| （１） |
気相合成ダイヤモンド工具 |
| |
吉川昌範（東工大）・・・・・・・・・・・・・1 |
| （２） |
ダイヤモンド膜及び ｃ－BN膜の工具への応用 |
| |
村川正夫（日工大）・・・・・・・・・・・・・・21 |
| （３） |
気相法ダイヤモンドを用いた超精密バイト |
| |
小巻邦雄、小柳直樹、小畑龍夫（昭和電工）・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・29 |
| （４） |
「均一分散砥石：ユニメタル」 |
| |
星 順二、高橋 務、岡田英敏、滝沢与司夫（三菱ﾏﾃﾘｱﾙ）・・・・・・・・・・・・36 |
| |
|
| （１） |
半導体の表面フェルミ準位ピンニング |
| |
白藤純嗣（阪大）・・・・・・・・・・・・・・1 |
| （２） |
単結晶ダイヤモンドの表面導電層 |
| |
西林良樹（住友電工）・・・・・・・・・・・・・13 |
| （３） |
ダイヤモンド薄膜電気特性の熱処理効果 |
| |
宮田浩一（神戸製鋼）・・・・・・・・・・・・・15 |
| （４） |
半導体ダイヤモンド表面の水素化及び酸化と電気伝導性 |
| |
安藤寿浩（無機材研）・・・・・・・・・・・・・18 |
| （５） |
第一原理分子動力学法によるC（001）－2×1、2×2表面の計算 |
| |
小林一昭（無機材研）・・・・・・・・・・・・・20 |
| （６） |
単結晶ダイヤモンドの表面導電層 |
| |
牧 哲郎（阪大） ・・・・・・・・・・・・・・22 |
| （７） |
酸化物不純物源を用いた半導体ダイヤモンドの表面伝導 |
| |
岡野 健（東海大）・・・・・・・・・・・・・・23 |
| （８） |
ダイヤモンド表面伝導層の電子デバイスへの利用 |
| |
川原田 洋（早大）・・・・・・・・・・・・・24 |
| |
|
| （１） |
c－BN生成と基板バイアス効果 |
| |
吉田豊信（東大）・・・・・・・・・・・・・・・1 |
| （２） |
イオンプレーティングによるc－BN膜形成における基板バイアス効果 |
| |
渡部修一（日工大）・・・・・・・・・・・・・・11 |
| （３） |
ECRプラズマCVDによるダイヤモンド膜作製時のバイアス効果 |
| |
八田章光（阪大）・・・・・・・・・・・・・・・19 |
| （４） |
バイアス処理によるダイヤモンドの核生成とその配向性制御 |
| |
前田英明（九州大）・・・・・・・・・・・・・・27 |
| （５） |
ダイヤモンドの核発生（イオン効果を中心として） |
| |
湯郷成美（電通大）・・・・・・・・・・・・・・39 |
| |
|
