| （１） |
CVDダイヤモンドの電子親和力とその制御 |
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八田章光（阪大）・・・・・・・・・・・・・・・1 |
| （２） |
ピラミッド状ダイヤモンドの作製とその電子放出特性 |
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岡野 健（東海大）・・・・・・・・・・・・・・7 |
| （３） |
Tip-structureダイヤモンド孤立粒子の合成とその電界放出特性 |
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山下 敏（東京ガス）・・・・・・・・・・・・・11 |
| （４） |
金属／ダイヤモンド接合型フィールドエミッタ |
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杉野 隆（阪大）・・・・・・・・・・・・・・・17 |
| （５） |
高安定フィールドエミッタ |
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石沢芳夫（無機材研）・・・・・・・・・・・・・22 |
| （６） |
イオン注入法を用いたSi電界エミッタの特性制御 |
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伊藤順司（電総研）・・・・・・・・・・・・・・28 |
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| （１） |
マイクロ波プラズマCVD法によるダイヤモンドのエピタキシャル成長 |
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築野 孝（住友電工）・・・・・・・・・・・・・1 |
| （２） |
ダイヤモンドのステップフローエピタキシャル成長 |
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林 和志（電総研）・・・・・・・・・・・・・・5 |
| （３） |
ダイヤモンドガスソースMBEにおける水素脱離及びメタン吸着過程 |
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西森年彦（三菱重工）・・・・・・・・・・・・11 |
| （４） |
ダイヤモンドとグラファイト及びc-BNとh-BN |
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鈴木哲也（慶大）・・・・・・・・・・・・・・16 |
| （５） |
CBN表面でのダイヤモンドのエピタキシー |
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小泉 聡（無機材研）・・・・・・・・・・・・25 |
| （６） |
2段階バイアス処理による高配向ダイヤモンド膜の合成 |
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前田英明（九州大）・・・・・・・・・・・・・26 |
| （７） |
Cu基板上への一軸配向ダイヤモンド粒子の合成 |
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石倉威文（東京ガス）・・・・・・・・・・・・29 |
| （８） |
新谷法によるPt（111）上のダイヤモンド薄膜エピタキシャル成長 |
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橘 武史（神戸製鋼）・・・・・・・・・・・・35 |
| （９） |
イリジウム薄膜表面へのダイヤモンドのエピタキシャル成長 |
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鈴木一博（トウプラス）・・・・・・・・・・・41 |
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