 済亨，八木弘雅，八田章光，小川兼司，園田彰三，王 春蕾，江 南，伊藤利道，
佐々木孝友，平木昭夫，出口正洋*，北畠 真* ・・・・・・・・・・・・・・・92
P27 タングステン針状チップヘのダイヤモンド成長とそのエミツション特性
（電通大・電気，阪大・工*）○石垣哲孝，平原勝久，中村伸之，湯郷成美，川崎斉司，杉野 隆* ・・・・・・・・・・・94
P28 金属／ダイヤモンド接合型フィールドエミッタの電子放出特性
（阪大・工）○川崎斉司，岩崎行緒，服部励治，杉野 隆，白藤純嗣 ・・・・・・・・・・・・・96
P29 ダイヤモンド薄膜を用いた電子放出素子の作製
（阪大・工，松下電産・中研*）○小川兼司，栄森信広，八田章光，伊藤利道，佐々木孝友，平木昭夫，
出口正洋*，北畠 真* ・・・・・・・・・・ 98
P30 ダイヤモンドの電子散乱機構
（玉川大・工）○月岡邦夫 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 100
P31 光交流法によるダイヤモンド自立膜の熱伝導性評価（Ⅱ）
（豊田中研）○樋口和夫，伊藤明生，内田 清，野田正治 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 102
P32 ダイヤモンドの熱伝導率測定
（住友電工・伊丹）○山本喜之，今井貴浩，吉田健太郎，築野 孝，田辺敬一朗，熊澤佳明 ・・ 104
P33 １２Ｃダイヤモンドの熱伝導率の測定
（東京ガス，東京ガスケミカル*）○中村和郎，片岡加寿弘*，堀内賢治，山下 敏 ・・・・・ 106
P34 ボロンドープ人工ダイヤモンドの電気伝導度への重イオン照射効果
（玉川大・工，日本原研*，岡山大・理**）○佐藤俊麿，鷲見 卓，大附孝行，春名勝次，前田裕司*，須貝宏行*，
早乙女隆雄，岩下州仁，大橋一利，松本徳真*，大塚英雄*，小野文久** ・・・108
P35 高温領域におけるｌｂ／アンドープダイヤモンド接合ダイオードの電気的特性
（東海大・工）○坂田豊和，秋葉幸男，黒須楯生，飯田昌盛 ・・・・・・・・・・・・・・・・110
P36 高圧合成ダイヤモンドの中の不純物シリコン発光センターの分布
（無機材研）○神田久生 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・112
P37 高圧合成ダイヤモンドの発光スペクトル温度依存性
（無機材研）○渡邊賢司，神田久生，佐藤洋一郎 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・114
P38 高圧合成ダイヤモンドの始発黒鉛の安定性評価
（筑波大・物質）○王 裕昌，高橋剛紀，鈴木敏弘，若槻雅男 ・・・・・・・・・・・・・・・116
P40 超微小連続押込み硬さ計によるアモルファス窒素含有炭素膜の静的粘弾性
（長岡技大・大学院）○田中大祐，大塩茂夫，西野純一，斎藤秀俊 ・・・・・・・・・・・・・118
P41 β－ＳｉＣ基板上のヘテロエピタキシャルダイヤモンド薄膜におけるＭＥＳＦＥＴの作製
（早大・理工、東京ガス*）○水落祐二，外園 明，石倉威文*，山下 敏*，川原田洋 ・・・120
P42 ｃ－ＢＮ膜とＤＬＣ膜との摩擦挙動
（日工大）○渡部修一，三宅正二郎，村川正夫 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・122
P43 アモルファスダイヤモンドの大量合成
（東工大・応用セラ研）○平井寿子，近藤建一 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・124
◇懇親会 １８：１５～２０：００ （学内東食堂）
第２日（１２月３日）
◇オーラルセッション ９：００～１２：００
◇座長 鈴木哲也（慶応大） ９：００～１０：２０
201 Ｘ線シソグラフィー用ダイヤモンドマスクヘの応用
（三菱マテリアル・総研，三菱電機・先端技研*）○足立美紀，山下博明，吉川博道、西山昭雄、矢部秀毅*，
北村佳恵子*，丸本健二* ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・130
202 １０５℃のフィラメント温度におけるダイヤモンド合成
（メイダイヤ，東海大・工*）○山中 博，細見 暁，広瀬洋一* ・・・・・・・・・・・・・132
203 Debye Parameter of Diamond Fine Particles and Clusters
(融合研)○Dilip Kumar Saha，古賀健司，竹尾陽敏 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・134
204 カソードルミネッセンスによる新谷法ダイヤモンドの評価
（神戸製鋼，阪大・工*，徳島大・工**）○横田嘉宏，橘 武史，宮田浩一，小橋宏司，八田章光*，伊藤利道*，
平木昭夫*，新谷義廣** ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・136
◇コーヒーブレイク １０：２０～１０：４０
◇座長 鹿田真一（住友電工） １０：４０～１２：００
205 表面終端処理の自由励起子発光への影響
（早大・理工、宇宙科研*）○村上忠正，外園 明，小林義弘，廣瀬和之*，川原田洋 ・・・・138
206 格子間原子の電子スピン共鳴による検出
（図書情報大，無機材研*，日本原研**）○磯谷順一，神田久生，森田洋右** ・・・・・・140
207 無色高圧合成ダイヤモンドにおけるＰＬ特性の成長セクタ依存性
（東京ガス、東大・工*）○堀内賢治，中村和郎，山下 敏，五神 真* ・・・・・・・・・・142
208 人工ダイヤモンド単結晶育成と含有される金属不純物
（筑波大・物質工，東大・工*，筑波大・物理工**）○賈 暁鵬，早川慎二郎*，宇賀神邦裕*，李偉，若槻尚斗**，王 裕昌，
杉山英治，高橋剛紀，大西章申，合志陽一*，若槻雅男 ・・・・・ 144
◇昼休み １２：００～１３：００
◇オーラルセッション １３：００～１７：００
◇座長 西山昭雄（三菱マテリアル） １３：００～１４：００
209 窒化ケイ素基板への高密着性ダイヤモンド被覆
（名大・理工、シグマコーティング技研*）○伊藤秀章，志村禎徳・杉山和義，岩原弘育，坂本弘道* ・・・・・・・・・・・・・・150
210 間欠放電プラズマＣＶＤによる窒化珪素スローアウェイチップ上へのダイヤモンド膜のコーティング
（愛知教育大・総理，岩谷産業*）○野田三喜男，山崎敬司，近藤亮吾，荒木那善* ・・・・・152
211 各種雰囲気中でのダイヤモンドライクカーボン膜の摩擦摩耗
（機械研、日大・工*，韓国生技研**）○田中章浩，吉田敏伸*，高 明玩**，金 聖寧**，李相玄** ・・・・・・・・・・・・・・154
◇座長 川原田洋（早稲田大） １４：００～１５：２０
212 エピタキシャルダイヤモンドに形成される不純物バンドの観測
（東海大・工，神奈川産総研*，住友電工・伊丹**）○犬島 喬，小笠原厚志，白石 正，大屋誠志郎*，
唐沢志郎*，塩見 弘** ・・・・・・・・・・・・・・156
213 ＲＦ熱プラズマ法によるダイヤモンド膜の作製とペルチェモジュールヘの応用
（豊田中研、アイシンコスモス研究所*）○樋口和夫，岩田裕司*，内田 清，野田正治 ・・・ 158
214 ２．４８８ＧＨｚ光通信用ダイヤモンドＳＡＷフィルター
（住友電工・伊丹）○鹿田真一，中幡英章，槍垣賢次郎，北林弘之，田辺敬一朗，藤井 知，関祐一郎 ・・・・・・・・・・・160
215 流動層の前処理によるＸ線リソグラフィ用ダイヤモンドメンブレンの作製
（信越化学，群馬大・工*）○野口 仁，久保田芳宏，宝田恭之* ・・・・・・・・・・・・・ 162
◇コーヒーブレイク １５：２０～１５：４０
◇座長 杉野 隆（大阪大） １５：４０～１７：００
216 Ｅ／Ｄ構成集積回路とＭＩＳＦＥＴの作製と評価
（早大・理工、東京ガス*）○外園 明，野田英行，植本 匡，北谷謙一，石倉威文*，中村健一*，山下 敏*，川原田洋 ・・・・・・・・・・・・ 164
217 ＳｒＴｉＯ３／ＣａＦ２複合ゲート絶縁膜を用いたダイヤモンドＭＩＳＦＥＴ
（阪大・基礎）○牧 哲朗，伊 榮，小林 猛 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・166
218 ダイヤモンドのオフ角基板を用いたステップフロー成長とそのサーミスタ作製への応用
（住友電工・伊丹）○塩見 弘，熊澤佳明 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・168
219 リンドープホモエピタキシャルダイヤモンドの合成と評価
（無機材研、青学大・理工*）Ｏ小泉 聡，尾崎裕之*，加茂睦和，佐藤洋一郎，犬塚直夫（故）* ・・・・・170
Ｌａｔｅ Ｎｅｗｓ １７：００～１７：３０（電気通信大学講堂） |