日 時：平成１４年１１月２５日（月），２６日（火）
会 場：日本工業大学学友会館
第１日（１１月２５日） （日本工業大学学友会館）
◇座長 澤邊 厚仁（青山学院大学） １０：００～１２：００
101 パルス放電プラズマCVDによる高いガス圧力でのダイヤモンド膜の作製
（愛知教育大）○野田三喜男・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・4
102 60kWマイクロ波装置を用いたαパラメーター＝0～3の形態制御ダイヤモンド合成
（FCT/JFCC）○横田嘉宏，安藤 豊，小橋宏司，平尾 孝，尾浦憲治郎・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・6
103 16mm角ホモエピタキシャルダイヤモンドの合成と評価
（FCT/JFCC･住友電工）○目黒貴一，難波暁彦，辰巳夏生，石橋恵二，関 裕一郎，今井貴浩・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・8
104 炭素膜および窒化炭素膜の構造と化学結合性
（産総研，FCT/JFCC*）○山本和弘，渡辺俊哉*，和住光一郎*，古賀義紀・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・10
105 高温高圧下アルカリ，アルカリ土類系溶媒を用いた場合のcBNの析出機構
（エーステック，物材機構*）○福長 脩，谷口 尚*・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・12
106 ナノグラファイトリボンの合成
（FCT/JFCC，大阪ガス･FCT/JFCC*，大阪ガス**，産総研***）○京谷陸征，山口千春*，松井久次**，古賀義紀***・・・・・・14
◇１２：００～１３：００ 昼休み
◇座長 川原田 洋（早稲田大学） １３：００～１５：００
107 金属基板/ダイヤモンド粒子界面の操作とその電界電子放出機構解明
（FCT/JFCC）○渡邉晃彦，北畠 真・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・20
108 窒化ホウ素ナノ薄膜の電界放出特性
（阪大院･工）○舟川慎吾，杉野 隆・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・22
109 アモルファス窒化炭素膜を利用した三極構造電界放射発光素子
（長岡技大）○鷲尾 司，大塩茂夫，齋藤秀俊・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・24
110 高温高圧合成Ⅰb(001)ダイヤモンド中のμSR
（産総研･CREST，高エネ加速器研*）○李 成奇，渡邊幸志，小倉政彦，
竹内大輔，長谷川雅考，大串秀世，下村浩一郎*，西山樟生*・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・26
111 ポーズ統計に従ったダイヤモンドからのエキシトン発光スペクトル(Ⅰ)：理論
（産総研･CREST，茨城大･CREST*）○大串秀世，菅野正吉*，渡邊幸志・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・28
112 ポーズ統計に従ったダイヤモンドからのエキシトン発光スペクトル(Ⅱ)：実験
（産総研･CREST，茨城大･CREST*）○渡邊幸志，菅野正吉*，大串秀世・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・30
◇１５：００～１５：２０ コ－ヒ－ブレイク
◇特別講演 座長 小橋宏司（FCT/JFCC） １５：２０～１６：００
「私のダイヤモンド研究」電気通信大学 教授 湯郷成美 氏・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・32
◇ポスタ－セッション １６：００～１８：００
P01 イオンビームエッチングによる多結晶ダイヤモンド薄膜表面の平坦化
（青山学院大･理工）○山田貴壽，澤邊厚仁・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・42
P02 高速平坦性イオンエッチングによるホモエピタキシャルダイヤモンド自立基板の作製
（住友電工･FCT/JFCC，FCT/JFCC*）○目黒貴一，難波暁彦，辰巳夏生，石橋恵二，関 裕一郎，西林良樹*，今井貴浩・・・44
P03 ダイヤモンド薄膜への不純物添加の試み
（電通大）○齋藤大輔，君嶋卓也，石垣哲孝，木村忠正，湯郷成美・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・46
P04 マイクロ波直流重畳放電プラズマCVDによるダイヤモンド合成
（高知工大）○富士敬司，八田章光・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・48
P05 基板温度独立制御式MPECVD装置によるダイヤモンド成長
（徳島大･工）○山本裕史，不老地 康弘，直井美貴，新谷義廣・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・50
P06 熱フィラメントCVD法による平板状ダイヤモンドの合成
（日工大，東洋電装*，東海大**）○石川 豊，三橋和広*，佐々木 豊，稲葉直樹，鎌形泰寛，広瀬洋一**・・・・・・・・・・・・・・・・・52
P07 対向電極直流放電でイオン照射されたイリジウム下地へのダイヤモンド成長 -イオン照射条件依存性-
（青学大･理工，トウプラスエンジ*）○岡村 悠，桑原潤史，山田貴壽，鈴木一博*，澤邊厚仁・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・54
P08 (100)微細加工基板上に成長したリンドープホモエピタキシャルダイヤモンド
（住友電工･FCT/JFCC）○難波暁彦，目黒貴一，辰巳夏生，石橋恵二，関 裕一郎，今井貴浩・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・56
P09 電子デバイス用ホウ素ドープCVDホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜
（産総研･CREST）○小倉政彦，陳 益鋼，李 成奇，渡邊幸志，竹内大輔，長谷川雅考，大串秀世・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・58
P10 2段成長法による高速成長エピタキシャルダイヤモンド薄膜の高品質化
（東芝･FCT/JFCC，FCT/JFCC*）○佐久間尚志，吉田博昭*，鈴木真理子，小野富男，酒井忠司・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・60
P11 マイクロ波プラズマCVDによる単結晶ダイヤモンド表面形態の合成圧力依存性
（産総研･CREST）○長谷川雅考，李 成奇，渡邊幸志，大串秀世・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・62
P12 直流グロー放電を用いたDLCの合成
（広島県西部工技センター，セーラー万年筆*，川瀬機工**）○筒本隆博，山本 晃，松尾浩司*，島川 修**・・・・・・・・・・・・・・・64
P13 3次元イオンプロセスによる立体形状へのDLC膜の合成
（FCT/JFCC，産総研*）○渡辺俊哉，山本和弘*，津田 統，古賀義紀*，田中章浩*・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・66
P14 真空アーク蒸着法によるDLC膜の合成
（東工大院･理工）○緒方賢一，平田 敦・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・68
P15 プラズマCVD法を用いた三次元構造物へのDLCの成膜
（東京電機大院･理工）○高田 哲，大越康晴，斎藤智之，平栗健二，舟久保 昭夫，福井康裕・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・70
P16 溶射プラズマCVDによるTi-DLC膜の合成
（東工大院･理工）○谷口信人，百瀬英明，安原鋭幸，大竹尚登・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・72
P17 VHFプラズマを用いたスパッタリング法によるa-C:H薄膜の形成過程
（琉球大･工，琉球大院･理工*）○比嘉 晃，宮城義之*，渡久地 實・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・74
P18 ダイヤモンド電子デバイス用アモルファスカーボン絶縁膜－表面伝導層上の形成－
（青学大院･理工）○小島亜樹，山田貴壽，澤邊厚仁・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・76
P19 ECRプラズマスパッタ法によるナノクリスタルグラファイト膜の作製
（産総研，FCT/JFCC*）○大花継頼，中村挙子，津川和夫*，田中章浩，古賀義紀・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・78
P20 レーザーアブレーション法による炭素系多層薄膜の形成
（FCT/JFCC，産総研*，三重大**）○谷脇 学，鈴木雅裕，石原正統*，古賀義紀*，小海文夫**・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・80
P21 スッパタリングによるC-F系薄膜の形成
（日工大）○Mei Wang，渡部修一，斎藤喬士，三宅正二郎・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・82
P22 プラズマCVDによる結晶性窒素含有炭素の作製
（千葉工大･工）○坂本幸弘，高谷松文・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・84
P23 同軸アンテナマイクロ波プラズマCVDを用いた窒化炭素膜の合成
（FCT/JFCC，茨城大*，産総研**）○津川和夫，石川正彦*，吉川博道，古賀義紀**・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・86
P24 プラズマイオン注入を利用した窒化ホウ素薄膜合成
（FCT/JFCC，産総研*）○津田 統，渡辺俊哉，鈴木雅裕，石原正統，田中章浩，古賀義紀・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・88
P25 窒化炭素膜のマイクロトライボロジー特性に及ぼす反応ガスの影響
（日工大）○須藤美恵子，渡部修一，三宅正二郎，村川正夫・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・90
P26 カーボンナノホーンへの白金粒子の担持における酸化処理の効果
（産総研，産総研･CREST*，CREST**）○橋本綾子，飯島澄男*，糟屋大介**，湯田坂雅子**・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・92
P27 カーボンナノチューブへのイオン照射による異種元素導入
（産総研）○山本和弘・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・94
P28 フラーレンC88:20(C2)の統計的成長機構（理論）
（産総研）○吉田晴男・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・96
P29 リン触媒高圧合成ダイヤモンドのカソードルミネッセンス
（物材機構）○神田久生，Chung Jung In，渡邊賢司，D.Michau・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・98
P30 カソードルミネッセンスによるヘテロエピタキヤルダイヤモンド薄膜の評価
（物材機構･青学大連携院，物材機構*，青学大連携院**）○片桐雅之，桑原潤史，神田久生，小泉 聡*，澤邊厚仁**・・・・・100
P31 ラマン散乱分光法によるBe添加cBN単結晶の不純物モードの研究
（物材機構，ベラルーシ国立科学アカデミー*）○渡邊賢司，E.M.Shishonok*，谷口 尚，神田久生・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・102
P32 カソードルミネッセンス分光法によるcBN単結晶のバンド端発光の観測
（物材機構）○渡邊賢司，谷口 尚，小泉 聡，神田久生・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・104
P33 ダイヤモンド電極による水素発生の研究
（電通大）○田代智成，木村大輔，小野 洋，木村忠正，湯郷成美・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・106
P34 アモルファス炭素系膜の冷却下における水素吸藏特性
（長岡技大）○日下健一，大河原吉明，大塩茂夫，齋藤秀俊・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・108
P35 ダイヤモンド/p-Si複合を用いた二酸化炭素の光電気化学還元Ⅱ
（電通大）○小野 洋，横須加 明，松下健治，田代智成，森崎 弘，湯郷成美・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・110
P36 水素化アルミニウムリチウムによる酸素化ダイヤモンド表面の還元反応
（熊本大･工，熊本工技センター*）○伊田進太郎，坪田敏樹*，谷井俊介，永田正典*，松本泰道・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・112
P37 過酸化ベンゾイルを利用したカルボン酸によるダイヤモンド表面の化学修飾
（熊本大･工，熊本工技センター*）○谷井俊介，坪田敏樹*，伊田進太郎，永田正典*，松本泰道・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・114
P38 ペルフルオロアゾ化合物の光分解反応を用いたダイヤモンド粉末表面の化学修飾
（産総研，FCT/JFCC*）○中村挙子，石原正統，大花継頼，津川和夫*，古賀義紀・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・116
P39 気相塩素化反応を経由するダイヤモンド表面への窒素の導入
（九州大院･工）○天本哲生，谷口大知，外輪健一郎，草壁克己・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・118
P40 熱処理したダイヤモンドのXPS分析
（日工大）○大島龍司，若松哲朗，飯塚完司・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・120
P41 リンドープダイヤモンドからの電子放出
（住友電工･FCT/JFCC，FCT/JFCC*）○辰巳夏生，難波暁彦，目黒貴一， 安藤 豊*，西林良樹，今井貴浩・・・・・・・・・・・・・122
P42 B含有高圧合成ダイヤモンド上尖鋭エミッタからの電子放出
（FCT/JFCC，阪大･工*）○安藤 豊，西林良樹，小橋宏司，古田 寛*，平尾 孝*，尾浦憲治郎*・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・124
P43 ダイヤモンド冷陰極を用いた非晶質セレン･フォトディテクター
（国際基督教大）○大貫宏祐，鈴木雄宇，山口尚登，岡村憲伯，岡野 健・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・126
P44 イオン注入層を利用したダイヤモンド尖鋭エミッタの作製と電子放出
（FCT/JFCC，阪大･工*）○西林良樹，安藤 豊，李 奎穀*，古田 寛*，小橋宏司，平尾 孝*，尾浦憲治郎*・・・・・・・・・・・・・・・・128
P45 Diamond/Fe/Si上にDLC膜を堆積させた基板からの電界放出
（東京電機大院･理工）○奥 裕一朗，高柳元一，平栗健二・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・130
P46 ダイヤモンドin-plane-gated FETのゲートリーク電流の低減
（早大･理工，早大･理工/CREST*）○小林健作，立木 実*，坂野時習*，澄川 雄*，梅澤 仁*，川原田 洋*・・・・・・・・・・・・・・・・132
P47 多結晶ダイヤモンド基板を用いた微細電解質ゲートFETの作製
（早大･理工/CREST）○川村正太，藤原直樹，堺 俊克，金澤啓史，宋 光燮，梅澤 仁，川原田 洋・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・134
P48 ダイヤモンドのピエゾ抵抗効果
（広島県西部工技センター）○山本 晃，筒本隆博・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・136
P49 ダイヤモンド深紫外LED界面品質改善による特性向上
（東京ガス･フロンティア研，東大院*）○堀内賢治，河村亜紀，岡島裕一郎，
井手卓宏，石倉威文，永井正也*，島野 亮*，五神 真*・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・138
P50 高品質ホモエピタキシャルダイヤモンドの電気的特性
（東芝･FCT/JFCC，FCT/JFCC*）○鈴木真理子，佐久間尚志，酒井忠司，小野富男，吉田博昭*・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・140
P51 CVDダイヤモンド薄膜におけるHall効果の温度依存性
（玉川大･工）○小川尚志，月岡邦夫・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・142
P52 高圧高温合成IIa型ダイヤモンドにおける電荷捕獲機構の推定
（北大，日本原研･阪大*，北大･日本原研**，阪大***，日本原研****）
○ 平井佑樹，金子純一**，田中照也*，澤村晃子，片桐政樹****，西谷健夫****，飯田敏行***・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・144
P53 窒素添加気相成長ダイヤモンド薄層のゼーベック効果測定
（国際基督教大，Cambridge大*）○堀内るみ，N.Rupesinghe*，M.Chhowalla*，GAJ.Amaratanga*，岡野 健・・・・・・・・・・・・・・・146
P54 電子後方散乱回析像法(EBSP)による配向性ダイヤモンド薄膜表面の結晶方位解析
（神戸製鋼，FCT/JFCC*）○橘 武史，横田嘉宏*，林 和志，川上信之，井上憲一，小橋宏司*・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・148
P55 ダイヤモンドライクカーボン膜の作製と絶縁性の評価
（高知工大）○大橋 渉，吉村紘明，八田章光，松久治可，富士敬司・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・150
P56 CVDダイヤモンドドレッサーの性能評価
（旭ダイヤモンド工業）○相川博勝，小林正次，宇根宏治・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・152
P57 CMPコンディショナの開発－砥粒規則配列タイプの性能評価
（旭ダイヤモンド工業）○大井敏敬，原 知義，佐川正行，西岡芳樹・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・154
P58 多層ダイヤモンド膜の付着力
（日工大）○小島雅治，竹内貞雄，村川正夫・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・156
P59 熱処理したダイヤモンド粉末の表面と研磨特性
（日工大）○大島龍司・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・158
P60 サブミクロンダイヤモンドの表面
（トーメイダイヤ）○山中 博，森野志津香・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・160
P61 ダイヤモンド膜への吸着水を利用した摩擦低減
（日工大）○金 鐘得，三宅正二郎，谷 和憲，川合一臣・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・162
P62 アコースティックエミッション(AE)法によるダイヤモンド薄膜の損傷検出
（旭ダイヤモンド工業，青山学院大･理工*）○池田隆二，竹本幹男*，小川武史*・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・164
P63 微細炭素チューブの固体潤滑材としての評価
（東工大院･理工）○吉岡信明，平田 敦・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・166
P64 DLC膜のIC製造プロセスにおけるマスク材への応用
（東京電機大院･理工）○吉村真之，平栗健二・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・168
P65 DLCコーティングダイスを利用したアルミニウム角材の可変断面押出し
（ものつくり大，東工大院･理工*）○原 薫，大竹尚登*，細野慎太朗*，村上碩哉*・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・170
P66 DLC膜の疲労特性評価
（日工大）○丹治 明，松野建一，竹内貞雄，村川正夫・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・172
P67 PBII法で形成したDLC膜のマイクロトライボロジー特性
（日工大，リケン*）○斉藤喬士，三宅正二郎，渡部修一，諸貫正樹*・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・174
P68 DLCのエンジンオイル中での摩擦摩耗特性とTi添加効果
（住友電工，日本ITF*）○宮永美紀，織田一彦，大原久典*，池ヶ谷明彦・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・176
P69 DLC膜のトライボロジー特性
（石川島播磨重工業）○渕上健児，鈴木勝美，堀内正昭，上松和夫，佐々 正・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・178
P70 DLC膜を被覆したガイドワイヤーの摺動特性
（慶應大院･理工，北里大･医*）○松岡義明，児玉英之，鈴木哲也，島田 厚*・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・180
P71 電磁加速プラズマ溶射法により形成されたB４C成膜の機械的特性
（FCT/JFCC，産総研*）○北村順也，薄葉 州*，角舘洋三*，横井裕之，山本和弘*，田中章浩*，藤原修三*・・・・・・・・・・・・・182
P72 高圧合成ダイヤモンド単結晶ルミネッセンス
（住友電工，阪大･極限*，阪大･基礎**，Max-Planck Inst***）○角谷 均
清水克哉*，天谷喜一*，中川洋平**，Mikhail EREMETS***・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・184
P73 電子ビーム励起プラズマアシストRFマグネトロンスパッタによるB-C-N膜
（FCT/JFCC，川崎重工･FCT/JFCC*，産総研**）○長谷川 猛，伴 雅人*，山本和弘**，角舘洋三**・・・・・・・・・・・・・・・・・・・186
◇懇親会 １８：００～２０：００
第 ２ 日（１１月２６日）
◇座長 平田 敦（東京工業大学） ９：２０～１０：２０
201 マイクロマニピュレーター用ダイヤモンド製エンドエフェクタの形状検討
（日工大）○中里裕一，宮澤 肇，竹内貞雄，有賀幸則・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・192
202 リングラフィー用ダイヤモンドメンブレンのナノレベル平坦化
（三菱マテリアル，京大･工*）○西山昭雄，松木竜一，松尾二郎*，瀬木利夫*・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・194
203 ダイヤモンドナノロッドの形態制御
（FCT/JFCC，阪大･工*）○安藤 豊，西林良樹，小橋宏司，平尾 孝*，尾浦憲治郎*・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・196
◇１０：２０～１０：４０ コ－ヒ－ブレイク
◇座長 今井 貴浩（住友電工） １０：４０～１２：００
204 高出力マイクロ波プラズマCVDにより合成された高品質ダイヤモンド薄膜の結晶性評価
（阪大院･工）○寺地徳之，三谷諭司，吉嵜 聡，伊藤利道・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・198
205 イオン注入コンタクト層を用いたCVDダイヤモンド薄膜の電気特性評価
（FCT/JFCC，東芝･FCT/JFCC*，産総研**）○吉田博昭，鈴木真理子*，
佐久間尚志*，小野富男*，酒井忠司*，小倉政彦，大串秀世・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・200
206 表面チャネル型ダイヤモンドFETの特性評価
（早大･理工/CREST）○河野真宏，石坂博明，宮本真吾，松平弘樹，中澤一志，宋 光燮，梅澤 仁，立木 実，川原田 洋・・・・202
207 低誘電率窒化ホウ素炭素(BCN)薄膜の作製と評価
（阪大院･工）○杉山智彦，多井知義，杉野 隆・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・204
◇１２：００～１３：００ 昼休み
◇座長 安藤 寿浩（物材機構） １３：００～１４：２０
208 ダイヤモンドのISFETへのオゾン処理の影響
（早大･理工，早大･理工/CREST*）○中村雄介，宋 光燮*，堺 俊克*，金澤啓史*，梅澤 仁*，立木 実*，川原田 洋*・・・・・・・210
209 多結晶ダイヤモンド加熱表面への酸素フラックスによる表面状態変化
（東大･生産研/JST･CREST，東大院･工学研/JST･CREST*，東大･生産研**）
○光田好孝，鍋田朋哉*，葛巻 徹**・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・212
210 フッ素･酸素･アミノ基によるダイヤモンドの微細領域表面化学修飾
（早大･理工，早大･理工/CREST*）○畑 英夫，梅澤 仁*，石坂博明*，
貝原 雄*，金澤啓史*，藤原直樹*，堺 俊克*，宋 光燮*，立木 実*，川原田 洋*・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・214
211 パルスバイアス法により作製したa-C膜の摩擦摩耗性
（FCT/JFCC，産総研*）○和住光一郎，田中章浩*，古賀義紀*・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・216
◇１４：２０～１４：４０ コ－ヒ－ブレイク
◇座長 竹内 貞雄（日本工業大学） １４：４０～１６：００
212 カーボンナノチューブ含有樹脂射出成形板材の機械的特性
（東工大院･理工，湘南工大*）○榎本和城，安原鋭幸，大竹尚登，村上碩哉，加藤和典*・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・218
213 レーザー超音波システムを利用したCVDダイヤモンドの力学特性評価
（旭ダイヤモンド工業，青学大院･理工*）○池田隆二，林 淑恵，竹本幹男，澤邊厚仁*・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・220
214 微細結晶ダイヤモンドコーティング工具
（旭ダイヤモンド工業）○新田好男・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・222
215 ダイヤ軸受の作製および摺動特性評価
（住友電工･FCT/JFCC）○関 裕一郎，目黒貴一，難波暁彦，石橋恵二，今井貴浩・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・224
Ｌａｔｅ Ｎｅｗｓ １６：２０～
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