| （１） |
ダイヤモンド表面とエレクトロニクス |
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川原田 洋（早大）・・・・・・・・・・・・・・1 |
| （２） |
STRUCTURE AND CHEMISTORY OF THE DIAMOND SURFACE |
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Taro Yamada,T.j,Chuang and H.Seki(IBM Research Division,Almaden research Center)・・・・・・・7 |
| （３） |
シリコン結晶欠陥と表面 |
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押山 淳（日本電気）・・・・・・・・・・・・・17 |
| （４） |
化合物半導体表面とデバイス |
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鹿田真一（住友電工）・・・・・・・・・・・・・19 |
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| （１） |
「ダイヤモンド低温気相成長法の世界の研究状況」 |
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村中 廉､H．yamashita､H．Miyadera（日立製作所）・・・1 |
| （２） |
「低温域におけるダイヤモンド成長の温度依存性」 |
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・CVDダイヤモンドの低温合成メカニズム |
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小宮山宏､伊原 学､山口敦治（東大）・・・・・・16 |
| （３） |
「ECRプラズマを用いたダイヤモンド薄膜の低温気相合成」 |
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・有磁場マイクロ波プラズマCVD法によるダイヤモンドの低温合成 |
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八田章光､平木昭夫（阪大）・・・・・・・・・・22 |
| （４） |
「物理的活性化による低温ダイヤモンド合成」 北畠 真（松下電産） |
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・Diamond films by ion-assisted deposition at room temperature |
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Makoto kitabatake and kiyotake Wasa（Central Reserch Laboratories,Matsusita Electric Ind.)・・・・・・28 |
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・MOLECULAR DYNAMICS SIMULATIONS OF GRAPHITE→ DIAMOND TRANSFORMATIONS AND SiC GROWTH ON Si(001) |
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M.Kitabatake(Central Reseach Labs.,Matsushita ELechctric Ind.)・・・・・・・・・・・・・・・33 |
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総合討論会 コメンテーター 加茂睦和（無機材研） |
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