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平成5年光・エレクトロニクス/基礎合同分科会講演要旨集

日 時: 平成5年4月2日(金)10:30~16:00
場 所: 東京工業大学百年記念館
(1) ダイヤモンド表面とエレクトロニクス
  川原田 洋(早大)・・・・・・・・・・・・・・1
(2) STRUCTURE AND CHEMISTORY OF THE DIAMOND SURFACE
  Taro Yamada,T.j,Chuang and H.Seki(IBM Research Division,Almaden research Center)・・・・・・・7
(3) シリコン結晶欠陥と表面
  押山 淳(日本電気)・・・・・・・・・・・・・17
(4) 化合物半導体表面とデバイス
  鹿田真一(住友電工)・・・・・・・・・・・・・19
   

平成5年度基礎分科会講演要旨集

日 時: 平成5年10月13日(水)10:50~19:30
場 所: 東京大学山上会館

「ダイヤモンドの低温気相成長を考える」

(1) 「ダイヤモンド低温気相成長法の世界の研究状況」
  村中 廉、H.yamashita、H.Miyadera(日立製作所)・・・1
(2) 「低温域におけるダイヤモンド成長の温度依存性」
  ・CVDダイヤモンドの低温合成メカニズム
  小宮山宏、伊原 学、山口敦治(東大)・・・・・・16
(3) 「ECRプラズマを用いたダイヤモンド薄膜の低温気相合成」
  ・有磁場マイクロ波プラズマCVD法によるダイヤモンドの低温合成
  八田章光、平木昭夫(阪大)・・・・・・・・・・22
(4) 「物理的活性化による低温ダイヤモンド合成」  北畠 真(松下電産)
  ・Diamond films by ion-assisted deposition at room temperature
  Makoto kitabatake and kiyotake Wasa(Central Reserch Laboratories,Matsusita Electric Ind.)・・・・・・28
  ・MOLECULAR DYNAMICS SIMULATIONS OF GRAPHITE→ DIAMOND TRANSFORMATIONS AND SiC GROWTH ON Si(001)
  M.Kitabatake(Central Reseach Labs.,Matsushita ELechctric Ind.)・・・・・・・・・・・・・・・33
  総合討論会 コメンテーター 加茂睦和(無機材研)