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平成11年第16回光・エレクトロニクス/第14回基礎合同分科会講演要旨集

日 時： 平成11年2月5日（金）　12：30～18：00
場 所： 早稲田大学国際会議場　第3会議室

「ダイヤモンドエピタキシャル成長の新展開」

１）ホモエピタキシャル成長

（１） 非ホモエピタキシャルダイヤモンド粒子の発生と成長機構
  沢田英敬（東大）・・・・・・・・・・・・・・・1
（２） CVD成長ダイヤモンドのUHV評価
  河野省三（東北大）・・・・・・・・・・・・・・6
（３） n型ダイヤモンドの電気的特性
  寺地徳之（無機材研）・・・・・・ ・・・・・・10
   

２）ヘテロエピタキシャル成長

（１） Pt基板上のヘテロエピタキシャル成長
  横田嘉宏（神戸製鋼）・・・・・・・・・・・・・16
（２） Ir基板上のヘテロエピタキシャル成長
  澤邉厚仁（青学大）・・・・・・・・・・・・・・22
（３） レーザーアブレーションによる純酸素中でのサファイア基板上のヘテロエピタキシャル成長
  吉本　護（東工大）・・・・・・・・・・・・・・29
   

３）表面拡散と核形成

（１） 溝における表面拡散原子の会合過程
  O.A.Louchev（無機材研）・・・・・・・・・・・33
（２） SiCのV字溝におけるダイヤモンドクラスターの形成過程
  森田和敏（早大）・・・・・・・・・・・・・・・44
   

平成11年第11回機械・工具分科会講演要旨集

日 時： 平成11年3月11日（木）　11：00～19：00
場 所： 慶應義塾大学・三田・北新館ホール

「薄膜装置開発はどこまで進んだか？」

（１） 炭素系被膜の新しい成膜装置
  曽野健三（ライボルト）・・・・・・・・・・・・・1
（２） マイクロ波CVDダイヤモンド装置の現状
  佐久間菊雄（セキテクノトロン）・・・・・・・・・9
（３） 欧米の硬質膜産業の動向と新しいPVD技術
  濱田正樹（日本バルザース）・・・・・・・・・・・16
（４） DLC薄膜の特性と金型への応用
  今井　修（日本アイ・ティ・エフ）・・・・・・・・20
（５） DLC装置用イオンソースの開発
  林　剛（ナノテック）・・・・・・・・・・・・・・26