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日 時：平成１３年１１月２９日（月），３０日（火）
会 場：東京工業大学百年記念館
第１日（１１月２９日） （東京工業大学百年記念館）
◇座長 澤邊 厚仁（青山学院大学） １０：００～１１：２０
101 6インチ径<100>配向ダイヤモンド薄膜の作製
（FCT/JFCC、阪大･工*）○横田嘉宏，安藤 豊，渡邉晃彦，西林良樹，小橋宏司，平尾 孝*，尾浦憲治郎*・・・・・・・・・・・・・・・・4
102 高品質ダイヤモンド薄膜の高速合成
（阪大院･工）○寺地徳之，三谷諭司，伊藤利道・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・6
103 水素プラズマエッチングにおけるダイヤモンド表面形態の基板オフ角依存性
（産総研、FCT/JFCC*、産総研･CREST**）○李 成奇，吉田博昭*，
渡邊幸志**，竹内大輔**，長谷川雅考，小倉政彦，大串秀世**・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・8
104 ホモエピタキシャル成長による大型単結晶ダイヤモンドの作製
（住友電工･FCT/JFCC、FCT/JFCC*）○目黒貴一，安藤 豊*，西林良樹*，今井貴浩，石橋恵二，山本喜之・・・・・・・・・・・・・10
◇１１：２０～１１：４０ コ－ヒ－ブレイク
◇座長 伊藤 利道（大阪大学）１１：４０～１２：４０
105 低温ホウ素イオン注入によるCVDホモエピタキシャルダイヤモンドのp型電導性
（産総研）○長谷川雅考，小倉政彦，竹内大輔，渡邊幸志，李 成奇，大串秀世・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・12
106 燃焼炎法によるダイヤモンド膜の成長初期段階の品質評価
（日工大、NDF/昭和電工*）○竹内貞雄，村川正夫，小巻邦雄*・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・14
107 対向型２電極直流プラズマCVD装置でイオン照射されたIr下地へのダイヤモンド成長
（青学大･理工、トウプラスエンジ*）○岡村 悠，山田 貴壽，鈴木一博*，澤邊厚仁・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・16
◇１２：４０～１３：４０ 昼休み
◇座長 鈴木 哲也（慶應大学）１３：４０～１５：２０
108 単層ナノチューブの超高圧相
（FCT/JFCC、産総研*）○M.Popov，京谷陸征，古賀義紀*・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・22
109 SiC表面分解とカーボンナノチューブ配向膜
（FCT/JFCC）○鈴木敏之，楠 美智子，平山 司，柴田典義・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・24
110 パルスプラズマを利用したマイクロ押出し金型へのDLCコーティング
（東工大院･理工、日本ガイシ*）○楊 旭東，黒田俊久，中村幸則*，近藤好正*，大竹尚登・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・26
111 天然ダイヤモンド炭素源：高圧実験による検証
（物材機構、物材機構/CREST*）○山岡信夫，赤石 實*・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・28
112 立方晶窒化ホウ素p-n接合結晶の高圧合成
（物材機構･物質研、材料研*）○谷口 尚，小泉 聡，渡辺賢司，山岡信夫， 関口隆史*・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・30
◇１５：２０～１５：４０ コ－ヒ－ブレイク
◇特別講演 座長 加茂 睦和（物材機構）１５：４０～１６：２０
「ＦＣＴの成果と今後の展望」ものつくり大学 教授 吉川 昌範氏・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・32
◇ポスタ－セッション １６：２０～１８：００
P01 バイアス印加下におけるダイヤモンド核発生時の基板表面観察
（電通大）○石垣哲孝，斎藤大輔，野尻昌輝，渡辺俊文，湯郷成美・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・42
P02 マイクロ波直流重畳放電プラズマCVDによるダイヤモンド合成
（高知工大、ウシオ電機*）○富士敬司，住友 卓*，吉村紘明，八田章光・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・44
P03 燃焼炎による半閉鎖系での長尺基板へのダイヤモンド合成
（新日本製鉄、金沢工大*、）○岡田守弘，久保村健二*・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・46
P04 間欠放電プラズマCVDで作製したダイヤモンド膜のガス圧力による構造変化
（愛知教育大）○野田三喜男・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・48
P05 鉄系基板上のダイヤモンド合成Ⅰ
（東京電機大院･理工）○中村江里，大山 学，平栗健二・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・50
P06 鉄系基板上のダイヤモンド合成Ⅱ
（東京電機大院･理工）○大山 学，柴田高太郎，曽根貴裕，六車宏行，中村江里，平栗健二・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・52
P07 CH４/H２マイクロ波プラズマによるナノクリスタルダイヤモンド膜の合成
（FCT/JFCC、産総研*）○ホン ソンピル，吉川博道，古賀義紀*・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・54
P08 金属マスクを用いた選択ダイヤモンド成長
（徳島大･工）○山本裕史，直井美貴，藤井芳雄，新谷義廣・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・56
P09 強い励起子発光を示す高品質ダイヤモンド薄膜の作製プロセスの検討
（阪大院･工）○三谷諭司，伊藤利道，寺地徳之・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・58
P10 高品質エピタキシャルダイヤモンドの高速成長
（東芝･FCT/JFCC、FCT/JFCC*）○佐久間尚志，酒井忠司，鈴木真理子，小野富男，吉田博昭*・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・60
P11 ジメチル硫黄を用いた硫黄ドープダイヤモンド薄膜の合成
（九州大院･工）○谷口大知，外輪健一郎，草壁克己，諸岡成治・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・62
P12 ダイヤモンド成長過程に及ぼす硫黄ドープの影響
（九州大院･工）○素花 章，外輪健一郎，草壁克己，諸岡成治・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・64
P13 イオンプレーティングにより形成した窒化炭素膜の機械的特性
（日工大院）○須藤美恵子，渡部修一，三宅正二郎，村川正夫・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・66
P14 イオン支援レーザー蒸着法により作製したSi-C-N膜の機械的特性
（FCT/JFCC、産総研*）○木村 巧，山本和弘*，和住光一郎，田中章浩*，小海文夫，古賀義紀*・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・68
P15 電子ビーム励起プラズマCVDにより作製したB-C-N膜の特性評価
（FCT/JFCC、産総研*、川崎重工**）○長谷川 猛，山本和弘*，角舘洋三*，伴 雅人**・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・70
P16 マイクロ波プラズマCVDによる窒素含有炭素の作製
（千葉工大･工）○坂本幸弘，高谷松文，坂本直紀・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・72
P17 軟質材料上へのダイヤモンド状炭素膜コーティング
（東工大院･理工）○青木佑一，大竹尚登・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・74
P18 基板へのパルス/DCバイアス同時印加によるa-C膜の作製
（FCT/JFCC、産総研*）○渡辺俊哉，山本和弘*，津田 統，古賀義紀*，田中章浩*・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・76
P19 PLD法による炭素系薄膜形成時の発光分光およびイメージングによる解析
（FCT/JFCC、産総研*）○小海文夫，谷脇 学，石原正統*，古賀義紀*・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・78
P20 ラマン分光法によるアモルファス炭素系膜の構造分類
（長岡技大）○大河原吉明，大塩茂夫，伊藤治彦，鈴木常生，八井 浄，齋藤秀俊・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・80
P21 炭素薄膜の化学結合性の評価
（産総研、FCT/JFCC*）○山本和弘，古賀義紀，後藤亜紀子*，飯島澄男・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・82
P22 カソーディックアーク法により形成したDLC薄膜
（日立･生技研、日立ストレージ*）○稲葉 宏，佐々木新治，平野真也，古澤賢司，山坂 稔*・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・84
P23 プラズマイオン注入･成膜法を用いたアルミ合金へのDLC成膜とその特性
（栗田製作所、姫路工大*）○西村芳実，岡 好浩*，原 義仁*，八束充保*・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・86
P24 ECRプラズマを用いて作製したアモルファスカーボンフィルムの窒素添加効果
（産総研、FCT/JFCC*）○大花継頼，後藤亜紀子*，中村挙子，田中章浩，古賀義紀・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・88
P25 DLCコーティング装置の試作と理美容鋏へのコーティング
（広島県西部工技センター、柳生*）○筒本隆博，山本 晃，柳生健太* ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・90
P26 パルスバイアス法により作製したa-C膜の摩擦･摩耗特性:周波数による特性の違い
（FCT/JFCC、産総研*）○和住光一郎，古賀義紀*，田中章浩*・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・92
P27 アモルファス炭素膜の太陽光発電素子への適用
（東工大院･理工）○佐貫達史，青木佑一，吉本 護，小田原 修，大竹尚登・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・94
P28 アモルファス炭素系冷陰極の表面損傷
（長岡技大）○鷲尾 司，大河原吉明，大塩茂夫，伊藤治彦，齋藤秀俊・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・96
P29 PLD法による炭素系薄膜の形成とその硬度
（FCT/JFCC、産総研*）○谷脇 学，小海文夫，石原正統*，古賀義紀*・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・98
P30 多層カーボンナノチューブの量産技術の開発
（FCT/JFCC、産総研*）○井上 斉，湯村守雄*，大嶋 哲*，吾郷浩樹*・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・100
P31 カーボンナノチューブおよびナノファイバーの触媒を用いたSiC表面分解法による合成
（FCT/JFCC、産総研*）○津川和夫，後藤亜紀子，古賀義紀*・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・102
P32 カーボンナノチューブ含有樹脂射出成形品の機械的･電気的特性の評価
（東工大院･理工、湘南工大*）○榎本和城，森田雅士，安原鋭幸，加藤和典*，大竹尚登・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・104
P33 フラーレンの統計的生成機構のbuffer gas圧力依存性（理論）
（産総研）○吉田晴男・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・106
P34 フラーレンの直接BN置換反応を用いたヘテロフラーレンの合成
（産総研、FCT/JFCC*）○中村挙子，石川啓一郎，後藤亜紀子*，石原正統，大花継頼，古賀義紀・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・108
P35 レーザー改質法によるWC-Coからのグラファイト遊離
（長岡技大）○品田敬宏，大河原吉明，大塩茂夫，平賀 仁，井上尚志，齋藤秀俊・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・110
P36 単結晶ダイヤモンド(100)上へのナノ構造シリコンの形成とその特性
（阪大院･工）○伊澤正裕，伊藤利道・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・112
P37 電磁加速プラズマ溶射法により形成された炭化ホウ素皮膜の評価
（FCT/JFCC、産総研*）○北村順也，薄葉 州*，角舘洋三*，横井裕之*，山本和弘*，田中章浩*，藤原修三*・・・・・・・・・・・・114
P38 微粒ダイヤモンド多結晶体の高圧合成とその機械的性質
（物材機構、物材機構/CREST*）○野口雄一，赤石 實*・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・116
P39 高圧下におけるアントラセンの構造変化
（産総研、Tech Univ Graz*）○中山敦子，Martin Oehzelt*，Rolaud Resel*，藤久裕司，古賀義紀・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・118
P40 ダイヤモンド粒子からのフィールドエミッション:電界放出電子分光及び個々の粒子からの電子放出の観察
（FCT/JFCC、松下電産*）○渡邉晃彦，出口正洋*，北畠 真・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・120
P41 単結晶ダイヤモンドの針状突起の形成と先端評価
（FCT/JFCC、FCT/JFCC･NEDO*、住友電工**、阪大･工***）○西林良樹，
安藤 豊，古田 寛*，小橋宏司，目黒貴一**，今井貴浩**，平尾 孝***，尾浦憲治郎***・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・122
P42 多結晶ダイヤモンド膜による電子エミッタデバイスの作製
（高知工大、ウシオ電機*、松下寿**）○吉村紘明，富士敬司，大橋 渉，住友 卓*，猪本秀夫**，八田章光・・・・・・・・・・・・・・・124
P43 高メタン濃度による炭素膜の作成及びその電子放出特性の評価
（徳島大･工）○江口和幸，江 南，野口悟司，大田泰三，稲岡 武，新谷義廣・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・126
P44 金属電極上に堆積したa-C薄膜からの低電界電子放出
（東海大･工、エイコーエンジ*）○石飛 崇，小島 健，大矢 剛，庄 善之，和泉富雄，山内秀彦*・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・128
P45 鉄基板上に合成した炭素膜の電子放出特性
（広島県西部工技センター）○山本 晃，筒本隆博・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・130
P46 立方晶窒化ホウ素結晶からのフィールドエミッション特性
（阪大院･工、物材機構*）○木村千春，山本知秀，谷口 尚*，杉野 隆・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・132
P47 単結晶ダイヤモンド(100)表面における微細構造の評価
（阪大院･工、阪大超伝導*）○福本訓子，久保田晋平，寺地徳之，村上博成*，伊藤利道・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・134
P48 多結晶または(100)単結晶ダイヤモンド表面におけるDおよびO原子の吸着･脱離過程
（東大院/CREST、東大･生産研/CREST*）○鍋田朋哉，光田好孝*・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・136
P49 過酸化ベンゾイルによる水素化ダイヤモンド表面の水素引き抜き反応
（熊本大院、熊本工技センター*）○伊田進太郎，坪田敏樹*，平林 修，永岡昭二*，永田正典*，松本泰道・・・・・・・・・・・・・・・138
P50 ダイヤモンド結晶粒界原子･電子構造解析
（東大院）○沢田英敬，市野瀬英喜・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・140
P51 バイアス法で作製した不純物添加ダイヤモンド薄膜の評価
（電通大）○斎藤大輔，石垣哲孝，水島将司，伏見 央，湯郷成美・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・142
P52 イオン注入ホモエピタキシャルダイヤモンド膜の物性評価
（東芝･FCT/JFCC、FCT/JFCC*）○鈴木真理子，佐久間尚志，小野富男，酒井忠司，吉田博昭*・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・144
P53 p型ダイヤモンドのホール移動度に及ぼすイオン注入p+層形成の効果
（産総研）○小倉政彦，山中貞則，長谷川雅考，竹内大輔，渡邊幸志，李 成奇，大串秀世・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・146
P54 CVDダイヤモンド薄膜における正孔移動度の温度依存性
（玉川大･工）○小川尚志，月岡邦夫・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・148
P55 CVDダイヤモンド多結晶膜におけるカソードルミネッセンス分布
（物材機構、KIST*）○神田久生、渡邊賢司，Kwang Yong Eun*，Jae-Kap Lee*・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・150
P56 短パルス紫外光レーザーにより生成されたCVDダイヤモンド薄膜中の励起キャリアの輸送特性
（阪大院･工）○吉嵜 聡，寺地徳之，伊藤利道・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・152
P57 単結晶CVDダイヤモンド薄膜中におけるキャリア寿命の膜厚依存性と電界依存性
（阪大院･工）○木村謙一，寺地徳之，伊藤利道・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・154
P58 高電界印加ダイヤモンド中におけるキャリア輸送のモンテカルロ法による解析
（阪大院･工）○渡辺友勝，入江正丈，寺地徳之，伊藤利道，鎌倉良成，谷口研二・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・156
P59 ダイヤモンドFETの高周波評価
（早大･理工、早大･理工/CREST*）○宮本真吾，梅澤 仁*，谷内寛直*，
石坂博明*，有馬拓也*，藤原直樹*，立木 実*，川原田 洋*・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・158
P60 高性能化に向けたダイヤモンド微細MISFETの特性解析
（早大･理工、早大･理工/CREST*）○松平弘樹，梅澤 仁*，立木 実*，
大庭誉士和*，有馬拓也*，谷内寛直*，田中啓章*，藤原直樹*，石坂博明*，宮本真吾，栄 光燮*，川原田 洋*・・・・・・・・・160
P61 ダイヤモンドpn接合ダイオードの分光感度特性
（青学大･理工、物材機構*、リンバーグ大**）○片桐雅之，小泉 聡*，
渡邊賢司*，Milos Nesladek**，澤邊厚仁，神田久生*・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・162
P62 単結晶ダイヤモンドへのイオン注入により作製したグラファイト電極の特性評価
（FCT/JFCC、産総研*、東芝**）○吉田博昭，長谷川雅考*，山本和弘*，
大串秀世*，後藤亜紀子，鈴木真理子**，酒井忠司**・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・164
P63 CVDダイヤモンド薄膜上に真空蒸着した有機発光材料α-NPDの評価
（阪大院･工）○千 民承，寺地徳之，伊藤利道・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・166
P64 ダイヤモンド/p-Si複合電極を用いた二酸化炭素の光電気化学還元
（電通大）○小野 洋，横須加 明，田代智成，森崎 弘，湯郷成美・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・168
P66 スパッタ法によるダイヤモンド基板上へのAlN薄膜とLiNbO３薄膜の作製
（産総研、FCT/JFCC*）○石原正統，中村挙子，小海文夫*，古賀義紀・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・170
P67 同位体CH４を原料とした熱CVDによる単層，多層カーボンナノチューブの合成
（FCT/JFCC、東京ガス*、産総研**）○星 文之，石倉威文*，菊池 啓*，
後藤亜紀子，大嶋 哲**，湯村守雄**，古賀義紀**，藤原修三**・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・172
◇懇親会 １８：００～（フェライト記念会議室）
第 ２ 日（１１月３０日）
◇座長 川原田 洋（早稲田大学）１０：００～１１：００
201 ダイヤモンド薄膜での高密度励起子状態の観察
（産総研/CREST）○渡邊幸志，大串秀世・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・178
202 P,Siイオン注入したCVDダイヤモンド薄膜のイオン注入欠陥誘起電気伝導
（神奈川大･理、法政大･イオン工研*）○中田穣治，佐藤政孝*・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・180
203 高エネルギーイオン照射したダイヤモンドの電子スピン共鳴評価
（図書館情報大、物材機構*、住友電工**、原研高崎***）○磯谷順一，神田久生*，
角谷 均**，大島 武***，森田洋右***，森下憲雄***，伊藤久義***・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・182
204 非エピタキシャルダイヤモンド粒子の構造と発生機構解析
（東大院、産総研*）○沢田英敬，市野瀬英喜，渡邊幸志*，竹内大輔*，大串秀世*・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・184
◇１１：２０～１１：４０ コ－ヒ－ブレイク
◇座長 光田 好孝（東京大学） １１：４０～１２：４０
205 CVD成長ダイヤモンド(001)表面電気伝導層の構造と電子状態
（東北大･多元研）○河野省三，下村 勝，高野 享，後藤忠彦，佐藤 圭，虻川匡司・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・186
206 フォースカーブ測定による水素終端ダイヤモンド表面とAFM局所酸化領域の吸着力評価
（早大･理工/CREST）○貝原 雄，米窪大介，須方健太，立木 実，川原田 洋・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・188
207 ハロゲンイオンがダイヤモンド水素終端表面伝導層に与える影響
（早大･理工、早大･理工/CREST*）○金澤啓史，堺 俊克*，荒木裕太*，栄 光燮*，梅澤 仁*，立木 実*，川原田 洋*・・・・・・190
◇１２：４０～１３：４０ 昼休み
◇座長 北畠 真（松下電器産業） １３：４０～１５：２０
208 CF４添加O２ガスを使用した反応性イオンエッチングによる尖鋭化ダイヤモンドエミッタの作製
（FCT/JFCC、阪大･工*）○安藤 豊，西林良樹，古田 寛，小橋宏司，平尾 孝*，尾浦憲治郎*・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・196
209 反応性イオンエッチングにより尖鋭化したダイヤモンドエミッタアレイからの電子放出評価
（FCT/JFCC･NEDO、FCT/JFCC*、阪大･工**）○古田 寛，安藤 豊*，西林良樹*，小橋宏司*，平尾 孝**，尾浦憲治郎**・・198
210 イオン注入加工ダイヤモンドからの電界電子放出
（東芝･FCT/JFCC、FCT/JFCC*）○酒井忠司，佐久間尚志，鈴木真理子，小野富男，吉田博昭*・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・200
211 ホウ素添加多結晶ダイヤモンド薄膜からの電子放出の温度依存性
（青学大院･理工、国際基督大*）○山田貴壽，澤邊厚仁，鈴木雄宇*，岡野 健*・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・202
212 窒化ホウ素ナノ薄膜からの電子放出
（阪大院･工）○木村千春，山本知秀，杉野 隆・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・204
◇１５：２０～１５：４０ コ－ヒ－ブレイク
◇座長 西林 良樹（ＪＦＣＣ） １５：４０～１７：００
213 曲面成膜･研磨によるダイヤ軸受けの作製
（住友電工・FCT/JFCC）○石橋恵二，目黒貴一，今井貴浩，山本喜之・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・206
214 ダイヤモンド単正孔トランジスタのク-ロンブロッケード特性
（早大･理工/CREST）○澄川 雄，立木 実，瀬尾北斗，坂野時習，梅澤 仁，川原田 洋・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・208
215 化学気相合成ダイヤモンド単結晶を用いた放射線検出器の特性評価
（北大、阪大*、住友電工**、日本原研***）○金子純一，田中照也*，
今井貴浩**，谷村嘉彦*，片桐政樹***，西谷健夫***，竹内 浩***，飯田敏行*・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・210
216 ダイヤモンド紫外発光デバイスの特性向上
（東京ガス･フロンティア研）○河村亜紀，岡島裕一郎，堀内賢治，井手卓宏，石倉威文，中村和郎・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・212
Ｌａｔｅ Ｎｅｗｓ １７：００～
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