平成８年第13回光・エレクトロニクス分科会講演要旨集
| 日 時： | 平成8年1月19日（金） 12：15～16：40 |
| 場 所： | 東京大学生産技術研究所 第7会議室 |
「ダイヤモンドNEAとフィールドエミッタ」
| （１） | CVDダイヤモンドの電子親和力とその制御 |
| 八田章光（阪大）・・・・・・・・・・・・・・・1 | |
| （２） | ピラミッド状ダイヤモンドの作製とその電子放出特性 |
| 岡野 健（東海大）・・・・・・・・・・・・・・7 | |
| （３） | Tip-structureダイヤモンド孤立粒子の合成とその電界放出特性 |
| 山下 敏（東京ガス）・・・・・・・・・・・・・11 | |
| （４） | 金属／ダイヤモンド接合型フィールドエミッタ |
| 杉野 隆（阪大）・・・・・・・・・・・・・・・17 | |
| （５） | 高安定フィールドエミッタ |
| 石沢芳夫（無機材研）・・・・・・・・・・・・・22 | |
| （６） | イオン注入法を用いたSi電界エミッタの特性制御 |
| 伊藤順司（電総研）・・・・・・・・・・・・・・28 | |
平成８年度合同分科会講演要旨集
| 日 時： | 平成8年5月24日（金） 13：00～17：00 |
| 場 所： | 電気通信大学（東4号館802室） |
「犬塚直夫先生追悼 ニューダイヤモンドフォーラム合同分科会’９６
－ダイヤモンドのエピタキシャル成長を徹底討論する－」
パネル討論会「ダイヤモンドのエピタキシャル成長を徹底討論する」
| （１） | イントロダクトリ |
| 加茂睦和（無機材研） | |
| （２） | 「犬塚直夫先生を偲んで」 |
| 広瀬洋一（東海大）、澤邊厚仁（青学大） | |
講演2「ダイヤモンドのエピタキシャル成長を徹底討論する」
| （１） | マイクロ波プラズマCVD法によるダイヤモンドのエピタキシャル成長 |
| 築野 孝（住友電工）・・・・・・・・・・・・・1 | |
| （２） | ダイヤモンドのステップフローエピタキシャル成長 |
| 林 和志（電総研）・・・・・・・・・・・・・・5 | |
| （３） | ダイヤモンドガスソースMBEにおける水素脱離及びメタン吸着過程 |
| 西森年彦（三菱重工）・・・・・・・・・・・・11 | |
| （４） | ダイヤモンドとグラファイト及びc-BNとh-BN |
| 鈴木哲也（慶大）・・・・・・・・・・・・・・16 | |
| （５） | CBN表面でのダイヤモンドのエピタキシー |
| 小泉 聡（無機材研）・・・・・・・・・・・・25 | |
| （６） | 2段階バイアス処理による高配向ダイヤモンド膜の合成 |
| 前田英明（九州大）・・・・・・・・・・・・・26 | |
| （７） | Cu基板上への一軸配向ダイヤモンド粒子の合成 |
| 石倉威文（東京ガス）・・・・・・・・・・・・29 | |
| （８） | 新谷法によるPt（111）上のダイヤモンド薄膜エピタキシャル成長 |
| 橘 武史（神戸製鋼）・・・・・・・・・・・・35 | |
| （９） | イリジウム薄膜表面へのダイヤモンドのエピタキシャル成長 |
| 鈴木一博（トウプラス）・・・・・・・・・・・41 | |